RU2680668C1 - СПОСОБ СОЗДАНИЯ НАНОРАЗМЕРНЫХ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛЁНОК НА ПОВЕРХНОСТИ InP С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ОКСИДА И ФОСФАТА МАРГАНЦА - Google Patents
СПОСОБ СОЗДАНИЯ НАНОРАЗМЕРНЫХ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛЁНОК НА ПОВЕРХНОСТИ InP С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ОКСИДА И ФОСФАТА МАРГАНЦА Download PDFInfo
- Publication number
- RU2680668C1 RU2680668C1 RU2018108820A RU2018108820A RU2680668C1 RU 2680668 C1 RU2680668 C1 RU 2680668C1 RU 2018108820 A RU2018108820 A RU 2018108820A RU 2018108820 A RU2018108820 A RU 2018108820A RU 2680668 C1 RU2680668 C1 RU 2680668C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- inp
- dielectric films
- films
- formation
- nanoscale dielectric
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 29
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 title description 3
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 title 1
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 title 1
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 title 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 12
- CPSYWNLKRDURMG-UHFFFAOYSA-L hydron;manganese(2+);phosphate Chemical compound [Mn+2].OP([O-])([O-])=O CPSYWNLKRDURMG-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims abstract description 5
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims abstract description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 5
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 2
- 239000011572 manganese Substances 0.000 abstract description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 3
- 238000007605 air drying Methods 0.000 abstract 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 30
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 13
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 10
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 2
- 238000000572 ellipsometry Methods 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004566 IR spectroscopy Methods 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 1
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000001311 chemical methods and process Methods 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PPNAOCWZXJOHFK-UHFFFAOYSA-N manganese(2+);oxygen(2-) Chemical class [O-2].[Mn+2] PPNAOCWZXJOHFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BECVLEVEVXAFSH-UHFFFAOYSA-K manganese(3+);phosphate Chemical class [Mn+3].[O-]P([O-])([O-])=O BECVLEVEVXAFSH-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 239000003607 modifier Substances 0.000 description 1
- 238000005289 physical deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 230000008092 positive effect Effects 0.000 description 1
- 239000011253 protective coating Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Использование: для формирования наноразмерных диэлектрических пленок. Сущность изобретения заключается в том, что способ создания наноразмерных диэлектрических пленок на поверхности InP включает предварительную обработку полированных пластин InP травителем HSO:HOHO=2:1:1 в течение 10-12 мин, многократное промывание в бидистиллированной воде, высушивание на воздухе, формирование на поверхности пластин InP слоя MnOтолщиной 25-30 нм методом магнетронного распыления мишени, термооксидирование образцов при температуре 450-550°С в течение 40-70 мин в потоке кислорода в присутствии фосфата марганца Mn(PO). Технический результат: обеспечение возможности формирования наноразмерных диэлектрических пленок на поверхности InP с толщиной в пределах 70-110 нм и удельным сопротивлением от 4,8⋅10до 1,5⋅10Ом⋅см. 4 ил.
Description
Изобретение относится к области формирования наноразмерных диэлектрических пленок на поверхности полупроводников группы AIIIBV и может быть использовано в полупроводниковой микроэлектронике, в частности, для создания МДП-структур (металл - диэлектрик - полупроводник).
Известно, что формирование диэлектрических пленок на полупроводниках группы AIIIBV возможно при использовании физических методов осаждения (методы магнетронного распыления, электронно-лучевого испарения и т.д.) и химических процессов, протекающих на поверхности полупроводника (термическое, анодное, плазменное оксидирование и т.д.). В работе [Агаев В.В. Влияние диэлектрической пленки SrF2 на люминесцентные свойства n-InP / В.В. Агаев, В.А. Созаев, Г.И. Яблочкина //Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, №11. - С. 141-142] на поверхности пленок фосфида индия методом вакуумного испарения осаждались диэлектрические пленки SrF2, являющиеся эффективным защитным покрытием для InP. В работе [Effects of fluorine incorporation on the electrical properties of atomic-layer-deposited Al2O3 gate dielectric on InP substrate / Chen Y. Т., H. Zhao, J. H. Yum, Y. Wang, F. Xue, F. Zhou, J.C. Lee // Journal of the electrochemical society. -2010. - Vol. 157, No. 3. - P. G71-G75] на поверхность p-InP были осаждены диэлектрические слои оксида алюминия методом атомно-слоевого осаждения с последующим внедрением фтора, что позволило значительно улучшить электрофизические характеристики сформированных гетероструктур. Метод электронно-лучевого испарения при сравнительно низких температурах (до 200°С) позволяет осаждать на поверхность InP диэлектрические пленки оксида магния, как указано в работе [Kim Т.W. Microstructural and electrical properties of MgO thin films grown on p-InP (100) substrates at low temperature / T.W. Kim, Y.S. You, T.W. Kim // Applied surface science. - 2001. - Vol. 180, No. 1-2. -P. 162-167].
