CN116754915A - 一种半导体开关器件的工作结温监测系统和方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种半导体开关器件工作结温监测系统、监测方法及过温保护方法。所述监测系统包括控制单元、驱动单元、电压检测单元和模数转换单元；其中，驱动单元与半导体开关器件的栅极连接；电压检测单元的第一采集端口、第二采集端口分别与半导体开关器件的栅极、源极连接，用来获取栅极电压并输出给模数转换单元；模数转换单元用来将所述栅极电压转化为数字信号，生成栅极电压数据输出给控制单元；控制单元对电压数据进行分析得到关断米勒平台电压，进一步分析得到半导体开关器件的结温。本发明能够快速准确的监测半导体开关器件工作结温，并为该开关器件提供过温保护，能够有效防止器件烧毁，保证器件所在电路系统安全稳定的工作。
Description
技术领域
本发明涉及半导体开关器件的结温检测技术领域，特别是涉及一种半导体开关器件的工作结温监测系统、监测方法及过温保护方法。
背景技术
SiC MOSFET作为第三代宽禁带功率半导体器件，与传统Si-IGBT相比，具有开关速度快，击穿电压高，耐高温，封装紧凑，电流密度大等优点，正在广泛应用于高频高压功率变换器领域，如电动汽车，光伏逆变，轨道交通等。与此同时，SiC MOSFET较快的开关速度和较大的电流密度，然而大功率逆变器MOSFET工作的时候，发热量非常大，如果MOSFET散热效果不好，温度过高就可能导致MOSFET的烧毁，进而可能导致整个电路板的损毁。
监测结温的方法分为物理接触法、光学法、热模型法和热敏电参数(TSEP)法四类。物理接触法是指通过内置热电偶或热敏电阻来直接测量温度，该方法误差较大，响应速度较慢，可能会对设备造成损坏，不适合在线监测。光学方法可以通过热红外敏感带电耦合器件对物体进行成像，从而反映物体表面的温度场，该器件精度高，但成本太高，难以实际应用。热模型的方法是在已知功率损失和热阻网络模型的情况下，通过有限元模拟计算内部结温度，该方法精确度不高。热敏感电参数方法是指利用MOSFET的部分电气外部特性来反映结的温度，相比之下，TSEP方法具有较高的方便性、可行性和准确性。
工业市场上含过温保护功能的智能功率模块IPM，采用内置热电偶于绝缘基板，通过监测IPM基板温度判断功率芯片结温，控制驱动芯片是否正常工作，其缺点误差较大，响应速度较慢。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种半导体开关器件的工作结温监测系统、监测方法及过温保护方法，能够快速准确的监测半导体开关器件工作结温，并为该开关器件提供过温保护。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：提供一种半导体开关器件的工作结温监测系统，包括控制单元、驱动单元、电压检测单元和模数转换单元；所述驱动单元与半导体开关器件的栅极连接，用来根据所述控制单元发出的信号驱动所述半导体开关器件的开通和关断；所述电压检测单元的第一输入端口、第二输入端口分别与所述半导体开关器件的栅极、源极连接，用来获取所述半导体开关器件的栅极电压并输出给所述模数转换单元；所述模数转换单元用来将所述栅极电压转化为数字信号，生成栅极电压数据输出给所述控制单元；所述控制单元对所述栅极电压数据进行分析得到关断米勒平台电压，并根据所述关断米勒平台电压分析得到所述半导体开关器件的结温，所述关断米勒平台电压为所述半导体开关器件在关断过程中的米勒平台电压。
进一步的，所述电压检测单元包括第一电阻，所述第一电阻的第一引脚与所述半导体开关器件的栅极连接，所述第一电阻的第二引脚与第一缓冲放大电路的输入端口、第二电阻的第一引脚连接，所述第二电阻的第二引脚与所述半导体开关器件的源极、差分放大电路的第二输入端口连接，所述第一缓冲放大电路的输出端口与差分放大电路的第一输入端口连接，所述差分放大电路的输出端口与所述模数转换单元的输入端口连接。
