RU2725521C1 - Способ изготовления фотопреобразователя - Google Patents
Способ изготовления фотопреобразователя Download PDFInfo
- Publication number
- RU2725521C1 RU2725521C1 RU2019143405A RU2019143405A RU2725521C1 RU 2725521 C1 RU2725521 C1 RU 2725521C1 RU 2019143405 A RU2019143405 A RU 2019143405A RU 2019143405 A RU2019143405 A RU 2019143405A RU 2725521 C1 RU2725521 C1 RU 2725521C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- etching
- solution
- semiconductor structures
- tetramethylammonium hydroxide
- contact layer
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 57
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 47
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 39
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims abstract description 33
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 30
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims abstract description 9
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 7
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 21
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 230000000740 bleeding effect Effects 0.000 abstract description 2
- QEMXHQIAXOOASZ-UHFFFAOYSA-N tetramethylammonium Chemical compound C[N+](C)(C)C QEMXHQIAXOOASZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 abstract 1
- 238000004870 electrical engineering Methods 0.000 abstract 1
- 150000004680 hydrogen peroxides Chemical class 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 42
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 6
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 229910017401 Au—Ge Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 230000001815 facial effect Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003534 oscillatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/184—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof the active layers comprising only AIIIBV compounds, e.g. GaAs, InP
- H01L31/1844—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof the active layers comprising only AIIIBV compounds, e.g. GaAs, InP comprising ternary or quaternary compounds, e.g. Ga Al As, In Ga As P
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/184—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof the active layers comprising only AIIIBV compounds, e.g. GaAs, InP
- H01L31/1852—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof the active layers comprising only AIIIBV compounds, e.g. GaAs, InP comprising a growth substrate not being an AIIIBV compound
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
Изобретение относится к полупроводниковой технике, а именно к способам изготовления трехкаскадных фотопреобразователей. Способ изготовления фотопреобразователя, согласно изобретению, включает формирование контактной металлизации на фронтальной и тыльной поверхностях многослойной полупроводниковой структуры Ga(In)As/GaInP/Ga(In)As/Ge, выращенной на германиевой подложке, вытравливание мезы, вжигание контактов, разделение полупроводниковой структуры на чипы дисковой резкой, удаление контактного слоя многослойной полупроводниковой структуры химико-динамическим травлением в водном растворе гидроокиси тетраметиламмония и перекиси водорода при количественном соотношении гидроокиси тетраметиламмония 0,3÷0,7 масс. %, перекиси водорода 6,5÷17,7 масс. %, воды 93,2÷81,6 масс. % и нанесение просветляющего покрытия. Изобретение обеспечивает повышение производительности операции химико-динамического травления контактного слоя за счет увеличения количества одновременно обрабатываемых полупроводниковых структур, расположенных свободно в растворе в несколько слоев, разделенных газовой прослойкой при экзотермическом повышении температуры травителя, сокращение расхода тетраметиламмония за счет более эффективного процесса травления контактного слоя вследствие повышения температуры раствора и увеличение фотоэлектрических параметров за счет стравливания дефектов, вносимых дисковой резкой на торцевой поверхности мезы. 4 ил., 2 табл.
Description
Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности, к фотоэлектрическим преобразователям, а именно, к способам изготовления трехкаскадных фотопреобразователей.
Известен способ стравливания контактного n+-GaAs слоя полупроводниковой структуры, принятый за аналог, (см. A Thesis Presented in Partial Fulfillment of the Requirements for the Degree Master of Science «High Efficiency GaAs-based Solar Cells Simulation and Fabrication», Chaoming Zhang, Arizona State University, May, 2014, p. 45), в котором травление до слоя оптического окна n-GaInP осуществляется по маске лицевых контактов на основе золота Ge/Au/Ni/Au (260/540/150/1500
) в водном растворе ортофосфорной кислоты и перекиси водорода состава H3PO4÷H2O2÷H2O=1÷1÷3 в течение ~ 10 сек.
Недостаток способа применительно к производству фотопреобразователей с лицевыми контактами на основе серебра- травящее воздействие раствора на серебряную составляющую металлизации, что приводит к отслаиванию контакта. Травитель не обладает селективностью к полупроводниковому слою оптического окна AlInP, применяемого в трехкаскадных фотопреобразователях.
