RU2624406C1 - Способ измерения теплового импеданса светодиодов - Google Patents

Способ измерения теплового импеданса светодиодов Download PDF

Info

Publication number
RU2624406C1
RU2624406C1 RU2016111836A RU2016111836A RU2624406C1 RU 2624406 C1 RU2624406 C1 RU 2624406C1 RU 2016111836 A RU2016111836 A RU 2016111836A RU 2016111836 A RU2016111836 A RU 2016111836A RU 2624406 C1 RU2624406 C1 RU 2624406C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
led
harmonic
thermal impedance
power
central wavelength
Prior art date
Application number
RU2016111836A
Other languages
English (en)
Inventor
Вячеслав Андреевич Сергеев
Александр Викторович Ульянов
Original Assignee
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук filed Critical Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук
Priority to RU2016111836A priority Critical patent/RU2624406C1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2624406C1 publication Critical patent/RU2624406C1/ru

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26Testing of individual semiconductor devices

Landscapes

  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

Изобретение относится метрологии, в частности к технике измерения тепловых параметров светодиодов. Через светодиод пропускают последовательность импульсов греющего тока Iгр, широтно-импульсно модулированную по гармоническому закону, с частотой модуляции Ω и глубиной модуляции а; во время действия импульсов греющего тока измеряют напряжение на светодиоде и центральную длину волны излучения светодиода с известным температурным коэффициентом ΚТλ, по результатам измерения определяют амплитуду первой гармоники греющей мощности Рm1(Ω), потребляемой светодиодом, и амплитуду первой гармоники центральной длины волны излучения светодиода
Figure 00000025
, а также сдвиг фазы между ними ϕ(Ω) на частоте модуляции греющей мощности, измеряют среднюю за период модуляции мощность
Figure 00000026
оптического излучения светодиода, и модуль теплового импеданса находят по формуле
Figure 00000027
,
а фазу ϕT(Ω) теплового импеданса светодиода определяют как разность фаз между первой гармоникой центральной длины волны излучения светодиода и первой гармоникой греющей мощности. Технический результат - повышение точности измерения теплового импеданса. 2 ил.

