RU2587537C1 - Способ осаждения полупроводниковых наночастиц халькогенидов свинца из коллоидных растворов - Google Patents
Способ осаждения полупроводниковых наночастиц халькогенидов свинца из коллоидных растворов Download PDFInfo
- Publication number
- RU2587537C1 RU2587537C1 RU2015113414/28A RU2015113414A RU2587537C1 RU 2587537 C1 RU2587537 C1 RU 2587537C1 RU 2015113414/28 A RU2015113414/28 A RU 2015113414/28A RU 2015113414 A RU2015113414 A RU 2015113414A RU 2587537 C1 RU2587537 C1 RU 2587537C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- deposition
- substrate
- nanoparticles
- solution
- semiconductor
- Prior art date
Links
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 title claims abstract description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 24
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 13
- 230000008021 deposition Effects 0.000 title claims abstract description 12
- 150000004770 chalcogenides Chemical class 0.000 title claims abstract description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 5
- 239000007787 solid Substances 0.000 abstract description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 abstract description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 abstract 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 27
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 22
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 8
- -1 silver ions Chemical class 0.000 description 8
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 7
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 5
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 4
- FOIXSVOLVBLSDH-UHFFFAOYSA-N Silver ion Chemical compound [Ag+] FOIXSVOLVBLSDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 3
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 3
- 230000001699 photocatalysis Effects 0.000 description 3
- 239000000047 product Substances 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 description 2
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 2
- 239000012768 molten material Substances 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- CHRJZRDFSQHIFI-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis(ethenyl)benzene;styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1.C=CC1=CC=CC=C1C=C CHRJZRDFSQHIFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QUVMSYUGOKEMPX-UHFFFAOYSA-N 2-methylpropan-1-olate;titanium(4+) Chemical compound [Ti+4].CC(C)C[O-].CC(C)C[O-].CC(C)C[O-].CC(C)C[O-] QUVMSYUGOKEMPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002665 PbTe Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021626 Tin(II) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000443 aerosol Substances 0.000 description 1
- 238000001856 aerosol method Methods 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000008044 alkali metal hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 238000002144 chemical decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005234 chemical deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005345 coagulation Methods 0.000 description 1
- 230000015271 coagulation Effects 0.000 description 1
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000006056 electrooxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- HHFAWKCIHAUFRX-UHFFFAOYSA-N ethoxide Chemical compound CC[O-] HHFAWKCIHAUFRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000005661 hydrophobic surface Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- NBTOZLQBSIZIKS-UHFFFAOYSA-N methoxide Chemical compound [O-]C NBTOZLQBSIZIKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 1
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 238000005381 potential energy Methods 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGHBATFHNDZKSO-UHFFFAOYSA-N propan-2-olate Chemical compound CC(C)[O-] OGHBATFHNDZKSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GGCZERPQGJTIQP-UHFFFAOYSA-N sodium;9,10-dioxoanthracene-2-sulfonic acid Chemical compound [Na+].C1=CC=C2C(=O)C3=CC(S(=O)(=O)O)=CC=C3C(=O)C2=C1 GGCZERPQGJTIQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 235000011150 stannous chloride Nutrition 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N tellanylidenelead Chemical compound [Pb]=[Te] OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- AXZWODMDQAVCJE-UHFFFAOYSA-L tin(II) chloride (anhydrous) Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Sn+2] AXZWODMDQAVCJE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- LGQXXHMEBUOXRP-UHFFFAOYSA-N tributyl borate Chemical compound CCCCOB(OCCCC)OCCCC LGQXXHMEBUOXRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H01L21/203—
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82B—NANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS, MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES AS DISCRETE UNITS; MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF
- B82B3/00—Manufacture or treatment of nanostructures by manipulation of individual atoms or molecules, or limited collections of atoms or molecules as discrete units
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
Abstract
Изобретение относится к области технологий осаждения полупроводниковых наночастиц халькогенидов свинца на прозрачные диэлектрические поверхности и может быть использовано при получении новых устройств на основе наносистем для микро- и оптоэлектроники, солнечных батарей, светодиодных ламп и других областей полупроводниковой техники. Техническим результатом является получение наноструктурированных тонких покрытий полупроводников структур из растворов на поверхности твердых тел с контролируемой морфологией осажденного слоя. Технический результат достигается тем, что в данном способе осаждение полупроводниковых наночастиц халькогенидов свинца из коллоидного раствора осуществляется из капли раствора, которую наносят на поверхность, разогретую от 20°C до 200°C, с помощью капилляра от 0.1 до 1 мкм объемом до 200 мкл. 8 ил.