Признак, общий с предлагаемым способом изготовления фотопреобразователя, следующий: удаление контактного n+-GaAs слоя полупроводниковой структуры.
Известен способ изготовления фотопреобразователя (см.патент РФ №2559166, опубл. 10.08.2015 г.), принятый за прототип, в котором формируют контактную металлизацию на фронтальной и тыльной поверхностях многослойной полупроводниковой структуры Ga(In)As/GaInP/Ga(In)As/Ge, выращенной на германиевой подложке; вытравливают мезу; вжигают контакты; удаляют контактный слой многослойной полупроводниковой структуры химико-динамическим травлением в водном растворе гидроокиси тетраметиламмония и перекиси водорода при количественном соотношении гидроокиси тетраметиламмония 0,7÷1,3 масс. %, перекиси водорода 6,5÷17,7 масс. %, воды 92,8÷81 масс. %; наносят просветляющее покрытие TiO2/Al2O3; разделяют полупроводниковые структуры на чипы фотопреобразователей дисковой резкой. Изготовленные фотопреобразователи размером 40×80 мм, площадью 30,17 см2 имеют хорошую адгезию лицевых контактов, фотоэлектрические параметры с эффективностью более 29%.
Недостаток способа-прототипа заключается в низкой производительности операции химико-динамического травления контактного слоя, так как в каждой ванночке обрабатывается по одной полупроводниковой структуре. Кроме того, дисковая резка полупроводниковых структур на чипы приводит к занижению предельно возможных фотоэлектрических параметров фотопреобразователя, что обусловлено воздействием интенсивного потока раскрошенного электропроводного материала подложки на n/р переходы эпитаксиальных слоев, выходящих на поверхность мезы.
Признаки прототипа, общие с предлагаемым способом изготовления фотопреобразователя, следующие: формирование контактной металлизации на фронтальной и тыльной поверхностях многослойной полупроводниковой структуры Ga(In)As/GaInP/Ga(In)As/Ge, выращенной на германиевой подложке; вжигание контактов; вытравливание мезы; удаление контактного слоя многослойной полупроводниковой структуры химико-динамическим травлением в водном растворе гидроокиси тетраметиламмония и перекиси водорода при количественном соотношении перекиси водорода 6,5÷-17,7 масс. %; нанесение просветляющего покрытия; разделение полупроводниковой структуры на чипы дисковой резкой.
Технический результат, достигаемый в предложенном способе изготовления фотопреобразователя, заключается в повышении производительности операции химико-динамического травления контактного слоя за счет увеличения количества одновременно обрабатываемых полупроводниковых структур, расположенных свободно в растворе в несколько слоев, разделенных газовой прослойкой при экзотермическом повышении температуры травителя; сокращении расхода тетраметиламмония за счет более эффективного процесса травления контактного слоя вследствие повышения температуры раствора; увеличения фотоэлектрических параметров за счет стравливания дефектов, вносимых дисковой резкой на торцевой поверхности мезы.
Достигается это тем, что формируют контактную металлизацию на фронтальной и тыльной поверхностях многослойной полупроводниковой структуры Ga(In)As/GaInP/Ga(In)As/Ge, выращенной на германиевой подложке; вытравливают мезу; вжигают контакты; разделяют полупроводниковые структуры на чипы дисковой резкой; удаляют контактный слой многослойной полупроводниковой структуры химико-динамическим травлением в водном растворе гидроокиси тетраметиламмония и перекиси водорода при количественном соотношении гидроокиси тетраметиламмония 0,3÷0,7 масс. %, перекиси водорода 6,5÷17,7 масс. %, воды 93,2÷81,6 масс. %; наносят просветляющее покрытие.
Отличительные признаки предлагаемого способа изготовления фотопреобразователя, обеспечивающие его соответствие критерию «новизна» следующие: химико-динамическое травление контактного слоя выполняют после разделения полупроводниковых структур на чипы при расположении полупроводниковых структур в растворе в несколько слоев и при количественном соотношении гидроокиси тетраметиламмония 0,3÷0,7 масс. %, воды 93,2÷81,6 масс. %.
