RU2660220C2 - Способ повышения эффективности легирования и изменения типа проводимости аморфного гидрогенизированного кремния, слабо легированного акцепторными примесями - Google Patents
Способ повышения эффективности легирования и изменения типа проводимости аморфного гидрогенизированного кремния, слабо легированного акцепторными примесями Download PDFInfo
- Publication number
- RU2660220C2 RU2660220C2 RU2016152059A RU2016152059A RU2660220C2 RU 2660220 C2 RU2660220 C2 RU 2660220C2 RU 2016152059 A RU2016152059 A RU 2016152059A RU 2016152059 A RU2016152059 A RU 2016152059A RU 2660220 C2 RU2660220 C2 RU 2660220C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- hydrogenated silicon
- boron
- amorphous hydrogenated
- films
- doping
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
- H01L21/225—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities using diffusion into or out of a solid from or into a solid phase, e.g. a doped oxide layer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Изобретение относится к области оптоэлектронной техники и может быть использовано для создания солнечных элементов, а также иных тонкопленочных электронных устройств на основе легированных бором пленок аморфного гидрогенизированного кремния. Техническим результатом является повышение эффективности легирования бором в аморфном гидрогенизированном кремнии и изменение типа проводимости аморфного гидрогенизированного кремния за счет увеличения электрически активных атомов бора в аморфном гидрогенизированном кремнии. Способ изменения типа проводимости и повышения эффективности легирования бором аморфного гидрогенизированного кремния включает получение методом плазмохимического разложения смеси моносилана (SiH4) и диборана (В2Н6) тонких пленок аморфного гидрогенизированного кремния, слабо легированных бором (объемное отношение [B2H6]/[SiH4]=(10-6-10-5), и обработку пленок фемтосекундными лазерными импульсами с центральной длиной волны излучения 1000-1100 нм, частотой повторения лазерных импульсов 50-500 кГц, длительностью импульсов 100-500 фс и плотностью энергии лазерных импульсов 150-200 мДж/см2. 1 з.п. ф-лы, 3 ил., 1 табл.
Description
Область техники
Изобретение относится к области фотовольтаики и может быть использовано для создания эффективных тонкопленочных солнечных элементов на основе аморфного гидрогенизированного кремния.
Уровень техники
Солнечные элементы (СЭ) на основе аморфного гидрогенизированного кремния (а-Si:H) уже довольно давно используются в качестве относительно недорогой альтернативы СЭ на основе кристаллического кремния (c-Si). Помимо дешевизны к преимуществам а-Si:H можно также отнести более высокую по сравнению с c-Si фоточувствительность за счет большего коэффициента поглощения света практически во всем видимом диапазоне. Широкое распространение получили так называемые тонкопленочные СЭ на основе a-Si:H, основу которых составляют пленки толщиной от единиц нано- до микрометров.
Важным параметром, определяющим рабочие характеристики тонкопленочных солнечных элементов на основе аморфного гидрогенизированного кремния (a-Si:H), является уровень легирования исходной пленки a-Si:H. Как известно, основу СЭ составляет в простейшем случае одиночный p-n переход - пара слоев из одного и того же или различных материалов с разным типом проводимости. Путем изменения уровня легирования пленок a-Si:H можно управлять не только величиной его электропроводности, но и типом основных носителей заряда в нем. Хорошо известно, что полученный методом плазмохимического разложения моносилана a-Si:H обладает проводимостью n-типа. Небольшое добавление бора в a-Si:H (такое добавление производится путем введения диборана в реакционную камеру в процессе получения) не изменяет типа проводимости, если объемное отношение диборана к моносилану составляет менее 10-4, т.е. a-Si:H останется полупроводником n-типа. Во многом это связано с тем, что в a-Si:H далеко не все введенные атомы бора находятся в электрически активном состоянии, т.е. не все атомы могут захватывать электроны из валентной зоны, тем самым увеличивая концентрацию дырок и, соответственно, изменяя тип проводимости. С практической точки зрения интерес, таким образом, представляют не только способы внедрения примесей (допирования) в а-Si:H, но и методы повышения концентрации электрически активных примесных атомов.
Одним из перспективных методов допирования полупроводниковых тонких пленок является лазерная обработка с использованием сверхкоротких (фемтосекундных) лазерных импульсов. Основным преимуществом данного метода является его локальность, определяемая практически полным поглощением лазерного излучения пленкой и минимальным возмущением окружающих областей, в том числе подложки, за счет короткого времени остывания и низкой диффузии тепла из пленки. Это позволяет изготавливать тонкопленочные СЭ на подложках различного типа, включая дешевые в производстве и прозрачные, но чувствительные к нагреву пластиковые материалы.
