RU2601384C2 - Узел установки уровня и спектрального состава регистрируемого излучения в ик мфпу - Google Patents
Узел установки уровня и спектрального состава регистрируемого излучения в ик мфпу Download PDFInfo
- Publication number
- RU2601384C2 RU2601384C2 RU2014143299/28A RU2014143299A RU2601384C2 RU 2601384 C2 RU2601384 C2 RU 2601384C2 RU 2014143299/28 A RU2014143299/28 A RU 2014143299/28A RU 2014143299 A RU2014143299 A RU 2014143299A RU 2601384 C2 RU2601384 C2 RU 2601384C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- esr
- osf
- diaphragm
- spectral composition
- radiation
- Prior art date
Links
- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims abstract description 32
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 title claims abstract description 15
- 238000009434 installation Methods 0.000 title claims abstract 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 title abstract description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 11
- 230000009467 reduction Effects 0.000 abstract description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 14
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 5
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000004568 cement Substances 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 description 1
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 238000001931 thermography Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02162—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors
- H01L31/02164—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors for shielding light, e.g. light blocking layers, cold shields for infrared detectors
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/02—Constructional details
- G01J5/06—Arrangements for eliminating effects of disturbing radiation; Arrangements for compensating changes in sensitivity
- G01J5/061—Arrangements for eliminating effects of disturbing radiation; Arrangements for compensating changes in sensitivity by controlling the temperature of the apparatus or parts thereof, e.g. using cooling means or thermostats
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
- Overhead Projectors And Projection Screens (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Abstract
Изобретение относится к области производства фотоприемных устройств и касается узла установки уровня и спектрального состава регистрируемого излучения в ИК МФПУ. Узел расположен в корпусе с оптическим входным окном и содержит охлаждаемый светоограничительный экран, включающий в себя непрозрачную боковую несущую поверхность с поглощающим покрытием на внутренней и отражающим покрытием на внешней ее стороне и прикрепленную к ней торцевую плоскость с диафрагмой. При этом торцевой плоскостью является охлаждаемый светофильтр, одна из поверхностей которого покрыта непрозрачной отражающей тонкой пленкой с выполненной в ней диафрагмой заданной формы. Технический результат заключается в снижении охлаждаемой массы, уменьшении времени выхода на режим и упрощение способа изготовления. 2 з.п. ф-лы, 4 ил.
Description
Инфракрасные (ИК) матричные фотоприемные устройства (МФПУ) - изделия, без которых сейчас трудно представить различные системы, контролирующие окружающую среду, нефте- и газопроводы, цементные и другие заводы, системы наблюдения и наведения различного, в том числе военного и специального, применения и т.д.
ИК МФПУ, как правило, включают в свой состав следующие компоненты:
- вакуумированный или газонаполненный корпус с входным окном;
- микрокриогенную систему (МКС), интегрированную с корпусом, внутри которого расположен ее холодный палец;
- светоограничительный охлаждаемый экран (СОЭ) с диафрагмой на торцевой его поверхности, расположенный внутри корпуса;
- охлаждаемый светофильтр (ОСФ), примыкающий к торцевой поверхности СОЭ и перекрывающий диафрагму;
- растр, расположенный внутри СОЭ на холодном пальце МКС;
- кремниевый кристалл схемы считывания (КСС), установленный на растре;
- матрицу фоточувствительных элементов (МФЧЭ), расположенную на КСС и скоммутированную с ней поэлементно, с помощью индиевых столбиков.
Вакуумированный или газонаполненный корпус необходим для обеспечения термоизоляции МФЧЭ путем снижения внешних теплопритоков.
Оптическое окно в корпусе служит для обеспечения попадания регистрируемого излучения на МФЧЭ.
МКС применяется для обеспечения заданной рабочей температуры МФЧЭ.
Растр используется для установки и разварки на нем КСС и МФЧЭ.
КСС необходима для считывания и накопления сигналов ФЧЭ, формирования, предварительной обработки и выдачи выходного сигнала МФПУ.
МФЧЭ обеспечивает генерацию фототока (сигнала) под действием падающего на нее излучения.