Для обоснования соответствия предлагаемого способа изготовления фотопреобразователя критерию «изобретательский уровень» был проведен анализ известных решений по литературным источникам, в результате которого не обнаружено технических решений, содержащих совокупность известных и отличительных признаков предлагаемого способа, дающих вышеуказанный технический результат. Поэтому по мнению авторов, предлагаемый способ изготовления фотопреобразователя соответствует критерию «изобретательский уровень».
Предложенный способ изготовления фотопреобразователя обеспечивает эффективное химико-динамическое стравливание контактного n+- GaAs слоя полупроводниковых структур, расположенных в растворе свободно в несколько (от двух до восьми) слоев. В процессе травления происходит газовыделение (в связи с разложением перекиси водорода) на поверхностях лицевой и тыльной металлизации, при этом образуется газовая прослойка между структурами, что препятствует их слипанию. Доступ раствора к полупроводниковой поверхности не ограничивается газовыми пузырьками, благодаря динамичному колебательному характеру процесса, при котором полупроводниковые структуры, расположенные послойно, взаимоперемещаются в растворе. В процессе травления в результате тепловыделения при экзотермической реакции повышается температура, величина которой растет с увеличением числа обрабатываемых полупроводниковых структур. С ростом температуры реакция травления протекает интенсивнее, что позволяет при увеличении числа обрабатываемых структур, располагаемых в растворе в несколько слоев, сократить содержание гидроокиси тетраметиламмония и продолжительность процесса. Применяемый травитель не воздействует на серебряную составляющую контактов и AlInP-полупроводниковый слой оптического окна фотопреобразователя. В случае содержания гидроокиси тетраметиламмония менее 0,3 масс. % и соответственно, воды более 93,2 масс. % не обеспечивается эффективное удаление n+- GaAs контактного слоя при расположении полупроводниковых структур в десять слоев, в силу недостаточности количества основного травящего компонента в используемом обьеме раствора 100÷140 мл, а также из-за пониженной температуры раствора при при меньшем количестве слоев полупроводниковых структур (от двух до восьми), что снижает производительность операции. Применение раствора травителя с содержанием гидроокиси тетраметиламмония более 0,7 масс. % и, соответственно, воды менее 81,6 масс. % избыточно для многослойного расположения полупроводниковых структур в растворе, так как процесс травления протекает интенсивнее за счет экзотермического повышения температуры травителя. При этом общая продолжительность технологической операции лимитируется длительностью извлечения полупроводниковых структур из ванночки. Применение травителя с содержанием гидроокиси тетраметиламмония менее 0,7 масс. %, в случае однослойного расположения полупроводниковых структур, нецелесообразно в связи завышенной для массового производства длительностью процесса или невозможностью стравливания контактного слоя на всей партии обрабатываемых полупроводниковых структур без замены травителя. Использование раствора травителя обьемом менее 100 мл нецелесообразно в связи с многослойным расположением полупроводниковых структур в ванночке и необходимостью их свободного взаимоперемещения. Применение раствора обьемом более 140 мл нетехнологично из-за снижения максимальной температуры при травлении и выплескивания раствора из ванночки при вращательном движении платформы. В процессе химико-динамического травления при повышенных температурах эффективно удаляются дефекты дисковой резки на торцевой поверхности мезы, что способствует увеличению механической прочности и повышению электрических параметров фотопреобразователей.
Предложенный способ изготовления фотопреобразователя иллюстрирован на фиг. 1; 2а,б; 3а,б; 4а,б и таблицами 1,2. На фиг. 1 представлен вид подвижной платформы, на которой установлены ванночки с обрабатываемыми полупроводниковыми структурами. На фиг. 2а,б представлен вид ванночки с обрабатываемыми полупроводниковыми структурами в растворе, расположенными: а)- в четыре слоя; б)- в восемь слоев. На фиг. 3а,б представлены виды дефектов торцевой поверхности чипа после дискового разделения полупроводниковых структур: а)- дефекты края вблизи тыльного слоя металлизации; б)- микросколы торцевой поверхности. На фиг. 4а,б представлены виды торцевой поверхности чипа после стравливания контактного слоя: а)- общий вид; б)- вид области, прилегающей к тыльному контакту. В таблице 1 представлены результаты обработки полупроводниковых структур при расположении их в растворе в один, два, четыре и восемь слоев. В таблице 2 представлены электрические параметры изготовленных фотопреобразователей.