Description
Изобретение относится к области технологий осаждения металлических и полупроводниковых наночастиц халькогенидов свинца на прозрачные диэлектрические поверхности (стекло, кварц и т.д.) и может быть использовано при получении новых устройств на основе наносистем для микро- и оптоэлектроники, солнечных батарей, светодиодных ламп и других областей полупроводниковой техники.
Известен способ получения наночастиц серебра (Патент №2385293, МПК C01G 5/00, B82B 3/00). Способ реализуется посредством химического осаждения наночастиц серебра в порах и на поверхности гелевого сильнокислотного стиролдивинилбензольного сульфокатионообменника за счет последовательного введения восстановителя и ионов серебра. С использованием восстановителей в виде нейтральных молекул (например, гидразин) можно добиться объемного распределения частиц серебра по матрице. Восстановление необходимо вести в мягких условиях, чтобы быстрое накопление твердых или газообразных продуктов синтеза не привело к механической деформации матрицы. Объемное распределение металла достигается и с восстановителями катионного типа (например, хлорид олова (II)), ионы которых легко проникают в ионообменную матрицу и фиксируются возле ионогенных центров как противоионы, а также сорбируются на гидрофобных поверхностях полимера. При пропускании раствора соли серебра (раствор насыщения) ионы металла взаимодействуют с катионами восстановителя и образуются наночастицы серебра.
Недостатком является то, что необходимо, использовать ионообменную матрицу, а также последовательно вводить восстановитель и ионы серебра. Такой подход приводит усложнению цикла производства.
Известен способ получения наночастиц (Патент №2242532, МПК С23С 4/00, B01J 2/02), включающий диспергирование расплавленного материала, подачу полученных жидких капель этого материала в плазму, образованную в инертном газе при давлении 10-1-10-4 Па, охлаждение в инертном газе образовавшихся в плазме жидких наночастиц до затвердевания и нанесение полученных твердых наночастиц на носитель, при этом параметры плазмы удовлетворяют определенным соотношениям. Диспергирование расплавленного материала и подачу полученных жидких капель в плазму осуществляют лазерной абляцией мишени или приложением электрического поля к острийному катоду из проводящего материала. Радиус кривизны острия выбирается не более 10 мкм, а напряженность электрического поля на вершине острия не менее 107 В/см.
Недостатком является то, что необходимо использовать дорогостоящее, сложное оборудование. Тем самым характеризуется высокая стоимость конечной продукции.
Известен способ приготовления водных дисперсий TiO2 в форме наночастиц и дисперсии, которые могут быть получены этим способом (Патент №2431604, МПК C01G 23/053, В82В 1/00). Для получения дисперсий TiO2 алкоксид титана при нагреве вводят в реакцию с водой в присутствии минеральной кислоты и неионного поверхностно-активного вещества. Алкоксид титана выбирают из группы, состоящей из метоксида, этоксида, н-пропоксида, изопропоксида, н-бутоксида и изобутоксида титана. Минеральной кислотой является галогеновая кислота. Поверхностно-активные вещества обладают полярной функциональной группой типа простого или сложного эфира. Мольное отношение алкоксид титана/галогеновая кислота составляет от 0,005 до 15. В альтернативном варианте способа к раствору, содержащему алкоксид титана, минеральную кислоту и поверхностно-активное вещество, добавляют соль переходного металла, например Ag, или Cu, или Се, и получают дисперсии наночастиц TiO2 в воде, в которых Ti допирован указанным металлом. Полученные указанным способом дисперсии наночастиц TiO2 применяют для получения фотокаталитических покрытий на поверхности, которая требует такой обработки, а также для фотокаталитической очистки газов и жидкостей от загрязнителей. Способ позволяет получить дисперсии наночастиц TiO2, которые не обнаруживают слипания, коагуляции и осаждения твердого материала даже после продолжительного хранения дисперсионного продукта, а также являются однородными, проявляют фотокаталитическую активность и являются прозрачными
Недостатком является то, что необходимо использовать галогенные кислоты, требующие дальнейшей утилизации и переработки.
