RU2656126C1 - Способ изготовления бескорпусного диода для солнечных батарей космических аппаратов - Google Patents
Способ изготовления бескорпусного диода для солнечных батарей космических аппаратов Download PDFInfo
- Publication number
- RU2656126C1 RU2656126C1 RU2017119459A RU2017119459A RU2656126C1 RU 2656126 C1 RU2656126 C1 RU 2656126C1 RU 2017119459 A RU2017119459 A RU 2017119459A RU 2017119459 A RU2017119459 A RU 2017119459A RU 2656126 C1 RU2656126 C1 RU 2656126C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- diode
- nickel
- diode assembly
- diodes
- gold
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 28
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 26
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 21
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 21
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims abstract description 17
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 14
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000007654 immersion Methods 0.000 claims abstract description 10
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 238000011010 flushing procedure Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 8
- MSNOMDLPLDYDME-UHFFFAOYSA-N gold nickel Chemical compound [Ni].[Au] MSNOMDLPLDYDME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 239000011253 protective coating Substances 0.000 claims abstract description 7
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 claims abstract description 5
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims abstract description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 2
- 238000004870 electrical engineering Methods 0.000 abstract 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 8
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 3
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 3
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 229910052774 Proactinium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- OTCVAHKKMMUFAY-UHFFFAOYSA-N oxosilver Chemical group [Ag]=O OTCVAHKKMMUFAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000005211 surface analysis Methods 0.000 description 1
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/044—PV modules or arrays of single PV cells including bypass diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
Изобретение относится к области технологии дискретных полупроводниковых приборов и может быть использовано при изготовлении бескорпусных диодов для солнечных батарей космических аппаратов. Способ изготовления бескорпусного диода для солнечных батарей космических аппаратов согласно изобретению включает формирование структуры планарного диода, проведение термических операций, металлизации лицевой и тыльной сторон кремниевой монокристаллической подложки, разделение подложки на кристаллы, присоединение электропроводящих шин, формирование защитного покрытия на металлизированных поверхностях бескорпусного диода в сборе и на электропроводящих шинах, при этом защитное покрытие на металлизированных поверхностях бескорпусного диода в сборе и на электропроводящих шинах формируют на основе никель-золота последовательно в несколько этапов: удаление органических загрязнений жидкостными методами, нанесение химического никеля, промывка никелированного диода в сборе, нанесение иммерсионного золота, промывка позолоченного диода в сборе, сушка в вакууме. Изобретение позволит повысить качество бескорпусных диодов и обеспечит возможность изготавливать бескорпусные диоды, сформированные в едином технологическом цикле на одной подложке, с идентичными характеристиками. 1 з.п. ф-лы, 2 ил.
Description
Область техники
Изобретение относится к области технологии дискретных полупроводниковых приборов и может быть использовано при изготовлении бескорпусных диодов для солнечных батарей космических аппаратов.
Уровень техники
Для обеспечения надежной работы солнечных батарей космических аппаратов применяется диодная защита, которая обеспечивается блокирующими и шунтирующими (байпасными) диодами. Солнечная батарея состоит из отдельных генераторов, включающих цепочки фотопреобразователей, внутри генераторов встречно-параллельно с фотопреобразователями устанавливают шунтирующие диоды.
Из уровня техники известен способ изготовления бескорпусного диода для солнечных батарей космических аппаратов, включающий создание на рабочей стороне в эпитаксиальном слое кремниевой монокристаллической подложки диэлектрической изоляции, формирование p-n-перехода загонкой с последующей разгонкой, формирование металлизации рабочей стороны кремниевой монокристаллической подложки, утонение кремниевой монокристаллической подложки с обратной нерабочей стороны, металлизацию нерабочей стороны и присоединение электропроводящих шин, утонение кремниевой монокристаллической подложки с обратной нерабочей стороны проводят после формирования на рабочей стороне кремниевой монокристаллической подложки облученного УФ-лучом фоточувствительного слоя последовательно абразивной обработкой и плазмохимическим травлением нерабочей стороны, после чего фоточувствительный слой удаляют в проявителе, при этом плазмохимическое травление проводят на глубину не менее 10 мкм при температуре не более 120°С, а толщину фоточувствительного слоя выбирают в зависимости от толщины металлизации на рабочей стороне [см. патент РФ 2411607].