Термическое оксидирование является одним из самых простых методов синтеза пленок разнообразных оксидов. Термооксидирование полупроводников группы AIIIBV, в отличие от аналогичного процесса на кремнии, приводит к созданию пленок с неудовлетворительными электрофизическими характеристиками, несовершенными внутренними границами раздела, является нетехнологичным с точки зрения длительности процесса формирования. Хемостимулированное термооксидирование фосфида индия позволяет решать эту проблему за счет блокирования отрицательного канала связи между реакциями покомпонентного окисления при собственном термооксидировании полупроводников, ускорения формирования пленок в сравнении с процессом собственного оксидирования (в том числе и за счет разветвления посредством продуктов превращения), целенаправленного изменения состава пленок, его компонентного и фазового распределения по толщине пленки, снижения рабочих параметров процесса и предотвращения деградации; пленок [Миттова И.Я. Влияние физико-химической природы хемостимулятора, способа и метода его введения в систему на механизм термооксидирования GaAs и InP / И.Я. Миттова // Неорганические материалы. - 2014. - Т. 50, №9. - С. 948-955].
Наиболее близкой работой является способ, взятый за прототип [Влияние магнетронно напыленного слоя MnO2 на кинетику термооксидирования InP, состав и морфологию синтезированных пленок/ Н.Н. Третьяков, И.Я. Миттова, Б.В. Сладкопевцев, А.А. Самсонов, С.Ю. Андреенко // Неорганические материалы. - 2017. - Т. 53, №1. - С. 41-48], согласно которому на предварительно обработанные полирующим травителем состава H2SO4 (ХЧ ГОСТ-4204-77,92.80 %-ная): H2O2(ОСЧ ТУ 6-02-570-750, 56%-ная): H2O=2: 1: 1 в течение 10 мин и многократно промытые в бидистиллированной воде полированные пластины InP (ФИЭ-1А ориентации (100), легированные оловом),, методом магнетронного распыления наносили слои MnO2 толщиной около 30 нм. Далее сформированные образцы MnO2/InP термооксидировали, в результате чего на поверхности полупроводника были синтезированы пленку сложного состава, характеризующиеся зеренной структурой со средним размером зерна 55 нм (АСМ).
Положительный эффект введения MnO2 состоит в увеличении темпа прироста толщины пленок по сравнению с собственным оксидированием и быстром химическом связывании индия с блокированием его диффузии в пленку. Недостатком предложенного способа является повышенное содержание оксидов, в частности, оксида индия, обусловливающее полупроводниковый, а не диэлектрический характер формирующихся пленок.
Задача данного изобретения заключается в разработке способа создания на поверхности InP диэлектрических наноразмерных пленок с использованием наноразмерного слоя MnO2 при сохранении технологичности и простоты метода.
Технический результат настоящего изобретения заключается в формировании наноразмерных диэлектрических пленок на поверхности InP с толщиной в пределах 70-110 нм и удельным сопротивлением от 4,8⋅108 до 1,5-1010 Ом⋅см.
Технический результат достигается тем, что в способе создания наноразмерных диэлектрических пленок на поверхности InP с использованием магнетронно нанесенного слоя MnO2 и вводимого в процессе термооксидирования фосфата марганца проводят предварительную обработку полупроводника травителем в течение 10-12 минут, многократное промывание в бидистиллированной воде и высушивание на воздухе, формирование слоя MnO2 толщиной 25-30 нм методом магнетронного распыления мишени из прессованного порошка диоксида марганца, а согласно изобретению, последующее термооксидирование образцов MnO2/InP проводят при температурах 450-550°С в течение 40-70 мин. в потоке кислорода в присутствии фосфата марганца Mn3(PO4)2, испаряющегося из контейнера.