Из уровня техники известны способы допирования полупроводниковых материалов с использованием фемтосекундных лазерных импульсов. Так в патенте US 8309389 В1 (опубликовано 13.11.2012, кл. H01L 21/00) предлагается метод увеличения коэффициента поглощения электромагнитного излучения для фотовольтаического полупроводникового устройства за счет травления и последующего текстурирования его поверхности. В частности, процесс текстурирования заключается в облучении целевой области полупроводникового материала лазерным излучением с целью создания особенностей с характерными размерами от порядка 50 нм до порядка 10 мкм. Для этого могут применяться различные типы лазерной обработки, в частности, при помощи импульсных лазеров, включая, но не ограничиваясь, вариантами фемтосекундных, пикосекундных и наносекундных лазеров и их комбинаций. Кроме того, облучая лазерными импульсами различные примеси можно добиться их внедрения в полупроводниковый материал. Таким способом может быть допирована как вся поверхность полупроводниковой пленки, так и только ее малая часть. Последующая активация примеси может быть произведена путем нагрева до температуры свыше порядка 700°C.
В патенте US 5346850 А (опубликовано 13.09.1994, кл. С30В 1/02; H01L 21/20; H01L 21/3215; H01L 29/786) предложен метод кристаллизации и допирования пленок аморфного кремния (a-Si), нанесенных на подложку, из низкотемпературного пластика с использованием высокоэнергетического источника коротких лазерных импульсов в контролируемой среде, исключающий распространение тепла и сопутствующую модификацию подложки. Импульсная лазерная обработка a-Si в таких средах как BF3 и PF5 приводит к формированию областей из легированного микро- или поликристаллического кремния, или точек перехода с улучшенными характеристиками подвижности и времени жизни, а также большими дрейфовой и диффузионной длинами и уменьшенным сопротивлением. Преимуществом метода является относительно высокая температура лазерной обработки тонкой пленки a-Si (>900°C), в то время как температура пластиковой подложки не превышает 180°C более чем на несколько микросекунд. Этот метод позволяет использовать виды пластика, неспособные противостоять продолжительному нагреву при температурах свыше 180°C (как, например, KAPTON, выдерживающий температуры около 400-450°C), но в то же время обладающих намного более низкой стоимостью и высокой устойчивостью к УФ-излучению, а также хорошими показателями прозрачности и прочности по сравнению с более высокотемпературными пластиками, такими как полиимиды. Внедрение примесей бора и фосфора происходит за счет процесса in-situ легирования в результате плавления. Аналогично может быть выполнена гидрогенизация или внедрение примесей других материалов путем подачи в камеру соответствующих газов.
Как следует из уровня техники известны лишь способы контролируемого локального допирования тонких полупроводниковых пленок примесями, но не управления концентрацией электрически активных примесных атомов с возможной сменой типа проводимости.
Технической проблемой, таким образом, является разработка способа локального управления типом проводимости пленок аморфного гидрогенизированного кремния с целью создания тонкопленочных солнечных элементов на его основе.
Раскрытие изобретения
Техническим результатом является повышение эффективности легирования бором в аморфном гидрогенизированном кремнии, выражающееся в обеспечении возможности изменения типа проводимости аморфного гидрогенизированного кремния за счет увеличения электрически активных атомов бора в аморфном гидрогенизированном кремнии.
Технический результат достигается за счет способа изменения типа проводимости пленок аморфного гидрогенизированного кремния, легированных бором, включающего формирование пленки на подложке посредством плазмохимического осаждения из газовой фазы моносилана (SiH4) и диборана (В2Н6) с объемным соотношением [B2H6]/[SiH4] в диапазоне от 10-6 до 10-5 и последующее облучение пленки фемтосекундными лазерными импульсами с центральной длиной волны излучения 1000-1100 нм с частотой повторения лазерных импульсов 50-500 кГц, длительностью импульсов 100-500 фс и плотностью энергии лазерных импульсов 150-200 мДж/см2.
Облучение пленки возможно осуществить посредством сканирования, преимущественно при скорости сканирования от 1 до 10 мм/с.