Description

Изобретение относится к технике измерения тепловых параметров полупроводниковых изделий и может быть использовано на выходном и входном контроле качества изготовления светодиодов.
Известен способ измерения теплового сопротивления полупроводниковых диодов, заключающийся в том, что на контролируемый диод подают импульсы греющей мощности фиксированной длительности и амплитуды, а в промежутках между импульсами измеряют изменение температурочувствительного параметра (ТЧП), например, прямого напряжения UТЧП диода при пропускании через него малого измерительного тока (ГОСТ 19656, 18-84. Диоды полупроводниковые СВЧ. Методы измерения теплового сопротивления переход-корпус и импульсного теплового сопротивления).
Недостатком способа является низкая точность, обусловленная большой погрешностью измерения импульсного напряжения UТЧП(t) из-за влияния переходных тепловых и электрических процессов при переключении полупроводникового диода из режима разогрева в режим измерения (Викулин И.М., Стафеев В.И. Физика полупроводниковых приборов. - М: Сов. радио, 1980. - С. 51).
Наиболее близким по технической сущности к заявленному изобретению (прототипом) является способ измерения теплового импеданса светоизлучающих диодов (Пат. RU 2556315 РФ МПК G01R 31/00. Способ измерения теплового импеданса светодиодов / Сергеев В.А., Смирнов В.И. - Заявка 2013101864/28, заявл. 15.01.2013, опубл. 10.07.2015, бюл. №19), состоящий в том, что через светодиод пропускают последовательность импульсов греющего тока Iгр, широтно-импульсно модулированную по гармоническому закону с глубиной модуляции а; в промежутках между импульсами греющего тока через светодиод пропускают малый постоянный начальный ток, по результатам измерения напряжения на диоде во время действия импульсов греющего тока и в промежутках между ними определяют амплитуду первой гармоники мощности Pm1(Ω), потребляемой светодиодом, и амплитуду первой гармоники температурочувствительного параметра
Figure 00000001
с известным отрицательным температурным коэффициентом KTU - прямого напряжения на светодиоде при протекании через него малого постоянного начального тока, и сдвиг фазы между ними ϕ(Ω) на частоте модуляции греющей мощности, дополнительно измеряют среднюю мощность
Figure 00000002
оптического излучения светодиода и модуль теплового импеданса находят по формуле
Figure 00000003
а фаза ϕΤ(Ω) теплового импеданса светодиода будет равна сдвинутой на 180° разности фаз между первой гармоникой температурочувствительного параметра и первой гармоникой мощности.
Недостатком известного способа является большая погрешность измерения ТЧП из-за переходных процессов при переключении светодиодов из режима нагрева рабочим током в режим измерения. По этой причине верхняя частота частотного диапазона измерения теплового импеданса СИД известным способом ограничена длительностью этих переходных процессов и не превышает 1 кГц.
Технический результат - повышение точности измерения теплового импеданса и повышение верхней частоты диапазона измерения
Технический результат достигается тем, что через светодиод пропускают последовательность импульсов греющего тока Iгр, широтно-импульсно модулированную по гармоническому закону с частотой модуляции Ω и глубиной модуляции а; во время действия импульсов греющего тока измеряют напряжение на светодиоде и центральную длину волны излучения светодиода с известным температурным коэффициентом K, по результатам измерения определяют амплитуду первой гармоники мощности Рm1(Ω), потребляемой светодиодом, и амплитуду первой гармоники центральной длины волны излучения светодиода
Figure 00000004
, а также сдвиг фазы между ними ϕ(Ω) на частоте модуляции греющей мощности, измеряют среднюю за период модуляции мощность
Figure 00000005
оптического излучения светодиода и модуль теплового импеданса находят по формуле
Figure 00000006
а фазу ϕT (Ω) теплового импеданса светодиода определяют как разность фаз между первой гармоникой центральной длины волны излучения светодиода и первой гармоникой мощности.
Повышение точности измерения модуля теплового импеданса светодиода достигается за счет того, что в качестве ТЧП используется центральная длина волны излучения светодиода, которая, как известно (Шуберт, Ф. Светодиоды / Ф. Шуберт; пер. с англ. под ред. А.Э. Юновича. - М.: ФИЗМАТЛИТ, 2008. - 496 с.) линейно возрастает с увеличением температуры с постоянным температурным коэффициентом. Температурный коэффициент K обусловлен фундаментальными свойствами полупроводникового материала гетероструктуры и слабо зависит от параметров режима работы светодиода. При этом на изменение этого параметра переходные электрические процессы никакого влияния не оказывают. ШИМ модуляция тока через светодиод по гармоническому закону с заданной глубиной модуляции обеспечивает изменение мощности, потребляемой светодиодом, по закону, близкому к гармоническому
Figure 00000007
, где
Figure 00000008