Известен способ формирования многослойных нанокристаллических пленок с гетерогенной границей раздела и устройство для формирования многослойных нанокристаллических пленок с гетерогенной границей раздела (Патент №2436876, МПК С30В 25/22, В82В 3/00). Способ заключается в приготовлении раствора смеси солей металлов, аэрозольном нанесении упомянутого раствора на поверхность подложки в потоке газа-носителя, удаления растворителя из раствора смеси солей металлов и формировании на поверхности подложки многослойных нанокристаллических пленок металлов в результате термического разложения солей металлов, при этом поверхность подложки предварительно нагревают, из раствора смеси солей металлов формируют аэрозольный туман, который переносят и осаждают на поверхность подложки потоком кислородсодержащего газа-носителя, давление газа-носителя поддерживают выше атмосферного, формируют гетерогенную границу раздела путем нанесения на сформированный нанокристаллический слой нанокристаллического слоя другого химического состава, отличающегося от предыдущего.
Недостатком является то, что необходимо приготовить раствор, нанести его на поверхность подложки аэрозольным методом. И используя специальное оборудование для нагрева подложки, которое находится в камере высокого давления, испарить раствор на поверхность подложки, где формируется нанокристаллическая пленка. Цикл является трудоемким и дорогостоящим.
Известен способ получения композиционного NiO/C материала (Патент №2449426, МПК Н01М 4/5, C01G 53/04, B05D 5/12, В82В 3/00). Способ получения композиционного NiO/C материала, содержащего 15-60% NiO и представляющего собой равномерно распределенные по поверхности углеродного носителя кристаллиты β-NiO со средним размером 2-5 нм, основан на получении наночастиц NiO в результате электрохимического окисления и разрушения двух никелевых электродов в растворах гидроксидов щелочных металлов концентрацией 2 моль/л под действием переменного тока частотой 50 Гц при средней величине тока, отнесенной к единице площади поверхности электродов, равной 0,3-1,5 А/см2, с одновременным осаждением образующихся наночастиц оксида никеля на углеродный носитель, последующем фильтровании полученной суспензии, промывке композита дистиллированной водой с его сушкой при 80°C в течение 1 часа.
Недостатком является то, что наночастицы NiO получают в растворах щелочных металлом. Полученный раствор необходимо промывать в дистиллированной воде и высушивать в течение 1 часа при температуре 80°C.
В качестве прототипа выбран способ нанесения покрытия ультратонким слоем на металлические изделия (Патент №2353702, МПК С23С 2/26, С23С 24/08, В82В 1/00). Способ включает осаждение ультратонкого слоя наночастиц оксида из раствора, содержащего наночастицы оксидов, в условиях регулируемого рН при температуре субстрата выше 120°C и суммарной продолжительности менее 5 секунд, предпочтительно менее 1 секунды, при этом в раствор вводят, по меньшей мере, одну химическую добавку, обладающую эффектом ограничения толщины наносимого слоя наночастиц оксида. Установка для нанесения покрытия содержит устройство для получения второго покрывающего слоя на первом покрывающем слое, полученном путем горячего погружения или путем распыления форсунками посредством применения указанного способа. Установка расположена после элементов, обеспечивающих операции формования и отвердевания первого покрывающего слоя, где указанный второй покрывающий слой наносят при температуре, по меньшей мере, на 100°C ниже температуры отвердевания первого покрывающего слоя. Способ позволяет наносить ультратонкий слой наночастиц оксида при более широком диапазоне температур полосы на входе в ванну и воспроизвести толщины покрытия при различной массе слоя.
Недостатками данного изобретения является то, что нанесение последующих слоев оксидов металлов происходит не напылением, а погружением подложки в горячий субстрат. Такой подход приводит к усложнению цикла производства ультратонких покрытий. Необходимо вводить в раствор, по меньшей мере, одну химическую добавку для ограничения толщины. Контролировать чистоту, однокомпонентность осажденного слоя практически невозможно.
Техническим результатом является получение наноструктурированных тонких полупроводниковых структур (покрытий) из растворов на поверхности твердых тел с контролируемой морфологией осажденного слоя.
Технический результат достигается тем, что в данном способе осаждение полупроводниковых наночастиц халькогенидов свинца из коллоидного раствора осуществляется из капли раствора, которую наносят на поверхность, разогретую от 20°C до 200°C, с помощью капилляра от 0.1 до 1 мкм объемом до 200 мкл.
