RU2569922C1 - Способ определения теплового сопротивления переход-корпус цифровых интегральных микросхем - Google Patents
Способ определения теплового сопротивления переход-корпус цифровых интегральных микросхем Download PDFInfo
- Publication number
- RU2569922C1 RU2569922C1 RU2014134469/28A RU2014134469A RU2569922C1 RU 2569922 C1 RU2569922 C1 RU 2569922C1 RU 2014134469/28 A RU2014134469/28 A RU 2014134469/28A RU 2014134469 A RU2014134469 A RU 2014134469A RU 2569922 C1 RU2569922 C1 RU 2569922C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- microcircuit
- ring generator
- circuit
- frequency
- measurement cycle
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
Изобретение относится к технике измерения тепловых параметров полупроводниковых приборов и интегральных микросхем и может быть использовано для контроля качества и оценки температурных запасов цифровых интегральных микросхем на выходном и входном контроле. Сущность: нечетное число (n>1) логических элементов контролируемой микросхемы соединяют по схеме кольцевого генератора. Замыкая цепь обратной связи кольцевого генератора на некоторое время цикла измерения, включают режим генерации высокочастотных импульсов, что приводит к нагреву микросхемы. В качестве температурочувствительного параметра измеряют частоту следования импульсов кольцевого генератора в начале fнач и в конце fкон цикла измерения. Измеряют средний ток, потребляемый микросхемой от источника питания. Определяют тепловое сопротивление переход-корпус по формуле:
где Δf=fнач-fкон - изменение частоты следования импульсов кольцевого генератора; - средний ток, потребляемый контролируемой микросхемой за время цикла измерения; Епит - напряжение питания микросхемы, Кf - температурный коэффициент частоты следования импульсов кольцевого генератора. Технический результат: уменьшение погрешности измерения. 2 ил.
Description
Изобретение относится к технике измерения тепловых параметров полупроводниковых приборов и интегральных микросхем и может быть использовано для контроля качества и оценки температурных запасов цифровых интегральных микросхем на выходном и входном контроле.
Известен способ определения теплового сопротивления цифровых интегральных микросхем (ЦИС), заключающийся в нагреве контролируемой микросхемы путем переключения нескольких логических элементов (ЛЭ) последовательностью импульсов, частоту следования которых изменяют (модулируют) по гармоническому закону с известной амплитудой и периодом, превышающим на порядок тепловую постоянную времени переход-корпус данного типа микросхем, в измерении амплитуды изменения температурочувствительного параметра (ТЧП) на частоте модуляции и определении теплового сопротивления как отношения амплитуды изменения ТЧП к амплитуде переменной составляющей греющей мощности и температурному коэффициенту ТЧП (см. А.с. №1310754, Способ измерения теплового сопротивления переход-корпус цифровых интегральных микросхем // Сергеев В.А., Афанасьев Г.Ф., Романов Б.Н., Юдин В.В. Опубл. 15.08.87. Бюл. №18). В известном способе амплитуда переменной составляющей греющей мощности определяется как произведение крутизны зависимости потребляемой мощности от частоты переключения ЛЭ на амплитуду частотной модуляции, а в качестве ТЧП используется напряжение логической единицы одного из ЛЭ ЦИС, логическое состояние которого не изменяется. Недостатком известного способа является большая погрешность измерения, обусловленная наличием паразитной электрической составляющей ТЧП из-за падения напряжения на сопротивлениях токоведущий металлизации контролируемой ЦИС при протекании тока, потребляемого ЦИС.
Наиболее близким к заявленному изобретению по совокупности признаков является способ определения теплового импеданса цифровых интегральных микросхем, заключающийся в нагреве микросхемы путем переключения нескольких ЛЭ последовательностью высокочастотных импульсов, частоту следования которых изменяют (модулируют) периодической последовательностью прямоугольных импульсов с заданной частотой и скважностью 2, в измерении амплитуды тока, потребляемого микросхемой, и амплитуды изменения ТЧП и определении модуля теплового импеданса ЦИС на частоте модуляции как отношения амплитуды изменения ТЧП к амплитуде изменения греющего тока на частоте модуляции, напряжению питания микросхемы и известному температурному коэффициенту ТЧП (см. Патент РФ №2463618, Способ определения теплового импеданса КМОП цифровых интегральных микросхем // Сергеев В.А., Ламзин В.А., Юдин В.В. Опубл. 10.10.2012 г.). В качестве ТЧП в известном способе также используется напряжение логической единицы одного из ЛЭ микросхемы, логическое состояние которого не изменяется. Недостатком известного способа является большая погрешность измерения, обусловленная наличием паразитной электрической составляющей ТЧП из-за электрических выбросов при переключении ЛЭ из режима нагрева в режим измерения, а также наличием паразитной электрической составляющей ТЧП из-за падения напряжения на сопротивлениях токоведущий металлизации контролируемой ЦИС при протекании тока, потребляемого ЦИС.