Краткое описание чертежей
На Фиг. 1 показана эффективность легирования пленок аморфного кремния и германия атомами Р, As, и В, представленная как функция от полной концентрации примеси в пленке [I.A. Palani, Nilesh J. Vasa, M. Singaperumal, Materials Science in Semiconductor Processing, 2008, v. 11, p. 107];
На Фиг. 2 показаны температурные зависимости проводимости легированных бором пленок аморфного гидрогенизированного кремния (σТ), полученных при различных долях диборана в газовой смеси: 10-3 (1), 10-4 (2), 10-5 (3), 3×10-6 (4), 10-6 (5);
На Фиг. 3 показаны температурные зависимости темновой проводимости пленок а-Si:H, обработанных фемтосекундными лазерными импульсами с различной плотностью энергии лазерных импульсов (%) и для сравнения черными точками показаны зависимости для нелегированных пленок a-Si:H и nc-Si:H.
Осуществление изобретения
Решение проблемы легирования неупорядоченных полупроводников является важной практической задачей. Большая сложность данного вопроса связана с низкой эффективностью легирования неупорядоченных материалов, в частности, пленок a-Si:H. Под эффективностью легирования понимается отношение концентрации электрически активных примесных атомов в материале к концентрации примеси в газовой смеси (В2Н6) или к полной концентрации примеси в твердой фазе.
На Фиг. 1 показана эффективность легирования пленок аморфного гидрогенизированного кремния и германия различными примесями в зависимости от концентрации введенной легирующей примеси [I.A. Palani, Nilesh J. Vasa, M. Singaperumal, Materials Science in Semiconductor Processing, 2008, v. 11, p. 107]. Как видно из данной фигуры, только 1 примесный атом из 50 является электрически активным в аморфных материалах при содержании примеси на уровне 10-4. Эффективность легирования падает до 0,1% при увеличении концентрации примеси.
Аморфный гидрогенизированный кремний, полученный методом плазмохимического осаждения из газовой фазы, является материалом n-типа из-за неконтролируемо входящих в процессе осаждения кислорода и азота. Добавление бора (акцепторной примеси) в такой материал позволяет его компенсировать, однако при небольших концентрациях бора материал все еще остается n-типом. Как отмечено выше, в аморфном гидрогенизированном кремнии, легированном бором, не все введенные атомы бора находятся в электрически активном состоянии. С другой стороны, в легированном бором кристаллическом кремнии концентрация электрически активных атомов бора значительно выше, чем в аморфном. Таким образом, указанная техническая проблема может быть решена за счет лазерной фемтосекундной кристаллизации a-Si:H, слабо легированного бором, в результате чего образуется так называемый нанокристаллический кремний nc-Si:H (аморфный кремний с большой долей кристаллической фазы), в котором доля электрически активного бора существенно увеличивается, в результате чего он начинает обладать проводимостью р-типа. Таким образом, можно локально изменять тип проводимости исходной пленки a-Si:H, слабо легированного акцепторной примесью (бором). Следует заметить, что в случае а-Si:H, сильно легированного бором (с объемным отношением [B2H6]/[SiH4]>10-4), исходная пленка a-Si:H обладает проводимостью р-типа, поэтому в результате лазерной фемтосекундной кристаллизации будет получаться пленка с явно выраженной дырочной проводимостью (р+ тип) без смены типа основных носителей заряда.
Пленки толщиной 0,1-1,5 мкм на кварцевом стекле при температуре подложки 250°C формируются методом плазмохимического осаждения из газовой фазы при разложении моносилана (SiH4) в смеси с дибораном (В2Н6), за счет чего достигалось легирование пленки аморфного гидрогенизированного кремния бором. Изменение относительной доли диборана в газовой смеси позволяет изменять уровень введенной в пленку примеси. При изучении легированных пленок аморфного гидрогенизированного кремния в качестве параметра, характеризующего уровень легирования, обычно используется отношение объемной доли диборана к моносилану в газовой смеси, то есть [B2H6]/[SiH4]. При получении пленок аморфного гидрогенизированного кремния, легированных бором, отношение [B2H6]/[SiH4] изменялось в пределах 10-6-10-3.
Как видно из Фиг. 2, с ростом уровня диборана в газовой смеси при формировании пленок аморфного гидрогенизированного кремния происходит увеличение проводимости пленок от 10-10 до 10-4 Ом-1см-1. Температурная зависимость проводимости пленок, легированных бором, в области комнатных температур имеет активационный характер. С ростом уровня легирования наблюдается уменьшение энергии активации температурной зависимости проводимости (Еа). Увеличение доли диборана в газовой смеси от 10-6 до 10-3 позволяет уменьшать энергию активации температурной зависимости проводимости от 0.93 эВ до 0.34 эВ. В случае пленок, легированных акцепторами, это говорит о том, что происходит смещение уровня Ферми (EF) к краю валентной зоны (EV).