На фиг. 1 приведена таблица значений относительного увеличения толщины оксидной пленки при термическом оксидировании образцов MnO2/InP под воздействием вводимого через газовую фазу Mn3(PO4)2 в различных режимах: а) в сравнении с эталоном InP; б) в сравнении с образцом MnO2/InP
На фиг. 2 приведены ИК-спектры поглощения образцов MnO2/InP, оксидированных под воздействием вводимого из газовой фазы Mn3(PO4)2, после термооксидирования при 500°С в течение 60 минут.
На фиг. 3 приведены данные об идентифицированных фазах (метод рентгенофазового анализа, РФА) в образцах MnO2/InP, оксидированных под воздействием вводимого из газовой фазы Mn3(PO4)2, при различных температурах за время 60 мин.
На фиг. 4 приведена таблица значений удельных сопротивлений образцов, синтезированных термооксидированием при различных температурных режимах.
Способ реализуется следующим образом.
Пример 1.
Перед магнетронным нанесением наноразмерных слоев диоксида марганца для удаления естественного оксидного слоя и разного рода загрязнений поверхность полированных пластин InP обрабатывали травителем состава H2SO4 (ХЧ ГОСТ-4204-77, 92.80%-ная): H2O2(ОСЧ ТУ 6-02-570-750, 56%-ная): H2O=2: 1: 1 в течение 12 минут, после этого пластины трижды промывали в бидистиллированной воде и высушивали на воздухе.
Нанесение наноразмерного слоя хемостимулятора MnO2 на предварительно подготовленную поверхность InP проводили методом магнетронного распыления мишени, спрессованной из порошка диоксида марганца (диаметр мишени 50 мм, чистота - 99,8%, скорость распыления составляла ~2 нм/мин, время - 15 мин), в атмосфере аргона (давление процессного газа - 10⋅10-3 Torr).
Далее навеску порошка Mn3 (PO4)2(m=0.3 г) помещали в цилиндрический кварцевый контейнер (до отметки на этом контейнере), крышкой которого служила пластина оксидируемого InP с магнетронно нанесенным слоем MnO2. Расстояние от поверхности порошка фосфата марганца до рабочей стороны пластины было постоянным и составляло 10 мм. Контейнер устанавливали в предварительно разогретую до 450°С печь резистивного нагрева (МТП-2М-50-500), в которую через шлиф подавали поток кислорода с объемной скоростью 30 л/ч. Постоянство температуры в реакторе обеспечивали измерителем-регулятором ТРМ-10 (точность регулировки ±1°С). Через каждые 10 минут оксидируемый образец извлекали из реактора, обновляли навеску модификатора и продолжали оксидирование до достижения общего времени процесса, равного 60 минутам. Толщину растущих пленок контролировали методом лазерной эллипсометрии, для указанных условий термооксидирования толщина получившейся в итоге пленки составила 70±1 нм.
Как следует из таблицы на фиг. 1, предлагаемый способ значительно интенсифицирует процесс роста пленок как по сравнению с оксидированием чистого InP, так и по сравнению с оксидированием фосфида индия в присутствии только магнетронно нанесенных слоев MnO2. Данные ИК-спектроскопии и РФА (фиг. 2 и 3) свидетельствуют о том, что в полученных пленках практически отсутствуют свободные оксиды индия и марганца и Имеет место широкий ряд фосфатов индия и марганца, что приводит к формированию именно диэлектрических пленок. На фиг. 4 приведены данные об удельном сопротивлении, для указанного режима формирования оно составляет 2,1⋅109 Ом⋅см. Как следует из полученных результатов, сформированные предлагаемым способом пленки являются диэлектрическими.
Пример 2. Способом, описанным в примере 1, увеличив температуру оксидирования до 500°С, получали диэлектрические пленки на поверхности InP. На фиг. 4 представлены данные удельного сопротивления пленок, для указанного режима оксидирования оно составляет максимальное для всего температурного интервала значение 1,5⋅1010 Ом⋅см. Для указанных условий термооксидирования толщина получившейся в итоге пленки составила 84±1 нм (по данным лазерной эллипсометрии).
