RU2014123221A

RU2014123221A - Псевдоморфный переключатель свч

Info

Publication number: RU2014123221A
Application number: RU2014123221/08A
Authority: RU
Inventors: Грачик Хачатурович Аветисян; Алексей Сергеевич Адонин; Юрий Владимирович Колковский; Вадим Минхатович Миннебаев
Original assignee: Открытое акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар"
Priority date: 2014-06-09
Filing date: 2014-06-09
Publication date: 2015-12-20

Abstract

1. Переключатель СВЧ, содержащий подложку из сапфира, на которой последовательно размещены: буферный слой AlN, буферный слой из GaN, буферный слой из нелегированного GaN i-типа проводимости, кроме того, переключатель СВЧ содержит двумерный электронный газ высокой плотности, который служит нижней обкладкой конденсатора, сглаживающий слой из нитрида галлия, поверх которого нанесен слой диэлектрика из двуокиси гафния, металлические электроды полосковой формы, которые образуют верхнюю обкладку конденсатора, и два конденсатора, образующих двойные ВЧ-ключи, отличающийся тем, что на буферном слое из нелегированного GaN i-типа проводимости последовательно размещены сверхрешетка из AlGaN/GaN, буферный слой из GaN, сильнолегированный слой n-типа проводимости из AlGaN, спейсер из AlGaN, сглаживающий слой, канал из InGaN, сглаживающий дополнительный слой из GaN, слой диэлектрика из двуокиси гафния и дополнительный слой диэлектрика, при этом переключатель выполнен с минимальным количеством глубоких электронных ловушек DX, а канал выполнен упруго-напряженным псевдоморфным с концентрацией InGa 15-25%, а двумерный электронный газ образован между каналом и слоем из AlGaN.2. Переключатель по п. 1, отличающийся тем, что канал выполнен из InGaN с шириной запрещенной зоны 5,35 эВ.3. Переключатель по п. 1, отличающийся тем, что канал выполнен с критической толщиной 7-16 нм.4. Переключатель по п. 1, отличающийся тем, что дополнительный слой из диэлектрика выполнен из AlO, или ZrO, или LaO, или YO.

Claims

1. Переключатель СВЧ, содержащий подложку из сапфира, на которой последовательно размещены: буферный слой AlN, буферный слой из GaN, буферный слой из нелегированного GaN i-типа проводимости, кроме того, переключатель СВЧ содержит двумерный электронный газ высокой плотности, который служит нижней обкладкой конденсатора, сглаживающий слой из нитрида галлия, поверх которого нанесен слой диэлектрика из двуокиси гафния, металлические электроды полосковой формы, которые образуют верхнюю обкладку конденсатора, и два конденсатора, образующих двойные ВЧ-ключи, отличающийся тем, что на буферном слое из нелегированного GaN i-типа проводимости последовательно размещены сверхрешетка из Al_XGa_1-XN/GaN, буферный слой из GaN, сильнолегированный слой n-типа проводимости из Al_XGa_1-XN, спейсер из Al_XGa_1-XN, сглаживающий слой, канал из In_XGa_1-XN, сглаживающий дополнительный слой из GaN, слой диэлектрика из двуокиси гафния и дополнительный слой диэлектрика, при этом переключатель выполнен с минимальным количеством глубоких электронных ловушек DX, а канал выполнен упруго-напряженным псевдоморфным с концентрацией InGa 15-25%, а двумерный электронный газ образован между каналом и слоем из Al_XGa_1-XN.

2. Переключатель по п. 1, отличающийся тем, что канал выполнен из In_0,17Ga_0,83N с шириной запрещенной зоны 5,35 эВ.

3. Переключатель по п. 1, отличающийся тем, что канал выполнен с критической толщиной 7-16 нм.

4. Переключатель по п. 1, отличающийся тем, что дополнительный слой из диэлектрика выполнен из Al₂O₃, или ZrO₂, или La₂O₃, или Y₂O₃.