RU2817080C1 - Способ получения локально легированной кремниевой плёнки с заданными характеристиками для устройств микроэлектроники - Google Patents
Способ получения локально легированной кремниевой плёнки с заданными характеристиками для устройств микроэлектроники Download PDFInfo
- Publication number
- RU2817080C1 RU2817080C1 RU2023134126A RU2023134126A RU2817080C1 RU 2817080 C1 RU2817080 C1 RU 2817080C1 RU 2023134126 A RU2023134126 A RU 2023134126A RU 2023134126 A RU2023134126 A RU 2023134126A RU 2817080 C1 RU2817080 C1 RU 2817080C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- silicon film
- plasma
- sample
- reactor
- film
- Prior art date
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 30
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 30
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 30
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract description 34
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 13
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims abstract description 9
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 8
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims abstract description 7
- FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N trichloroborane Chemical compound ClB(Cl)Cl FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- 238000011066 ex-situ storage Methods 0.000 claims description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 3
- 238000005234 chemical deposition Methods 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 51
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 9
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 9
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 7
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 6
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 4
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 3
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 3
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 3
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 3
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- KQHQLIAOAVMAOW-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+) oxygen(2-) zirconium(4+) Chemical compound [O--].[O--].[O--].[O--].[Zr+4].[Hf+4] KQHQLIAOAVMAOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010445 mica Substances 0.000 description 2
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 2
- 239000000700 radioactive tracer Substances 0.000 description 2
- TUQOTMZNTHZOKS-UHFFFAOYSA-N tributylphosphine Chemical compound CCCCP(CCCC)CCCC TUQOTMZNTHZOKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SEQDDYPDSLOBDC-UHFFFAOYSA-N Temazepam Chemical compound N=1C(O)C(=O)N(C)C2=CC=C(Cl)C=C2C=1C1=CC=CC=C1 SEQDDYPDSLOBDC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical group [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000001017 electron-beam sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000313 electron-beam-induced deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 125000004437 phosphorous atom Chemical group 0.000 description 1
- -1 phosphorus ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000004151 rapid thermal annealing Methods 0.000 description 1
- IEXRMSFAVATTJX-UHFFFAOYSA-N tetrachlorogermane Chemical compound Cl[Ge](Cl)(Cl)Cl IEXRMSFAVATTJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- WXRGABKACDFXMG-UHFFFAOYSA-N trimethylborane Chemical compound CB(C)C WXRGABKACDFXMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Abstract
Изобретение может быть использовано в нанотехнологиях как метод наноструктурирования для разработки устройств полупроводниковой микроэлектроники. Способ реализуется путём роста аморфной кремниевой плёнки методом плазменно-химического осаждения из газовой фазы с помощью подачи в реактор потока моносилана при температуре до 700°С; локального плазменного легирования кремниевой плёнки через маску из фоторезиста или электронного резиста по заданному рисунку путём подачи в реактор потока трихлорида бора и прикладывания напряжения смещения между образцом и плазмой; после чего осуществляют термический отжиг образца для активации легирующей примеси при температуре 600-1000°С. Изобретение обеспечивает возможность варьировать и контролировать характеристики плёнки в широком диапазоне и применять данный способ в массовом производстве устройств полупроводниковой микроэлектроники. 3 ил.
Description
Изобретение относится к способам создания устройств на основе тонких полупроводниковых плёнок и может быть использовано в нанотехнологиях как метод наноструктурирования для разработки устройств полупроводниковой микроэлектроники.
Известен ряд патентов и статей, в основе которых лежит метод получения in situ легированной кремниевой плёнки:
1) Так в патенте США № 4400409, кл. H01L 31/04 1983 г. описан метод роста in situ легированной кремниевой плёнки, которая характеризуется высокой концентрацией свободных носителей заряда.
2) Встатье A. Learn и др., "Deposition and electrical properties of in situ phosphorus doped silicon films formed by low pressure chemical vapor deposition", J. Appl. Phys. 61, 1898-1904 (1987) описан метод роста in situ легированной кремниевой плёнки, включающий осаждение из газовой фазы с помощью смешивания моносилана и фосфина перед введением в камеру. Данный метод характеризуется высокой концентрацией атомов фосфора 1021 атомов/см3 в кремниевой плёнке.