- постоянная составляющая (среднее значение) греющей мощности, Uд - напряжение на диоде при протекании через него греющего тока заданной амплитуды, Рm1=Im1Uд - первая гармоника греющей мощности, Im1=аIгр - первая гармоника греющего тока. Через некоторое время, превышающее три постоянных времени переход-корпус светодиода, в светодиоде установится регулярный режим и температура р-n-перехода светодиода будет пульсировать относительно некоторого квазистационарного значения
Figure 00000009
, где
Figure 00000010
- установившееся среднее значение температуры перехода,
Figure 00000011
- переменная составляющая температуры перехода светодиода, изменяющаяся по закону, близкому к гармоническому:
Figure 00000012
, ϕT - сдвиг фаз между изменением греющей мощности и изменением температуры. Центральная длина волны излучения будет «отслеживать» измерение температуры именно активной области (гетероперехода) светодиода и будет изменяться также по закону, близкому к гармоническому:
Figure 00000013
, где
Figure 00000014
- центральная длина излучения при средней температуре перехода;
Figure 00000015
,
Figure 00000016
- первая гармоника переменной составляющей изменения центральной длины волны излучения.
Современные средства измерения центральной длины излучения узкополосных оптических сигналов имеют быстродействие порядка 3-5 мкс (см., например, Ульянов, А.В. Методы и средства оперативного контроля параметров спектра узкополосного оптического излучения /А.В. Ульянов, В.А. Сергеев, Рогов В.Н. // Автоматизация процессов управления. - 2015. - №4. - С. 75-80). При этом случайная погрешность, обусловленная шумами фотоприемников, уменьшается в результате фильтрации полезного сигнала при определении первой гармоники. Следует отметить также, что измерение центральной длины производится в те же моменты времени, в которые производится измерение напряжения на светодиоде, что позволяет упростить реализацию способа в конкретных устройствах.
Предлагаемый способ может быть реализован с помощью устройства, структурная схема которого показана на фиг. 1. Эпюры напряжений и сигналов, поясняющие сущность способа и алгоритм работы устройства, приведены на фиг. 2.
Устройство содержит контакты 1 для подключения контролируемого светодиода, генератор греющих импульсов тока 2, устройство управления 3, управляемый аналого-цифровой преобразователь (АЦП) 4, делитель светового потока 5, управляемый измеритель 6 центральной длины волны излучения с цифровым выходом, измеритель оптической мощности 7 с цифровым выходом и вычислитель 8 с индикатором.
Устройство работает следующим образом. После установки светодиода в контактную колодку 1 напротив входного отверстия делителя светового потока 5, после подачи команды «Запуск» на устройство управления 3 по сигналам этого устройства генератор импульсов 2 начинает вырабатывать последовательность греющих импульсов тока заданной амплитуды Im и постоянной частоты ƒсл, которые подаются в контролируемый светодиод. Моменты времени tk=kТсл начала k-го импульса и его длительность τuku0(1+asinΩtk) определяются управляющими импульсами UУ1 (фиг. 2, а) и UУ2 (фиг. 2, б) устройства управления; в результате светодиод будет разогреваться последовательностью импульсов греющего тока Iгр, широтно-импульсно модулированной по гармоническому закону с частотой модуляции Ω и глубиной модуляции а (фиг. 2, в). Через некоторое время, превышающее три постоянных времени переход-корпус светодиода, в светодиоде установится регулярный режим и температура р-n-перехода светодиода будет пульсировать относительно некоторого квазистационарного значения
Figure 00000017
(фиг. 2, г), изменяющегося по гармоническому закону. Напряжение на светодиоде во время протекания импульсов тока (фиг. 2, д) по сигналам UУ3 устройства управления 3 в моменты времени
Figure 00000018
, где Δtот1 некоторое фиксированное время задержки (фиг. 2, е), управляемым АЦП 6 преобразуется в цифровой код. Цифровые отсчеты напряжения светодиода Uд(k) передаются в оперативную память вычислителя 8, где формируется массив значений прямого напряжения светодиода {Uд(k)}. В эти же моменты времени измеритель 6 центральной длины волны излучения преобразует в цифровой код ТЧП - центральную длину волны излучения светодиода (фиг. 2, ж). Цифровые отсчеты λ(k) передаются в оперативную память вычислителя 8, где формируется массив значений ТЧП - {λ(k)}. Значение
Figure 00000019
средней оптической мощности (фиг. 2, з) с выхода измерителя оптической мощности 7 по сигналу устройства управления передается в вычислитель 8 за несколько тактов до окончания измерения.
Вычислитель 8 вычисляет значения импульсной мощности для каждого k-го греющего импульса тока, путем умножения Uд(t) на значение амплитуды греющих импульсов тока Im:Pm(k)=Im⋅Uд(k) и формирует массив значений импульсной мощности {Рт(к)}. По массивам данных {Pm(k)} и {λ(k)} методом дискретного преобразования Фурье вычислитель 8 определяет амплитуду и фазу гармоник греющей мощности (Рm1 и ϕP) и ТЧП (
Figure 00000020
и ϕT) соответственно и далее вычисляет модуль и фазу теплового импеданса полупроводникового диода по формулам:
Figure 00000021
ϕ=ϕTP. (3б)
Результат вычисления высвечивается на индикаторе.
Для повышения точности преобразование измеряемых величин осуществляют в течение нескольких (3÷5) периодов модуляции греющей мощности и получают N=(3÷5)ТМсл цифровых отсчетов измеряемых величин.

