RU2677266C2 - Способ создания наноразмерных диэлектрических пленок на поверхности gaas с использованием магнетронно сформированного слоя диоксида марганца - Google Patents
Способ создания наноразмерных диэлектрических пленок на поверхности gaas с использованием магнетронно сформированного слоя диоксида марганца Download PDFInfo
- Publication number
- RU2677266C2 RU2677266C2 RU2017107418A RU2017107418A RU2677266C2 RU 2677266 C2 RU2677266 C2 RU 2677266C2 RU 2017107418 A RU2017107418 A RU 2017107418A RU 2017107418 A RU2017107418 A RU 2017107418A RU 2677266 C2 RU2677266 C2 RU 2677266C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- gaas
- dielectric films
- films
- mno
- thickness
- Prior art date
Links
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 25
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims abstract description 18
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 claims abstract description 5
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 3
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims abstract description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 4
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 7
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 abstract description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 3
- 238000000089 atomic force micrograph Methods 0.000 description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 2
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 CVD methodology Substances 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021542 Vanadium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000443 aerosol Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001505 atmospheric-pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001311 chemical methods and process Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 230000005493 condensed matter Effects 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 231100000086 high toxicity Toxicity 0.000 description 1
- 230000016507 interphase Effects 0.000 description 1
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);yttrium(3+) Chemical class [O-2].[O-2].[O-2].[Y+3].[Y+3] RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 238000000844 transformation Methods 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- GRUMUEUJTSXQOI-UHFFFAOYSA-N vanadium dioxide Chemical compound O=[V]=O GRUMUEUJTSXQOI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PSDQQCXQSWHCRN-UHFFFAOYSA-N vanadium(4+) Chemical compound [V+4] PSDQQCXQSWHCRN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82B—NANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS, MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES AS DISCRETE UNITS; MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF
- B82B1/00—Nanostructures formed by manipulation of individual atoms or molecules, or limited collections of atoms or molecules as discrete units
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Abstract
Использование: для формирования диэлектрических пленок нанометровой толщины на поверхности полупроводников AB. Сущность изобретения заключается в том, что способ создания наноразмерных диэлектрических пленок на поверхности GaAs с использованием магнетронно сформированного слоя диоксида марганца включает предварительную обработку пластин GaAs концентрированной плавиковой кислотой, промывание их дистиллированной водой, высушивание на воздухе, формирование слоя МnOтолщиной 30±1 нм, последующее термооксидирование при температуре от 450 до 550°С в течение 60 мин при скорости потока кислорода 30 л/ч, согласно изобретению, формирование слоя МnОпроизводят методом магнетронного распыления мишени в аргоновой атмосфере р~ 10Торр. Технический обеспечение возможности формирования наноразмерных структурированных диэлектрических пленок на поверхности GaAs со средним перепадом высот рельефа не более 25 нм, толщиной в пределах от 75 до 200 нм, удельным сопротивлением ~10Ом*см и диэлектрической прочностью ~7×10В/см. 4 ил.
Description
Изобретение относится к области формирования диэлектрических пленок нанометровой толщины на поверхности полупроводников AIIIBV и может быть применено в технологии создания элементов электроники на поверхности полупроводников, а именно в высокочастотных полевых транзисторах и длинноволновых лазерах, в солнечных батареях, работающих в космосе, для создания структур металл-диэлектрик-полупроводник (МДП).