Пример 1.
Для конкретного примера применения способа изготовления фотопреобразователя используют трехкаскадные эпитаксиальные структуры Ga(In)As/GaInP/Ga(In)As/Ge, выращенные на германиевой подложке, диаметром 100 мм. Создают лицевые контакты фотопреобразователя на основе серебра Cr/Au-Ge/Ag/Au, выполняют меза-травление, напыляют сплошной тыльный контакт на основе серебра Cr/Au/Ag/Au, вжигают контакты, выравнивают металлизированные полупроводниковые структуры охлаждением в парах азота. Выравнивание необходимо для свободного взаимоперемещения нескольких слоев полупроводниковых структур в растворе при последующем химико-динамическом стравливании контактного слоя и для напыления просветляющего покрытия. Разделяют металлизированные полупроводниковые структуры на чипы фотопреобразователей (заготовки) с габаритными размерами 40×80 мм методом дисковой резки по меза-канавке. Стравливают контактный n+- GaAs слой по маске лицевой металлизации химико-динамическим травлением в водном растворе гидроокиси тетраметиламмония и перекиси водорода (ТМАГ) при количественном соотношении гидроокиси тетраметиламмония 0,53 масс. %, перекиси водорода 10,7 масс. %, воды 88,77 масс. %. Ванночка для травления выполнена прямоугольной конфигурации размером 120×120 мм с плоским дном и двумя сообщающимися секциями, разделенными между собой перегородкой. На платформе, совершающей орбитальное вращение в горизонтальной плоскости с радиусом r=5 мм, частотой вращения 80 об/мин, устанавливают 5 ванночек, (см. фиг. 1). Обьем раствора в ванночке ~ 120 мл. Чипы фотопреобразователей укладывают фронтальным слоем вверх по четыре слоя последовательно в каждую секцию ванночек, (см. фиг. 2а). В процессе движения платформы происходит свободное взаимоперемещение заготовок фотопреобразователей, разделяемых между собой газовыми пузырьками, образующимися за счет разложения перекиси водорода. Температура раствора в результате тепловыделения при экзотермической реакции травления контактного n+- GaAs слоя возрастает от 23°С до 29°С. Величина максимальной температуры в растворе при увеличении числа обрабатываемых полупроводниковых структур ограничивается диапазоном (27÷33)°С вследствие снижения исходного содержания гидроокиси тетраметиламмония. Повышение температуры раствора ускоряет процесс стравливания. Контактный n+- GaAs слой удаляется на всех заготовках в одной ванночке за ~ 3 мин. После извлечения заготовок процесс повторяется. Общее время обработки партии из 80 заготовок фотопреобразователей без замены раствора травителя, при четырехслойном расположении полупроводниковых структур, составляет ~ 15 мин., что существенно меньше (в ~ 2,1 раза) в сравнении с прототипом, при этом сокращается расход дорогостоящего компонента - гидроокиси тетраметиламмония (в ~ 2 раза), (см.таблицу 1).
В процессе травления при восьмислойном расположении полупроводниковых структур, (см. фиг. 2б) температура раствора повышается до 32°С. Партия полупроводниковых структур в количестве 80 шт обрабатывается за одну загрузку в пять ванночек. Расход гидроокиси тетраметиламмония и время обработки сокращаются соответственно в ~ 2,3; 2,7 раза. Применение травителя с содержанием гидроокиси тетраметиламмония менее 0,7 масс. %, в случае однослойного расположения полупроводниковых структур, нецелесообразно в связи с завышенной для массового производства длительностью процесса (~ 50 мин) или необходимостью замены раствора, непроизводительно увеличивающей расход гидроокиси тетраметиламмония (см. таблицу 1). В процессе стравливания контактного слоя при повышенной температуре эффективно удаляются дефекты дискового реза (см. фиг. 3а,б) на торцевой поверхности мезы, обусловливающие микрошунтирование и трещинообразование, что способствует повышению электрических параметров и увеличению механической прочности фотопреобразователей, (см. фиг. 4а,б). Предложенным способом изготовлены фотопреобразователи с КПД более 29,5%, (см.таблицу2).