Claims (1)
- Способ создания наноразмерных диэлектрических пленок на поверхности InP, включающий предварительную обработку полированных пластин InP травителем Н2SО4:Н2O2:Н2О=2:1:1 в течение 10-12 мин, многократное промывание в бидистиллированной воде, высушивание на воздухе, формирование на поверхности пластин InP слоя МnО2 толщиной 25-30 нм методом магнетронного распыления мишени, термооксидирование образцов при температуре 450-550°С в течение 40-70 мин в потоке кислорода, отличающийся тем, что в процессе термооксидирования через газовую фазу дополнительно вводится фосфат марганца.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2018108820A RU2680668C1 (ru) | 2018-03-12 | 2018-03-12 | СПОСОБ СОЗДАНИЯ НАНОРАЗМЕРНЫХ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛЁНОК НА ПОВЕРХНОСТИ InP С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ОКСИДА И ФОСФАТА МАРГАНЦА |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2018108820A RU2680668C1 (ru) | 2018-03-12 | 2018-03-12 | СПОСОБ СОЗДАНИЯ НАНОРАЗМЕРНЫХ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛЁНОК НА ПОВЕРХНОСТИ InP С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ОКСИДА И ФОСФАТА МАРГАНЦА |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2680668C1 true RU2680668C1 (ru) | 2019-02-25 |
Family
ID=65479403
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2018108820A RU2680668C1 (ru) | 2018-03-12 | 2018-03-12 | СПОСОБ СОЗДАНИЯ НАНОРАЗМЕРНЫХ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛЁНОК НА ПОВЕРХНОСТИ InP С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ОКСИДА И ФОСФАТА МАРГАНЦА |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2680668C1 (ru) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101088607A (zh) * | 2006-06-13 | 2007-12-19 | 攀枝花学院 | 一种用纳米钒材料制备高效钒催化剂工艺方法 |
| RU2550316C1 (ru) * | 2013-12-30 | 2015-05-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный унивреситет" (ФГБОУ ВПО "ВГУ") | Способ создания наноразмерных наноструктурированных оксидных пленок на inp с использованием геля пентаоксида ванадия |
| RU2632261C2 (ru) * | 2015-12-17 | 2017-10-03 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Воронежский государственный университет" (ФГБОУ ВО ВГУ) | Способ прецизионного легирования тонких пленок на поверхности InP |
-
2018
- 2018-03-12 RU RU2018108820A patent/RU2680668C1/ru active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101088607A (zh) * | 2006-06-13 | 2007-12-19 | 攀枝花学院 | 一种用纳米钒材料制备高效钒催化剂工艺方法 |
| RU2550316C1 (ru) * | 2013-12-30 | 2015-05-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный унивреситет" (ФГБОУ ВПО "ВГУ") | Способ создания наноразмерных наноструктурированных оксидных пленок на inp с использованием геля пентаоксида ванадия |
| RU2632261C2 (ru) * | 2015-12-17 | 2017-10-03 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Воронежский государственный университет" (ФГБОУ ВО ВГУ) | Способ прецизионного легирования тонких пленок на поверхности InP |
Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| Н.Н. Третьяков, Б.В. Сладкопевцев, С.В. Мироненко, В.А. Щедрина, А.А. Самсонов, Е.В. Томина, И.Я. Миттова. ОСОБЕННОСТИ МОРФОЛОГИИ ПОВЕРХНОСТИ ГЕТЕРОСТРУКТУР NiO /InP В ЗАВИСИМОСТИ ОТ РЕЖИМА ТЕРМООКСИДИРОВАНИЯ, ЭКОЛОГОБЕЗОПАСНЫЕ И РЕСУРСОСБЕРЕГАЮЩИЕ ТЕХНОЛОГИИ И МАТЕРИАЛЫ, Материалы II Всероссийской молодежной научной конференции с международным участием, Улан-Удэ, 15-17 мая 2014. Т * |