Известно, что наиболее совершенные полупроводниковые гетероструктуры регулируемого состава могут быть синтезированы такими методами, как молекулярно-лучевая эпитаксия (МЛЭ) и химическое парофазное осаждение (CVD). В работе [Beke S. A rewiew of the growth of V2O5 films from 1885 to 2010 / S. Beke // Thin solid films. - 2011. - Vol. 519. - P. 1761-1771] были синтезированы гладкие пленки, состоящие из оксидов ванадия (IV) и (V) наноразмерного диапазона толщины. В работе [n-VO2/p-GaN based nitride-oxide heterostructure with various thickness of VO2 layer grown by MBE / Minhuan Wang [et. al] // Applied Surface Science. - 2016. - V. 389. - P. 199-204] методом МЛЭ на подложке из нитрида галлия были синтезированы высококачественные пленки VO2 с прецизионно контролируемой толщиной, составом и морфологией поверхности. Данный подход имеет существенные недостатки: требуется использование дорогостоящего оборудования и высокочистых веществ и материалов, создание глубокого вакуума и т.д. Методы CVD достаточно широко применяются для нанесения оксидных пленок, например, в работе [The growth of thermochromic VO2 films on glass by atmospheric-pressure CVD: A comparative study of precursors, CVD methodology, and substrates / Dimitra Vernardou, Martyn E. Pemble, David W. Sheel // Chem. Vap. Deposition. - 2006. - Vol. 12. - P. 263-274] рассмотрены различные варианты формирования термохромных пленок диоксида ванадия с использованием различных прекурсоров. Недостатком данного метода является высокая токсичность используемых исходных соединений, а также сложность протекающих химических процессов.
Оксидирование (термическое, анодное, химическое и др.) полупроводников AIIIBV является еще одним подходом к формированию функциональных пленок на их поверхности. Согласно [Воздействие поверхностных наноразмерных слоев V2O5 на кинетику термооксидирования GaAs, состав и морфологию выращенных пленок / Е.В. Томина, Б.В. Сладкопевцев, И.Я. Mummoea, Л.С. Зеленина, А.И. Донцов, Н.Н. Третьяков, Ю.Н. Гудкова, Ю.А. Белашкова // Неорганические материалы. - 2015. - Т. 51, №11. - С. 1228-1232] пленки, выращенные в результате термического оксидирования GaAs с предварительно осажденными из аэрозоля слоями геля V2O5, имеют зеренную структуру со средней высотой рельефа, равной 57 нм. Недостаток данного метода заключается в сложности контроля конечного фазового состава сформированных пленок, что напрямую влияет на их электрофизические свойства.
Наиболее близкой работой является способ, взятый за прототип [Термическое окисление GaAs под воздействием композиций Sb2O3, Bi2O3, MnO, MnO2 и V2O5 с оксидами алюминия и иттрия / Т.В. Кожевникова, П.К. Пенской, В.Ф. Кострюков, И.Я. Миттова, Б.Л. Агапов, И.В. Кузнецова, С.В. Куцев // Конденсированные среды и межфазные границы. - 2010. - Т. 12, №3. - С. 212-225], согласно которому на предварительно обработанной концентрированной плавиковой кислотой (49%) и промытой дистиллированной водой поверхности GaAs (111) в процессе термического оксидирования под воздействием композиций оксидов (Al2O3+MnO2) и (Y2O3+MnO2), вводимых в систему через газовую фазу, формировали пленки с толщиной в диапазоне от 40 до 200 нм. Установлено, что добавление инертного компонента Al2O3 к MnO2 ослабляет эффективность воздействия последнего на процесс роста пленок за счет интенсификации превращений в малоактивный по отношению к оксидированию GaAs оксид Mn3O4. Еще одним недостатком предложенного способа является использование композиции оксидов, вводимых непосредственно в процессе оксидирования (постоянное расходование хемостимулятора), что технологически усложняет процесс. Введение хемостимулятора через газовую фазу в процессе оксидирования AIIIBV, как правило, приводит к формированию полупроводниковых пленок с газочувствительными свойствами.
Задача данного изобретения заключается в разработке технически просто реализуемого способа создания на поверхности GaAs диэлектрических наноструктурированных пленок с использованием наноразмерного слоя хемостимулятора MnO2.
