RU2574809C2 - Псевдоморфный переключатель свч - Google Patents
Псевдоморфный переключатель свч Download PDFInfo
- Publication number
- RU2574809C2 RU2574809C2 RU2014123221/08A RU2014123221A RU2574809C2 RU 2574809 C2 RU2574809 C2 RU 2574809C2 RU 2014123221/08 A RU2014123221/08 A RU 2014123221/08A RU 2014123221 A RU2014123221 A RU 2014123221A RU 2574809 C2 RU2574809 C2 RU 2574809C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- layer
- gan
- channel
- buffer layer
- dielectric layer
- Prior art date
Links
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims abstract description 44
- CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N Hafnium(IV) oxide Chemical compound O=[Hf]=O CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 26
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 19
- 238000009499 grossing Methods 0.000 claims abstract description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 8
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 230000005533 two-dimensional electron gas Effects 0.000 claims abstract description 7
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims abstract description 6
- GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N oxozirconium Chemical compound [Zr]=O GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910021193 La 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract description 6
- 230000004059 degradation Effects 0.000 abstract description 4
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 abstract description 4
- 240000002329 Inga feuillei Species 0.000 abstract description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 abstract 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 80
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 4
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 2
- 230000000875 corresponding Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 229950008597 drug INN Drugs 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 2
- 210000004544 DC2 Anatomy 0.000 description 1
- 229910004140 HfO Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N al2o3 Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000001808 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing Effects 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 150000002259 gallium compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000002530 ischemic preconditioning Effects 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 238000010301 surface-oxidation reaction Methods 0.000 description 1
Images
Abstract
Изобретение относится к области полупроводниковых изделий, Технический результат - повышение надежности устройства путем снижения влияния DX центров, повышения плотности электронов и устранения деградации в гетероструктуре. Для этого переключатель СВЧ содержит подложку из сапфира, на которой последовательно размещены буферный слой AlN, буферный слой из GaN, буферный слой из нелегированного GaN i-типа проводимости, двумерный электронный газ высокой плотности, который служит нижней обкладкой конденсатора, сглаживающий слой из нитрида галлия, поверх которого нанесен слой диэлектрика из двуокиси гафния, металлические электроды полосковой формы, которые образуют верхнюю обкладку конденсатора, и два конденсатора, образующих двойные ВЧ-ключи. На буферном слое из нелегированного GaN i-типа проводимости последовательно размещены сверхрешетка из AlXGa1-XN/GaN, буферный слой из GaN, сильнолегированный слой n-типа проводимости из AlXGa1-XN, спейсер из AlXGa1-XN, сглаживающий слой, канал из InXGa1-XN, сглаживающий дополнительный слой из GaN, слой диэлектрика из двуокиси гафния и дополнительный слой диэлектрика. При этом переключатель выполнен с минимальным количеством глубоких электронных ловушек DX, а канал выполнен упругонапряженным псевдоморфным с концентрацией InGa 15-25%, а двумерный электронный газ образован между каналом и слоем из AlXGa1-XN. 3 з.п. ф-лы. 1 табл., 2 ил.
Description
Изобретение относится к области полупроводниковых изделий и может быть использовано при создании нового поколения СВЧ элементной базы и интегральных схем на основе гетероструктур широкозонных полупроводников.
Известен неуправляемый (пассивный) переключатель мощности [ГАСАНОВ Л.Г. и др. "Твердотельные устройства СВЧ в технике связи", Москва «Радио и связь» 1988. с. 143], состоящий из отрезка линии передачи, параллельно которому включены pin диоды и диод Шоттки, соединенные встречно-параллельно. Диод Шоттки благодаря малой инерционности и меньшей контактной разности потенциалов открывается раньше при малых уровнях входной мощности и своим током открывает pin диоды, повышая быстродействие ограничителя.
При больших уровнях мощности открытые pin диоды отражают основную часть входной мощности и частично ее рассеивают, а поскольку pin диоды располагаются перед диодом Шоттки, то мощность дошедшая до диода Шоттки, оказывается значительно ослабленной и безопасной для него. Уровень ограничения проходящей мощности в таком ограничителе соответствует падению прямого напряжения на диоде Шоттки.
Недостатком этого ограничителя является низкая надежность, обусловленная потерей СВЧ сигнала.
