RU2593267C2 - Способ формирования топологии ltcc плат - Google Patents

Способ формирования топологии ltcc плат Download PDF

Info

Publication number
RU2593267C2
RU2593267C2 RU2014135976/07A RU2014135976A RU2593267C2 RU 2593267 C2 RU2593267 C2 RU 2593267C2 RU 2014135976/07 A RU2014135976/07 A RU 2014135976/07A RU 2014135976 A RU2014135976 A RU 2014135976A RU 2593267 C2 RU2593267 C2 RU 2593267C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
ltcc
paste
boards
pattern
topology
Prior art date
Application number
RU2014135976/07A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2014135976A (ru
Inventor
Яков Моисеевич Перцель
Original Assignee
Открытое акционерное общество "Омский научно-исследовательский институт приборостроения" (ОАО "ОНИИП")
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Открытое акционерное общество "Омский научно-исследовательский институт приборостроения" (ОАО "ОНИИП") filed Critical Открытое акционерное общество "Омский научно-исследовательский институт приборостроения" (ОАО "ОНИИП")
Priority to RU2014135976/07A priority Critical patent/RU2593267C2/ru
Publication of RU2014135976A publication Critical patent/RU2014135976A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2593267C2 publication Critical patent/RU2593267C2/ru

Links

Images

Landscapes

  • Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)

Abstract

Изобретение относится к производству LTCC (Low Temperature Cofired Ceramics - низкотемпературная совместно обжигаемая керамика) толстопленочных многослойных коммутационных плат и может быть использовано при формировании рисунка функциональных слоев на сырой керамической подложке. Технический результат - повышение производительности и точности изготовления LTCC плат, а также сокращение технологического цикла и стоимости изготовления LTCC плат. Достигается тем, что предварительно на поверхность сырой керамической подложки наносят сплошным слоем токопроводящую или резистивную пасту и подсушивают ее, затем удаляют подсушенную пасту в пробельных местах рисунка слоя платы с помощью лазерного луча, который перемещают по поверхности керамической подложки по программе в соответствии с топологическим рисунком. При этом подбирают мощность излучения лазера таким образом, чтобы удалялась только нанесенная паста и не деформировалась подложка из сырой LTCC керамики. 2 з.п. ф-лы, 1 ил.