进一步的，所述电压检测单元还包括第三电阻和第二缓冲放大电路；所述第三电阻置于所述第二电阻的第二引脚与所述半导体开关器件的源极之间，所述第二缓冲放大电路置于所述第二电阻的第二引脚与所述差分放大电路的第二输入端口之间，所述第二缓冲放大电路的输入端口与所述第二电阻的第二引脚、所述第三电阻的第一引脚连接，所述第二缓冲放大电路的输出端口与所述差分放大电路的第二输入端口连接。
进一步的，所述第一、第二缓冲放大电路是负端与输出相连接的运算放大电路。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：还提供一种半导体开关器件的工作结温监测方法，所述方法应用于如上所述的任一种半导体开关器件工作结温监测系统，包括以下步骤：
生成开关信号，驱动半导体开关器件进入开通和关断过程；
获取所述半导体开关器件在关断过程中的栅极电压数据，基于所述栅极电压数据分析得到关断米勒平台电压；
根据所述关断米勒平台电压同温度的比对关系分析得到所述半导体开关器件的结温。
进一步的，所述获取所述半导体开关器件在关断过程中的栅极电压数据，包括以下步骤：
监视所述开关信号，当使得所述半导体开关器件进入关断状态的变化沿到来时，生成预设宽度的分析使能信号；
当所述分析使能信号有效时，读取栅极电压数据，所述栅极电压数据为所述半导体开关器件的栅极电压经模数转换单元转换后得到的数字信号。
进一步的，所述分析使能信号的预设宽度为，能够使所述模数转换单元完成对关断栅极电压的模数转换的最小时长，所述关断栅极电压为所述半导体开关器件在关断过程中的栅极电压。
进一步的，所述基于所述栅极电压数据分析得到关断米勒平台电压，包括以下步骤：
根据所述栅极电压数据计算得到电压降低速率；
当所述电压降低速率由快变慢再由慢变快时，计算得到所述关断米勒平台电压为所述电压降低速率变慢时的所述栅极电压数据的平均值。
进一步的，所述基于所述栅极电压数据分析得到关断米勒平台电压，包括以下步骤：
依时序对所述栅极电压数据进行计数；
设置第N个所述栅极电压数据为关断米勒平台电压，其中N是通过分析实际检测结果得到的预估值。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：还提供一种半导体开关器件的过温保护方法，其特征在于，所述方法应用于如上所述的任一种半导体开关器件工作结温监测系统，包括以下步骤：
生成开关信号，驱动半导体开关器件进入开通和关断过程；
获取所述半导体开关器件在关断过程中的栅极电压数据，基于所述栅极电压数据分析得到关断米勒平台电压；
当所述关断米勒平台电压小于预设的过温标准电压值时，控制所述半导体开关器件在预设时间内保持关断。
有益效果
由于采用了上述的技术方案，本发明与现有技术相比，具有以下的优点和积极效果：本发明选择基于关断米勒电压进行结温监测，避免了开通米勒电压不稳定和持续时间短的问题，减小了采样误差，降低了采样难度。本发明选择使用全差分放大电路来采集半导体开关器件的栅极电压，并根据电压值下降速率来判断采集到的栅极电压是否为米勒平台电压，不需要设置参考电压，在排除人为因素的同时降低了温度的影响，提高了监测系统的精度。
附图说明
图1是SiC MOSFET栅极电压随温度变化的波形图；
图2是本发明的结构示意图；
图3是本发明第一种实施方式的电路图之一；
图4是本发明第一种实施方式的电路图之二；
图5是全差分采样电路与单端输入采样电路对噪声滤除效果对比图；
图6是本发明第一种实施方式中FPGA内部模块和信号处理示意图；
图7是本发明第二种实施方式的流程图；
图8是本发明第二种实施方式中FPGA关键信号时序示意图；
图9是本发明第二种实施方式中FPGA寄存器数据；
图10是本发明第二种实施方式中示波器实测图；
图11是本发明第三种实施方式的流程图。
具体实施方式
下面结合具体实施例，进一步阐述本发明。应理解，这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围。此外应理解，在阅读了本发明讲授的内容之后，本领域技术人员可以对本发明作各种改动或修改，这些等价形式同样落于本申请所附权利要求书所限定的范围。