Наиболее близким аналогом является мощный переключатель СВЧ (см. Патент РФ №140856, кл. МПК H01P 1/15, опубл. 20.05.2014) на основе соединения галлия, содержащий подложку, поверх которой размещена эпитаксиальная гетероструктура и барьер Шоттки. Переключатель СВЧ изготовлен на нитриде галлия, где в качестве подложки использован сапфир, затем последовательно размещены: буферный слой AlN, буферный слой из GaN, второй буферный слой из нелегированного нитрида галлия (i-тип), твердый раствор AlXGa1-XN, и в интерфейсе GaN/AlXGa1-XN гетероструктуры образован двумерный электронный газ высокой плотности, который служит нижней обкладкой конденсатора. Поверх твердого раствора AlXGa1-XN размещен химически устойчивый сглаживающий слой из нитрида галлия, поверх которого нанесен диэлектрик, содержащий слой из двуокиси гафния, поверх диэлектрика размещены металлические электроды полосковой формы, которые образуют верхнюю обкладку конденсатора.
Недостатком этого устройства является низкая надежность, обусловленная быстрым выходом из строя в связи с влиянием DX центров на приборные характеристики, что вносит вклад в коэффициент шума и приводит к коллапсу тока.
Задачей настоящего изобретения является устранение вышеуказанных недостатков.
Технический результат изобретения заключается в повышении надежности устройства с обеспечением снижения влияния DX центров, с повышением плотности электронов и с устранением деградации в гетероструктуре.
Технический результат обеспечивается тем, что переключатель СВЧ содержит подложку из сапфира, на которой последовательно размещены: буферный слой AlN, буферный слой из GaN, буферный слой из нелегировангюго GaN i-типа проводимости. Кроме того, переключатель СВЧ содержит двумерный электронный газ высокой плотности, который служит нижней обкладкой конденсатора, сглаживающий слой из нитрида галлия, поверх которого нанесен слой диэлектрика из двуокиси гафния, металлические электроды полосковой формы, которые образуют верхнюю обкладку конденсатора, и два конденсатора, образующих двойные ВЧ-ключи. На буферном слое из нелегированного GaN i-типа проводимости последовательно размещены сверхрешетка из AlXGa1-XN/GaN, буферный слой из GaN, сильнолегированный слой n-типа проводимости из AlXGa1-XN, спейсер из AlXGa1-XN, сглаживающий слой, канал из InXGa1-XN, сглаживающий дополнительный слой из GaN, слой диэлектрика из двуокиси гафния и дополнительный слой диэлектрика. При этом переключатель выполнен с минимальным количеством глубоких электронных ловушек DX, а канал выполнен упругонапряженным псевдоморфным с концентрацией InGa 15-25%, а двумерный электронный газ образован между каналом и слоем из AlXGa1-XN.
В соответствии с частными случаями выполнения устройство имеет следующие конструктивные особенности.
Канал выполнен из In0.17Ga0,83N с шириной запрещенной зоны 5,35 эВ. Канал выполнен с критической толщиной 7-16 нм.
Дополнительный слой из диэлектрика выполнен из Al2O3, или ZrO2, или La2O3, или Y2O3.
Сущность настоящего изобретения поясняется следующими иллюстрациями:
фиг. 1 - отображено устройство в разрезе;
фиг. 2 - отображена схема настоящего устройства.
На фиг. 1 отображены следующие конструктивные элементы:
1 - подложка из сапфира;
2 - буферный слой из AlN;
3 - буферный слой из GaN;
4 - буферный слой из GaN i-типа проводимости;
5 - сверхрешетка из AlXGa1-XN/GaN;
6 - буферный слой из GaN;
7 - сильнолегированный слой n-типа AlXGa1-XN;
8 - спейсер AlXGa1-XN;
9 - сглаживающий слой из GaN;
10 - канал InXGa1-XN;
11 - сглаживающий дополнительный слой из GaN;
12 - слой диэлектрика из двуокиси гафния;
13 - дополнительный слой диэлектрика из двуокиси металла;
14 - металлические электроды полосковой формы, которые образуют верхнюю обкладку конденсатора;
Настоящее устройство производился следующим образом.