3) В патенте США № 5198387, кл. C23C 16/24 1993 г. описан метод роста in situ легированной кремниевой плёнки, включающий осаждение из газовой фазы с помощью смешивания моносилана и паров трибутилфосфина перед введением в камеру. Данный метод характеризуется относительно низкой температурой во время осаждения (~550°С), высокой концентрацией носителей в плёнке, а также высокой однородностью и конформностью осаждённой плёнки.
4) В статье M. Firat и др., "In situ phosphorus-dopedpolycrystallinesiliconfilmsbylowpressurechemicalvapordepositionforcontactpassivationofsiliconsolarcells", SolarEnergy 231, 78-87 (2022) описан метод роста in situ легированной поликристаллической кремниевой плёнки, включающий осаждение из газовой фазы в смеси моносилана, фосфина и водорода, а также оптимизацию параметров осаждения (температуры и потока газов). Данный метод характеризуется высокой концентрацией легирующей примеси в диапазоне от 1019 1/см3 до 1020 1/см3.
Однако все вышеперечисленные методы получения легированной кремниевой плёнки имеют ряд существенных недостатков:
Нет возможности локального легирования кремниевой плёнки, поскольку легирование осуществляется in situ, а не ex situ (во время роста, а не после), что ограничивает использование плёнки в устройствах полупроводниковой микроэлектроники.
Демонстрируется возможность получать плёнки только лишь с высокой концентрацией носителей (>1019 носителей/см3), что сильно ограничивает их применение. В частности, нельзя использовать такие плёнки для изготовления нормально открытого полевого транзистора.
Большинство известных методов роста требуют использование чрезвычайно опасных газов диборана или фосфина (примеры 2 и 4), что ограничивает использование этих технологий в массовом производстве.
Помимо технологий получения in situ легированной кремниевой плёнки, также известны патенты, в основе которых лежит метод получения локально легированной кремниевой плёнки:
1) Так в патенте США № 6165876, кл. H01L 21/266 2000 г. описан метод локального легирования кристаллической кремниевой плёнки, включающий имплантацию ионов бора или фосфора и последующую активацию примеси с помощью лазерного облучения. Данный метод характеризуется концентрацией легирующей примеси в широком диапазоне от 1015 атомов/см3 до 1019 атомов/см3 в кристаллической кремниевой плёнке.
2) В патенте Китая № 112103368, кл. H01L 31/18 2020 г. описан метод локального лазерного легирования поликристаллической кремниевой плёнки, включающий активацию легирующей примеси лазерным излучением в поликристаллической кремниевой плёнке.
Тем не менее, известные аналоги получения локально легированной кремниевой плёнки обладают существенными недостатками:
Пример 1 применим только лишь для легирования кристаллической кремниевой плёнки, которую на практике получить затруднительно, а с помощью подавляющего большинства известных методов можно вырастить либо аморфную, либо поликристаллическую кремниевую плёнку.
В примере 2 не демонстрируется возможность контролировать свойства легированных областей плёнки, такие как концентрация свободных носителей и удельное сопротивление.
В основу настоящего изобретения положена задача создать способ ex situ легирования аморфной или поликристаллической кремниевой плёнки, открывающий возможность варьировать и контролировать характеристики плёнки (в частности, концентрацию свободных носителей и проводимость) в широком диапазоне, а также не требующий использование чрезвычайно опасных газов диборана и фосфина, что позволило бы применять данный способ в массовом производстве устройств полупроводниковой микроэлектроники (например, в производстве тонкоплёночного нормально открытого полевого транзистора).
Указанная задача решается следующим образом: локальное легирование аморфной или поликристаллической кремниевой плёнки осуществляется ex situ плазменно-химическим методом(после этапа осаждения плёнки) через маску из фоторезиста или электронного резиста путём подачи в реактор потока негорючего газа трихлорида бора и прикладыванием напряжения смещения между образцом и плазмой без дополнительного подогрева, после чего осуществляется термический отжиг для активации легирующей примеси при температуре 600-1000°С.
В качестве резиста для маски, через которую осуществляется локальное легирование, могут использоваться фоторезисты, чувствительные к ультрафиолету, глубокому ультрафиолету, рентгену или ионным потокам, а также электронные резисты. В качестве источника легирующей примеси для плазменно-химического легирования, могут использоваться намного менее опасные соединения, по сравнению с дибораном или фосфином, такие как трихлорида бора, триметилборан, трибутилфосфин, метан, этан, бензол, хлорид германия.
