RU2676187C1 - Свч фотодетектор лазерного излучения - Google Patents
Свч фотодетектор лазерного излучения Download PDFInfo
- Publication number
- RU2676187C1 RU2676187C1 RU2018106466A RU2018106466A RU2676187C1 RU 2676187 C1 RU2676187 C1 RU 2676187C1 RU 2018106466 A RU2018106466 A RU 2018106466A RU 2018106466 A RU2018106466 A RU 2018106466A RU 2676187 C1 RU2676187 C1 RU 2676187C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- layer
- gaas
- thickness
- laser radiation
- range
- Prior art date
Links
- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims abstract description 23
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 45
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 6
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 abstract description 8
- 239000000969 carrier Substances 0.000 abstract description 8
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 238000004870 electrical engineering Methods 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 14
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 13
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 11
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 6
- 238000006862 quantum yield reaction Methods 0.000 description 5
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- 241000168036 Populus alba Species 0.000 description 1
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано для создания фотодетекторов (ФД) лазерного излучения (ЛИ). СВЧ фотодетектор лазерного излучения состоит из подложки 1, выполненной из n-GaAs, и последовательно осажденных: Брегговского отражателя 2, настроенного на длину волны лазерного излучения в диапазоне 800-860 нм, включающего чередующиеся пары слоев n-AlAs 3 / n-AlGaAs 4, базового слоя, выполненного из n-GaAs 5, с толщиной 50-100 нм, нелегированного слоя i-GaAs 6 толщиной 0,9-1,1 мкм, эмиттерного слоя p-GaAs 7 толщиной 450-400 нм, фронтальный слой р-AlGaAs, при этом сумма толщин базового, нелегированного и эмиттерного слоев не превышает 1,5 мкм. Изобретение обеспечивает возможность создания такого СВЧ фотодетектора лазерного излучения, который обладал бы малой барьерной емкостью, обеспечивал высокое быстродействие и поглощал бы более 95% фотонов с длинной волны в диапазоне 800-860 нм, обеспечивая близкое к полному собирание фотогенерированных носителей. 2 з.п. ф-лы, 5 ил.
Description
Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано для создания фотодетекторов (ФД) лазерного излучения (ЛИ).
Быстродействующие ФД являются одними из главных компонентов волоконно-оптических линий связи (ВОЛС) и обеспечивают идеальную гальваническую развязку между источником сигнала и приемником. Также они невосприимчивы к электромагнитным помехам в радиодиапазоне и сами не являются источником таких помех. По этим причинам ВОЛС имеют неоспоримые достоинства в задачах, где предъявляются строгие требования по обеспечению электромагнитной совместимости и использование медных проводников между источником и приемником невозможно или нежелательно. В настоящий момент достигнут значительный прогресс в создании ФД для высокоскоростных систем информационного обмена и создания волоконных линий, обеспечивающих передачу сигнала к СВЧ излучателям. Рабочие частоты ФД, применяемых в таких системах, достигают десятков гигагерц, а в случае радиофотонных трактов - и терагерцового диапазона. Мощность оптического сигнала в зависимости от задачи и рабочей частоты лежит в диапазоне от единиц микроватт до сотен милливатт.
В большинстве приложений в качестве среды ВОЛС используется кварцевое волокно, окна прозрачности которого лежат вблизи следующих длин волн излучения: 0,85 мкм (первое окно), 1,3 мкм (второе окно) и 1,55 мкм (третье окно). Оптимальными материалами для создания ФД, работающего в первом окне является GaAs, эффективно преобразующий фотоны с длинной волны менее 860 нм в электрический ток.
Таким образом, задача улучшения утилитарных характеристик ФД ЛИ, таких как, квантовый выход, КПД и быстродействие являются весьма актуальной для современной фотоники и радиофотоники.
Известен СВЧ фотодетектор лазерного излучения (см. заявку JP 2008140808, МПК H01L 31/10, опубликована 19.06.2008), содержащий p-i-n переход, включающий базовый слой одного типа проводимости, выполненный из кремния, нелегированный слой, выполненный из кремния, и эмиттерный слой другого типа проводимости, выполненный из германия.