Пример 2.
Предложенный способ изготовления фотопреобразователя применим также, в части химико-динамического стравливания n+- GaAs контактного слоя, для выравненных, но неразделенных на чипы металлизированных Ga(In)As/GaInP/Ga(In)As/Ge структур, диаметром 100 мм. Полупроводниковые структуры укладывают в два слоя в ванночки (круглой конфигурации диаметром 120 мм) с раствором гидроокиси тетраметиламмония 0,6 масс. %, перекиси водорода 9,9 масс. %, воды 89,5 масс. %, взятым в количестве ~ 120 мл. Температура раствора в процессе химико-динамического травления повышается от 23°С до 28°С. Время стравливания контактного слоя полупроводниковых структур в одной ванночке ~ 3 мин. Общее время обработки партии из 40 полупроводниковых структур при использовании пяти ванночек без замены раствора составляет ~ 20 мин., (см. таблицу 1).
В сравнении с однослойным расположением полупроводниковых структур в травителе (согласно прототипу) сокращается время обработки и количество расходуемой гидроокиси тетраметиламмония в ~ 1,6 раза за счет более эффективного протекания химической реакции при повышенной температуре, что особенно важно при наличии на поверхности пластин технологических загрязнений. Далее выполняют напыление просветляющего покрытия TiO2/Al2O3 и дисковую резку полупроводниковых структур на чипы фотопреобразователей.
Claims (1)
- Способ изготовления фотопреобразователя, включающий формирование контактной металлизации на фронтальной и тыльной поверхностях многослойной полупроводниковой структуры Ga(In)As/GaInP/Ga(In)As/Ge, выращенной на германиевой подложке, вжигание контактов, вытравливание мезы, нанесение просветляющего покрытия, разделение полупроводниковых структур на чипы дисковой резкой, удаление контактного слоя многослойной полупроводниковой структуры химико-динамическим травлением в водном растворе гидроокиси тетраметиламмония и перекиси водорода при количественном соотношении перекиси водорода 6,5÷17,7 масс. %, отличающийся тем, что химико-динамическое травление выполняют после разделения полупроводниковых структур на чипы при расположении полупроводниковых структур в растворе в несколько слоев и при количественном соотношении гидроокиси тетраметиламмония 0,3÷0,7 масс. %, воды 93,2÷81,6 масс. %.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2019143405A RU2725521C1 (ru) | 2019-12-19 | 2019-12-19 | Способ изготовления фотопреобразователя |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2019143405A RU2725521C1 (ru) | 2019-12-19 | 2019-12-19 | Способ изготовления фотопреобразователя |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2725521C1 true RU2725521C1 (ru) | 2020-07-02 |
Family
ID=71509972
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2019143405A RU2725521C1 (ru) | 2019-12-19 | 2019-12-19 | Способ изготовления фотопреобразователя |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2725521C1 (ru) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2756171C1 (ru) * | 2021-03-26 | 2021-09-28 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук | Фотоэлектрический преобразователь |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2244986C1 (ru) * | 2003-05-20 | 2005-01-20 | Открытое акционерное общество "Сатурн" | Способ изготовления фотопреобразователя |
| RU2292610C1 (ru) * | 2005-09-22 | 2007-01-27 | Открытое акционерное общество "Сатурн" | Способ изготовления фотопреобразователя |
| RU2485628C1 (ru) * | 2012-01-19 | 2013-06-20 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук | Способ изготовления чипов наногетероструктуры и травитель |
| RU2559166C1 (ru) * | 2014-05-08 | 2015-08-10 | Публичное акционерное общество "Сатурн" | Способ изготовления фотопреобразователя |