SiC MOSFET与传统Si-IGBT相比，其开关速度快，考虑到开启和关断损耗，栅极开启和关断电阻通常设置在10Ω左右，在这种情况下，栅极电压在开启米勒平台阶段的震荡幅度远大于关断米勒平台的震荡幅度，这就意味着，同样提取栅极米勒电压，提取关断米勒平台电压的准确性会大于提取开启米勒平台电压的准确性，那么用关断米勒平台电压作为提取SiC MOSFET结温的参数相比用开通米勒平台电压，就能减小温度测量误差。而且，随着温度上升，开启米勒平台的持续时间是不断在减小的，这就提高了实时提取的困难程度，相较之下，关断米勒平台的持续时间是随着温度上升而逐渐增加的，平台时间越长实时提取难度就下降，对于同样性能的ADC就能提取更多的米勒电压值，从而进一步保证了关断米勒电压值的准确性。如图1所示，三条不同灰度的线由浅入深分别代表25摄氏度、100摄氏度和150摄氏度的栅极电压开启波形，从不同温度的栅极电压波形中，不难看出选用SiC MOSFET关断米勒电压作结温检测的优势：电压相对平稳且持续时间长，减小了采样误差，降低了采样难度。因此，本发明选择基于关断米勒电压来构建结温监测、过温保护的技术方案。本发明中所涉及的系统和方法，也能应用于其他半导体开关器件的结温检测及过温保护，比如IGBT等，并能获得较佳效果。
本发明的第一实施方式涉及一种半导体开关器件工作结温监测系统，如图2所示，选择SiC MOSFET作为被测半导体开关器件，该监测系统包括控制单元、驱动单元、电压检测单元和模数转换单元。
其中，驱动单元与半导体开关器件的栅极连接，根据控制单元发出的信号控制SiCMOSFET的开通和关断。
如图3所示，电压检测单元包括第一电阻R1，第一电阻R1的第一引脚与SiC MOSFET的栅极G连接，第一电阻R1的第二引脚与第一缓冲放大电路的输入端口、第二电阻R2的第一引脚连接，第二电阻R2的第二引脚与SiC MOSFET的源极S、差分放大电路的负极输入端口连接，第一缓冲放大电路的输出端口与差分放大电路的正极输入端口连接，差分放大电路的输出端口与模数转换单元的输入端口连接，SiC MOSFET的源极S接地。本实施方式中，缓冲放大电路采用比较典型的运放结构，其功能为提供阻抗变换并增加驱动能力，具体方案是将运放的负端与输出相连作为缓冲器，但不限于这种方式。
在一些优选的实施方式中，采用差分的方式来采集栅极电压。如图4所示，电压检测单元包括第一电阻R1，第一电阻R1的第一引脚与SiC MOSFET的栅极G连接，第一电阻R1的第二引脚与第一缓冲放大电路的输入端口、第二电阻R2的第一引脚连接，第二电阻R2的第二引脚与第三电阻R3的第一引脚、第二缓冲放大电路的输入端口连接，第三电阻R3的第二引脚与SiC MOSFET的源极S连接。第一缓冲放大电路的输出端口与差分放大电路的正极输入端口连接，第二缓冲放大电路的输出端口与差分放大电路的负极输入端口连接，差分放大电路的输出端口与模数转换单元的输入端口连接，SiC MOSFET的源极S接地。同样在本实施方式中，缓冲放大电路采用比较典型的运放结构，其功能为提供阻抗变换并增加驱动能力，具体方案是将运放的负端与输出相连作为缓冲器，但不限于这种方式。
第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3组成分压模块，其作用主要是调整栅极电压幅度，电阻阻值的选取并无太大要求，三者阻值之和能够与SiC MOSFET相匹配即可。
优选的，还可以在SiC MOSFET的栅极与源极之间加入稳压二极管，用来防止SiCMOSFET在某些极端情况下被烧毁。
差分放大电路用来做共模转换以及为模数转换单元提供差分输入，其典型应用为将输入端电阻和反馈电阻设定为阻值相等，使信号原比例传输，但不限于这种方式。
当控制端如FPGA发送脉冲信号Vin给驱动电路时，驱动芯片通过栅极开通电阻Rg-rising给SiC MOSFET栅极充电。由于寄生Cgd电容和地线干扰会有噪声Vnoise耦合至栅极，通过三个电阻的分压采样，可以得到差动运放正端输入为
其中，R1、R2、R3分别为第一电阻、第二电阻、第三电阻的阻值，VGS为半导体开关器件的栅极电压值，Vnoise为干扰噪声。
差动运放负端输入为
由于差动运放设置的放大比例为1，差动运放实际输出为