Измерения термоЭДС показали, что при значениях [B2H6]/[SiH4], равных или меньших 10-5, пленки a-Si:H демонстрируют проводимость n-типа. В то же время, при значениях [B2H6]/[SiH4]>10-5, пленки a-Si:H являются уже материалом р-типа. Для повышения эффективности легирования и изменения типа проводимости используется облучение пленок a-Si:H фемтосекундными лазерными импульсами с длиной волны 1000-1100 нм, частотой повторения лазерных импульсов 50-500 кГц, длительностью импульсов 100-500 фс и плотностью энергии лазерных импульсов 150-200 мДж/см2. Следует отметить, что в случае значений [B2H6]/[SiH4]>10-5 изменить тип проводимости с помощью лазерной кристаллизации невозможно (поскольку образцы изначально уже р-типа), можно лишь повысить эффективность легирования бором.
На Фиг. 3 приведены температурные зависимости проводимости для пленок a-Si:H с отношением [B2H6]/[SiH4]=10-5, обработанных фемтосекундными лазерными импульсами с длиной волны 1050 нм и плотностью энергии в лазерных импульсах 50-200 мДж/см2. Также для сравнения на Фиг. 3 показаны температурные зависимости проводимости нелегированного и легированного a-Si:H и нелегированного nc-Si:H (с объемной долей кристаллических включений составляющей 60%). Цифры в процентах показывают объемную долю кристаллической фазы в пленках и характеризуют пример конкретного выполнения.
Изменение плотности энергии лазерных импульсов приводило к увеличению объемной доли кристаллической фазы. На Фиг. 3 указана объемная доля кристаллической фазы. Длительность импульса составляла 330 фс. Лазерное пятно имело форму эллипса с полуосями 8 и 50 мкм. Использовался сканирующий метод обработки поверхности a-Si:H. Скорость сканирования составляла 5 мм/с. Соседняя «полоса» сканирования смещалась относительно предыдущей на четверть ширины лазерного пятна. Такое перекрытие использовалось для повышения однородности производимой структурной модификации.
Как видно из Фиг. 3, в случае аморфного кремния пленка, легированная бором, имеет проводимость при комнатной температуре на три порядка выше, по сравнению с нелегированной пленкой a-Si:H. По наклонам температурных зависимостей темновой проводимости были вычислены значения энергий активации. Было получено, что энергия активации резко уменьшается для пленок, с объемной долей кристаллической фазы более 45% (это соответствует плотности энергии лазерных импульсов 150 мДж/см2 и выше). Для этих пленок значение энергии активации лежит на уровне 0,08 эВ. Для сравнения, для нелегированных пленок нанокристаллического гидрогенизированного кремния примерно с такой же долей объемной кристаллической фазы энергия активации составляет 0,4-0,6 эВ [P. Alpuim, V. Chu, Doping of amorphous and microcrystalline silicon films deposited at low substrate temperatures by hot-wire chemical vapor deposition // J. of Vacuum Science & and Technology A - Vacuum Surface and Films, 2001, 19, 2328-2334]. Полученная в результате лазерной кристаллизации малая величина энергии активации температурной зависимости проводимости, равная 0,08 эВ, указывает на формирование в результате лазерного облучения нанокристаллического кремния, сильно легированного бором. При этом малые значения энергии активации связанны не только с кристаллизацией кремния, но и с увеличением эффективности легирования пленок бором, т.е. с переходом электрически неактивных атомов бора в аморфном кремнии в электрически активное состояние в нанокристаллическом кремнии, возникшим в результате лазерной обработки.
Измерения термоЭДС показали, что для пленок с объемной долей кристаллической фазы более 45% (облученных лазерными импульсами с плотностью энергии более 150 мДж/см2) основным типом носителей являются дырки. То есть в результате фемтосекундной лазерной кристаллизации пленки a-Si:H n-типа с внедренным небольшим количеством бора (в отношении при получении пленки [B2H6]/[SiH4]=10-4) происходит изменение типа проводимости, пленка a-Si:H становится р-типом.