К недостаткам известного способа изготовления относится низкое качество процесса изготовления из-за высокой вероятности отслаивания (потери адгезии) металлизации при формировании металлизации, а также низкое качество в связи с окислением металлизации готовых диодов после сборки и, как следствие, невозможность дальнейшей установки бескорпусных диодов в солнечные батареи из-за окисленных контактов.
Наиболее близким по технической сущности и достигаемому эффекту техническим решением (прототипом) является способ изготовления бескорпусного диода для солнечных батарей космических аппаратов, включающий формирование структуры планарного диода на кремниевой монокристаллической подложке, формирование металлизации рабочей стороны кремниевой монокристаллической подложки, покрытие полученной структуры полностью фоточувствительным слоем, сушка и облучение УФ-лучом, утонение нерабочей стороны кремниевой монокристаллической подложки жидкостным травлением, удаление облученного фоторезиста в проявителе, формирование металлизации нерабочей стороны кремниевой монокристаллической подложки, отжиг полученной структуры, разделение кремниевой монокристаллической подложки на кристаллы, присоединение электропроводящих шин к металлизации рабочей и нерабочей сторонам кристалла, при этом формирование металлизации рабочей стороны кремниевой монокристаллической подложки осуществляют в два этапа: формируют омический контакт из алюминия к p+ области, а затем осуществляют металлизацию магнетронным напылением алюминия, никеля и серебра, а металлизацию нерабочей стороны кремниевой монокристаллической подложки выполняют последовательным магнетронным напылением вентильного металла, никеля и серебра; омический контакт к p+ области формируют магнетронным напылением алюминия при температуре кремниевой монокристаллической подложки 110÷130°С с последующей фотолитографией и вжиганием алюминия; металлизацию магнетронным напылением алюминия, никеля и серебра проводят при температуре кремниевой монокристаллической подложки 170÷190°С с предварительной ионной бомбардировкой; металлизацию нерабочей стороны кремниевой монокристаллической подложки проводят при температуре кремниевой монокристаллической подложки 110÷130°С [см. патент РФ 2479888].
К недостаткам известного способа изготовления относится низкое качество диодов в связи с окислением серебряных поверхностей, что приводит к невозможности дальнейшей установки бескорпусного диода в состав солнечных батарей и/или выходу из строя уже установленных диодов в составе солнечных батарей.
Раскрытие изобретения
Техническим результатом заявленного изобретения является повышение качества бескорпусных диодов для солнечных батарей космических аппаратов.
Предложенный способ изготовления бескорпусного диода для солнечных батарей космических аппаратов включает формирование структуры планарного диода, проведение всех термических операций, металлизации лицевой и тыльной сторон кремниевой монокристаллической подложки, разделение подложки на кристаллы, присоединение электропроводящих шин и последующее формирование на металлизированных поверхностях бескорпусного диода в сборе и на электропроводящих шинах защитного покрытия на основе никель-золота последовательно в несколько этапов: удаление органических загрязнений жидкостными методами, нанесение химического никеля, промывка никелированного диода в сборе, нанесение иммерсионного золота, промывка позолоченного диода в сборе, сушка в вакууме при 3⋅10-3 ÷10-4 Па при температуре 120±1°С в течение не менее 30 минут.
Краткое описание чертежей
Признаки и сущность заявленного изобретения поясняются в последующем детальном описании, иллюстрируемом фиг.1 и 2.