Технический результат - уменьшение погрешности измерения теплового сопротивления цифровых интегральных микросхем.
Технический результат достигается тем, что в известном способе определения теплового сопротивления переход корпус цифровых интегральных микросхем, заключающемся в нагреве контролируемой микросхемы путем переключения нескольких логических элементов микросхемы высокочастотными импульсами, в измерении среднего тока, потребляемого микросхемой от источника питания, и изменения температурочувствительного параметра, отличие состоит в том, что нечетное число (n>1) логических элементов контролируемой микросхемы соединяют по схеме кольцевого генератора, замыкая цепь обратной связи кольцевого генератора, на некоторое время цикла измерения включают режим генерации, в качестве температурочувствительного параметра измеряют частоту следования импульсов кольцевого генератора в начале fнач и в конце fкон цикла измерения и определяют тепловое сопротивление переход-корпус по формуле:
где Δf=fнач-fкон - изменение частоты следования импульсов кольцевого генератора; - средний ток, потребляемый контролируемой микросхемой за время цикла измерения; Епит - напряжение питания микросхемы, Кf - температурный коэффициент частоты следования импульсов кольцевого генератора.
Сущность изобретения заключается в исключении паразитной электрической составляющей ТЧП, обусловленной электрическими выбросами при переключении ЦИС из режима нагрева в режим измерения и падением напряжения на токоведущей металлизации при протекании тока потребляемого микросхемой путем использования в качестве ТЧП не напряжения логической единицы на выходе отдельного ЛЭ - датчика температуры, а временного параметра ЦИС - частоты следования импульсов кольцевого генератора, созданного из ЛЭ ЦИС (см., например, Рабаи Ж.М., Чандараксан А., Николич Б. Цифровые интегральные схемы. Методология проектирования. - М.: Вильямс. Второе издание, 2007. Стр 58-60).
Сущность изобретения поясняется эпюрами сигналов, приведенными на фиг. 1. Кольцевой генератор, созданный из нечетного числа ЛЭ контролируемой ЦИС, включается, например, путем замыкания цепи обратной связи на некоторое время ТЦ цикла измерения (см. фиг. 1а), в несколько раз превышающее тепловую постоянную времени переход-корпус данного типа микросхем. Длительность периода следования Тк генерируемых импульсов (фиг. 1б) определяется временем задержки распространения сигнала τзад ЛЭ микросхемы Тк=2τзадn, где n=(2m-1) - количество ЛЭ в кольцевом генераторе при m=2, 3,… В режиме генерирования мощность потребляемая ЦИС от источника питания пропорциональна частоте генерируемых импульсов и существенно возрастает по сравнению со статическим режимом. В результате ЛЭ ЦИС в режиме генерирования будут заметно разогреваться. Известно, что время задержки распространения сигнала ЦИС с ростом температуры увеличивается, а частота колебаний кольцевого генератора соответственно уменьшается. Относительное увеличение ξ времени задержки распространения сигнала ЛЭ ЦИС при увеличении температуры составляет примерно ξ=0,3%/град (см., например, Зельдин Е.А. Цифровые интегральные микросхемы в информационно-измерительной аппаратуре. - Л.: Энергоатомиздат, 1986, стр. 75). При ξ<<1 коэфффициент относительного температурного изменения частоты генерации практически равен (с обратным знаком) коэффициенту относительного температурного изменения времени задержки распространения сигнала, то есть при увеличении температуры ЛЭ на Δθ частота генерации уменьшится Как правило, электрические и временные параметры ЛЭ, расположенные на одном кристалле, и их изменение при изменении температуры имеют небольшой разброс от элемента к элементу, так как изготовлены в едином технологическом процессе.