减小噪声对采样信号的干扰程度。由于功率器件SiC MOSFET实际工作环境比较恶劣，常常要面对对采样栅极信号的干扰，其中，/>代表开启和关闭功率器件期间，单位时间上漏源电压VDS的变化，/>代表单位时间上漏电流iDS的变化。所以采样电路得具备一定的抗噪声干扰能力，本实施方式中采用全差分输入采样。如图5所示，当单端输入采样电路和全差分输入采样电路同时采样一个带有高频噪声的脉冲信号时，全差分输入采样电路可以比单端输入采样电路更好的滤除噪声还原原始信号波形。图5中VO±指差分电路输出±端信号。
为了更好的消减系统噪声，防止模数转换单元误动作，可以在全差分放大电路的输出端加入低通滤波器，在本实施方式中采用RC滤波来过滤噪声。
模数转换单元用来将差分输入的电压信号转为数字信号，同时为全差分运放模块提供共模电压。典型的模数转换单元为高精度模数转换器，比如14位的高性能ADC，但不限于这种ADC。在某些实施方式中，也可以采用控制芯片内置的ADC来实现该功能。
控制单元用来对ADC输出的数字信号进行数据分析得到关断米勒平台电压，并和预置的温度与关断米勒平台电压查找表内的数据进行对比得到结温，输出过温信号OT。本实施方式采用FPGA来搭建控制单元，典型应用为内置双端口RAM、计数器、查找表寄存器和比较器的FPGA，但也可以采用其他具有类似功能的控制器或电路装置。
本发明的第二实施方式涉及一种半导体开关器件工作结温监测方法，应用于第一种实施方式中的半导体开关器件工作结温监测系统，如图7所示，包括以下步骤：
生成开关信号，驱动半导体开关器件进入开通和关断过程；
获取所述半导体开关器件在关断过程中的栅极电压数据，基于栅极电压数据分析得到关断米勒平台电压；
根据关断米勒平台电压同温度的比对关系分析得到半导体开关器件的结温。
如图6所示，在实际应用中，通过控制单元FPGA生成由高低电平构成的开关信号PWM_Vin，当驱动单元读取到PWM_Vin的上升沿时驱动半导体开关器件进入开通过程，又在下降沿到来时控制半导体开关器件进入关断过程。控制单元FPGA在检测到关断信号的同时生成一个预设宽度的电平信号EN_RAM作为分析使能信号，当EN_RAM有效时，获取模数转换单元输出的半导体开关器件的栅极电压数据，并将其保存在控制单元FPGA内部的存储模块RAM中。EN_RAM的宽度并不需要非常精确，保证模数转换单元能够完成对器件关断过程中的栅极电压的采样即可。
接下来，通过对上述栅极电压数据进行分析得到关断米勒平台电压，并进一步得到半导体开关器件的工作结温。
首先根据栅极电压数据计算得到电压降低速率，电压降低速率表示为当前时序的电压与上一时序的电压的差值。考察存储的栅极电压数据，当所述电压降低速率由快变慢再由慢变快时，认为电压降低速率变慢时该半导体开关器件处于关断米勒平台。为了消除系统噪声，使检测结构更为准确，对这部分数据取平均值得到关断米勒平台电压。
FPGA的内部寄存器取得关断米勒平台电压后，即可与预先设置的温度与关断米勒平台电压查找表进行比较，得到器件的实时温度，实现结温监测。以上步骤都是通过控制单元FPGA内部的寄存器和比较器完成的。
下面以SiC MOSFET的一个关断过程为例说明本发明的工作原理。
首先，FPGA生成用来控制SiC MOSFET进行开关动作的开关信号，通常为PWM(脉冲宽度调制)信号。
受驱动电路的逻辑信号控制，SiC MOSFET的栅极电压值已经达到驱动芯片输出电压的最大值，驱动电路开始控制SiC MOSFET关断，此时将FPGA内部信号EN_RAM置为高电平，使RAM开始接收ADC的输出数据。根据驱动电路的逻辑信号传输至SiC MOSFET的延时和ADC输出数据的采样转化延时，可以计算得到ADC转化完SiC MOSFET关断米勒平台电压值的时间。此时间不需要精确，FPGA根据其内置计数器的晶振频率可以估算出这个时间，并在该时间到达时将使能信号EN_RAM拉低，使RAM停止接收ADC的输出数据。关键信号时序如图8所示。
当EN_RAM变为低电平时，在RAM中已经存有SiC MOSFET关断米勒平台电压值的数据，此时有两种方式计算得出米勒平台电压值。