Технический результат настоящего изобретения заключается в формировании наноразмерных структурированных диэлектрических пленок на поверхности GaAs со средним перепадом высот рельефа не более 25 нм, толщиной в пределах от 75 до 200 нм, удельным сопротивлением ~1010 Ом*см и диэлектрической прочностью ~7×106 В/см, экономичным и экспрессным способом.
Технический результат достигается тем, что в способе создания наноразмерных диэлектрических пленок на поверхности GaAs с использованием магнетронно сформированного слоя диоксида марганца, включающем предварительную обработку пластин GaAs концентрированной плавиковой кислотой, промывание их дистиллированной водой, высушивание на воздухе, формирование слоя MnO2 толщиной 30±1 нм, последующее термооксидирование при температуре от 450 до 550°С в течение 60 мин при скорости потока кислорода 30 л/ч, согласно изобретению, формирование слоя MnO2 производят методом магнетронного распыления мишени в аргоновой атмосфере pAr ~ 10-3 Торр.
На фиг. 1 приведена таблица 1 полученных значений качественных показателей синтезированных пленок в зависимости от температуры термического оксидирования.
На фиг. 2 представлено АСМ-изображение поверхности GaAs с магнетронно нанесенным MnO2 после термооксидирования при 500°С, область сканирования 5×5 мкм2.
На фиг. 3 в таблице 2 приведены параметры, описывающие шероховатость синтезированных пленок в процессе термооксидирования гетероструктур MnO2/GaAs по результатам обработки АСМ-изображения размером 5×5 мкм2.
На фиг. 4 представлено АСМ-изображение поверхности GaAs с магнетронно нанесенным MnO2 после термооксидирования при 530°С, область сканирования 5×5 мкм2
Способ реализуется следующим образом.
Пример 1.
Перед началом процесса магнетронного распыления поверхность полированных пластин GaAs обрабатывали концентрированной плавиковой кислотой (ω(HF)=49%) в течение 10 минут, после чего пластины промывались в дистиллированной воде и высушивались на воздухе. Обработка проводилась для удаления естественного оксидного слоя на поверхности и разного рода загрязнений.
Напыление слоя хемостимулятора MnO2 на поверхность GaAs толщиной равной 30±1 нм осуществляли методом магнетронного распыления мишени, спрессованной из порошка диоксида марганца (чистота 99,8%; диаметр 50 мм), в аргоновой атмосфере (рост ~ 10-6 Торр; pAr ~ 10-3 Торр; скорость вращения держателя подложки 30 об./мин.).
Термическое оксидирование гетероструктур MnO2/GaAs проводили в горизонтальном кварцевом реакторе диаметром 30 мм печи МТП-2М-50-500, предварительно разогретом до рабочей температуры равной 500°С. Постоянство температуры в реакторе обеспечивалось измерителем и регулятором ТРМ-10 (±1°С). Скорость потока кислорода составляла 30 л/ч.
На фиг. 2 представлено АСМ-изображение поверхности GaAs с магнетронно нанесенным MnO2 после термооксидирования. На фиг. 3 приведены параметры, описывающие шероховатость синтезированных пленок в процессе термооксидирования гетероструктур MnO2/GaAs по результатам обработки АСМ-изображения размером 5×5 мкм2. Электрофизические характеристики представлены на фиг. 1. Сформированные пленки характеризуются удельным сопротивлением 1×1010 Ом*см и диэлектрической прочностью 6,2×106 В/см.
Как следует из полученных результатов, сформированные пленки являются диэлектрическими с зеренной структурой и со средним перепадом высот рельефа равным 25 нм.
Пример 2. Способом, описанным в примере 1, получали диэлектрические пленки MnO2 на поверхности GaAs, увеличив температуру оксидирования до 530°С На фиг. 4 представлено АСМ-изображение поверхности GaAs с магнетронно нанесенным MnO2 после термооксидирования, область сканирования 5×5 мкм2. На фиг. 3 приведены параметры, описывающие шероховатость синтезированных пленок в процессе термооксидирования гетероструктур MnO2/GaAs по результатам обработки АСМ-изображения размером 5×5 мкм2. Электрофизические характеристики представлены на фиг. 1. Сформированные пленки характеризуются удельным сопротивлением 0,8×1010 Ом*см и диэлектрической прочностью 7,6×106 В/см.