Недостатком известного СВЧ фотодетектора лазерного излучения является высокое время разделения носителей, связанное с необходимостью обеспечения большой толщины слоев p-i-n структуры для близкого к полному поглощению носителей, что выражается в пониженном быстродействии фотодетектора.
Известен СВЧ фото детектор лазерного излучения (см. патент RU 2318272, МПК H01L 31/18, опубликован 27.02.2008), содержащий подложку n-InP, поглощающий слой n-In0,53Ga0,47As и слой n+-InP.
Недостатком известного СВЧ фотодетектора лазерного излучения является высокое время разделения носителей, связанное с необходимостью обеспечения большой толщины слоев структуры, а также неэффективное преобразование фотонов с длинной волны в диапазоне 800-860 нм.
Наиболее близким к настоящему техническому решению по совокупности существенных признаков является СВЧ фотодетектор лазерного излучения (см. патент RU 2547004, МПК H01L 31/18, опубликована 10.04.2015), принятый за прототип и включающая подложку n-GaAs, базовый слой n-GaAs, эмиттерный слой p-GaAs и слой p-AlGaAs.
Недостатками известного СВЧ фотодетектора лазерного излучения является высокая барьерная емкость за счет отсутствия нелегированной области, а также низкое быстродействие, связанное с необходимостью создания слоев большой толщины для обеспечения близкого к полному поглощения фотонов.
Задачей настоящего решения является создание такого СВЧ фотодетектора лазерного излучения, который обладал бы малой барьерной емкостью, обеспечивал высокое быстродействие и поглощал бы более 95% фотонов с длинной волны в диапазоне 800-860 нм, обеспечивая близкое к полному собирание фотогенерированных носителей.
Поставленная задача достигается тем, что СВЧ фотодетектор лазерного излучения, включает полупроводниковую подложку, выполненную из n-GaAs, и последовательно осажденные: Брегговский отражатель, настроенный на длину волны лазерного излучения в диапазоне 800-860 нм, включающий чередующиеся пары слоев n-AlAs/n-Al0,2Ga0,8As, базовый слой, выполненный из n-GaAs, нелегированный слой i-GaAs и эмиттерный слой p-GaAs, при этом сумма толщин базового, нелегированного и эмиттерного слоев не превышает 1,5 мкм.
В СВЧ фотодетекторе лазерного излучения толщина слоя n-AlAs Брегговского отражателя может находится в диапазоне от 66 нм для длины волны лазерного излучения 800 нм до 72 нм для длины волны лазерного излучения 860 нм, а толщина слоя n-Al0,2Ga0,8As Брегговского отражателя может находиться в диапазоне от 57 нм для длины волны лазерного излучения 800 нм до 63 нм для длины волны лазерного излучения 860 нм.
В СВЧ фотодетекторе лазерного излучения толщина базового слоя может находиться в диапазоне от 50 до 100 нм, толщина нелегированного слоя может составлять от 0.9 до 1.1 мкм, а толщина эмиттерного слоя может находиться в диапазоне от 450 до 400 нм.
Настоящее техническое решение поясняется чертежами, где:
на фиг. 1 представлено схематичное изображение поперечного сечения настоящего СВЧ фотодетектора лазерного излучения;
на фиг. 2 приведены спектры отражение Брегговского отражателя (БО) на основе AlAs/Al0,2Ga0,8As (кривые 1-3) и AlAs/GaAs (кривая 4), центрированных на длину волны ЛИ 830 нм, в зависимости от числа пар слоев: кривая 1-20 пар; кривые 2, 4 - 15 пар, кривая 3-12 пар;
на фиг.3 приведены доли непоглощенных фотонов лазерного излучения в ФД ЛИ на основе GaAs в зависимости от суммарной толщины базового нелегированного и эмиттерного слоев для длин волн в диапазоне 800-860 для структур без БО (серия кривых 5) и с БО на основе 15 пар слоев AlAs/Al0,2Ga0,2As толщиной 69/60 нм, соответственно (серия кривых 6);
на фиг.4 представлены вклады различных фотоактивных слоев в постоянную времени разделения фотогенерированных носителей в ФД ЛИ на основе GaAs в вентильном режиме при напряжении 1 В: кривая 7 -время диффузии неравновесных дырок из слоя n-GaAs; кривая 8 - время дрейфа неравновесных дырок через слой i-GaAs; кривая 9 - время диффузии неравновесных электронов из слоя p-GaAs; кривая 10 - время разделения электрон-дырочных пар в i-GaAs; кривая 11 - время дрейфа неравновесных электронов через слой i-GaAs;
на фиг. 5 показаны вклады различных фотоактивных слоев в удельную диффузионную емкость структуры ФД на основе GaAs в вентильном режиме при напряжении 1В (кривые 12-14), а также барьерная емкость такого ФД ЛИ (кривая 15): кривая 12 - вклад слоя i-GaAs, кривая 13 - вклад слоя n-GaAs, кривая 14 - вклад слоя p-GaAs.