Для получения коллоидного раствора используют метод лазерной абляции вещества (например, полупроводник PbTe) в жидкости (спирты, дистиллированная вода и т.д.) согласно полученному патенту РФ №2517781. Для получения однородной консистенции используют ультразвуковое воздействие и встряхиватель (например, Ротамикс). Возможно изготовление многокомпонентных коллоидных растворов. Полученный раствор наносят на подложку, разогретую от 20°C до 200°C в зависимости от состава коллоида, капилляром различного объема и диаметра. В результате с поверхности подложки происходит испарение жидкой фазы (спирты, дистиллированная вода и т.д.) с образованием наноструктурированного слоя из полупроводниковых наночастиц, которые образуют агрегаты различного профиля в зависимости от температуры подложки: 20°C (фиг. 4), 40°C (фиг. 5), 80°C (фиг. 6), 100°C (фиг. 7), 130°C (фиг. 8). Для получения наноструктурированного осажденного слоя в виде кольца коллоидный раствор наносится из капилляра 100 мкм на диэлектрическую подложку, разогретую до температуры 20°C. В процессе испарения жидкой фазы на поверхности диэлектрической подложке формируется осажденный слой в виде кольца (фиг. 2).
Изобретение поясняется представленными фигурами: фиг. 1 - принципиальная схема осаждения наночастиц из коллоидного раствора: d - диаметр капилляра, h - высота капилляра над подложкой, g - ускорение свободного падения; фиг. 2 - сформированный слой на поверхности подложки, разогретой до 20°C; фиг. 3 - сформированный слой на поверхности подложки, разогретой до 100°C; фиг. 4 - структура осажденного наноструктурированного слоя на поверхности подложки, разогретой до 20°C; фиг. 5 - структура осажденного наноструктурированного слоя на поверхности подложки, разогретой до 40°C; фиг. 6 - структура осажденного наноструктурированного слоя на поверхности подложки, разогретой до 80°C; фиг. 7 - структура осажденного наноструктурированного слоя на поверхности подложки, разогретой до 100°C; фиг. 8 - структура осажденного наноструктурированного слоя на поверхности подложки, разогретой до 130°C;
Заявляемый способ основан на проведенных исследованиях физико-химических процессов осаждения наночастиц из коллоидных растворов на подложки с различной температурой. В настоящем способе изготовление коллоидного раствора происходит методом лазерной абляции в жидкости согласно патенту РФ №2517781.
Особенность способа заключается в том, что осаждать можно полупроводниковые наночастицы халькогенидов свинца, которые способны разрушаться при интенсивном внешнем воздействии (например, лазерным излучением). Энергию, необходимую для активации процесса осаждения наночастиц, можно контролировать потенциальной энергией капли раствора в капилляре, изменяя расстояние от капилляра до поверхности подложки. Такой подход позволяет отказаться от применения химических реакций разложения, а также специального оборудования для промывки полученных наночастиц. К тому же, варьируя температурой подложки, на которую происходит осаждение, можно получать контролируемый профиль наноструктурированного слоя. Такое решение приводит к формированию наноструктурированного слоя различной модификации на поверхности подложки, не требуется специального оборудования.
Claims (1)
- Способ осаждения полупроводниковых наночастиц халькогенидов свинца из коллоидных растворов, отличающийся тем, что осаждение наночастиц осуществляется из капли раствора, которую наносят на поверхность, разогретую от 20°C до 200°C, с помощью капилляра от 0.1 до 1 мкм объемом до 200 мкл.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2015113414/28A RU2587537C1 (ru) | 2015-04-10 | 2015-04-10 | Способ осаждения полупроводниковых наночастиц халькогенидов свинца из коллоидных растворов |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2015113414/28A RU2587537C1 (ru) | 2015-04-10 | 2015-04-10 | Способ осаждения полупроводниковых наночастиц халькогенидов свинца из коллоидных растворов |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2587537C1 true RU2587537C1 (ru) | 2016-06-20 |
Family
ID=56132226
