RU2630162C1 - Method for producing co-p amorphous films on dielectric substrate - Google Patents
Method for producing co-p amorphous films on dielectric substrate Download PDFInfo
- Publication number
- RU2630162C1 RU2630162C1 RU2016141178A RU2016141178A RU2630162C1 RU 2630162 C1 RU2630162 C1 RU 2630162C1 RU 2016141178 A RU2016141178 A RU 2016141178A RU 2016141178 A RU2016141178 A RU 2016141178A RU 2630162 C1 RU2630162 C1 RU 2630162C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- solution
- films
- magnetic
- magnetic film
- substrate
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
- C23C18/20—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins
- C23C18/28—Sensitising or activating
- C23C18/285—Sensitising or activating with tin based compound or composition
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
- C23C18/20—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins
- C23C18/28—Sensitising or activating
- C23C18/30—Activating or accelerating or sensitising with palladium or other noble metal
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/31—Coating with metals
- C23C18/32—Coating with nickel, cobalt or mixtures thereof with phosphorus or boron
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/31—Coating with metals
- C23C18/32—Coating with nickel, cobalt or mixtures thereof with phosphorus or boron
- C23C18/34—Coating with nickel, cobalt or mixtures thereof with phosphorus or boron using reducing agents
- C23C18/36—Coating with nickel, cobalt or mixtures thereof with phosphorus or boron using reducing agents using hypophosphites
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к области химического осаждения магнитомягких и магнитожестких пленок состава кобальт-фосфор, применяющихся в качестве сред для магнитной и термомагнитной записи, для создания микроэлектромагнитных механических устройств (MEMS), а также в датчиках слабых магнитных полей, в устройствах СВЧ: фильтрах, ограничителях мощности, амплитудных модуляторах, фазовых манипуляторах.The invention relates to the field of chemical deposition of soft and hard magnetic films of the composition of cobalt-phosphorus, used as media for magnetic and thermomagnetic recording, to create microelectromagnetic mechanical devices (MEMS), as well as in sensors of weak magnetic fields, in microwave devices: filters, power limiters amplitude modulators, phase manipulators.
Существующие способы получения магнитных пленок Со-Р химическим осаждением на стеклянные подложки включают стадии химической очистки, сенсибилизации, активации и осаждения из растворов с использованием в качестве восстановителя гипофосфита натрия. Для повышения качества пленок (адгезии, магнитных и других свойств) используются различные виды и режимы предварительной химической и термической обработки стекла, различные составы растворов с добавками солей в основном органических кислот и др. [Вансовская К.М. Металлические покрытия, нанесенные химическим способом / Под ред. П.М. Вячеславова. - Л.: Машиностроение, Ленингр. отделение, 1985. - 103 с., ил. (Б-чка гальванотехника; Вып. 7].Existing methods for producing Co-P magnetic films by chemical deposition on glass substrates include the steps of chemical cleaning, sensitization, activation, and precipitation from solutions using sodium hypophosphite as a reducing agent. To improve the quality of films (adhesion, magnetic and other properties), various types and modes of preliminary chemical and heat treatment of glass, various compositions of solutions with the addition of salts of mainly organic acids, etc. are used [K. Vansovskaya Chemical Coatings / Ed. P.M. Vyacheslavov. - L .: Engineering, Leningrad. Department, 1985. - 103 p., ill. (B-galvanic engineering; Issue 7].
Наиболее близким к заявляемому изобретению по технической сущности и достигаемому результату является способ получения магнитных пленок Со-Р с заданными значениями коэрцитивной силы HC [патент 2501888, МПК С23С 18/18, опубл. 20.12.2013 г. (прототип)], включающий очистку подложки, двойную сенсибилизацию в растворе хлористого олова с промежуточной обработкой в растворе перекиси водорода, активацию в растворе хлористого палладия, термообработку при температуре 150-450°С в течение 30-40 мин, осаждение магнитной пленки Со-Р на немагнитный аморфный слой Ni-P толщиной 20-30 нм при наложении в плоскости пленки однородного магнитного поля, при этом на магнитную пленку Со-Р дополнительно осаждают немагнитный аморфный слой Ni-P толщиной от 2,0 до 6,0 нм с последующим осаждением идентичной Со-Р пленки.Closest to the claimed invention in technical essence and the achieved result is a method for producing magnetic films Co-P with preset values of coercive force H C [patent 2501888, IPC С23С 18/18, publ. December 20, 2013 (prototype)], including cleaning the substrate, double sensitization in a tin chloride solution with intermediate treatment in a hydrogen peroxide solution, activation in a palladium chloride solution, heat treatment at a temperature of 150-450 ° C for 30-40 min, precipitation Co-P magnetic film on a non-magnetic amorphous Ni-P layer with a thickness of 20-30 nm when a uniform magnetic field is applied in the film plane, while a non-magnetic amorphous Ni-P layer from 2.0 to 6 thick is additionally deposited on the Co-P magnetic film, 0 nm followed by deposition of an identical Co-P films.