На фиг. 1 представлена блок-схема технологии изготовления бескорпусных диодов для солнечных батарей космических аппаратов, содержащая следующие блоки:
1 – подготовка бескорпусных диодов для солнечных батарей космических аппаратов, включающая:
формирование структуры планарного диода,
проведение всех термических операций,
формирование металлизации лицевой и тыльной сторон кремниевой монокристаллической подложки,
разделение подложки на кристаллы,
присоединение электропроводящих шин;
2 – удаление органических загрязнений жидкостными методами;
3 – нанесение химического никеля;
4 – промывка никелированного диода в сборе;
5 – нанесение иммерсионного золота;
6 – промывка позолоченного диода в сборе;
7 – сушка в вакууме при 3⋅10-3 ÷10-4 Па при температуре 120±1°С не менее 30 минут;
8 – выходной контроль диодов;
На фиг. 2 представлены фотографии бескорпусных диодов с различными типами покрытий до и после выдержки в течение не менее 96 часов при температуре 125±5°С.
На фиг. 2а представлена фотография диода с серебряным покрытием до выдержки при температуре 125±5°С.
На фиг. 2б представлена фотография диода с серебряным покрытием после выдержки при температуре 125±5°С в течение 96 часов.
На фиг. 2в представлена фотография диода с покрытием на основе иммерсионного никель-золота до выдержки при температуре 125±5°С.
На фиг. 2г представлена фотография диода с покрытием на основе иммерсионного никель-золота после выдержки при температуре 125±5°С в течение не менее 96 часов.
Исходя из анализа результатов выдержки при температуре 125±5°С в течение не менее 96 часов выявлено, что покрытие на основе серебра темнеет и образуется окисел серебра, что подтверждается анализом состава поверхности на РЭМ. Покрытие на основе иммерсионного никель-золота после выдержки при температуре 125±5°С в течение не менее 96 часов визуально не изменилось, а анализ поверхности на РЭМ показал отсутствие изменения состава поверхности.
Осуществление и пример реализации изобретения
Заявленный способ был использован при реализации групповой технологии изготовления бескорпусных диодов для солнечных батарей космических аппаратов и состоит из следующей последовательности технологических операций (см. фиг. 1):
подготовка бескорпусных диодов для солнечных батарей космических аппаратов, включающая формирование структуры планарного диода, проведение всех термических операций, металлизацию лицевой и тыльной сторон кремниевой монокристаллической подложки, разделяют подложки на кристаллы, присоединяют электропроводящие шины,
формирование защитного покрытия на металлизированных поверхностях бескорпусного диода в сборе и на электропроводящих шинах, выполняемое последовательно в несколько этапов, включающих: удаление органических загрязнений жидкостными методами, нанесение иммерсионного золота, промывка позолоченного диода в сборе, сушка в вакууме при 3⋅10-3 ÷10-4 Па при температуре 120±1°С в течение не менее 30 минут.
При этом удаление органических загрязнений жидкостными методами заключается в обработке в растворе очистителя при температуре раствора от 40 до 45°С; промывке диода в проточной деионизованной воде при температуре воды от 15 до 25°С в течение 2 минут; обработке диода в растворе травителя при температуре раствора от 20 до 25°С в течение 90 с; промывке диода в проточной деионизованной воде при температуре воды от 15 до 25°С в течение не менее 2 минут.
Нанесение химического никеля, толщиной 0,5±0,05 мкм на бескорпусной диод осуществляют в растворе химического никелирования при рН = 4,6-5,2 при температуре раствора от 85 до 90°С в течение 1,5-2 минуты.
Промывка никелированного диода в сборе заключается в обработке диода в проточной воде при температуре воды от 15 до 25°С в течение не менее 1 минуты; промывке диода в дистиллированной воде при температуре воды от 15 до 25°С в течение не менее 1 минуты.
Нанесение иммерсионного золота, толщиной 0,1±0,05 мкм заключается в обработке диода в растворе иммерсионного золочения при pH=5,5-6,5 при температуре раствора от 80 до 90°С в течение 10-15 минут.
Промывка позолоченного диода в сборе заключается в обработке диода в проточной деионизованной воде при температуре воды от 15 до 25°С в течение не менее 1 минуты; промывке диода в дистиллированной воде при температуре воды от 55 до 65°С в течение 2-3 минут; сушки диода при температуре 70±5°С в течение 15-20 минут.
Сушка в вакууме позолоченного диода в сборе заключается в прогреве в вакууме при остаточном давлении 3⋅10-3÷10-4 Па при температуре 120±1°С в течение не менее 30 минут и дальнейшем охлаждении в вакууме до комнатной температуры.