Настоящий СВЧ фотодетектор лазерного излучения показан на фиг. 1. Он включает подложку 1, выполненную, например, из и-GaAs, и последовательно осажденные: Брегговский отражатель 2, настроенный на длину волны лазерного излучения в диапазоне 800-860 нм, включающий чередующиеся пары слоев n-AlAs 3 /n-Al0,2Ga0,2As 4, базовый слой, выполненный из n-GaAs 5, с толщиной, например, 50-100 нм, нелегированный слой i-GaAs 6 толщиной, например, 0,9-1,1 мкм и эмиттерный слой p-GaAs 7 толщиной, например, 450-400 нм, при этом сумма толщин базового, нелегированного и эмиттерного слоев не превышает 1,5 мкм.
Структура ФД представляет собой полупроводниковый p-i-n переход, разделяющий фотогенерированные носители за счет тянущего поля p-i-n перехода. Ключевой особенностью большинства типов СВЧ ФД ЛИ является наличие толстого нелегированного i-слоя. Назначением такого слоя является расширение обедненной области между сильно легированными мелкой примесью эмиттерным и базовым слоями ФД с целью снижения емкости структуры. Этот параметр оказывает исключительно важное влияние на показатели быстродействия ФД, а, следовательно, и возможность его использования при преобразовании СВЧ сигналов.
Быстродействие p-i-n структур определяется несколькими постоянными времени:
где τ0 - постоянная времени, определяемая скоростью разделения электрон-дырочных пар в области пространственного заряда (ОПЗ);
τэмиттер - постоянная времени, определяемая скоростью диффузии неравновесных носителей заряда из эмиттера по направлению к ОПЗ;
τбаза - постоянная времени, определяемая скоростью диффузии неравновесных носителей заряда из базы по направлению к ОПЗ;
τRC = RhC - постоянная времени перезаряда емкостей, определяемая сопротивлением нагрузки ФД RH и емкостью p-i-n структуры.
Скорость разделения электрон-дырочных пар в ОПЗ зависит от подвижности носителей заряда градиента поля в ОПЗ, определяемого контактной разницей потенциалов, напряжением на ФД и толщины i-слоя d. Скорости диффузии в эмиттере и базе определяются толщинами этих слоев и коэффициентами диффузии неосновных носителей заряда.
Сопротивление нагрузки ФД зависит от режима его работы, для большинства приложений оно составляет 50 Ом, однако, в некоторых задачах может быть меньше. Емкость p-i-n структуры включает два основных компонента:
- барьерную емкость;
- диффузионную емкость.
Барьерная емкость играет доминирующую роль при отрицательных смещениях на p-i-n структуре. Ее можно оценить по формуле:
где ε - диэлектрическая проницаемость i-слоя; ε0 - электрическая постоянная; S - площадь ФД.
При положительных смещениях существенной оказывается диффузионная емкость. Ее значение можно рассчитать из решения диффузионно-дрейфовых уравнений для структуры. Диффузионная емкость определяется нескомпенсированным зарядом в фотоактивных слоях и также существенно зависит от толщины i-слоя. Диффузионная емкость экспоненциально возрастает с увеличением положительного смещения на ФД.
Для обеспечения высокого быстродействия ФД необходим компромисс в выборе толщины нелегированной области. При малой ее толщине поле в области ОПЗ будет достаточно для быстрого разделения носителей, однако, барьерная емкость структуры окажется большей, чем для толстого i-слоя.