На поверхности подложки из сапфира последовательно размещены: буферный слой из AlN 2, толщиной 0,1 мкм, затем буферный слое из GaN 3 и многослойная гетероэпитаксиальная структура из нелегированного буферного слоя 3 GaN толщиной 200 нм, нелегированный буферный слой 4 (i-типа) GaN толщиной 200 нм, нелегированная сверхрешетка, состава AlXGa1-XN/GaN 5, нелегированный буферный слой, толщиной 100 нм 6, сильнолегированный слой твердого раствора AlXGa1-XN, толщиной 4,5 нм 7, в виде нелегированного слоя AlXGa1-XN (спейсер) 8, толщиной 2 нм, сглаживающий слой GaN 9, толщиной 3 нм, нелегированный слой из твердого раствора InXGa1-XN (канал) 10, толщиной 12 нм, сглаживающий дополнительный слой из GaN 11, слой диэлектрика из двуокиси гафния 12 и дополнительный слой диэлектрика из двуокиси металла 13, например из оксида алюминия, который применяется при необходимости повышения электрической прочности слоя диэлектрика. В качестве второго слоя диэлектрика могут быть использованы также ZrO2, или La2O3, или Y2O3. Затем поверх слоев из диэлектрика размещают металлические электроды полосковой формы 14, которые образуют верхнюю обкладку конденсатора. Конструкция переключателя состоит из двух отдельных конденсаторов (ДГМОП), соединенных по принципу «спина к спине», при этом, между буферным слоем из ΑlΝ 2 и буферным слоем GaN 3 располагается переходная область, которая служит для уменьшения рассогласования параметров решетки, буферных слоев и растущих на них многослойных эпитаксиальных слоев. Слой из InXGa1-XN 10 предназначен для образования в его приповерхностном слое проводящего канала (двумерного электронного газа (ДЭГ) с высокой подвижностью носителей заряда), возникающего за счет разрыва зон и поляризационных эффектов при образовании гетероперехода InXGa1-XN AlXGa1-XN. Основным требованием к этому слою является структурное совершенство, достаточное для обеспечения высокой подвижности электронов и высокого сопротивления. Поэтому канальный слой не легируется.
Рассогласование параметров решеток в случае роста слоев InXGa1-XN на AlGaN может достигать более 7,5%. В случае относительно малых значений содержания In в слое InGaN или малых толщин InGaN рассогласование параметров решетки может быть аккомодировано упруго. В этом случае постоянная решетки слоя InGaN принимает значение, отвечающее подложке AlGaN. Такое псевдоморфное строение гетероструктуры InGaN/(Al)GaN принципиально отличается от традиционных гетероструктур AlGaN/GaN, где с помощью буферных слоев согласовывают постоянные решеток, а псевдоморфный канал гетероструктуры InGaN/AlGaN является упругонапряженным.
К недостаткам традиционной гетероструктуры системы AlGaN/GaN следует в первую очередь отнести влияние DX центров в слое AlGaN:Si на приборные характеристики. Перезарядка центров на высоких частотах вносит вклад в коэффициент шума, а захват электронов канала на центры при сильных полях приводит к коллапсу тока - сдвигу напряжения открытия устройства в сторону больших значений VG. Коллапс наиболее сильно сказывается при низких температурах, не позволяя в полной мере использовать улучшение транспортных свойств двумерных электронов при снижении температуры. Снизить влияние DX центров можно, используя слои AlGaN с меньшим составом по Al, что невыгодно вследствие уменьшения разрыва зон на гетерогранице и, как следствие, снижения плотности электронов в канале. Расчеты показывают, что с учетом влияния DX-центров, характера зависимости ΔEC от мольной доли AlN, заглубления донорного уровня, и ограничения на степень легирования слоя AlGaN, плотность электронов в канале МЛГС AlGaN/GaN не может превышать ~1.2-1.3×10-12 см-2. Одним из способов уменьшения «коллапса тока», возникающего из-за захвата электронов на ловушки в приповерхностном буферном слое, достигается за счет его пассивации, что, однако, не спасает от захвата электронов на ловушки в буферном слое из GaN. Проблема усугубляется тем, что при его легировании компенсирующие примеси создают дополнительные ловушки.