Изобретение способа получения локально легированной кремниевой плёнки с варьируемыми и контролируемыми характеристиками, не требующего использование чрезвычайно опасных газов диборана и фосфина, позволяет:
1) Применять данный способ для изготовления устройств полупроводниковой микроэлектроники, в которых требуется использование локально легированной кремниевой плёнки с заданными свойствами (например, в тонкоплёночном или гибком полевом транзисторе, в тонкоплёночном или гибком мемристоре и т.д.), благодаря
ex situ плазменному легированию через маску, при котором образец дополнительно не нагревается, в результате чего полимерная маска не запекается (отжиг для активации примеси производится уже после удаления маски из фоторезиста).
возможности получать концентрацию носителей и удельное сопротивление в легированной плёнке в широком диапазоне (~1016 - 1019 1/см3 и 0.001 - 1 Ом⋅см соответственно), варьируя рабочее давление в камере во время плазменного легирования, время и температуру отжига во время последующей активации легирующей примеси.
1) Применять данный способ в массовом производстве устройств полупроводниковой микроэлектроники благодаря использованию негорючего газа трихлорида бора (который к тому же активно используется в производстве микроэлектроники для плазменного травления) во время процесса плазменного легирования.
Перечень фигур чертежей
Сущность изобретения поясняется чертежом, где на фиг. 1 представлен процесс осаждения аморфной кремниевой плёнки 3 (на подложку 1 с диэлектрическим слоем 2) методом плазменно-химического осаждения из газовой фазы с помощью подачи в реактор потока моносилана при температуре до 700°С; на фиг. 2 - процесс локального плазменного легирования кремниевой плёнки 3 через маску из фоторезиста или электронного резиста 4 по заданному рисунку путём подачи в реактор потока трихлорида бора и прикладыванием напряжения смещения между образцом и плазмой; на фиг. 3 - процесс термического отжига образца для активации примеси в легированных бором областях кремниевой плёнки 5 при температуре от 600°С.
Изобретение иллюстрируется следующими примерами:
Пример 1.
Был изготовлен тонкоплёночный сегнетоэлектрический полевой транзистор. В качестве подложки использовался монокристаллический кремний размером 1 x 1 см, вырезанный из пластины толщиной 530 мкм. В качестве затворного электрода использовался слой вольфрама толщиной 40 нм, нанесённый на кремниевую подложку при помощи магнетронного распыления. Затем была выращена 10-нанометровая аморфная плёнка оксида гафния-циркония (Hf0.5Zr0.5O2, HZO) методом атомно-слоевого осаждения при температуре 240°C. В процессе атомно-слоевого осаждения в качестве прекурсоров использовались Hf[N(CH)3(C2H5)]4 (TEMAH), Zr[N(CH)3(C2H5)]4 (TEMAZ) и H2O, а в качестве газа-носителя и продувочного газа - N2. Далее методом плазменно-химического осаждения из газовой фазы была выращена плёнка нелегированного гидрогенизированного аморфного кремния (aSi:H) толщиной 50 нм. Рост осуществлялся из моносилана (SiH4) при поддержании постоянного потока 1000 ст. см3, давления в реакторе 600 мТорр, температуры 550°C и мощности генератора РЧ-сигнала 15 Вт. Далее с помощью оптической литографии была сформирована маска на поверхности кремниевой плёнки. Отверстия в маске имели форму прямоугольника, в котором длина одной стороны фиксировалась равной 10 мкм, а длина второй стороны варьировалась в диапазоне от 10 мкм до 50 мкм. Через отверстия в маске в течение 30 с выполнялось локальное плазменное легирование кремниевой плёнки бором путём подачи в реактор потока трихлорида бора 20 ст. см3 при давлении в реакторе 40 мТорр, а также прикладывании напряжения смещения между образцом и плазмой, которое обеспечивалось подачей мощности 100 Вт с генератора. После локального плазменного легирования кремниевой плёнки маска из фоторезиста удалялась в N-метил-2-пирролидоне. Для кристаллизации кремниевой плёнки, активации примеси бора, а также кристаллизации нижележащей плёнки HZO в сегнетоэлектрическую структурную фазу, образец слоистой структуры был подвержен термическому отжигу в атмосфере аргона при температуре 700°С в течение 5 мин. Легированная бором область кремниевой плёнки представляют собой канал проводимости транзистора p-типа. Изготовление верхних электродов транзистора, края которых совмещались с краями канала транзистора, осуществлялось при помощи электронной литографии и электронно-лучевого напыления алюминия толщиной 50 нм. Расстояние между верхними электродами транзисторных структур варьировалось в диапазоне от 35 нм до 5 мкм. Контакт к нижнему электроду из вольфрама был обеспечен благодаря локальному плазмохимическому травлению в плазме SF6.