其一，SiC MOSFET在关断过程中，栅极电压从最大电压值变为0或负电压值时，电压值减少的速率会由快变慢，再由慢变快，而电压值减少速率变慢对应的过程对应着关断米勒平台电压。在漏极电压VDS＝300V，关断电阻Roff＝40Ω的测试条件下，得到数据如图9所示，图中表格由上至下中记录了SiC MOSFET在关断过程中采集到的栅极电压数据。电压降低的快慢可以通过当前电压采样值与上个电压采样值的差值来判断，不难看出，该数据差值的绝对值经历了从大变小再变大的过程，差值绝对值变小对应的数据段即为米勒平台电压，即图中的区域2。计算区域2中七个码值对应的电压值的均值为6.663V，即为监测到的米勒平台电压值。在上述测试条件下，如图10所示，通过示波器实测关断米勒平台电压值为6.687V，持续时间约190ns即ADC对米勒平台电压的输出约为8至9个码值。可见，通过本方法能够获得较为准确的关断米勒平台电压值。
其二，ADC输出数据有其固定的时钟，从关断过程开始到使能信号EN_RAM变为低电平为止，ADC总是在相同的时钟个数n后输出的数据为关断米勒平台电压值，该n值受母线电压，栅极关断电阻，器件SiC MOSFET的寄生Cgd电容等要素影响。如图8所示，在固定7个值后，ADC输出的数据为米勒平台电压数据。所以，也可以预设一个n值，将米勒平台电压赋值为ADC在n个时钟周期后输出的电压值。
FPGA内部寄存器得到关断米勒平台电压值后，即可与预先设置的温度与关断米勒平台电压值查找表进行比较，得到器件的实时温度，实现实时结温监测。
本发明的第三实施方式涉及一种半导体开关器件的过温保护方法，应用于第一种实施方式中的半导体开关器件工作结温监测系统，如图11所示，包括以下步骤：
生成开关信号，驱动半导体开关器件进入开通和关断过程；
获取半导体开关器件在关断过程中的栅极电压数据，基于栅极电压数据分析得到关断米勒平台电压；
当关断米勒平台电压小于预设的过温标准电压值时，控制半导体开关器件在预设时间内保持关断。
如图6所示，在实际应用中，通过控制单元FPGA生成由高低电平构成的开关信号PWM_Vin，当驱动单元读取到PWM_Vin的上升沿时驱动半导体开关器件进入开通过程，又在下降沿到来时控制半导体开关器件进入关断过程。控制单元FPGA在检测到关断信号的同时生成一个预设宽度的电平信号EN_RAM作为分析使能信号，当EN_RAM有效时，获取模数转换单元输出的半导体开关器件的栅极电压数据，并将其保存在控制单元FPGA内部的存储模块RAM中。EN_RAM的宽度并不需要非常精确，保证模数转换单元能够完成对器件关断过程中的栅极电压的采样即可。
接下来，通过对上述栅极电压数据进行分析得到关断米勒平台电压，并进一步得到半导体开关器件的工作结温。
首先根据栅极电压数据计算得到电压降低速率，电压降低速率表示为当前时序的电压与上一时序的电压的差值。考察存储的栅极电压数据，当所述电压降低速率由快变慢再由慢变快时，认为电压降低速率变慢时该半导体开关器件处于关断米勒平台。为了消除系统噪声，使检测结构更为准确，对这部分数据取平均值得到关断米勒平台电压。
由于关断米勒平台电压呈负温度特性，可设置一个过温标准电压值，当控制单元FPGA得到的关断米勒平台电压值小于该过温标准电压值时生成过温信号OT。该过温信号OT接入驱动单元，使得驱动控制芯片在接下来的几个周期内不开启，从而实现过温保护。
Claims (10)
1.一种半导体开关器件的工作结温监测系统，其特征在于，包括控制单元、驱动单元、电压检测单元和模数转换单元；所述驱动单元与半导体开关器件的栅极连接，用来根据所述控制单元发出的信号驱动所述半导体开关器件的开通和关断；所述电压检测单元的第一输入端口、第二输入端口分别与所述半导体开关器件的栅极、源极连接，用来获取所述半导体开关器件的栅极电压并输出给所述模数转换单元；所述模数转换单元用来将所述栅极电压转化为数字信号，生成栅极电压数据输出给所述控制单元；所述控制单元对所述栅极电压数据进行分析得到关断米勒平台电压，并根据所述关断米勒平台电压分析得到所述半导体开关器件的结温，所述关断米勒平台电压为所述半导体开关器件在关断过程中的米勒平台电压。
2.根据权利要求1所述的半导体开关器件的工作结温监测系统，其特征在于，所述电压检测单元包括第一电阻，所述第一电阻的第一引脚与所述半导体开关器件的栅极连接，所述第一电阻的第二引脚与第一缓冲放大电路的输入端口、第二电阻的第一引脚连接，所述第二电阻的第二引脚与所述半导体开关器件的源极、差分放大电路的第二输入端口连接，所述第一缓冲放大电路的输出端口与差分放大电路的第一输入端口连接，所述差分放大电路的输出端口与所述模数转换单元的输入端口连接。