Снижение влияния DX центров, повышение плотности электронов, устранение деградации в гетероструктуре мощного переключателя, а также подавление токового коллапса достигается за счет увеличения разрыва зоны проводимости на гетерогранице (ΔEC) в области канала, используя в составе канала твердого раствора полупроводника с большей шириной запрещенной зоны, например In0,17Ga0,83N с шириной запрещенной зоны 5,35 эВ, либо в результате увеличения концентрации InN в твердом растворе InGaN от 15 до 25%, при критической толщине соответственно 7-16 нм.
Настоящий переключатель выполнен с возможностью работы в диапазоне частот вплоть до 30 ГГц. Конструкция гетероструктуры приведена на фигуре 1, а в таблице 1 представлены основные электрофизические параметры гетероструктуры.
Таблица 1 | ||
Температура в канале гетероструктуры, °K | Слоевая концентрация носителей заряда в канале гетероструктур, см-2 | Подвижность носителей заряда в канале, см2/(В×с) |
AlGaN, 300 | 1.2·1012-1.3·1012 | 1500-2000 |
InGaN, 300 | 3.5·1012-8.5·1012 | 2000-2200 |
Одним из важнейших параметров является концентрация электронов в канале. Эта величина достаточно большая (ns>3.5·1012 см-2-≤8,5·1012 см-2), но в то же время она ограничена сверху. Примером оптимизации гетероструктуры может служить структура, опробованная в работе по проверке основных параметров гетероструктур, демонстрирующая при концентрации носителей в канале 8.9·1012 см-2 подвижность от 1500 до 2000 см2/В·с при комнатной температуре.
Для данного содержания In в слое InGaN (данной величины рассогласования), существует некоторая толщина слоя, который может быть выращен в псевдоморфном режиме. Дальнейшее увеличение толщины слоя приводит к формированию дислокаций несоответствия, снимающих механическое напряжение. Подвижность в рассогласованных структурах снижается в результате образования дислокаций превышения критической толщины слоя.
Критическая толщина зависит от упругих свойств материалов, образующих гетеропереход, и уменьшается с увеличением содержания In в слое InGaN и для концентрации около 20% составляет примерно 15 нм.
Ограничения, накладываемые критической толщиной, приводят к тому, что при содержании In свыше 30% слой, который может быть выращен бездислокационно, оказывается слишком тонким и неприемлем для использования в приборе. Таким образом, увеличение энергии размерного квантования в яме GaN/InXGa1-XN/AlGaN компенсирует увеличение ΔEC с ростом x. В рамках данного предложения при использовании в качестве канала псевдоморфных переключателей использованы слои с содержанием In около 15-25% (толщина слоев около 6-17 нм).
При использовании напряженных квантовых ям шириной ~10·15 нм с составом до 25% изготовленные гетероструктуры по своим характеристикам превосходят традиционные гетероструктуры с GaN каналом.
Преимущество конструкции настоящего изобретения заключается в следующем:
- использование дополнительного буферного слоя в виде короткопериодной сверхрешетки AlGaN/GaN позволяет существенно снизить плотность ростовых дефектов и улучшить электрическую изоляцию между каналом гетероструктуры и подложкой;
- относительно малая суммарная толщина буферных слоев GaN, позволяющая улучшить ограничение носителей в канале;
- наличие дополнительного тонкого слоя нелегированного GaN между псевдоморфным InGaN каналом и AlGaN спейсером, улучшающего структурное качество границы раздела (сглаживающий слой);
- наличие дополнительного слоя n-типа из GaN под слоем диэлектрика из двуокиси гафния обеспечивает высокое качество границы диэлектрика с гетероструктурой на химически более стабильном по сравнению с AlGaN материале, кроме того, обеспечивает уменьшение шероховатости поверхности, что уменьшает окисление поверхности и повышает надежность переключателя, препятствуя «коллапсу тока»;
- увеличение значений плотности и подвижности электронов в канале, изготовленного на основе InGaN, достигается оптимальным выбором независимых параметров структуры: концентрации легирующей примеси в сильнолегированном материале - 2,5÷3×1019 см-3, толщина нелегированного спейсера -2 -3 нм и концентрация InN в твердом растворе от 15 до 25%.