Назовем СОЭ с ОСФ узлом установки уровня и спектрального состава регистрируемого излучения в ИК МФПУ (далее - СОЭ с ОСФ).
ОСФ обеспечивает заданный спектральный состав облучения МФЧЭ.
СОЭ определяет величину облученности МФЧЭ.
Необходимость использования СОЭ с ОСФ [1] обусловлена следующими обстоятельствами.
ИК МФПУ работают в режиме накопления заряда, когда фототоки, генерируемые ФЧЭ под действием падающего на них излучения, поступают в накопительные емкости в ячейках КСС и накапливаются в них в виде зарядов, в течение заданного промежутка времени, а затем преобразуются в вольтовые сигналы, обрабатываются и считываются с выходов устройства. Величина этих сигналов определяется количеством квантов излучения, падающих на ФЧЭ, и электронов темнового тока. Количество квантов пропорционально величине (площади) охлаждаемой диафрагмы и коэффициенту пропускания светофильтра в заданной полосе длин волн. Расчеты показывают, что при неограниченной величине накопительных емкостей фотоэлектрические параметры ИК МФПУ были бы рекордно высокими. Однако величина накопительной емкости пропорциональна площади ячейки КСС и ограничена. В связи с этим обстоятельством максимальное количество накопленных зарядов (электронов), определяемое величиной емкости накопления, также ограничено. В настоящее время размеры ячейки в ИК МФПУ доходят до 12-15 мкм, что приводит к максимальной величине емкости накопления порядка (2-5)·106 электронов при разумных величинах напряжения их перезарядки. Накопленные заряды преобразуются в пропорциональные выходные вольтовые сигналы ФЧЭ.
Работая в режиме накопления, ИК МФПУ способно регистрировать с помощью ИК объектива тепловизионную картину, в которой выходной сигнал устройства от элементов изображения (величина напряжения) определяется их температурой. Накопление носителей заряда происходит в течение заданного промежутка времени, называемого временем накопления. Это время определяется заданной степенью разряда емкости накопления под действием интегрального сигнала (сумма фототоков и темнового тока) [2]. За время накопления ИК МФПУ формирует и полезный выходной сигнал, определяемый накопленным количеством зарядов, генерированных полезным сигналом.
Характеристики ИК МФПУ определяются величиной отношения полезный сигнал/интегральный шум и будут тем лучше, чем выше будет величина этого отношения [3, 4].
Интегральный шум МФПУ определяется суммой следующих шумов:
- шум накопленных носителей темнового тока ФЧЭ [4, 5];
- шум накопленных носителей, генерированных фоновым излучением, исходящим из пространства в апертуре МФЧЭ [2, 3, 4, 5];
- шум накопленных носителей, генерированных фоновым излучением, исходящим из внешнего пространства вне апертуры МФЧЭ;
- шум накопленных носителей, генерированных излучением входного окна в корпусе [3, 4];
- шум накопленных носителей, генерированных излучением ОСФ [3, 4];
- шум накопленных носителей, генерированных излучением СОЭ [3, 4];
- шум КСС [2, 3, 4].
Все эти шумы являются паразитными. Интегральный шум МФПУ равен корню квадратному из суммы квадратов всех этих шумов. Минимальный регистрируемый полезный сигнал, определяющий качество МФПУ, равен его интегральному шуму.
Рассмотрим возможности снижения компонентов интегрального шума.
Шум носителей темнового тока ФЧЭ не связан с излучениями, а обусловлен конструкцией МФЧЭ. Снизить его можно лишь снижая темновой ток, т.е. снижая рабочую температуру ФЧЭ с помощью МКС. При заданной рабочей температуре он фиксирован.
Шум носителей тока, генерированных фоновым излучением, исходящим из пространства в апертуре МФЧЭ, при заданной диафрагме в СОЭ определяется температурой фона, коэффициентами пропускания входного окна, ОСФ и диафрагмы в СОЭ [3, 4]. Воздействовать на него можно, уменьшая диафрагму, но при этом будет уменьшаться и величина сигнала. Отношение сигнал/шум при этом всегда будет ухудшаться из-за наличия постоянного шума темнового тока ФЧЭ, и шума носителей, генерированных излучением СОЭ.