Description

Изобретение относится к производству LTCC (Low Temperature Cofired Ceramics - низкотемпературная совместно обжигаемая керамика) толстопленочных многослойных коммутационных плат и может быть использовано при формировании рисунка функциональных слоев на сырой керамической подложке.
Известен способ формирования топологии функциональных слоев многослойных толстопленочных плат сеткографической печатью [1], согласно которому для каждого слоя платы изготавливают трафарет для прецизионной печати с использованием сита и фотополимерной композиции, обеспечивающих высокую разрешающую способность рисунка. Печатный рисунок наносят токопроводящими, резистивными или изоляционными пастами на прецизионных сеткографических станках на керамическую или металлодиэлектрическую подложку каждого из слоев многослойной толстопленочной платы с промежуточным высокотемпературным вжиганием.
В производстве LTCC толстопленочных многослойных плат рисунок топологии формируют на сырых заготовках для каждого слоя с последующей сушкой и сборкой с другими слоями и совместным обжигом.
Недостатком способа является необходимость изготовления на каждый слой многослойной LTCC платы фотошаблона и сеткографического трафарета. Эти операции трудоемки, требуют применения химических экологически грязных процессов, спецоборудования для получения прецизионного рисунка. Кроме этого, точность способа позволяет получить рисунок с разрешением проводник/зазор более 100/100 мкм.
Известен способ изготовления LTCC плат с использованием фотопаст, которые наносят сплошным слоем на сырую керамическую заготовку платы и после подсушивания пасты производят получение топологического рисунка методом фотолитографии [2], то есть через фотошаблон облучают нанесенный слой фотопасты, а незадубленные места удаляют проявлением водой или специальными растворами.
Недостаток способа заключается в необходимости прецизионного фотошаблона на каждый слой, применения дорогих фотопаст и дорогостоящего оборудования для фотолитографии, что ведет к увеличению стоимости. Кроме этого, применение способа позволяет получить рисунок с разрешением проводник/зазор более 50/50 мкм.
Ближайшим техническим решением является способ формирования топологии интегральной микросхемы [3], заключающийся в том, что топологию ИС формируют путем воздействия на поверхность материала в активной газовой среде лазерного луча с плотностью мощности 103-104 Вт/см2, на поверхности материала формируют затравочный слой в первой активной газовой среде, состоящей из смеси фторидов платины и/или золота и инертного газа, затем заменяют в том же объеме активную среду на вторую, состоящую из смеси фторида металла с водородом, и подвергают воздействию ультрафиолетового излучения длиной волны 150-200 нм.
Недостатком способа-прототипа является использование химических процессов и наличие активных газовых сред в процессе формирования топологии и неприменимость способа к LTCC технологии.
Задача изобретения - повышение производительности и точности изготовления LTCC плат.
Поставленная задача достигается тем, что предварительно на поверхность сырой керамической подложки наносят сплошным слоем пасту и подсушивают ее, затем удаляют подсушенную пасту в пробельных местах рисунка слоя платы с помощью лазерного луча, который перемещают по поверхности керамической подложки по программе в соответствии с топологическим рисунком. Воздействие на слой подсушенной пасты осуществляют при мощности лазера 0,5-1,5 Вт, с частотой повторения импульсов 30 кГц и длиной волны излучения 355 нм. При этом подбирают мощность излучения лазера таким образом, чтобы удалялась только нанесенная паста и не деформировалась подложка из сырой LTCC керамики.
Достигаемым техническим результатом является сокращение технологического цикла и стоимости изготовления LTCC плат.
На чертеже представлено схематическое изображение топологии слоя LTCC платы, на котором 1 - керамическая подложка, 2 - паста, нанесенная на подложку, 3 - пробельные места.
Предлагаемый способ формирования топологии слоев LTCC плат осуществляют следующим образом. На сырую керамическую подложку 1 предварительно наносят сплошным слоем с помощью сеткографического трафарета и подсушивают пасту 2. Паста может быть проводящей или резистивной. Топологический рисунок платы получают путем удаления подсушенной пасты с пробельных мест 3 с помощью лазерного излучения. Лазерный луч с мощностью 0,5-1,5 Вт, частотой импульса 30 кГц и длиной волны 355 нм фокусируют на поверхности материала до размера точки диаметром 15 мкм и перемещают этот лазерный луч по программе в соответствии с топологическим рисунком, что позволяет получить рисунок с шириной проводников и зазоров менее 20/20 мкм.
Заявленный способ повышает плотность рисунка, производительность и точность изготовления LTCC плат, способствует снижению затрат на производство и уменьшает технологический цикл изготовления. Преимуществом предложенного способа является отсутствие химических процессов при формировании топологического рисунка LTCC платы, а также снижение количества расходных материалов.
Источники информации
1. Хамер Д. Технология толстопленочных гибридных интегральных схем / Д. Хамер, Дж. Биггерс; [пер. с англ.]; под ред. Т.Д. Шермергора. - М.: Мир, 1975. - 496 с.
2. Технология тонких пленок (справочник) / Под ред. Л. Майссела, Р. Глэнга. Т. 1 - М.: Сов. Радио, 1977. - 664 с.
3. П. №2099810, H01L 21/268, опубл. 20.12.1997 г.

Claims (3)

1. Способ формирования топологии LTCC плат, включающий операцию воздействия лазерным лучом, отличающийся тем, что предварительно на поверхность сырой керамической подложки наносят сплошным слоем с помощью сеткографического трафарета пасту и подсушивают ее, затем удаляют подсушенную пасту в пробельных местах рисунка слоя платы с помощью лазерного луча, перемещая лазерный луч по программе в соответствии с топологическим рисунком, при этом воздействие на слой подсушенной пасты осуществляют при мощности лазера 0,5-1,5 Вт, с частотой повторения импульсов 30 кГц и длиной волны излучения 355 нм.
2. Способ формирования топологии LTCC плат по п. 1, отличающийся тем, что пасту выбирают проводящей.
3. Способ формирования топологии LTCC плат по п. 1, отличающийся тем, что пасту выбирают резистивной.
RU2014135976/07A 2014-09-03 2014-09-03 Способ формирования топологии ltcc плат RU2593267C2 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2014135976/07A RU2593267C2 (ru) 2014-09-03 2014-09-03 Способ формирования топологии ltcc плат