Claims (3)

  1. Способ измерения теплового импеданса светодиодов, состоящий в том, что через светодиод пропускают последовательность импульсов греющего тока Iгр, широтно-импульсно модулированную по гармоническому закону, с частотой модуляции Ω и глубиной модуляции а; во время действия импульсов греющего тока измеряют напряжение на светодиоде и центральную длину волны излучения светодиода с известным температурным коэффициентом K, по результатам измерения определяют амплитуду первой гармоники греющей мощности Pm1(Ω), потребляемой светодиодом, и амплитуду первой гармоники центральной длины волны излучения светодиода
    Figure 00000022
    , а также сдвиг фазы между ними ϕ(Ω) на частоте модуляции греющей мощности, измеряют среднюю за период модуляции мощность
    Figure 00000023
    оптического излучения светодиода и модуль теплового импеданса находят по формуле
  2. Figure 00000024
  3. а фазу ϕТ(Ω) теплового импеданса светодиода определяют как разность фаз между первой гармоникой центральной длины волны излучения светодиода и первой гармоникой греющей мощности.
RU2016111836A 2016-03-29 2016-03-29 Способ измерения теплового импеданса светодиодов RU2624406C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2016111836A RU2624406C1 (ru) 2016-03-29 2016-03-29 Способ измерения теплового импеданса светодиодов

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2016111836A RU2624406C1 (ru) 2016-03-29 2016-03-29 Способ измерения теплового импеданса светодиодов

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2624406C1 true RU2624406C1 (ru) 2017-07-03

Family

ID=59312722

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2016111836A RU2624406C1 (ru) 2016-03-29 2016-03-29 Способ измерения теплового импеданса светодиодов

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2624406C1 (ru)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2649083C1 (ru) * 2016-12-20 2018-03-29 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ульяновский государственный технический университет" Способ измерения теплового импеданса цифровых интегральных микросхем
RU2725613C1 (ru) * 2019-12-09 2020-07-03 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук Способ измерения граничной частоты электролюминесценции локальных областей светоизлучающей гетероструктуры

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2402783C1 (ru) * 2009-08-04 2010-10-27 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ульяновский государственный технический университет" Способ измерения теплового импеданса полупроводниковых диодов
US20110084701A1 (en) * 2009-09-07 2011-04-14 Nxp B.V. Testing of leds
CN103076551A (zh) * 2013-01-01 2013-05-01 北京工业大学 一种led灯具热阻构成测试装置和方法
RU2523731C1 (ru) * 2013-02-05 2014-07-20 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук Способ и устройство для измерения переходных тепловых характеристик светоизлучающих диодов
RU2556315C2 (ru) * 2013-01-15 2015-07-10 Общество с ограниченной ответственностью "Малое инновационное предприятие "Уникальные системы и технологии" Способ измерения теплового импеданса светодиодов