В таблице 1 приведены значения энергии активации и типа проводимости для пленок a-Si:H с различной (но малой) степенью легирования бором, подвергнутых фемтосекундной лазерной кристаллизации с различными параметрами. Как видно из таблицы 1, для всех измеренных пленок a-Si:H наблюдается изменение типа проводимости и уменьшение энергии активации проводимости в результате лазерного облучения. Это указывает на увеличение концентрации электрически активных атомов бора, изначально внедренных в a-Si:H, в результате фемтосекундного лазерного воздействия.
Claims (2)
1. Способ изменения типа проводимости пленок аморфного гидрогенизированного кремния, легированных бором, включающий формирование пленки на подложке посредством плазмохимического осаждения из газовой фазы моносилана (SiH4) и диборана (В2Н6) с объемным соотношением [B2H6]/[SiH4] в диапазоне от 10-6 до 10-5 и последующее облучение пленки фемтосекундными лазерными импульсами с центральной длиной волны излучения 1000-1100 нм с частотой повторения лазерных импульсов 50-500 кГц, длительностью импульсов 100-500 фс и плотностью энергии лазерных импульсов 150-200 мДж/см2.
2. Способ по п. 1, отличающийся, тем, что облучение пленки осуществляют посредством сканирования, преимущественно при скорости сканирования от 1 до 10 мм/с.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2016152059A RU2660220C2 (ru) | 2016-12-28 | 2016-12-28 | Способ повышения эффективности легирования и изменения типа проводимости аморфного гидрогенизированного кремния, слабо легированного акцепторными примесями |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2016152059A RU2660220C2 (ru) | 2016-12-28 | 2016-12-28 | Способ повышения эффективности легирования и изменения типа проводимости аморфного гидрогенизированного кремния, слабо легированного акцепторными примесями |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2016152059A3 RU2016152059A3 (ru) | 2018-06-28 |
| RU2016152059A RU2016152059A (ru) | 2018-06-28 |
| RU2660220C2 true RU2660220C2 (ru) | 2018-07-05 |
Family
ID=62814118
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2016152059A RU2660220C2 (ru) | 2016-12-28 | 2016-12-28 | Способ повышения эффективности легирования и изменения типа проводимости аморфного гидрогенизированного кремния, слабо легированного акцепторными примесями |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2660220C2 (ru) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2698491C1 (ru) * | 2019-03-06 | 2019-08-28 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет" | Способ изготовления преобразователя солнечной энергии с высоким КПД |
| RU2817080C1 (ru) * | 2023-12-20 | 2024-04-09 | федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет)" | Способ получения локально легированной кремниевой плёнки с заданными характеристиками для устройств микроэлектроники |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5210766A (en) * | 1990-12-27 | 1993-05-11 | Xerox Corporation | Laser crystallized cladding layers for improved amorphous silicon light-emitting diodes and radiation sensors |
| US5346850A (en) * | 1992-10-29 | 1994-09-13 | Regents Of The University Of California | Crystallization and doping of amorphous silicon on low temperature plastic |
| TW330317B (en) * | 1996-12-30 | 1998-04-21 | Ind Tech Res Inst | The method for enhanced conductivity of amorphous TFT doping layer |
| RU2368703C2 (ru) * | 2007-02-22 | 2009-09-27 | Государственное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту) | Способ лазерного отжига кремниевой подложки, содержащей имплантированные слои |
| US8309389B1 (en) * | 2009-09-10 | 2012-11-13 | Sionyx, Inc. | Photovoltaic semiconductor devices and associated methods |
| US20140096820A1 (en) * | 2012-10-05 | 2014-04-10 | International Business Machines Corporation | Laser Doping of Crystalline Semiconductors Using a Dopant-Containing Amorphous Silicon Stack For Dopant Source and Passivation |
| CN105742370A (zh) * | 2016-04-13 | 2016-07-06 | 信利（惠州）智能显示有限公司 | 低温多晶硅薄膜晶体管及其制备方法 |
-
2016
- 2016-12-28 RU RU2016152059A patent/RU2660220C2/ru active
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5210766A (en) * | 1990-12-27 | 1993-05-11 | Xerox Corporation | Laser crystallized cladding layers for improved amorphous silicon light-emitting diodes and radiation sensors |
| US5346850A (en) * | 1992-10-29 | 1994-09-13 | Regents Of The University Of California | Crystallization and doping of amorphous silicon on low temperature plastic |