Двуокись гафния перспективный диэлектрический материал и для ДГМОП переключателей в качестве пассивирующего слоя и подзатворного диэлектрика. Этот материал обладает высокой диэлектрической проницаемостью K=20-25 и шириной запрещенной зоны Eg=5,8 эВ. а также термодинамически стабилен в диапазоне рабочих температур рассматриваемых устройств. Кроме того, двуокись гафния, как диэлектрический материал для устройств с емкостно соединенными контактами, с изолированным затвором имеет высокую диэлектрическую проницаемость и пригоден для более низких пороговых напряжений и более сильной емкостной связи. Двуокись гафния была использована в качестве диэлектрика в МОП структуре. Этот материал с нанесенным поверх слоем диэлектрика позволили минимизировать утечки тока затвора (на 3-5 порядка), улучшили пассивацию буферного приповерхностного слоя, увеличили значение напряжения пробоя.
Между слоем твердого раствора InXGa1-XN (канал) и диэлектрическим слоем HfO2 размещен дополнительный слой из химически более стабильного, по сравнению с InGaN материалом, слой нитрида галлия (сглаживающий слой).
В настоящем изобретении использована конструкция переключателя, который позволяет использовать емкостно соединенные контакты. Два соединенных "спина к спине" конденсатора образуют двойные ВЧ-ключи. тем самым устраняя потребность в омических контактах, где процесс металлизации обходится без отжигов контактов. Состав конструкции с емкостно двойными контактами входит МОП транзистор с гетероструктурой AlGaN/InGaN в качестве полупроводника. Приведенная конструкция переключателя сочетает преимущества структуры МОП (очень низкий ток утечки затвора) и AlGaN-InGaN гетероперехода (канал ДЭГ высокой плотности с высокой подвижностью). Это приводит к очень низкому поверхностному сопротивлению канала и рекордно высоким токам насыщения, свыше 1 А/мм, а мощность переключения превышает 60 Вт/мм. Низкое сопротивление в открытом состоянии возникает в результате чрезвычайно высокой плотности носителей в канале - сверх 8,0×1012 см-2, высокой подвижности электронов до или даже выше чем 2200 см2/В·с, высоких полей пробоя и широкого диапазона рабочих температур в пределах от криогенного до 300°C или даже выше. Конструкция переключателя обеспечивает повышенную радиационную стойкость и пониженную деградацию. Предлагаемое устройство может быть использовано для мощных переключателей, ограничителей мощности, фазовращателей и других мощных ВЧ-устройств.
Схема устройства приведена на фиг. 2. Первый электрод (E1), сформированный на полупроводниковом канале и полупроводниковый канал образуют первый управляемый напряжением конденсатор; второй электрод (E2), сформированный на полупроводниковом канале и полупроводниковый канал образуют второй управляемый напряжением конденсатор Входной импульс может быть подан между землей E0 и электродом E1 в то время как второй импульс подается между землей E0 и электродом E2.
Устройство подключено в другую схему, если амплитуда входного сигнала (A) не превышает напряжение, необходимое для обеднения одного из конденсаторов (C1) или (C2), импеданс устройства будет очень низким и устройство не будет ограничивать мощность СВЧ. Однако, если амплитуда входного сигнала (В) превышает напряжение, конденсаторы (C1) и (C2) выключаются в течение соответствующего положительного и отрицательного полупериодов.
Claims (4)
1. Переключатель СВЧ, содержащий подложку из сапфира, на которой последовательно размещены буферный слой AlN, буферный слой из GaN, буферный слой из нелегированного GaN i-типа проводимости, кроме того, переключатель СВЧ содержит двумерный электронный газ высокой плотности, который служит нижней обкладкой конденсатора, сглаживающий слой из нитрида галлия, поверх которого нанесен слой диэлектрика из двуокиси гафния, металлические электроды полосковой формы, которые образуют верхнюю обкладку конденсатора, и два конденсатора, образующих двойные ВЧ-ключи, отличающийся тем, что на буферном слое из нелегированного GaN i-типа проводимости последовательно размещены сверхрешетка из AlXGa1-XN/GaN, буферный слой из GaN, сильнолегированный слой n-типа проводимости из AlXGa1-XN, спейсер из AlXGa1-XN, сглаживающий слой, канал из InXGa1-XN, сглаживающий дополнительный слой из GaN, слой диэлектрика из двуокиси гафния и дополнительный слой диэлектрика, при этом переключатель выполнен с минимальным количеством глубоких электронных ловушек DX, а канал выполнен упругонапряженным псевдоморфным с концентрацией InGa 15-25%, а двумерный электронный газ образован между каналом и слоем из AlXGa1-XN.