В приближении теплоэлектрической аналогии (см., например, Закс Д.И. Параметры теплового режима полупроводниковых микросхем. - М.: Радио и связь, 1983. - 128 с.) изменение температуры Δθп(t) перехода определяется уравнением
где h(t-t′) - отклик температуры перехода на единичный δ-подобный импульс мощности в момент времени t′, P(t′) изменение потребляемой греющей мощности в процессе нагрева. В приближении двухэлементной теплоэлектрической модели
где RTп-к, τTп-к - тепловое сопротивление и тепловая постоянная времени переход-корпус, а RTк-с τТк-с - тепловое сопротивление и тепловая постоянная времени корпус-среда соответственно.
Относительное изменение греющей мощности, очевидно, будет равно относительному изменению частоты, то есть будет изменяться с тем же относительным коэффициентом ξ: , где P0≡Р(0) - мощность, потребляемая микросхемой в начале нагрева. Решение уравнения (1) с точностью до членов порядка (ξ·Δθп)2 имеет вид
где Δθ°(t) решение (1) в отсутствие температурной зависимости греющей мощности, то есть при P(t′)=P0≡P(0)=const:
Для подавляющего большинства типов современных серийных ЦИС выполняется условие τTп-к<<<τТк-с и при выборе времени нагрева микросхемы из условия τTп-к<<ТЦ<<τТк-c вторым слагаемым в правой части (4) можно пренебречь и после подстановки (4) в (3) получим:
И по окончании цикла измерения изменение температуры с точностью до членов порядка ехр(-ТЦ/τTп-к) будет равно
Величина в знаменателе выражения в правой части (7) есть не что иное, как средняя мощность, потребляемая ЦИС за время нагрева. Определить величину при известном напряжении источника питания можно, измерив средний ток, потребляемый ЦИС из источника питания: за время нагрева. Средний ток потребления можно определить, измерив цифровым вольтметром с внешним запуском напряжение UR на токосъемном резисторе R в цепи питания микросхемы в момент t=0 и t=ТЦ: . Изменение температуры за время нагрева определяется по уходу частоты колебаний кольцевого генератора , где Кf - температурный коэффициент частоты следования импульсов кольцевого генератора. Окончательно формула для определения теплового сопротивления переход-корпус запишется в виде:
На фиг. 2 представлена структурная схема устройства, реализующего способ определения теплового сопротивления переход-корпус ЦИС.
Устройство содержит контролируемую микросхему 1, источник 2 питания контролируемой микросхемы, формирователь 3 импульса цикла измерения, низкоомный токосъемный резистор R 4, схему 2И-НЕ 5, цифровой частотомер 6, цифровой вольтметр 7, формирователь 8 строб-импульсов, триггер 9, цифровой коммутатор 10, первый счетчик 11, второй счетчик 12, вычислитель 13.
Устройство работает следующим образом. В исходном состоянии первый счетчик 11 и второй счетчик 12 обнулены. Формирователь импульсов 3 формирует импульс цикла измерения ТЦ (фиг. 1а), который поступает на вход первого логического элемента ЛЭ1 2И-НЕ кольцевого генератора контролируемой микросхемы 1 и на вход внешнего запуска цифрового вольтметра 7 и формирователь импульсов счета 8. Кольцевой генератор на логических элементах ЛЭ1-ЛЭn начинает генерировать высокочастотные импульсы с частотой следования fк (фиг. 1б). Импульсы, генерируемые кольцевым генератором, поступают на первый вход схемы 2И-НЕ 5, используемой для исключения влияния цифрового частотомера 6 на частоту генерации. Падение напряжения на токосъемном сопротивлении R4, пропорциональное току потребления ЦИС в моменты времени t=0 и t=TЦ, регистрируется вольтметром 7. Информационный выход цифрового вольтметра 7 шиной данных соединен со входом вычислителя 13. Второй формирователь 8 импульсов формирует два строб-импульса длительностью Тс (фиг. 1б) в начале и конце цикла измерения ТЦ. Строб-импульсы поступают на второй вход схемы 2И-НЕ 5. За время действия первого строб-импульса частотомер 6 определяет частоту кольцевого генератора в начале нагрева fнач. За время действия второго строб-импульса частотомер 6 определяет частоту кольцевого генератора в конце цикла измерения fкон. Строб-импульсы управляют триггером 9, который при поступлении первого строб-импульса разрешает передачу информации через цифровой коммутатор 10 на первый счетчик импульсов 11, а при приходе второго строб-импульса - передачу информации на второй счетчик импульсов 12. На вычислитель 13 поступает информация с цифрового вольтметра 7 о величине тока потребления ЦИС в начале и конце цикла измерения, с источника питания 2 - о величине напряжения питания контролируемой микросхемы и со счетчиков 11 и 12 - о величине частоты импульсов следования кольцевого генератора в начале fнач и в конце fкон цикла измерения ТЦ. Величина теплового сопротивления переход-корпус ЦИС вычисляется вычислителем 13 по формуле (8).