Шум носителей тока, генерированных излучением входного окна в корпусе МФПУ, близок к шуму фонового излучения, т.к. температура входного окна близка к температуре окружающей среды. Отличие состоит лишь в степени серости этого излучения, определяемой материалом окна. Излучение входного окна проходит сквозь ОСФ, диафрагму и попадает на МФЧЭ. Уменьшение этого шума возможно лишь при уменьшении диафрагмы в СОЭ, но при этом будет уменьшаться величина полезного сигнала и ухудшаться отношение сигнал/шум.
Шумы носителей тока, генерированных излучением ОСФ и излучением СОЭ, определяются температурой этих компонентов, которую можно снизить с помощью МКС. При фиксированной температуре они фиксированы, а при низкой рабочей температуре ФЧЭ, Траб≈(70-150) К, малы.
Шум носителей тока, генерированных фоновым излучением, исходящим из пространства вне апертуры МФЧЭ, обусловлен прошедшим сквозь входное окно корпуса, ОСФ и диафрагму в СОЭ излучением, отраженным не менее одного раза от внутренней поверхности СОЭ и попадающим на МФЧЭ. Снижать его можно лишь выбирая нужную конструкцию СОЭ и диафрагмы. Внутренняя поверхность СОЭ с ОСФ имеет высокий коэффициент поглощения излучения (0,85-0,95) и, следовательно, низкий коэффициент отражения. Тогда можно считать величину этого шума довольно низкой в сравнении с шумом носителей тока, генерированных фоновым излучением, исходящим из пространства в апертуре МФЧЭ, и шумом носителей тока, генерированных излучением входного окна в корпусе МФПУ.
Как правило, величину и форму диафрагмы согласуют с выходным зрачком оптической системы, используемой для формирования ИК-изображения в плоскости МФЧЭ [5, 6]. Поэтому форма ее может быть и довольно сложной.
Шум КСС, как и шум темнового тока ФЧЭ, определяется ее конструкцией и фиксирован при заданной рабочей температуре МФЧЭ.
Таким образом, снижение интегрального шума МФПУ, при фиксированной рабочей температуре МФЧЭ и КСС, возможно лишь с помощью СОЭ с ОСФ. Поэтому СОЭ с диафрагмой и ОСФ применяется практически во всех ИК МФПУ.
Настоящее изобретение относится к компонентам матричных фотоприемных устройств (МФПУ), работающих в спектральном диапазоне длин волн выше 2 мкм, а конкретно, к конструкции СОЭ с ОСФ.
СОЭ с ОСФ должен иметь следующие параметры:
- низкая тепловая и физическая масса для быстрого установления заданной рабочей температуры;
- достаточные прочностные качества, обеспечивающие стойкость к внешним механическим воздействиям на МФПУ (синусоидальная и/или случайная вибрация, одиночные и многократные удары и/или виброудары).
Аналогом заявляемого технического решения является МФПУ, содержащее охлаждаемый СОЭ с ОСФ, включающий боковую несущую поверхность и торцевую несущую плоскость, в которой расположена диафрагма, а ОСФ прикреплен к торцевой плоскости и оптически перекрывает диафрагму [Патент США №4862002, МКИ H01L 27/4, G01J 5/26, приоритет от 29.08.1989 г.].
Недостатком его является интегральная конструкция СОЭ с диафрагмой, толщина стенки которого должна быть 0,1-0,25 мм при высоте торцевой поверхности над МФЧЭ от 10 мм до 50 мм. Такая конструкция, несмотря на ее кажущуюся простоту, создает трудности при ее изготовлении. Ее можно выточить, например, на токарном или фрезерном станке. Затем в торцевой несущей плоскости СОЭ необходимо вырезать диафрагму с заданной формой и расположением, нанести соответствующие покрытия (отражающее и антиотражающее) на внешнюю и внутреннюю стороны СОЭ и приклеить криогенным клеем или припаять ОСФ к СОЭ. Расположение ОСФ на СОЭ приводит к повышенной охлаждаемой массе, что заставляет применять для поддержания заданной рабочей температуры более мощную МКС и/или повышает время выхода МФПУ на режим, стоимость изготовления СОЭ с ОСФ и, соответственно, МФПУ.