Электрофизические измерения проводились на зондовой станции Cascade Microtech Summit 11000M с помощью характериографа Agilent B1500A, включающего в себя источник питания и измеритель тока. Был показан полевой эффект в тонкоплёночном транзисторе: напряжение на нижнем электроде модулирует проводимость канала между двумя верхними электродами. Кроме того, был показан сегнетоэлектрический эффект в транзисторе: два состояния проводимости канала, соответствующие двум направлениям вектора поляризации в сегнетоэлектрике, хорошо различимы.
Пример 2.
Способ локального легирования кремниевой плёнки осуществляют так же, как в примере 1, но отличие состоит в том, что применяется способ для изготовления гибкого сегнетоэлектрического полевого транзистора. Для этого в качестве подложки использовался не монокристаллический кремний, а слюда размером 1.5 x 1.5 см, вырезанная из листа толщиной 0.06 мм. Было показано, что и полевой эффект, и сегнетоэлектрический эффект в гибком транзисторе сохраняются как при статическом изгибе устройства, так и после более чем 100 циклов изгибных испытаний с радиусом закругления 1 см.
Пример 3.
Был изготовлен гибкий сегнетоэлектрический мемристор. В качестве подложки использовалась слюда размером 1.5 x 1.5 см, вырезанная из листа толщиной 0.06 мм. Далее так же, как и в примере 1 была выращена плёнка из вольфрама толщиной 40 нм методом магнетронного распыления, а затем - кремниевая плёнка толщиной 10 нм методом плазменно-химического осаждения из газовой фазы. С помощью оптической литографии и плазменного легирования кремниевая плёнка была локально легирована бором через маску из фоторезиста, чтобы сформировать области p-типа размером 50 x 50 мкм. После чего образец был подвержен отжигу для активации примеси. Затем была выращена 10-нанометровая аморфная плёнка оксида гафния-циркония методом атомно-слоевого осаждения. Параметры легирования кремниевой плёнки, отжига и роста оксида гафния-циркония аналогичным тем, что описаны в примере 1. Верхний электрод толщиной 20 нм был изготовлен из TiN методом магнетронного распыления из титановой мишени в атмосфере N2 и Ar в соотношении 1:10 при температуре 250°C, после чего структура была повторно подвергнута быстрому термическому отжигу в атмосфере Ar при температуре 550°C в течение 30 с для кристаллизации нижележащей плёнки HZO. Дополнительный слой Al толщиной 200 нм был нанесён на электрод из TiN с помощью электронно-лучевого напыления. Паттернирование верхнего электрода осуществлялось при помощи безмасковой оптической литографии и плазмохимического травления.
Путём электрофизических измерений с помощью зондовой станции Cascade Microtech Summit 11000M и характериографа Agilent B1500A продемонстрирована модуляция проводимости мемристора при переключении поляризации в сегнетоэлектрике.
Изобретение может быть использовано в нанотехнологиях как метод наноструктурирования для разработки устройств полупроводниковой микроэлектроники.
Claims (1)
- Способ получения локально легированной кремниевой плёнки с заданными характеристиками для устройств микроэлектроники, заключающийся в том, что изготавливают структуру, включающую в себя подложку, нанесённый на неё диэлектрический слой и аморфную кремниевую плёнку, нанесённую методом плазменно-химического осаждения из газовой фазы с помощью подачи в реактор потока моносилана при температуре до 700°С, отличающийся тем, что выполняют ex situ локальное плазменное легирование кремниевой плёнки через маску из фоторезиста или электронного резиста по заданному рисунку путём подачи в реактор потока трихлорида бора и прикладывания напряжения смещения между образцом и плазмой, после чего осуществляют термический отжиг образца для активации легирующей примеси при температуре 600-1000°С.