При измерении частоты электронно-счетным частотомером погрешность измерения (см., например, Винокуров В.И., Каплин С.И., Петелин И.Г. Электрорадиоизмерения: Учеб. пособие для радиотехнич. спец. Вузов / Под ред. В.И. Винокурова. - 2-е изд. перераб. и доп. - М.: Высш. шк, 1986. Стр. 148-151) определяется нестабильностью кварцевого опорного генератора, которой можно пренебречь, и погрешностью дискретизации, которая равна:
где fк - частота кольцевого генератора; Тс - время счета частоты fк.
Кроме этого, в предложенном варианте устройства, реализующего способ, будет существенной методическая погрешность, обусловленная изменением частоты из-за нагрева контролируемой микросхемы за время счета Тс (см. фиг. 1г) в начале цикла измерения. Приращение температуры Δθс за время счета Тс и по окончании цикли нагрева ΔθЦ будут иметь вид
При выполнении неравенства Тс<<τT<<ТЦ относительная методическая погрешность измерения частоты δT за время счета Тс будет равна
Claims (1)
- Способ определения теплового сопротивления переход-корпус цифровых интегральных микросхем, заключающийся в нагреве контролируемой микросхемы путем переключения нескольких логических элементов микросхемы высокочастотными импульсами, в измерении среднего тока, потребляемого микросхемой от источника питания, и изменения температурочувствительного параметра, отличающийся тем, что нечетное число (n>1) логических элементов контролируемой микросхемы соединяют по схеме кольцевого генератора, замыкая цепь обратной связи кольцевого генератора на некоторое время цикла измерения, включают режим генерации, в качестве температурочувствительного параметра измеряют частоту следования импульсов кольцевого генератора в начале fнач и в конце fкон цикла измерения и определяют тепловое сопротивление переход-корпус по формуле
где Δf=fнач-fкон - изменение частоты следования импульсов кольцевого генератора; - средний ток, потребляемый контролируемой микросхемой за время цикла измерения; Епит - напряжение питания микросхемы, Kf - температурный коэффициент частоты следования импульсов кольцевого генератора.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2014134469/28A RU2569922C1 (ru) | 2014-08-22 | 2014-08-22 | Способ определения теплового сопротивления переход-корпус цифровых интегральных микросхем |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2014134469/28A RU2569922C1 (ru) | 2014-08-22 | 2014-08-22 | Способ определения теплового сопротивления переход-корпус цифровых интегральных микросхем |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2569922C1 true RU2569922C1 (ru) | 2015-12-10 |
Family
ID=54846335
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2014134469/28A RU2569922C1 (ru) | 2014-08-22 | 2014-08-22 | Способ определения теплового сопротивления переход-корпус цифровых интегральных микросхем |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2569922C1 (ru) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2698512C1 (ru) * | 2018-02-12 | 2019-08-28 | ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "Брянский государственный технический университет" | Способ автоматизированного контроля тепловых сопротивлений полупроводниковых приборов |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57106044A (en) * | 1980-12-23 | 1982-07-01 | Nec Corp | Measurement of thermal resistance of integrated circuit chip |
US7257511B1 (en) * | 2002-12-04 | 2007-08-14 | Xilinx, Inc. | Methods and circuits for measuring the thermal resistance of a packaged IC |
RU2463618C1 (ru) * | 2011-04-08 | 2012-10-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ульяновский государственный технический университет" | Способ определения теплового импеданса кмоп цифровых интегральных микросхем |
JP2013113649A (ja) * | 2011-11-28 | 2013-06-10 | Wave Technology Inc | 半導体装置における熱抵抗の測定方法および測定装置 |
RU2490657C2 (ru) * | 2011-10-28 | 2013-08-20 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ульяновский государственный технический университет" | Способ определения теплового сопротивления цифровых интегральных микросхем |