2. Переключатель по п. 1, отличающийся тем, что канал выполнен из In0,17Ga0,83N с шириной запрещенной зоны 5,35 эВ.
3. Переключатель по п. 1, отличающийся тем, что канал выполнен с критической толщиной 7-16 нм.
4. Переключатель по п. 1, отличающийся тем, что дополнительный слой из диэлектрика выполнен из Al2O3, или ZrO2, или La2O3, или Y2O3.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2014123221/08A RU2574809C2 (ru) | 2014-06-09 | Псевдоморфный переключатель свч |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2014123221/08A RU2574809C2 (ru) | 2014-06-09 | Псевдоморфный переключатель свч |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2014123221A RU2014123221A (ru) | 2015-12-20 |
RU2574809C2 true RU2574809C2 (ru) | 2016-02-10 |
Family
ID=
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4818964A (en) * | 1986-04-28 | 1989-04-04 | Hughes Aircraft Company | Switchable multi-power-level short slot waveguide hybrid coupler |
EP1445819A1 (en) * | 2003-02-06 | 2004-08-11 | Com Dev Ltd. | Bi-planar microwave switches and switch matrices |
RU2313866C1 (ru) * | 2006-04-27 | 2007-12-27 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток") | Переключатель свч |
RU140856U1 (ru) * | 2014-01-28 | 2014-05-20 | Открытое акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар" | Мощный переключатель свч |
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4818964A (en) * | 1986-04-28 | 1989-04-04 | Hughes Aircraft Company | Switchable multi-power-level short slot waveguide hybrid coupler |
EP1445819A1 (en) * | 2003-02-06 | 2004-08-11 | Com Dev Ltd. | Bi-planar microwave switches and switch matrices |
RU2313866C1 (ru) * | 2006-04-27 | 2007-12-27 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток") | Переключатель свч |
RU140856U1 (ru) * | 2014-01-28 | 2014-05-20 | Открытое акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар" | Мощный переключатель свч |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9490324B2 (en) | N-polar III-nitride transistors | |
US7170111B2 (en) | Nitride heterojunction transistors having charge-transfer induced energy barriers and methods of fabricating the same | |
EP1751803B1 (en) | Wide bandgap hemts with source connected field plates | |
EP1866968B1 (en) | Wide bandgap transistors with gate-source field plates | |
JP5587564B2 (ja) | 電界効果トランジスタおよび電界効果トランジスタの製造方法 | |
KR102174546B1 (ko) | 반도체 디바이스 및 반도체 디바이스를 설계하는 방법 | |
WO2010064362A1 (ja) | 電界効果トランジスタ | |
WO2014026018A1 (en) | Iii-nitride enhancement mode transistors with tunable and high gate-source voltage rating | |
US20080203446A1 (en) | Composite contact for semiconductor device | |
CN104704637A (zh) | 具有分级势垒层的器件 | |
Medjdoub et al. | Beyond 100 ghz aln/gan hemts on silicon substrate | |
US20220262942A1 (en) | High electron mobility transistor | |
CN104916679A (zh) | 半导体装置 | |
Simin et al. | High-power RF switching using III-nitride metal-oxide-semiconductor heterojunction capacitors | |
CN210897283U (zh) | 一种半导体器件 | |
CN109742144B (zh) | 一种槽栅增强型mishemt器件及其制作方法 | |
RU135182U1 (ru) | Псевдоморфный гетероструктурный модулировано-легированный полевой транзистор | |
KR20110105032A (ko) | 리세스 게이트 에지 구조의 질화물계 반도체 소자 및 그 제조 방법 | |
RU2563533C2 (ru) | Мощный переключатель свч | |
RU2574809C2 (ru) | Псевдоморфный переключатель свч | |
US20230141244A1 (en) | Semiconductor structure | |
RU2574808C2 (ru) | Мощный псевдоморфный переключатель свч | |
RU2640965C1 (ru) | ПСЕВДОМОРФНЫЙ ОГРАНИЧИТЕЛЬ МОЩНОСТИ НА ОСНОВЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ AlGaN/InGaN | |
RU2574810C2 (ru) | Мощный переключатель свч | |
RU2558649C1 (ru) | Органичитель мощности свч |