| TW330317B (en) * | 1996-12-30 | 1998-04-21 | Ind Tech Res Inst | The method for enhanced conductivity of amorphous TFT doping layer |
| RU2368703C2 (ru) * | 2007-02-22 | 2009-09-27 | Государственное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту) | Способ лазерного отжига кремниевой подложки, содержащей имплантированные слои |
| US8309389B1 (en) * | 2009-09-10 | 2012-11-13 | Sionyx, Inc. | Photovoltaic semiconductor devices and associated methods |
| US20140096820A1 (en) * | 2012-10-05 | 2014-04-10 | International Business Machines Corporation | Laser Doping of Crystalline Semiconductors Using a Dopant-Containing Amorphous Silicon Stack For Dopant Source and Passivation |
| US20150228487A1 (en) * | 2012-10-05 | 2015-08-13 | International Business Machines Corporation | Laser Doping of Crystalline Semiconductors Using a Dopant-Containing Amorphous Silicon Stack for Dopant Source and Passivation |
| CN105742370A (zh) * | 2016-04-13 | 2016-07-06 | 信利（惠州）智能显示有限公司 | 低温多晶硅薄膜晶体管及其制备方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2698491C1 (ru) * | 2019-03-06 | 2019-08-28 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет" | Способ изготовления преобразователя солнечной энергии с высоким КПД |
| RU2817080C1 (ru) * | 2023-12-20 | 2024-04-09 | федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет)" | Способ получения локально легированной кремниевой плёнки с заданными характеристиками для устройств микроэлектроники |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2016152059A3 (ru) | 2018-06-28 |
| RU2016152059A (ru) | 2018-06-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5162239A (en) | Laser crystallized cladding layers for improved amorphous silicon light-emitting diodes and radiation sensors | |
| US20090269913A1 (en) | Junction formation on wafer substrates using group iv nanoparticles | |
| Ameen et al. | Solar light photodetectors based on nanocrystalline zinc oxide cadmium doped/p-Si heterojunctions | |
| US5210766A (en) | Laser crystallized cladding layers for improved amorphous silicon light-emitting diodes and radiation sensors | |
| TWI542028B (zh) | 相異摻雜區之圖案的形成方法 | |
| US20150075595A1 (en) | Method for producing a photovoltaic cell with interdigitated contacts in the back face | |
| Ukawa et al. | Activation of silicon implanted with phosphorus and boron atoms by infrared semiconductor laser rapid annealing | |
| AU2019283942A1 (en) | Solar cell with trench-free emitter regions | |
| US9960287B2 (en) | Solar cells and methods of fabrication thereof | |
| Eggleston et al. | Large-area diode laser defect annealing of polycrystalline silicon solar cells | |
| Derbali et al. | Minority carrier lifetime and efficiency improvement of multicrystalline silicon solar cells by two-step process | |
| RU2660220C2 (ru) | Способ повышения эффективности легирования и изменения типа проводимости аморфного гидрогенизированного кремния, слабо легированного акцепторными примесями | |
| Hamrouni et al. | Electrical Properties of the Al/CuInSe 2 Thin Film Schottky Junction | |
| Hu et al. | Structural and optoelectronic properties of selenium‐doped silicon formed using picosecond pulsed laser mixing | |
| US20110265875A1 (en) | Copper and indium based photovoltaic devices and associated methods | |
| Ogane et al. | Laser-doping technique using ultraviolet laser for shallow doping in crystalline silicon solar cell fabrication | |
| RU2667689C2 (ru) | Способ получения гетероперехода нанокристаллический кремний/аморфный гидрогенизированный кремний для солнечных элементов и солнечный элемент с таким гетеропереходом | |
| US20130174898A1 (en) | Thin-film solar cell and manufacturing method thereof | |
| CN103594541A (zh) | 用于太阳能电池的多晶硅/单晶硅异质结结构及其制备方法 | |
| CN115117198A (zh) | 一种δ掺杂层制备方法及电子器件 | |
| US20150280049A1 (en) | Multi-junction Thin-Film Silicon Solar Cells with a Recrystallized Silicon-based Sub-Cell | |
| Prathap et al. | Selective emitter formation by laser doping of spin-on sources | |
| Li et al. | Research on photoelectric characteristics of (S, Se) co-doped silicon fabricated by femtosecond-laser irradiation | |
| Nagao et al. | Two-step ion implantation used for activating boron atoms in silicon at 300° C | |
| Palani | Investigation on production of highly textured Sb doped polycrystalline silicon using solid state Nd: YAG laser for photovoltaic application |