Как следует из полученных результатов, сформированные пленки являются диэлектрическими с зеренной структурой и со средним перепадом высот рельефа равным 2 нм.
Claims (1)
- Способ создания наноразмерных диэлектрических пленок на поверхности GaAs с использованием магнетронно сформированного слоя диоксида марганца, включающий предварительную обработку пластин GaAs концентрированной плавиковой кислотой, промывание их дистиллированной водой, высушивание на воздухе, формирование слоя MnO2 толщиной 30±1 нм, последующее термооксидирование при температуре от 450 до 550°С в течение 60 мин при скорости потока кислорода 30 л/ч, отличающийся тем, что формирование слоя MnO2 производят методом магнетронного распыления мишени в атмосфере аргона при давлении порядка 10-3 Торр.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2017107418A RU2677266C2 (ru) | 2017-03-06 | 2017-03-06 | Способ создания наноразмерных диэлектрических пленок на поверхности gaas с использованием магнетронно сформированного слоя диоксида марганца |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2017107418A RU2677266C2 (ru) | 2017-03-06 | 2017-03-06 | Способ создания наноразмерных диэлектрических пленок на поверхности gaas с использованием магнетронно сформированного слоя диоксида марганца |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2017107418A RU2017107418A (ru) | 2018-09-13 |
| RU2017107418A3 RU2017107418A3 (ru) | 2018-09-13 |
| RU2677266C2 true RU2677266C2 (ru) | 2019-01-16 |
Family
ID=63639490
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2017107418A RU2677266C2 (ru) | 2017-03-06 | 2017-03-06 | Способ создания наноразмерных диэлектрических пленок на поверхности gaas с использованием магнетронно сформированного слоя диоксида марганца |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2677266C2 (ru) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101088607A (zh) * | 2006-06-13 | 2007-12-19 | 攀枝花学院 | 一种用纳米钒材料制备高效钒催化剂工艺方法 |
| US8207048B2 (en) * | 2005-12-27 | 2012-06-26 | Commissariat A L'energie Atomique | Method for producing ordered nanostructures |
| RU2550316C1 (ru) * | 2013-12-30 | 2015-05-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный унивреситет" (ФГБОУ ВПО "ВГУ") | Способ создания наноразмерных наноструктурированных оксидных пленок на inp с использованием геля пентаоксида ванадия |
-
2017
- 2017-03-06 RU RU2017107418A patent/RU2677266C2/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8207048B2 (en) * | 2005-12-27 | 2012-06-26 | Commissariat A L'energie Atomique | Method for producing ordered nanostructures |
| CN101088607A (zh) * | 2006-06-13 | 2007-12-19 | 攀枝花学院 | 一种用纳米钒材料制备高效钒催化剂工艺方法 |