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2817080C1 true RU2817080C1 (ru) | 2024-04-09 |
Family
ID=
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5281546A (en) * | 1992-09-02 | 1994-01-25 | General Electric Company | Method of fabricating a thin film transistor using hydrogen plasma treatment of the intrinsic silicon/doped layer interface |
| US6165876A (en) * | 1995-01-30 | 2000-12-26 | Yamazaki; Shunpei | Method of doping crystalline silicon film |
| RU2204179C1 (ru) * | 2002-08-19 | 2003-05-10 | Общество с ограниченной ответственностью "Агентство маркетинга научных разработок" | Способ формирования нанорельефа на поверхности пленок |
| RU2522930C2 (ru) * | 2012-11-19 | 2014-07-20 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова (КБГУ) | Способ изготовления тонкопленочного транзистора |
| RU2660220C2 (ru) * | 2016-12-28 | 2018-07-05 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ) | Способ повышения эффективности легирования и изменения типа проводимости аморфного гидрогенизированного кремния, слабо легированного акцепторными примесями |
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5281546A (en) * | 1992-09-02 | 1994-01-25 | General Electric Company | Method of fabricating a thin film transistor using hydrogen plasma treatment of the intrinsic silicon/doped layer interface |
| US6165876A (en) * | 1995-01-30 | 2000-12-26 | Yamazaki; Shunpei | Method of doping crystalline silicon film |
| RU2204179C1 (ru) * | 2002-08-19 | 2003-05-10 | Общество с ограниченной ответственностью "Агентство маркетинга научных разработок" | Способ формирования нанорельефа на поверхности пленок |
| RU2522930C2 (ru) * | 2012-11-19 | 2014-07-20 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова (КБГУ) | Способ изготовления тонкопленочного транзистора |
| RU2660220C2 (ru) * | 2016-12-28 | 2018-07-05 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ) | Способ повышения эффективности легирования и изменения типа проводимости аморфного гидрогенизированного кремния, слабо легированного акцепторными примесями |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5246886A (en) | Process for depositing a silicon-containing polycrystalline film on a substrate by way of growing Ge-crystalline nucleus | |
| US20190378898A1 (en) | Monolayer films of semiconducting metal dichalcogenides, methods of making same, and uses of same | |
| JP2880322B2 (ja) | 堆積膜の形成方法 | |
| US8652944B2 (en) | Method for making side growth semiconductor nanowires and transistors obtained by said method | |
| US20040133361A1 (en) | Method for CVD process control for enhancing device performance | |
| US4741964A (en) | Structure containing hydrogenated amorphous silicon and process | |
| JPH05211127A (ja) | プラズマ強化化学気相成長法 | |
| US5753541A (en) | Method of fabricating polycrystalline silicon-germanium thin film transistor | |
| IE52688B1 (en) | Apparatus and method for making a photovoltaic panel | |
| US5900646A (en) | Method of preventing deterioration of film quality of transparent conductive film a semiconductor device | |
| JP2947828B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| RU2817080C1 (ru) | Способ получения локально легированной кремниевой плёнки с заданными характеристиками для устройств микроэлектроники | |
| Takabayashi et al. | Chemical structural analysis of diamondlike carbon films: I. Surface growth model | |
| JPH0465120A (ja) | 堆積膜の形成方法 | |
| KR102509798B1 (ko) | 전이금속 칼코겐 화합물 도핑 방법 | |
| CN115074825A (zh) | 碳化硅外延结构、脉冲式生长方法及其应用 | |
| EP0684632B1 (en) | Method of forming a film at low temperature for a semiconductor device | |
| Hartmann et al. | Growth and thermal stability of SiGe/Si superlattices on bulk Si wafers | |
| EP0481777A2 (en) | Method of manufacturing gate insulated field effect transistors | |
| JPH0786515A (ja) | ポリシリコン抵抗体の形成方法 | |
| US5464795A (en) | Method of forming polycrystalline silicon thin films for semiconductor devices | |
| EP0243074B1 (en) | Process for forming deposited film | |
| JP2021111696A (ja) | エピタキシャルウェーハの製造方法及びエピタキシャルウェーハ | |
| Cosceev et al. | Investigation of the electrical properties of the alkaline-earth oxides BaO, SrO and Ba0. 7Sr0. 3O on Si (001) as alternative gate dielectrics | |
| Donahue et al. | Low Temperature Silicon Epitaxy Deposited by Very Low Pressure Chemical Vapor Deposition: II. Autodoping |