Однако способ-прототип сложен в реализации и не обеспечивает получения высококоэрцитивных пленок.However, the prototype method is difficult to implement and does not provide highly coercive films.
Техническим результатом изобретения является получение как высококоэрцитивных, так и низкокоэрцитивных пленок Со-Р и упрощение технологии за счет сокращения количества технологических операций.The technical result of the invention is to obtain both highly coercive and low coercive Co-P films and simplify the technology by reducing the number of technological operations.
Технический результат достигается тем, что в способе получения аморфных пленок Со-Р на диэлектрической подложке, включающем очистку подложки, двойную сенсибилизацию в растворе хлористого олова, активацию в растворе хлористого палладия и осаждение магнитной пленки Со-Р, новым является то, что между этапами сенсибилизации проводят термообработку при температуре 300-450°С, а осаждение магнитной пленки Со-Р осуществляют на высушенную подложку из раствора, содержащего, г/л: кобальт сернокислый COSO4⋅7H2O - 10, гипофосфит натрия NaH2PO2⋅H2O - 7,5, натрий лимоннокислый Na3C6H5O7 - 25, при 95-100°С и рН раствора от 7,1 до 9,6, который задают путем добавления в раствор щелочи.The technical result is achieved by the fact that in the method for producing amorphous Co-P films on a dielectric substrate, including cleaning the substrate, double sensitization in a tin chloride solution, activation of a palladium chloride solution and deposition of a Co-P magnetic film, the new thing is that between the sensitization steps conduct heat treatment at a temperature of 300-450 ° C, and Co-P magnetic film is deposited on a dried substrate from a solution containing, g / l: cobalt sulfate COSO 4 ⋅ 7H 2 O - 10, sodium hypophosphite NaH 2 PO 2 ⋅H 2 O - 7.5, sodium hydroxide minutes citrate Na 3 C 6 H 5 O 7 - 25, at 95-100 ° C and pH 7.1 to 9.6, which is set by adding alkaline solution.
На фиг. 1 представлена зависимость коэрцитивной силы от концентрации NaOH.In FIG. 1 shows the dependence of the coercive force on the concentration of NaOH.
Ниже описывается пример конкретной реализации предлагаемого способа в сопровождении 1 табл. и фиг. 1.The following describes an example of a specific implementation of the proposed method, accompanied by 1 table. and FIG. one.
Подготовка подложек перед нанесением Со-Р производится следующим образом:The preparation of the substrates before applying Co-P is as follows:
1) очистка от жировых загрязнений моющим средством для посуды и принадлежностей с последующей промывкой в потоке дистиллированной воды скоростью 5-10 мл/с, Т=20-30°С, t=30 с;1) cleaning from greasy contaminants with a detergent for dishes and accessories, followed by washing in a stream of distilled water at a speed of 5-10 ml / s, T = 20-30 ° C, t = 30 s;
2) выдержка в ОСЧ азотной кислоте HNO3, насыщенной дихроматом калия K2Cr2O7, в течение 20 часов при Т=20-30°С с последующей промывкой в потоке дистиллированной воды скоростью 5-10 мл/с, Т=20-30°С, t=30 с;2) holding in HSP nitric acid HNO 3 saturated with potassium dichromate K 2 Cr 2 O 7 for 20 hours at T = 20-30 ° C, followed by washing in a stream of distilled water at a speed of 5-10 ml / s, T = 20 -30 ° C, t = 30 s;
3) выдержка в растворе SnCl2 в течение 120 с, с последующей промывкой в дистиллированной воде в течение 120 с при Т=95-100°С с последующей промывкой в потоке дистиллированной воды скоростью 5-10 мл/с, Т=20-30°С, t=30 с. Раствор SnCl2 приготавливается следующим образом: 100 мг SnCl2 растворяется в 300 мл дистиллированной воды, нагревается до 95-100°С и выдерживается в течение 15 минут. После остывания до Т≤50°С раствор фильтруется через двойной фильтр класса «синяя лента»;3) holding in a SnCl 2 solution for 120 s, followed by washing in distilled water for 120 s at T = 95-100 ° C, followed by washing in a stream of distilled water at a speed of 5-10 ml / s, T = 20-30 ° C, t = 30 s. The SnCl 2 solution is prepared as follows: 100 mg of SnCl 2 is dissolved in 300 ml of distilled water, heated to 95-100 ° C and maintained for 15 minutes. After cooling to T≤50 ° C, the solution is filtered through a double filter of the class "blue ribbon";
4) нагрев подложки до Т=300-400°С в воздушной среде с выдержкой в течение 120 с, с последующей промывкой в потоке дистиллированной воды скоростью 5-10 мл/с, Т=20-30°С, t=30 с;4) heating the substrate to T = 300-400 ° C in air with exposure for 120 s, followed by washing in a stream of distilled water at a speed of 5-10 ml / s, T = 20-30 ° C, t = 30 s;
5) выдержка в растворе SnCl2 аналогично п. 3;5) aging in a solution of SnCl 2 similarly to
6) выдержка в растворе PdCl2 в течение 120 с, с последующей промывкой в потоке дистиллированной воды скоростью 5-10 мл/с, Т=20-30°С, t=30 с. Раствор PdCl2 приготавливается следующим образом: 0,5-1 г PdCl2 и 12-18 г HCl растворяются в 1 л дистиллированной воды;6) holding in a solution of PdCl 2 for 120 s, followed by washing in a stream of distilled water at a speed of 5-10 ml / s, T = 20-30 ° C, t = 30 s. A solution of PdCl 2 is prepared as follows: 0.5-1 g of PdCl 2 and 12-18 g of HCl are dissolved in 1 liter of distilled water;
7) сушка подложки при Т=60-80°С до полного высыхания.7) drying the substrate at T = 60-80 ° C until completely dry.