| RU2550316C1 (ru) * | 2013-12-30 | 2015-05-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный унивреситет" (ФГБОУ ВПО "ВГУ") | Способ создания наноразмерных наноструктурированных оксидных пленок на inp с использованием геля пентаоксида ванадия |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Н.Н. ТРЕТЬЯКОВ, И.Я. МИТТОВА, В.В. КОЗИК, Б.В. СЛАДКОПЕВЦЕВ, В.Ф. КОСТРЮКОВ, Ю.И. СТУДЕНИКИНА, ОПРЕДЕЛЕНИЕ ТОЛЩИНЫ И ФАЗОВОГО СОСТАВА ПЛЕНОК, СИНТЕЗИРОВАННЫХ ХЕМОСТИМУЛИРОВАННЫМ ТЕРМООКСИДИРОВАНИЕМ InP ПОД ВОЗДЕЙСТВИЕМ КОМПОЗИЦИИ ОКСИДОВ V2O5 + MnO2 РАЗНОГО СОСТАВА, ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ, ФИЗИКА, Т. 57, N 7/2, стр. 186-191, 2014. Б.В. СЛАДКОПЕВЦЕВ, И.Я. МИТТОВА, Е.В. ТОМИНА, А.В. ЗАБОЛОТСКАЯ, А.А. САМСОНОВ, А.И. ДОНЦОВ, ОСОБЕННОСТИ КИНЕТИКИ И МЕХАНИЗМА ФОРМИРОВАНИЯ ПЛЕНОК ПРИ ОКСИДИРОВАНИИ ГЕТЕРОСТРУКТУР V2O5/InP, СФОРМИРОВАННЫХ МЕТОДАМИ РЕАКТИВНОГО МАГНЕТРОННОГО РАСПЫЛЕНИЯ И ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ВЗРЫВА ПРОВОДНИКА, ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ, ФИЗИКА, Т. 57, N 7/2, стр. 148-152, 2014. * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2017107418A (ru) | 2018-09-13 |
| RU2017107418A3 (ru) | 2018-09-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Yahia et al. | Raman study of oriented ZnO thin films deposited by sol–gel method | |
| Cross et al. | A low temperature combination method for the production of ZnO nanowires | |
| KR102243956B1 (ko) | 챔버 코팅들 | |
| EP2899295B1 (fr) | Procédé de réalisation par ALD d'une couche mince de formule MYx | |
| Ionescu et al. | Oxygen etching of thick MoS 2 films | |
| Gao et al. | ZnO nanorods/plates on Si substrate grown by low-temperature hydrothermal reaction | |
| KR20140144222A (ko) | 원자층 퇴적 | |
| Ghafouri et al. | Photoluminescence investigation of crystalline undoped ZnO nanostructures constructed by RF sputtering | |
| GB2615867A (en) | A method of forming a graphene layer structure and a graphene substrate | |
| Okimura et al. | Epitaxial growth of V2O3 thin films on c-plane Al2O3 in reactive sputtering and its transformation to VO2 films by post annealing | |
| JP6041346B2 (ja) | グラフェン／ＳｉＣ複合材料の製造方法及びそれにより得られるグラフェン／ＳｉＣ複合材料 | |
| RU2677266C2 (ru) | Способ создания наноразмерных диэлектрических пленок на поверхности gaas с использованием магнетронно сформированного слоя диоксида марганца | |
| CN113013020A (zh) | 一种基于厚度刻蚀的大面积超薄二维氮化物的生长方法 | |
| He et al. | Structural and interfacial properties of high-k HfOxNy gate dielectric films | |
| US20090091033A1 (en) | Fabrication of metal oxide films | |
| GB2605211A (en) | A method of forming a graphene layer structure and a graphene substrate | |
| JPWO2006137332A1 (ja) | ダイヤモンドライクカーボン膜の製造方法 | |
| RU2680668C1 (ru) | СПОСОБ СОЗДАНИЯ НАНОРАЗМЕРНЫХ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛЁНОК НА ПОВЕРХНОСТИ InP С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ОКСИДА И ФОСФАТА МАРГАНЦА | |
| RU2341847C1 (ru) | Способ синтеза пленок карбида кремния на кремниевой подложке | |
| JP5589310B2 (ja) | 被膜形成物の製造方法 | |
| WO2019049876A1 (ja) | エピタキシャルシリコン薄膜の製造に用いられるシリコン基板及びその製造方法 | |
| CN114806549B (zh) | 一种磷掺杂增强硅纳米晶发光强度的方法 | |
| CN114651084B (zh) | 层叠膜结构体和其制造方法 | |
| KR102713076B1 (ko) | 산화규소막 형성방법 | |
| Dimitrov et al. | Morphological features and optical properties of nanosized ZrO2 films prepared by sol-gel spin coating |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20200307 |