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2015113414/28A RU2587537C1 (ru) | 2015-04-10 | 2015-04-10 | Способ осаждения полупроводниковых наночастиц халькогенидов свинца из коллоидных растворов |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2587537C1 (ru) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7118627B2 (en) * | 2003-12-04 | 2006-10-10 | Hines Margaret A | Synthesis of colloidal PbS nanocrystals with size tunable NIR emission |
| RU2353702C2 (ru) * | 2003-12-17 | 2009-04-27 | Сентр Де Решерш Металлюржик Асбл-Сентрум Воор Ресёч Ин Де Металлюржи Взв | Способ нанесения покрытия ультратонким слоем на металлические изделия |
| RU2417863C1 (ru) * | 2010-02-24 | 2011-05-10 | Учреждение Российской академии наук Иркутский институт химии им. А.Е. Фаворского Сибирского отделения РАН | Способ получения наночастиц халькогенидов металлов |
| RU2433948C1 (ru) * | 2010-07-28 | 2011-11-20 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Владимирский государственный университет" | Способ лазерного осаждения наночастиц из растворов |
| RU2517781C2 (ru) * | 2012-06-13 | 2014-05-27 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Владимирский государственный университет имени Александра Григорьевича и Николая Григорьевича Столетовых" (ВлГУ) | Способ получения полупроводниковых наночастиц |
-
2015
- 2015-04-10 RU RU2015113414/28A patent/RU2587537C1/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7118627B2 (en) * | 2003-12-04 | 2006-10-10 | Hines Margaret A | Synthesis of colloidal PbS nanocrystals with size tunable NIR emission |
| RU2353702C2 (ru) * | 2003-12-17 | 2009-04-27 | Сентр Де Решерш Металлюржик Асбл-Сентрум Воор Ресёч Ин Де Металлюржи Взв | Способ нанесения покрытия ультратонким слоем на металлические изделия |
| RU2417863C1 (ru) * | 2010-02-24 | 2011-05-10 | Учреждение Российской академии наук Иркутский институт химии им. А.Е. Фаворского Сибирского отделения РАН | Способ получения наночастиц халькогенидов металлов |
| RU2433948C1 (ru) * | 2010-07-28 | 2011-11-20 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Владимирский государственный университет" | Способ лазерного осаждения наночастиц из растворов |
| RU2517781C2 (ru) * | 2012-06-13 | 2014-05-27 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Владимирский государственный университет имени Александра Григорьевича и Николая Григорьевича Столетовых" (ВлГУ) | Способ получения полупроводниковых наночастиц |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Zhu et al. | Superlyophilic interfaces and their applications | |
| US6344277B1 (en) | Coating method of amorphous type titanium peroxide | |
| Lopez et al. | Preparation of large scale photocatalytic TiO2 films by the sol–gel process | |
| Wang et al. | Multifunctional roles of TiO2 nanoparticles for architecture of complex core− shells and hollow spheres of SiO2− TiO2− polyaniline system | |
| WO2015033989A1 (ja) | 電解用電極の製造方法 | |
| US11724940B2 (en) | Method for forming graphene film through horizontally tiling and self-assembling graphene | |
| Ma et al. | Layer-by-layer self-assembly under high gravity field | |
| JP2007077435A (ja) | 成膜装置 | |
| JPH07507000A (ja) | 微細な固体粒子で表面をコーティングする方法 | |
| KR100856873B1 (ko) | 무전해도금용 촉매활성 방법 | |
| Fu et al. | Simple reactor for ultrasonic spray synthesis of nanostructured materials | |
| KR101782927B1 (ko) | 전기전도성 메조구조 코팅의 저온 제조 방법 | |
| RU2587537C1 (ru) | Способ осаждения полупроводниковых наночастиц халькогенидов свинца из коллоидных растворов | |
| US20100193363A1 (en) | Electrochemical methods of making nanostructures | |
| JP2012007238A (ja) | 塩素の電解合成用電極 | |
| Kim et al. | Tuning Hydrophobicity with Honeycomb Surface Structure and Hydrophilicity with CF 4 Plasma Etching for Aerosol‐Deposited Titania Films | |
| JP6660691B2 (ja) | 光触媒複合粒子およびその製造方法 | |
| CN108453021A (zh) | 一种金属制品的搪瓷工艺方法 | |
| US11000842B2 (en) | Method for applying photocatalytic coatings without using binders, and use of a coating | |
| CN105148745B (zh) | 一种通过3D打印生产TiO2多功能膜的制备方法 | |
| WO2017176163A1 (ru) | Модифицированная анионообменная мембрана и способ ее изготовления | |
| TWI496615B (zh) | 一種製備銀顆粒的方法及核殼結構銀顆粒 | |
| JP6605304B2 (ja) | 微小酸化マグネシウム中空粒子の製造法 | |
| Kwon et al. | Uniform anti-reflective films fabricated by layer-by-layer ultrasonic spray method | |
| Mushtaq et al. | Review on the synthesis methods of nano-tungsten oxide dihydrate colloid |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20170411 |