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2402783C1 (ru) * 2009-08-04 2010-10-27 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ульяновский государственный технический университет" Способ измерения теплового импеданса полупроводниковых диодов
US20110084701A1 (en) * 2009-09-07 2011-04-14 Nxp B.V. Testing of leds
CN103076551A (zh) * 2013-01-01 2013-05-01 北京工业大学 一种led灯具热阻构成测试装置和方法
RU2556315C2 (ru) * 2013-01-15 2015-07-10 Общество с ограниченной ответственностью "Малое инновационное предприятие "Уникальные системы и технологии" Способ измерения теплового импеданса светодиодов
RU2523731C1 (ru) * 2013-02-05 2014-07-20 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук Способ и устройство для измерения переходных тепловых характеристик светоизлучающих диодов

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Юдин В. В. Методы и устройства измерения теплоэлектрических параметров полупроводниковых изделий с применением импульсной модуляции электрической мощности // Авто Диссертации, УлГТУ, 2009 (стр. 14). *
Юдин В. В. Методы и устройства измерения теплоэлектрических параметров полупроводниковых изделий с применением импульсной модуляции электрической мощности // Автореферат Диссертации, УлГТУ, 2009 (стр. 14). *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2649083C1 (ru) * 2016-12-20 2018-03-29 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ульяновский государственный технический университет" Способ измерения теплового импеданса цифровых интегральных микросхем
RU2725613C1 (ru) * 2019-12-09 2020-07-03 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук Способ измерения граничной частоты электролюминесценции локальных областей светоизлучающей гетероструктуры

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2640089C2 (ru) Система и способ контроля рабочего состояния igbt-устройства в реальном времени
RU2402783C1 (ru) Способ измерения теплового импеданса полупроводниковых диодов
US11397209B2 (en) Methods of monitoring conditions associated with aging of silicon carbide power MOSFET devices in-situ, related circuits and computer program products
CN107621599B (zh) 一种测量igbt在高温反偏试验中结温变化的方法
RU2624406C1 (ru) Способ измерения теплового импеданса светодиодов
RU2523731C1 (ru) Способ и устройство для измерения переходных тепловых характеристик светоизлучающих диодов
HU181136B (en) Method and instrument for measuring change in transient capacity of semiconducting elements
RU2463618C1 (ru) Способ определения теплового импеданса кмоп цифровых интегральных микросхем
RU2613481C1 (ru) Способ измерения переходной тепловой характеристики цифровых интегральных схем
CN110446910A (zh) 多晶片温度控制装置及用于控制多晶片功率模块的温度的方法
RU2507526C1 (ru) Способ измерения теплового импеданса полупроводниковых диодов с использованием полигармонической модуляции греющей мощности
RU2639989C2 (ru) Способ измерения переходной тепловой характеристики полупроводниковых изделий
RU2556315C2 (ru) Способ измерения теплового импеданса светодиодов
CN116754915A (zh) 一种半导体开关器件的工作结温监测系统和方法
RU2504793C1 (ru) Способ определения теплового импеданса цифровых кмоп интегральных микросхем
JP2017078569A (ja) 過渡吸収応答検出装置および過渡吸収応答検出方法
RU2697028C2 (ru) Способ измерения переходной тепловой характеристики цифровых интегральных схем
RU2609815C2 (ru) Способ измерения переходной тепловой характеристики светоизлучающего диода
RU2572794C1 (ru) Способ измерения теплового сопротивления переход-корпус мощных мдп-транзисторов
RU2178893C1 (ru) Способ определения теплового сопротивления переход-корпус полупроводниковых диодов
RU2565859C1 (ru) Способ измерения теплового сопротивления компонентов наноэлектроники с использованием широтно-импульсной модуляции греющей мощности
RU2685769C1 (ru) Способ определения переходного теплового сопротивления кристалл-корпус и теплового сопротивления кристалл-корпус в состоянии теплового равновесия транзисторов с полевым управлением
RU2698512C1 (ru) Способ автоматизированного контроля тепловых сопротивлений полупроводниковых приборов
RU2327177C1 (ru) Способ определения теплового сопротивления цифровых интегральных микросхем
RU2630191C1 (ru) Способ измерения теплового импеданса полупроводниковых диодов с использованием амплитудно-импульсной модуляции греющей мощности

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20180330