Остаточное давление 3⋅10-3 ÷10-4 Па, при котором проводят сушку в вакууме, определяли исходя из закона Пашена [F. Paschen, Annalender Physik und Chemie (Wiedemanns Annalen) 37, Ser. 3, 69 (1889)] и необходимости удаления адсорбированной влаги. Так как сушка в вакууме осуществляется за счёт прогрева галогенными лампами в вакуумной камере, то на рабочие характеристики прогрева действуют ограничения, связанные с возможным образованием пробоя между потенциалом ламп и корпусом за счёт уменьшения длины свободного пробега частиц и ионизации атомов при откачке. Зависимость пробивного напряжения газа при различном вакууме в однородном электрическом поле, при котором происходит зажигание тлеющего разряда, описывает закон Пашена. Исходя из зависимости для воздуха низкого давления по закону Пашена и ограничения минимального остаточного давления в камере установки, обеспечиваемого установкой сушки в вакууме, определён диапазон 3⋅10-3÷10-4 Па, при котором проводят сушку в вакууме.
Температура сушки в вакууме 120±1°С в течение не менее 30 минут определялась исходя из необходимости удаления влаги (в условиях вакуума температура кипения жидкости снижается).
Сформированное защитное покрытие на металлизированных поверхностях бескорпусного диода в сборе и на электропроводящих шинах на основе никель-золота обладает существенно более высокой коррозионной стойкостью по сравнению с известными аналогами на основе серебра (фиг.2).
Предложенный способ изготовления бескорпусного диода для солнечных батарей космических аппаратов позволяет повысить качество бескорпусных диодов и получать бескорпусные диоды, сформированные в едином технологическом цикле на одной подложке с идентичными характеристиками.
Claims (2)
1. Способ изготовления бескорпусного диода для солнечных батарей космических аппаратов, включающий формирование структуры планарного диода, проведение термических операций, металлизации лицевой и тыльной сторон кремниевой монокристаллической подложки, разделение подложки на кристаллы, присоединение электропроводящих шин, формирование защитного покрытия на металлизированных поверхностях бескорпусного диода в сборе и на электропроводящих шинах, отличающийся тем, что защитное покрытие на металлизированных поверхностях бескорпусного диода в сборе и на электропроводящих шинах формируют на основе никель-золота последовательно в несколько этапов: удаление органических загрязнений жидкостными методами, нанесение химического никеля, промывка никелированного диода в сборе, нанесение иммерсионного золота, промывка позолоченного диода в сборе, сушка в вакууме.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что выполняют сушку в вакууме при 3⋅10-3 ÷10-4 Па при температуре 120±5°С в течение не менее 30 минут.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2017119459A RU2656126C1 (ru) | 2017-06-05 | 2017-06-05 | Способ изготовления бескорпусного диода для солнечных батарей космических аппаратов |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2017119459A RU2656126C1 (ru) | 2017-06-05 | 2017-06-05 | Способ изготовления бескорпусного диода для солнечных батарей космических аппаратов |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2656126C1 true RU2656126C1 (ru) | 2018-05-31 |
Family
ID=62560281
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2017119459A RU2656126C1 (ru) | 2017-06-05 | 2017-06-05 | Способ изготовления бескорпусного диода для солнечных батарей космических аппаратов |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2656126C1 (ru) |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20020144724A1 (en) * | 1998-08-20 | 2002-10-10 | Kilmer Louis C. | Solar cell having a front-mounted bypass diode |