Прототипом заявляемого технического решения является СОЭ с ОСФ, включающий непрозрачную боковую поверхность, прикрепленную к ней с помощью кольцевой вставки непрозрачную торцевую плоскость, снабженную диафрагмой с заданной формой и расположением, оптически перекрытой ОСФ, прикрепленным к торцевой плоскости [Патент Японии JP 5343710, МКИ H01L 31/02, приоритет от 24.12.1993 г.]. В этой конструкции ОСФ может быть прикреплен к торцевой поверхности СОЭ, например, криоклеем или припоем.
Достоинством его является некая «серийность», т.к. из указанных деталей можно собрать СОЭ любой заданной высоты.
Недостатком его также является повышенная охлаждаемая масса, т.к. и боковая поверхность, и торцевая плоскость с диафрагмой должны быть выполнены стойкими к заданным внешним воздействиям. Тогда установленный на торцевой плоскости ОСФ, во-первых, повышает массу плоскости, а во-вторых, сам должен иметь достаточную прочность, чтобы его также не могли повредить внешние механические воздействия (удары и вибрация). Таким образом, ОСФ заставляет повышать толщину торцевой плоскости с диафрагмой, а следовательно, и боковой поверхности, что повышает и охлаждаемую и физическую массу СОЭ. Отсюда возникает повышенная охлаждаемая суммарная масса, приводящая к увеличению времени выхода на режим или повышению холодопроизводительности МКС. Еще одним из его недостатков является трудность изготовления диафрагмы некруговой формы [6]. В этом случае необходимы фрезерные станки высокой точности с числовым программным управлением (ЧПУ), т.к. изготовить ее с помощью фотолитографии по толстому металлу практически невозможно. Все это повышает себестоимость СОЭ.
Целью заявляемого устройства является снижение конечной цены СОЭ с ОСФ, времени выхода МФПУ на режим путем снижения охлаждаемой массы и упрощение технологии изготовления СОЭ с ОСФ при сохранении механических и оптических параметров.
Поставленная цель достигается тем, что в известном узле установки уровня и спектрального состава регистрируемого излучения, содержащем СОЭ с ОСФ, включающий непрозрачную боковую несущую поверхность с поглощающим слоем на внутренней и отражающим слоем на внешней ее стороне, прикрепленную к ней с помощью кольцевой вставки непрозрачную торцевую плоскость, снабженную диафрагмой с заданной формой и расположением, оптически перекрытой ОСФ, в качестве несущей торцевой плоскости применен ОСФ с антиотражающим в заданном спектральном диапазоне покрытием, на поверхности которого расположена непрозрачная отражающая тонкая пленка с диафрагмой заданной формы.
Поставленная цель достигается также тем, что непрозрачная тонкая пленка выполнена из металла.
Поставленная цель достигается также тем, что непрозрачная тонкая пленка выполнена из диэлектрика.
Сущность заявляемого устройства состоит в совмещении нескольких различных функций одним компонентом заявляемого устройства.
Поскольку применяемый ОСФ является прочным к механическим воздействиям, то вместе с функцией пропускания излучения в заданном спектральном диапазоне он может совместить, и функцию несущей плоскости и функцию охлаждаемой диафрагмы, если на него нанести тонкий (≤0,5 мкм) непрозрачный слой с отверстием (диафрагмой) заданной формы. Диафрагму любой формы в этом случае легко изготовить с помощью обычной фотолитографии, которая имеет более высокую точность, допускает групповое изготовление и цена которой ниже, чем ее изготовление на станке с ЧПУ. Заявляемое устройство поясняется чертежами.
Прототип заявляемого устройства показан на фиг. 1 и 2, заявляемое устройство показано на фиг. 3 и 4. Цифрами обозначены следующие детали известного и заявляемого устройств:
1. непрозрачная боковая несущая поверхность с поглощающим слоем на внутренней и отражающим слоем на внешней ее стороне;
2. непрозрачная торцевая плоскость, снабженная диафрагмой с заданной формой и расположением;
3. кольцевая вставка;
4. ОСФ.