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2014135976/07A RU2593267C2 (ru) 2014-09-03 2014-09-03 Способ формирования топологии ltcc плат

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2014135976A RU2014135976A (ru) 2016-04-10
RU2593267C2 true RU2593267C2 (ru) 2016-08-10

Family

ID=55647411

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2014135976/07A RU2593267C2 (ru) 2014-09-03 2014-09-03 Способ формирования топологии ltcc плат

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2593267C2 (ru)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5643472A (en) * 1988-07-08 1997-07-01 Cauldron Limited Partnership Selective removal of material by irradiation
RU2099810C1 (ru) * 1996-07-10 1997-12-20 "Технологии для Вас", акционерное общество закрытого типа Способ формирования топологии интегральной микросхемы
RU2254695C1 (ru) * 2003-09-18 2005-06-20 Марийский государственный университет Способ формирования трехмерной толстопленочной схемы
RU2402088C1 (ru) * 2009-11-12 2010-10-20 Закрытое акционерное общество "Каскад-Телеком" Способ изготовления прецизионных чип-резисторов по гибридной технологии

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5643472A (en) * 1988-07-08 1997-07-01 Cauldron Limited Partnership Selective removal of material by irradiation
RU2099810C1 (ru) * 1996-07-10 1997-12-20 "Технологии для Вас", акционерное общество закрытого типа Способ формирования топологии интегральной микросхемы
RU2254695C1 (ru) * 2003-09-18 2005-06-20 Марийский государственный университет Способ формирования трехмерной толстопленочной схемы
RU2402088C1 (ru) * 2009-11-12 2010-10-20 Закрытое акционерное общество "Каскад-Телеком" Способ изготовления прецизионных чип-резисторов по гибридной технологии

Also Published As

Publication number Publication date
RU2014135976A (ru) 2016-04-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0391314B1 (en) Method for patterning on a substrate
Pique et al. Digital microfabrication by laser decal transfer
DE3750279T2 (de) Abbildungsverfahren für den Aufbau keramischer elektronischer Schaltkreise.
CN111356664B (zh) 使用保护性材料的贯穿玻璃通孔的制造
JP2008166736A (ja) プリント基板の製造方法およびプリント基板加工機
CN103495806A (zh) 一种皮秒激光蚀刻微型电路工艺
RU2543518C1 (ru) Способ изготовления двусторонней печатной платы
CN106133891A (zh) 脉冲模式的直接写入激光金属化
JP2018528454A (ja) 金属ナノ粒子の光焼結に基づく自己整合金属パターニング
JPH0555749A (ja) 多層配線回路基板の製造方法及び誘電体ミラーマスクの製造方法
WO2013184028A1 (ru) Способ создания токопроводящих дорожек
JP2005251893A (ja) 積層セラミック電子部品、回路基板等、および当該部品、基板等の製造に供せられるセラミックグリーンシートの製造方法
DE102007034644A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Laserstrukturierung von Solarzellen
RU2593267C2 (ru) Способ формирования топологии ltcc плат
JP2006513862A (ja) レーザを用いて電気的な回路基板を加工するための装置および方法
US4711835A (en) Process for photolithographing a thick layer of paste deposited on a substrate
CN1619423B (zh) 珀耳帖模块及其制造方法
US20140356637A1 (en) Method of manufacturing a ceramic electronic component
Synkiewicz et al. High resolution patterns on LTCC substrates for microwave applications obtained by screen printing and laser ablation
KR100353311B1 (ko) 전기적으로 절연된 지지물 상에 적어도 2개의 배선레벨을 형성하는 방법
US8288682B2 (en) Forming micro-vias using a two stage laser drilling process
CN110678001A (zh) 形成cof细密电路的方法及系统、cof及其加工方法
JP2007522644A (ja) レーザーを用いた受動電子部品の端子の形成方法
RU2556697C1 (ru) Способ изготовления гибкой микропечатной платы
CN100446137C (zh) 陶瓷生片的制造方法和使用该陶瓷生片的电子部件的制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20160927