Толщина i-слоя помимо быстродействия также определяет долю поглощаемого в нем излучения, а, следовательно, и квантовый выход ФД. Поглощение излучения в полупроводниках подчиняется закону Бугера-Бэра, поэтому доля непоглощенного лазерного излучения в структуре с суммарной толщиной всех фотоактивных слоев h может быть выражена формулой:
где α - коэффициент поглощения полупроводника.
Существует возможность оптимизации поглощения в слоях ФД ЛИ, так как необходимая толщина поглощающего слоя структуры может быть обеспечена не только за счет нелегированной i-области, но также и легированных мелкой примесью эмиттерного и базового слоев. Поэтому в p-i-n ФД ЛИ возможно достижение квантового выхода близкого к 100% при достаточно высоких частотах и значительных мощностях.
Важной особенностью настоящего СВЧ фотодетектора лазерного излучения является наличие встроенного Брэгговского отражателя. БО обеспечивают двухкратное прохождение оптического излучения через структуру, и таким образом, позволяют в два раза сократить толщину поглощающих слоев ФД ЛИ.
Если в конце структуры установлен Брегговский отражатель с коэффициентом ξ отражения то формула (3) заменится следующей:
Чем ближе коэффициент ξ к единице, тем меньше доля непоглощенного света согласно (4). При ξ =1 эквивалентная оптическая толщина слоев структуры удваивается.
Конструкция БО выбиралась из условия обеспечения высокого коэффициента отражения в рабочем диапазоне 800-860 нм (фиг. 2). Расчет распространения света в структуре был произведен с использованием метода матриц Абелеса. Оптимальными материалами для слоев БО являются AlAs и Al0,2Ga0,8As, которые имеют значительную разницу в показателе преломления, не поглощают ЛИ в рабочем диапазоне, а также согласованы по параметру решетки с GaAs. Число пар слоев отражателя выбрано равным 15 (см. фиг. 2, кривая 2), так как при меньшем числе пар коэффициент отражения не доходит до 90% (см. фиг. 2, кривая 3), дальнейшее же увеличение числа пар до 20 и более (см. фиг. 2, кривая 1) уже не оказывает заметного влияния на коэффициент отражения. Предлагаемый БО на основе непоглощающих материалов AlAs/Al0,2Ga0,8As имеет существенно более высокий коэффициент отражения по сравнению с БО на основе пар слоев GaAs/AlAs (см. фиг. 2, кривая 4), среди которых GaAs поглощает ЛИ.
Расчетные толщины слоев AlAs/Al0,2Ga0,8As для длины волны 800 нм составляют 66/57 нм соответственно, для длины волны 860 нм 71/62 нм соответственно и меняются линейно при изменении длинны волны центрирования БО в диапазоне 800-860 нм.
Встраивание БО в предлагаемую структуру ФД ЛИ позволяет обеспечить поглощение порядка 95% фотонов ЛИ в рабочем диапазоне при в два раза меньшей общей толщине поглощающих базового нелегированного и эмиттерного слоев. Действительно, в случае структуры ФД ЛИ без БО поглощение порядка 95% достигается при общей толщине порядка 3 мкм (см. фиг 3 серия кривых 5), в то время как при введении БО поглощение на уровне 95% обеспечивается при общей толщине порядка 1,5 мкм. Таким образом, ФД ЛИ без БО явно уступает по быстродействию ФД с БО, так как фотогенерированным носителям потребуется большее время для разделения. Уменьшение же общей толщины ФД ЛИ без БО для увеличения его быстродействия будет приводить к падению поглощения и квантовой эффективности прибора. К примеру, ФД ЛИ без БО с общей толщиной 1,5 мкм обеспечит поглощение на уровне, не превышающем 70%.