| SU1436793A1 (ru) * | 1985-12-02 | 2004-08-10 | Всесоюзный научно-исследовательский, проектно-конструкторский и технологический институт источников тока | Солнечная батарея с шунтирующими диодами |
| RU2411607C1 (ru) * | 2009-11-26 | 2011-02-10 | Открытое акционерное общество "Российская корпорация ракетно-космического приборостроения и информационных систем" (ОАО "Российские космические системы") | Способ изготовления шунтирующего диода для солнечных батарей космических аппаратов |
| DE202011001341U1 (de) * | 2011-01-11 | 2012-04-12 | Conergy Ag | Photovoltaikmoudul mit einlaminierter Bypassdiode |
| RU2479888C1 (ru) * | 2011-11-29 | 2013-04-20 | Открытое акционерное общество "Российская корпорация ракетно-космического приборостроения и информационных систем" (ОАО "Российские космические системы") | Способ изготовления шунтирующего диода для солнечных батарей космических аппаратов |
| JP2016119445A (ja) * | 2014-12-19 | 2016-06-30 | ペーン・ジェームズ・ユー | 太陽電池セル、太陽電池モジュール及びバイパスダイオードの組み立て方法 |
-
2017
- 2017-06-05 RU RU2017119459A patent/RU2656126C1/ru active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU1436793A1 (ru) * | 1985-12-02 | 2004-08-10 | Всесоюзный научно-исследовательский, проектно-конструкторский и технологический институт источников тока | Солнечная батарея с шунтирующими диодами |
| US20020144724A1 (en) * | 1998-08-20 | 2002-10-10 | Kilmer Louis C. | Solar cell having a front-mounted bypass diode |
| RU2411607C1 (ru) * | 2009-11-26 | 2011-02-10 | Открытое акционерное общество "Российская корпорация ракетно-космического приборостроения и информационных систем" (ОАО "Российские космические системы") | Способ изготовления шунтирующего диода для солнечных батарей космических аппаратов |
| DE202011001341U1 (de) * | 2011-01-11 | 2012-04-12 | Conergy Ag | Photovoltaikmoudul mit einlaminierter Bypassdiode |
| RU2479888C1 (ru) * | 2011-11-29 | 2013-04-20 | Открытое акционерное общество "Российская корпорация ракетно-космического приборостроения и информационных систем" (ОАО "Российские космические системы") | Способ изготовления шунтирующего диода для солнечных батарей космических аппаратов |
| JP2016119445A (ja) * | 2014-12-19 | 2016-06-30 | ペーン・ジェームズ・ユー | 太陽電池セル、太陽電池モジュール及びバイパスダイオードの組み立て方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4361950A (en) | Method of making solar cell with wrap-around electrode | |
| JP6176867B2 (ja) | 太陽電池向けの縁なしパルスめっき及び金属洗浄方法 | |
| US4320154A (en) | Method of forming solar cells by grid contact isolation | |
| JP2009515369A (ja) | 光電池接触部及び配線の形成 | |
| US7989346B2 (en) | Surface treatment of silicon | |
| JP2011238903A (ja) | 太陽電池格子構造およびその製造方法 | |
| TW201041152A (en) | Silicon solar cell | |
| EP0007667B1 (en) | Infra-red detector elements and their manufacture | |
| US4638553A (en) | Method of manufacture of semiconductor device | |
| JPS6217396B2 (ru) | ||
| US11139407B2 (en) | Metal dendrite-free solar cell | |
| KR19980064244A (ko) | 광기전력 소자 제조 방법 | |
| RU2656126C1 (ru) | Способ изготовления бескорпусного диода для солнечных батарей космических аппаратов | |
| EP0007668A1 (en) | The manufacture of a group of infra-red detector elements, and a group so manufactured | |
| CN105552122A (zh) | 一种带有深阱终端环结构的平面可控硅芯片及其制造方法 | |
| US4878099A (en) | Metallizing system for semiconductor wafers | |
| CN104716206A (zh) | 一种提高电池镀减反射膜后不良品返工转换效率的方法 | |
| US6159663A (en) | Method of creating a solderable metal layer on glass or ceramic | |
| JP7264673B2 (ja) | バックコンタクト型太陽電池セルの製造方法 | |
| JP4186584B2 (ja) | 太陽電池生産方法 | |
| JP2009290013A (ja) | 太陽電池の製造方法および太陽電池 | |
| AU574761B2 (en) | Method of fabricating solar cells | |
| CN214313126U (zh) | 一种等离子体处理装置 | |
| WO2014123535A1 (en) | Methods for metallizing an aluminum paste | |
| JP2753379B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PD4A | Correction of name of patent owner |