На подготовленную данным способом стеклянную подложку размером 16×16 мм и толщиной 0,17-0,19 мм (покровное стекло) осаждают Co-P толщиной 100 нм. Осаждение производится из раствора, в г/л: кобальт сернокислый CoSo4⋅7H2O - 10, натрия гипофосфит NaH2PO2.H2O -7,5, натрий лимоннокислый Na3C6H5O7 - 25, при Т=95-100°С.Co-P with a thickness of 100 nm was deposited on a glass substrate prepared by this method with a size of 16 × 16 mm and a thickness of 0.17-0.19 mm (cover glass). Precipitation is carried out from the solution, in g / l: cobalt sulfate CoSo 4 ⋅ 7H 2 O - 10, sodium hypophosphite NaH 2 PO 2 .H 2 O -7.5, sodium citrate Na 3 C 6 H 5 O 7 - 25, at T = 95-100 ° C.
Требуемое для получения необходимой коэрцитивной силы пленок значение pH устанавливается в соответствии с табл. 1 добавкой щелочи (NaOH или КОН).The pH value required to obtain the necessary coercive force of the films is set in accordance with Table. 1 addition of alkali (NaOH or KOH).
Из табл. 1 видно, что коэрцитивная сила пленок находится в непосредственной зависимости от концентрации pH раствора восстановления, что позволяет получать как высоко-, так и низкокоэрцитивные пленки с заданными значениями коэрцитивной силы в широком диапазоне.From the table. 1 it can be seen that the coercive force of the films is directly dependent on the concentration of the pH of the reduction solution, which allows one to obtain both high and low coercive films with specified values of the coercive force in a wide range.
Этот способ может быть успешно использован для получения как кристаллических высококоэрцитивных (НC>100 Э) так и нанокристаллических низкокоэрцитивных (НC<100 Э), пленок не только на полированное стекло, но и на другие диэлектрические материалы, например поликор, ситалл, кварц.This method can be successfully used to obtain both crystalline high-coercive (H C > 100 O) and nanocrystalline low-coercive (H C <100 O) films not only on polished glass, but also on other dielectric materials, for example, polycor, ceramic, quartz .
Важным достоинством с точки зрения упрощения организации технологического процесса является:An important advantage from the point of view of simplifying the organization of the process is:
1) применение растворов с минимальным количеством компонентов;1) the use of solutions with a minimum number of components;
2) отсутствие в растворе таких летучих компонентов, как аммиак, что способствует сохранению свойств раствора во времени;2) the absence in the solution of such volatile components as ammonia, which helps to preserve the properties of the solution over time;
3) получение однослойных пленок с заданными в широких пределах значениями коэрцитивной силы из растворов, отличающихся лишь значением pH.3) the production of single-layer films with broadly defined values of the coercive force from solutions that differ only in pH value.