Способ изготовления СОЭ с ОСФ заключается в том, что из листового ковара, меди или алюминия изготавливают цилиндр или призму с прямоугольным сечением. Изготавливают и устанавливают внутреннюю или внешнюю кольцевую или прямоугольную вставку. Закрепляют на вставку ОСФ с изготовленной в нанесенном на ее поверхность тонком непрозрачном слое меди или алюминия (0,1 мкм) диафрагмой заданной формы. Все крепления можно осуществлять с помощью криоклея или пайки.
Работает заявляемое устройство аналогично известным узлам установки уровня и спектрального состава регистрируемого излучения в ИК МФПУ, включающих СОЭ с ОСФ. Заявляемое устройство также выделяет необходимый к регистрации спектральный интервал и ограничивает количество квантов в единицу времени с помощью диафрагмы. Разница лишь в том, что если в известных устройствах спектральный интервал выделял ОСФ, а поток квантов устанавливал СОЭ с диафрагмой, то в нашем случае и спектральный интервал и поток квантов устанавливает ОСФ с нанесенной диафрагмой, а у СОЭ осталась лишь функция фиксации диафрагмы на заданном расстоянии от МФЧЭ.
В этом случае упрощается технология изготовления СОЭ с ОСФ, сохраняются его механические и оптические параметры, снижается охлаждаемая масса, конечная цена узла (СОЭ с ОСФ) и время выхода МФПУ на режим, т.е. достигается цель изобретения.
Литература
1. W.D. Rogatto, Electro-Optical Components. The Infrared and Electro-Optical Systems Handbook, V. 3, SPIE Optical Engineering Press, 1993. P. 223-225.
2. А.И. Патрашин. Метод расчета параметров ИК МФПУ // Прикладная физика, 2010, №2. С. 103-108.
3. А.И. Патрашин, И.Д. Бурлаков. Аналитическая модель для расчета параметров матричных фотоприемных устройств // Прикладная физика, 2014, №1. С. 38-46.
4. А.И. Патрашин, И.Д. Бурлаков, М.Д. Корнеева, В.В. Шабаров. Прогнозирование параметров матричных фотоприемных устройств // Успехи прикладной физики, 2014, том 2, №1. С. 50-59.
5. А.И. Патрашин. Теоретическое исследование фоновых облученностей ИК МФЧЭ с холодными диафрагмами заданных типов // Прикладная физика, 2011, №3. С. 98-106.
6. А.И. Патрашин. Метод расчета фоновой облученности МФПУ с холодной диафрагмой произвольной формы // Прикладная физика, 2010, №3. С. 123-126.
Claims (3)
1. Узел установки уровня и спектрального состава регистрируемого излучения в ИК МФПУ, расположенный в корпусе с оптическим входным окном и содержащий охлаждаемый светоограничительный экран (СОЭ), включающий в себя непрозрачную боковую несущую поверхность с поглощающим покрытием на внутренней и отражающим покрытием на внешней ее стороне и прикрепленную к ней торцевую плоскость с диафрагмой, отличающийся тем, что торцевой плоскостью является охлаждаемый светофильтр (ОСФ), одна из поверхностей которого покрыта непрозрачной отражающей тонкой пленкой с выполненной в ней диафрагмой заданной формы.
2. Узел установки уровня и спектрального состава регистрируемого излучения в ИК МФПУ по п. 1, отличающийся тем, что непрозрачная отражающая тонкая пленка выполнена из металла.