Расчет фоточувствительности и временных параметров структуры ФД производился методом решения системы уравнений диффузии и дрейфа, а также уравнения Пуассона для фотоактивных слоев. При этом учитывалось кулоновское взаимодействие электронов и дырок, генерированных ЛИ в i-слое. Быстродействие СВЧ ФД ЛИ определяет постоянная времени разделения фотогенерированных носителей заряда и удельная емкость структуры. Расчеты показывают, что толщины слоев заявляемого СВЧ ФД ЛИ обеспечивают достижение постоянной времени разделения фотогенерированных носителей на уровне 10 пс (фиг. 4). Постоянная определяется временем разделения электрон-дырочных пар в слое i-GaAs, которая составляет 10 пс для толщины нелегированного слоя 1 мкм (фиг. 4, кривая 10) и временем собирания неравновесных электронов из слоя p-GaAs, которое составляет 10 пс для толщины этого слоя в 400 нм (фиг. 4, кривая 9). Время дрейфа электронов через слой i-GaAs пренебрежимо мало, порядка 1 пс для толщины 1 мкм (рис. 4, кривая 11). Время дрейфа дырок через слой i-GaAs составляет порядка 50 пс (фиг. 4, кривая 8), однако, ввиду малой толщины слоя n-GaAs (100 нм), из которого они инжектируются, а также расположения слоя с тыльной стороны, суммарный вклад этих носителей заряда в фототок не превышает 3%. В то же самое время, такой толщины достаточно для создания необходимой контактной разности потенциалов на p-i-n переходе и сильного равномерного электрического поля в слое i-GaAs.
Толщина слоя p-GaAs помимо достижения малого значения постоянной времени разделения носителей заряда, которое составляет 10 пс при толщине 100 нм (фиг. 4, кривая 7), выбрана и с учетом обеспечения высокого значения внутреннего квантового выхода фотоответа (фиг. 5).
Если для структуры без БО увеличения толщины эмиттерного слоя р-GaAs позволяет улучшить чувствительность за счет улучшения поглощения, то для предлагаемой структуры более толстый слой только ухудшит квантовый выход, т.к. снизится коэффициент собирания. Выбранная толщина слоя i-GaAs помимо приемлемой постоянной времени разделения фотогенерированных носителей также отвечает условию баланса между барьерной и диффузионной емкостями в рабочих режимах (фиг. 5, кривые 12 и 15). При этом вклад в диффузионную емкость, в основном, обеспечивает слой i-GaAs.
Claims (3)
1. СВЧ фотодетектор лазерного излучения, включающий полупроводниковую подложку, выполненную из n-GaAs, и последовательно осажденные: Брегговский отражатель, настроенный на длину волны лазерного излучения в диапазоне 800-860 нм, включающий чередующиеся пары слоев n-AlAs/n-Al0,2Ga0,8As, базовый слой, выполненный из n-GaAs, нелегированный слой i-GaAs, эмиттерный слой p-GaAs и фронтальный слой p-Al0,2Ga0,8As, при этом сумма толщин базового, нелегированного и эмиттерного слоев не превышает 1,5 мкм.
2. СВЧ фотодетектор лазерного излучения по п. 1, отличающийся тем, что толщина слоя n-AlAs Брегговского отражателя находится в диапазоне от 66 нм для длины волны лазерного излучения 800 нм до 72 нм для длины волны лазерного излучения 860 нм, а толщина слоя n-Al0,2Ga0,8As Брегговского отражателя находится в диапазоне от 57 нм для длины волны лазерного излучения 800 нм до 63 нм для длины волны лазерного излучения 860 нм.
3. СВЧ фотодетектор лазерного излучения по пп. 1, 2, отличающийся тем, что толщина базового слоя находится в диапазоне от 50 до 100 нм, толщина нелегированного слоя составляет 0,9-1,1 мкм, а толщина эмиттерного слоя находится в диапазоне от 450 до 400 нм.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2018106466A RU2676187C1 (ru) | 2018-02-21 | 2018-02-21 | Свч фотодетектор лазерного излучения |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2018106466A RU2676187C1 (ru) | 2018-02-21 | 2018-02-21 | Свч фотодетектор лазерного излучения |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2676187C1 true RU2676187C1 (ru) | 2018-12-26 |
Family
ID=64753643
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2018106466A RU2676187C1 (ru) | 2018-02-21 | 2018-02-21 | Свч фотодетектор лазерного излучения |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2676187C1 (ru) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2805290C1 (ru) * | 2023-03-31 | 2023-10-13 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук | Фотоэлектрический преобразователь |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000114557A (ja) * | 1998-09-30 | 2000-04-21 | Kyocera Corp | 太陽電池素子 |