3.根据权利要求2所述的半导体开关器件的工作结温监测系统，其特征在于，所述电压检测单元还包括第三电阻和第二缓冲放大电路，所述第三电阻置于所述第二电阻的第二引脚与所述半导体开关器件的源极之间，所述第二缓冲放大电路置于所述第二电阻的第二引脚与所述差分放大电路的第二输入端口之间，所述第二缓冲放大电路的输入端口与所述第二电阻的第二引脚、所述第三电阻的第一引脚连接，所述第二缓冲放大电路的输出端口与所述差分放大电路的第二输入端口连接。
4.根据权利要求2或3所述的半导体开关器件的工作结温监测系统，其特征在于，所述第一、第二缓冲放大电路是负端与输出相连接的运算放大电路。
5.一种半导体开关器件的工作结温监测方法，其特征在于，所述方法应用于如权利要求1-4所述任一种半导体开关器件的工作结温监测系统，包括以下步骤：
生成开关信号，驱动半导体开关器件进入开通和关断过程；
获取所述半导体开关器件在关断过程中的栅极电压数据，基于所述栅极电压数据分析得到关断米勒平台电压；
根据所述关断米勒平台电压同温度的比对关系分析得到所述半导体开关器件的结温。
6.根据权利要求5所述的半导体开关器件的工作结温监测方法，其特征在于，所述获取所述半导体开关器件在关断过程中的栅极电压数据，包括以下步骤：
监视所述开关信号，当使得所述半导体开关器件进入关断状态的变化沿到来时，生成预设宽度的分析使能信号；
当所述分析使能信号有效时，读取栅极电压数据，所述栅极电压数据为所述半导体开关器件的栅极电压经模数转换单元转换后得到的数字信号。
7.根据权利要求6所述的半导体开关器件的工作结温监测方法，其特征在于，所述分析使能信号的预设宽度为，能够使所述模数转换单元完成对关断栅极电压的模数转换的最小时长，所述关断栅极电压为所述半导体开关器件在关断过程中的栅极电压。
8.根据权利要求5所述的半导体开关器件的工作结温监测方法，其特征在于，所述基于所述栅极电压数据分析得到关断米勒平台电压，包括以下步骤：
根据所述栅极电压数据计算得到电压降低速率；
当所述电压降低速率由快变慢再由慢变快时，计算得到所述关断米勒平台电压为所述电压降低速率变慢时的所述栅极电压数据的平均值。
9.根据权利要求5所述的半导体开关器件的工作结温监测方法，其特征在于，所述基于所述栅极电压数据分析得到关断米勒平台电压，包括以下步骤：
依时序对所述栅极电压数据进行计数；
设置第N个所述栅极电压数据为关断米勒平台电压，其中N是通过分析实际检测结果得到的预估值。
10.一种半导体开关器件的过温保护方法，其特征在于，所述方法应用于如权利要求1-4所述的任一种半导体开关器件的工作结温监测系统，包括以下步骤：
生成开关信号，驱动半导体开关器件进入开通和关断过程；
获取所述半导体开关器件在关断过程中的栅极电压数据，基于所述栅极电压数据分析得到关断米勒平台电压；
当所述关断米勒平台电压小于预设的过温标准电压值时，控制所述半导体开关器件在预设时间内保持关断。
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| CN117559787A (zh) * | 2024-01-10 | 2024-02-13 | 致瞻科技(上海)有限公司 | 一种堵转工况下功率器件结温的主动控制方法及其系统 |
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- 2023-06-14 CN CN202310702533.3A patent/CN116754915A/zh active Pending
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| CN117559787B (zh) * | 2024-01-10 | 2024-03-22 | 致瞻科技(上海)有限公司 | 一种堵转工况下功率器件结温的主动控制方法及其系统 |
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