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2016141178A RU2630162C1 (en) | 2016-10-19 | 2016-10-19 | Method for producing co-p amorphous films on dielectric substrate |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2016141178A RU2630162C1 (en) | 2016-10-19 | 2016-10-19 | Method for producing co-p amorphous films on dielectric substrate |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2630162C1 true RU2630162C1 (en) | 2017-09-05 |
Family
ID=59797832
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2016141178A RU2630162C1 (en) | 2016-10-19 | 2016-10-19 | Method for producing co-p amorphous films on dielectric substrate |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2630162C1 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109160501A (en) * | 2018-11-06 | 2019-01-08 | 中山大学 | The method for preparing transition metal phosphide with microwave plasma CVD |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SU1663047A1 (en) * | 1989-02-01 | 1991-07-15 | Предприятие П/Я А-1819 | Method of producing magnetic coatings |
RU2306367C1 (en) * | 2006-04-12 | 2007-09-20 | Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН | METHOD OF PRODUCTION OF AMORPHOUS MAGNETIC FILMS Co-P |
RU2501888C1 (en) * | 2012-07-20 | 2013-12-20 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук | METHOD OF PRODUCING AMORPHOUS MAGNETIC Co-P FILMS |
US8846529B2 (en) * | 2013-01-10 | 2014-09-30 | International Business Machines Corporation | Electroless plating of cobalt alloys for on chip inductors |
RU2544334C1 (en) * | 2013-11-29 | 2015-03-20 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "ВЯТСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ" (ФГБОУ ВПО "ВятГУ") | Method of multilayer composite coating manufacturing on steel by chemical deposition |
-
2016
- 2016-10-19 RU RU2016141178A patent/RU2630162C1/en active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SU1663047A1 (en) * | 1989-02-01 | 1991-07-15 | Предприятие П/Я А-1819 | Method of producing magnetic coatings |
RU2306367C1 (en) * | 2006-04-12 | 2007-09-20 | Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН | METHOD OF PRODUCTION OF AMORPHOUS MAGNETIC FILMS Co-P |
RU2501888C1 (en) * | 2012-07-20 | 2013-12-20 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук | METHOD OF PRODUCING AMORPHOUS MAGNETIC Co-P FILMS |
US8846529B2 (en) * | 2013-01-10 | 2014-09-30 | International Business Machines Corporation | Electroless plating of cobalt alloys for on chip inductors |
RU2544334C1 (en) * | 2013-11-29 | 2015-03-20 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "ВЯТСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ" (ФГБОУ ВПО "ВятГУ") | Method of multilayer composite coating manufacturing on steel by chemical deposition |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109160501A (en) * | 2018-11-06 | 2019-01-08 | 中山大学 | The method for preparing transition metal phosphide with microwave plasma CVD |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US3116159A (en) | Process of fabricating magnetic data storage devices | |
CN102381844B (en) | Method for modifying hollow glass microspheres by chemical precipitation process | |
JP2006063438A (en) | Plating method on glass base plate, method of manufacturing disk substrate for magnetic recording medium using the method and method for manufacturing vertical magnetic recording medium | |
CN100474402C (en) | Electroless plating method, and magnetic recording medium and magnetic recording device | |
JPH043011B2 (en) | ||
RU2630162C1 (en) | Method for producing co-p amorphous films on dielectric substrate | |
US3219471A (en) | Process of depositing ferromagnetic compositions | |
JP5240813B2 (en) | Method for creating metal surface microstructure | |
JP2006291270A (en) | Plating method for glass substrate, method for manufacturing disk substrate for perpendicular magnetic recording medium, disk substrate for perpendicular magnetic recording medium and perpendicular magnetic recording medium | |
US5437887A (en) | Method of preparing aluminum memory disks | |
Panasyuk et al. | Mechanism of bubbles formation and anomalous phase separation in the CoNiP system | |
CN107740074A (en) | Ce Ni Mo P/Go Composite electroless deposit layers that a kind of ultrasonic wave aids in double complexing agents and preparation method thereof | |
Masuda et al. | Deposition mechanism of anatase TiO2 from an aqueous solution and its site-selective deposition | |
US3379539A (en) | Chemical plating | |
US3212917A (en) | Electroless plating procedure | |
RU2457279C1 (en) | METHOD OF PRODUCING AMORPHOUS MAGNETIC Co-P FILMS | |
JP4408210B2 (en) | Method for manufacturing perpendicular magnetic recording medium | |
RU2501888C1 (en) | METHOD OF PRODUCING AMORPHOUS MAGNETIC Co-P FILMS | |
RU2306367C1 (en) | METHOD OF PRODUCTION OF AMORPHOUS MAGNETIC FILMS Co-P | |
WO2020224252A1 (en) | Preparation method for micro-nano structure for use in glass anti-counterfeiting | |
CN106082146A (en) | A kind of preparation method of iron nitride magnetic material | |
KR102097539B1 (en) | Display device with metal mesh and method for manufacturing the same | |
JP2007264624A5 (en) | ||
Li et al. | Controllable growth of the ZnO Nanorod arrays on the Al substrate and their reversible wettability transition | |
US20050153481A1 (en) | Method of pretreating a nonmagnetic substrate and a magnetic recording medium formed thereby |