3. Узел установки уровня и спектрального состава регистрируемого излучения в ИК МФПУ по п. 1, отличающийся тем, что непрозрачная отражающая тонкая пленка выполнена из диэлектрика.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2014143299/28A RU2601384C2 (ru) | 2014-10-27 | 2014-10-27 | Узел установки уровня и спектрального состава регистрируемого излучения в ик мфпу |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2014143299/28A RU2601384C2 (ru) | 2014-10-27 | 2014-10-27 | Узел установки уровня и спектрального состава регистрируемого излучения в ик мфпу |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2014143299A RU2014143299A (ru) | 2016-05-20 |
| RU2601384C2 true RU2601384C2 (ru) | 2016-11-10 |
Family
ID=56011850
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2014143299/28A RU2601384C2 (ru) | 2014-10-27 | 2014-10-27 | Узел установки уровня и спектрального состава регистрируемого излучения в ик мфпу |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2601384C2 (ru) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05343710A (ja) * | 1992-04-07 | 1993-12-24 | Fujitsu Ltd | 赤外線検知器用コールドシールドおよびその製造方法 |
| US5434413A (en) * | 1993-10-01 | 1995-07-18 | Texas Instruments Incorporated | Virtual cold shield and cold filter for infrared detector arrays |
| US5590538A (en) * | 1995-11-16 | 1997-01-07 | Lockheed Missiles And Space Company, Inc. | Stacked multistage Joule-Thomson cryostat |
| US6013912A (en) * | 1996-11-19 | 2000-01-11 | Commissariat A L'energie Atomique | Multispectral semiconductor resonant-cavity detector sensitive in at least two wavelength bands |
| RU2390076C1 (ru) * | 2008-08-20 | 2010-05-20 | Александр Иванович Патрашин | Многоэлементный фотоприемник |
-
2014
- 2014-10-27 RU RU2014143299/28A patent/RU2601384C2/ru active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05343710A (ja) * | 1992-04-07 | 1993-12-24 | Fujitsu Ltd | 赤外線検知器用コールドシールドおよびその製造方法 |
| US5434413A (en) * | 1993-10-01 | 1995-07-18 | Texas Instruments Incorporated | Virtual cold shield and cold filter for infrared detector arrays |
| US5590538A (en) * | 1995-11-16 | 1997-01-07 | Lockheed Missiles And Space Company, Inc. | Stacked multistage Joule-Thomson cryostat |
| US6013912A (en) * | 1996-11-19 | 2000-01-11 | Commissariat A L'energie Atomique | Multispectral semiconductor resonant-cavity detector sensitive in at least two wavelength bands |
| RU2390076C1 (ru) * | 2008-08-20 | 2010-05-20 | Александр Иванович Патрашин | Многоэлементный фотоприемник |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2014143299A (ru) | 2016-05-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101059483B1 (ko) | 감도 조절이 가능한 적외선 센서 | |
| JP5803532B2 (ja) | 赤外線光学系、赤外線撮像装置 | |
| JP3839487B2 (ja) | デュアルバンドマルチレベルマイクロブリッジ検出器 | |
| CN102538955B (zh) | 辐射传感器 | |
| US9065992B2 (en) | Solid-state image sensor and camera including a plurality of pixels for detecting focus | |
| JP5584870B2 (ja) | 赤外線用撮像光学系 | |
| CN100568045C (zh) | 一种适合于白天工作的高分辨力成像自适应光学望远镜 | |
| CN101631202A (zh) | 一种超宽动态范围图像的采集方法 | |
| JP2013080130A5 (ru) | ||
| US11408765B2 (en) | Optical detector and system therefor | |
| JP2010537177A (ja) | センサキャップアセンブリ、センサ、回路 | |
| RU2601384C2 (ru) | Узел установки уровня и спектрального состава регистрируемого излучения в ик мфпу | |
| KR20140042633A (ko) | 적외선센서모듈 | |
| CN113990888A (zh) | 一种红外探测器、摄像模组和电子设备 | |
| WO2020079960A1 (ja) | 撮像装置及び固体撮像装置 | |
| ITBO20100361A1 (it) | Sistema opto-elettronico per misure radiometriche. | |
| US4959546A (en) | Thermo-optical far infrared system | |
| US10481007B2 (en) | System for detecting electromagnetic radiation | |
| US3612648A (en) | Optical concentrator with maximum illumination | |
| Intermite et al. | Enhancing the fill-factor of CMOS SPAD arrays using microlens integration | |
| CN107462239A (zh) | 一种恒星陀螺敏感器 | |
| KR101022273B1 (ko) | 마이크로 렌즈를 채용한 적외선 센서 어레이 | |
| RU2646405C1 (ru) | Инфракрасная зеркально-линзовая система | |
| Jiao et al. | A novel opto-mechanical uncooled infrared detector | |
| US10107940B2 (en) | Small-scale light absorbers with large absorption cross-sections |