| Н.Н. Третьяков, Б.В. Сладкопевцев, С.В. Мироненко, В.А. Щедрина, А.А. Самсонов, Е.В. Томина, И.Я. Миттова. ОСОБЕННОСТИ МОРФОЛОГИИ ПОВЕРХНОСТИ ГЕТЕРОСТРУКТУР NiO /InP В ЗАВИСИМОСТИ ОТ РЕЖИМА ТЕРМООКСИДИРОВАНИЯ, ЭКОЛОГОБЕЗОПАСНЫЕ И РЕСУРСОСБЕРЕГАЮЩИЕ ТЕХНОЛОГИИ И МАТЕРИАЛЫ, Материалы II Всероссийской молодежной научной конференции с международным участием, Улан-Удэ, 15-17 мая 2014. Томина Елена Викторовна, ХЕМОСТИМУЛИРОВАННОЕ ОКСИДИРОВАНИЕ GaAs И InP ПОД ВОЗДЕЙСТВИЕМ d-МЕТАЛЛОВ (Ni, Co, V), ИХ ОКСИДОВ И КОМПОЗИЦИЙ ОКСИДОВ, ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ ВОРОНЕЖСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ, Воронеж, 2016. * |
| омина Елена Викторовна, ХЕМОСТИМУЛИРОВАННОЕ ОКСИДИРОВАНИЕ GaAs И InP ПОД ВОЗДЕЙСТВИЕМ d-МЕТАЛЛОВ (Ni, Co, V), ИХ ОКСИДОВ И КОМПОЗИЦИЙ ОКСИДОВ, ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ ВОРОНЕЖСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ, Воронеж, 2016. * |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Straňák et al. | Formation of TiOx films produced by high-power pulsed magnetron sputtering | |
| Eufinger et al. | Photocatalytic activity of dc magnetron sputter deposited amorphous TiO2 thin films | |
| US6541079B1 (en) | Engineered high dielectric constant oxide and oxynitride heterostructure gate dielectrics by an atomic beam deposition technique | |
| Fan et al. | δ-Bi2O3 thin films prepared by reactive sputtering: Fabrication and characterization | |
| US8864957B2 (en) | Vanadium oxide thin films | |
| Zhang et al. | Evolution of Si suboxides into Si nanocrystals during rapid thermal annealing as revealed by XPS and Raman studies | |
| Chen et al. | Characterization of transparent conductive delafossite-CuCr1− xO2 films | |
| Soto et al. | Growth of SiC and SiC x N y films by pulsed laser ablation of SiC in Ar and N 2 environments | |
| Badillo-Ávila et al. | Cu2O thin films obtained from sol-gel cuo films using a simple argon/dry-air microwave plasma | |
| Yu et al. | Structure, composition and properties of p-type CuCrO2 thin films | |
| Chopade et al. | RF plasma MOCVD of Y2O3 thin films: Effect of RF self-bias on the substrates during deposition | |
| RU2680668C1 (ru) | СПОСОБ СОЗДАНИЯ НАНОРАЗМЕРНЫХ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛЁНОК НА ПОВЕРХНОСТИ InP С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ОКСИДА И ФОСФАТА МАРГАНЦА | |
| Chang et al. | Plasma oxidation of aluminum film on GaAs—A study by Auger spectroscopy and transmission electron microscopy | |
| Labidi et al. | Synthesis of pure Cu2O thin layers controlled by in-situ conductivity measurements | |
| Varanasi et al. | Large area Ba1− xSrxTiO3 thin films for microwave applications deposited by pulsed laser ablation | |
| Khemasiri et al. | Crucial role of reactive pulse-gas on a sputtered Zn 3 N 2 thin film formation | |
| Vo et al. | Control of growth mode and crystallinity of aluminium-doped zinc oxide thin film at room temperature by self-assembled monolayer assisted modulation on substrate surface energy | |
| US20090091033A1 (en) | Fabrication of metal oxide films | |
| RU2436727C2 (ru) | Способ получения нанокристаллических пленок рутила | |
| Zuo et al. | Interface reactions of Ag@ TiO2 nanocomposite films | |
| Dai et al. | Epitaxial growth of rutile films on Si (100) substrates by thermal oxidation of evaporated titanium films in argon flux | |
| Matveev et al. | Synthesis of MgB2 films in Mg vapour flow and their characterization | |
| RU2677266C2 (ru) | Способ создания наноразмерных диэлектрических пленок на поверхности gaas с использованием магнетронно сформированного слоя диоксида марганца | |
| Jun et al. | P-type ZnO thin films prepared by in situ oxidation of DC sputtered Zn3N2: Ga | |
| Kreutz et al. | PLD of perovskite coatings for optoelectronics, microelectronics, and microtechnology |