| EP1792150A1 (en) * | 2004-09-23 | 2007-06-06 | Vrije Universiteit Brussel | Photovoltage detector |
| JP2008140808A (ja) * | 2006-11-30 | 2008-06-19 | Kazumi Wada | 光検出器 |
| US7402843B2 (en) * | 2002-01-17 | 2008-07-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Group III-V compound semiconductor and group III-V compound semiconductor device using the same |
| CN101720600A (zh) * | 2009-12-15 | 2010-06-09 | 袁东明 | 多功能秸秆切碎青贮机 |
| RU2547004C1 (ru) * | 2013-11-26 | 2015-04-10 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук | СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ НА ОСНОВЕ GaAs |
-
2018
- 2018-02-21 RU RU2018106466A patent/RU2676187C1/ru active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000114557A (ja) * | 1998-09-30 | 2000-04-21 | Kyocera Corp | 太陽電池素子 |
| US7402843B2 (en) * | 2002-01-17 | 2008-07-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Group III-V compound semiconductor and group III-V compound semiconductor device using the same |
| EP1792150A1 (en) * | 2004-09-23 | 2007-06-06 | Vrije Universiteit Brussel | Photovoltage detector |
| JP2008140808A (ja) * | 2006-11-30 | 2008-06-19 | Kazumi Wada | 光検出器 |
| CN101720600A (zh) * | 2009-12-15 | 2010-06-09 | 袁东明 | 多功能秸秆切碎青贮机 |
| RU2547004C1 (ru) * | 2013-11-26 | 2015-04-10 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук | СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ НА ОСНОВЕ GaAs |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2806342C1 (ru) * | 2023-03-13 | 2023-10-31 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук | Фотодетектор лазерного излучения |
| RU2805290C1 (ru) * | 2023-03-31 | 2023-10-13 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук | Фотоэлектрический преобразователь |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI228320B (en) | An avalanche photo-detector(APD) with high saturation power, high gain-bandwidth product | |
| Decoster et al. | Optoelectronic sensors | |
| US6515315B1 (en) | Avalanche photodiode for high-speed applications | |
| JP2014057110A (ja) | アバランシェ・フォトダイオード | |
| CA3018953C (en) | Optical waveguide integrated light receiving element and method for manufacturing same | |
| US20160240718A1 (en) | Double-pass photodiode with embedded reflector | |
| CN101593784A (zh) | 光半导体装置 | |
| Chen et al. | Top-illuminated In0. 52Al0. 48As-based avalanche photodiode with dual charge layers for high-speed and low dark current performances | |
| Campbell et al. | Improved two-wavelength demultiplexing InGaAsP photodetector | |
| Yuan et al. | Avalanche photodiodes on silicon photonics | |
| Wu et al. | High-speed In 0.52 Al 0.48 As based avalanche photodiode with top-illuminated design for 100 Gb/s ER-4 system | |
| JP2004104085A (ja) | アバランシェフォトトランジスタ | |
| Karve et al. | Geiger mode operation of an In/sub 0.53/Ga/sub 0.47/As-In/sub 0.52/Al/sub 0.48/As avalanche photodiode | |
| Zhao et al. | Monolithic integrated InGaAs/InAlAs WDM-APDs with partially depleted absorption region and evanescently coupled waveguide structure | |
| RU2676187C1 (ru) | Свч фотодетектор лазерного излучения | |
| US4544938A (en) | Wavelength-selective photodetector | |
| Watanabe et al. | High-reliability and low-dark-current 10-Gb/s planar superlattice avalanche photodiodes | |
| WO2016017126A1 (ja) | アバランシェフォトダイオード | |
| RU2676188C1 (ru) | Свч фотоприемник лазерного излучения | |
| JP2003174186A (ja) | 半導体受光素子 | |
| Wang et al. | Top-Illuminated Avalanche Photodiodes With Cascaded Multiplication Layers for High-Speed and Wide Dynamic Range Performance | |
| Nakata et al. | Multiplication noise characterization of InAlAs-APD with heterojunction | |
| RU2675408C1 (ru) | Способ изготовления фотодетекторов мощного оптоволоконного свч модуля | |
| TWI724886B (zh) | 具複數累增層的單光子偵測器 | |
| CN218769537U (zh) | 一种光子集成增益探测器结构 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| QB4A | Licence on use of patent |
Free format text: LICENCE FORMERLY AGREED ON 20210520 Effective date: 20210520 |