| RU2577826C1 (ru) * | 2014-12-01 | 2016-03-20 | Публичное акционерное общество "Сатурн" | Способ вытравливания контактной площадки встроенного диода фотопреобразователя |
| CN106098818A (zh) * | 2016-08-26 | 2016-11-09 | 扬州乾照光电有限公司 | 一种锗基砷化镓多结柔性薄膜太阳电池及其制备方法 |
| RU2650785C1 (ru) * | 2017-01-30 | 2018-04-17 | Публичное акционерное общество "Сатурн" (ПАО "Сатурн") | Способ изготовления фотопреобразователя с наноструктурным просветляющим покрытием |
-
2019
- 2019-12-19 RU RU2019143405A patent/RU2725521C1/ru active
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2244986C1 (ru) * | 2003-05-20 | 2005-01-20 | Открытое акционерное общество "Сатурн" | Способ изготовления фотопреобразователя |
| RU2292610C1 (ru) * | 2005-09-22 | 2007-01-27 | Открытое акционерное общество "Сатурн" | Способ изготовления фотопреобразователя |
| RU2485628C1 (ru) * | 2012-01-19 | 2013-06-20 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук | Способ изготовления чипов наногетероструктуры и травитель |
| RU2559166C1 (ru) * | 2014-05-08 | 2015-08-10 | Публичное акционерное общество "Сатурн" | Способ изготовления фотопреобразователя |
| RU2577826C1 (ru) * | 2014-12-01 | 2016-03-20 | Публичное акционерное общество "Сатурн" | Способ вытравливания контактной площадки встроенного диода фотопреобразователя |
| CN106098818A (zh) * | 2016-08-26 | 2016-11-09 | 扬州乾照光电有限公司 | 一种锗基砷化镓多结柔性薄膜太阳电池及其制备方法 |
| RU2650785C1 (ru) * | 2017-01-30 | 2018-04-17 | Публичное акционерное общество "Сатурн" (ПАО "Сатурн") | Способ изготовления фотопреобразователя с наноструктурным просветляющим покрытием |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2756171C1 (ru) * | 2021-03-26 | 2021-09-28 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук | Фотоэлектрический преобразователь |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP2615634B1 (en) | Method for cleaning silicon substrate, and method for producing solar cell | |
| US20070221927A1 (en) | Light-emitting diode and method for manufacturing the same | |
| US8912025B2 (en) | Method for manufacture of bright GaN LEDs using a selective removal process | |
| RU2725521C1 (ru) | Способ изготовления фотопреобразователя | |
| RU2528277C1 (ru) | СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КАСКАДНЫХ СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ НА ОСНОВЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СТРУКТУРЫ Galnp/Galnas/Ge | |
| EP1935037B1 (en) | Group iii nitride semiconductor light-emitting device manufacturing method | |
| US9184338B2 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
| WO1997041591A1 (en) | Photoelectrochemical wet etching of group iii nitrides | |
| JP2012134499A (ja) | 発光ダイオードチップの製造方法 | |
| RU2559166C1 (ru) | Способ изготовления фотопреобразователя | |
| US8759127B2 (en) | Gold micromask for roughening to promote light extraction in an LED | |
| RU2419918C1 (ru) | Способ получения чипов солнечных фотоэлементов | |
| JP2004172271A (ja) | 太陽電池の製造方法及び太陽電池 | |
| WO2013007191A1 (zh) | 一种氮化镓发光二极管的制作方法 | |
| RU2685015C2 (ru) | Способ изготовления фотопреобразователя со встроенным диодом на утоняемой подложке | |
| JP2005311060A (ja) | 太陽電池の製造方法、太陽電池 | |
| JP3602323B2 (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
| RU2645438C1 (ru) | Способ изготовления фотопреобразователя со встроенным диодом | |
| JP5295437B2 (ja) | シリコン基板の洗浄方法および太陽電池の製造方法 | |
| CN114823317A (zh) | 硅片切割方法及电池 | |
| US7696068B2 (en) | Method for manufacturing vertical light-emitting diode | |
| RU2575974C1 (ru) | Способ изготовления гетероструктурного солнечного элемента | |
| RU2781508C1 (ru) | Способ изготовления фотоэлектрического преобразователя на утоняемой германиевой подложке | |
| CN101935009A (zh) | 一种制作可调谐共振腔增强型探测器中间p型电极的方法 | |
| RU2492555C1 (ru) | Способ изготовления чипов многослойных фотоэлементов |