RU2504793C1 (ru) * | 2012-06-26 | 2014-01-20 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ульяновский государственный технический университет" | Способ определения теплового импеданса цифровых кмоп интегральных микросхем |
-
2014
- 2014-08-22 RU RU2014134469/28A patent/RU2569922C1/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57106044A (en) * | 1980-12-23 | 1982-07-01 | Nec Corp | Measurement of thermal resistance of integrated circuit chip |
US7257511B1 (en) * | 2002-12-04 | 2007-08-14 | Xilinx, Inc. | Methods and circuits for measuring the thermal resistance of a packaged IC |
RU2463618C1 (ru) * | 2011-04-08 | 2012-10-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ульяновский государственный технический университет" | Способ определения теплового импеданса кмоп цифровых интегральных микросхем |
RU2490657C2 (ru) * | 2011-10-28 | 2013-08-20 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ульяновский государственный технический университет" | Способ определения теплового сопротивления цифровых интегральных микросхем |
JP2013113649A (ja) * | 2011-11-28 | 2013-06-10 | Wave Technology Inc | 半導体装置における熱抵抗の測定方法および測定装置 |
RU2504793C1 (ru) * | 2012-06-26 | 2014-01-20 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ульяновский государственный технический университет" | Способ определения теплового импеданса цифровых кмоп интегральных микросхем |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2698512C1 (ru) * | 2018-02-12 | 2019-08-28 | ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "Брянский государственный технический университет" | Способ автоматизированного контроля тепловых сопротивлений полупроводниковых приборов |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP2955539B1 (en) | Distance measuring device | |
KR101358076B1 (ko) | 온도 센서, 그리고 이를 이용한 온도 측정 방법 | |
US9121767B2 (en) | System clock counter counting ring oscillator pulses during programmed value | |
RU2402783C1 (ru) | Способ измерения теплового импеданса полупроводниковых диодов | |
RU2569922C1 (ru) | Способ определения теплового сопротивления переход-корпус цифровых интегральных микросхем | |
RU2463618C1 (ru) | Способ определения теплового импеданса кмоп цифровых интегральных микросхем | |
RU2613481C1 (ru) | Способ измерения переходной тепловой характеристики цифровых интегральных схем | |
RU2639989C2 (ru) | Способ измерения переходной тепловой характеристики полупроводниковых изделий | |
RU2504793C1 (ru) | Способ определения теплового импеданса цифровых кмоп интегральных микросхем | |
RU2572794C1 (ru) | Способ измерения теплового сопротивления переход-корпус мощных мдп-транзисторов | |
RU2327177C1 (ru) | Способ определения теплового сопротивления цифровых интегральных микросхем | |
RU2507526C1 (ru) | Способ измерения теплового импеданса полупроводниковых диодов с использованием полигармонической модуляции греющей мощности | |
RU2240573C1 (ru) | Экспресс-метод измерения теплового сопротивления переход-корпус силовых полупроводниковых приборов в корпусном исполнении | |
RU149143U1 (ru) | Генератор частотно-модулированных импульсов | |
RU2174692C1 (ru) | Устройство для измерения теплового сопротивления переход-корпус цифровых интегральных микросхем | |
EP3594669B1 (en) | Thermal analysis of semiconductor devices | |
RU2561337C1 (ru) | Способ измерения теплового сопротивления кмоп цифровых интегральных микросхем | |
RU2565813C1 (ru) | Микроконтроллерный измерительный преобразователь сопротивления, емкости и напряжения в двоичный код | |
RU2697028C2 (ru) | Способ измерения переходной тепловой характеристики цифровых интегральных схем | |
RU2649083C1 (ru) | Способ измерения теплового импеданса цифровых интегральных микросхем | |
RU2744716C1 (ru) | Способ определения теплового сопротивления кмоп цифровых интегральных микросхем | |
RU2677262C1 (ru) | Цифровой измеритель температуры | |
RU2556315C2 (ru) | Способ измерения теплового импеданса светодиодов | |
RU164168U1 (ru) | Генератор модулированных по частоте прямоугольных импульсов | |
RU2534384C1 (ru) | Частотно-импульсный измеритель скорости изменения температуры |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20160823 |