RU2562717C1 - Method of producing silicon from silicon oxide - Google Patents

Method of producing silicon from silicon oxide Download PDF

Info

Publication number
RU2562717C1
RU2562717C1 RU2014106157/02A RU2014106157A RU2562717C1 RU 2562717 C1 RU2562717 C1 RU 2562717C1 RU 2014106157/02 A RU2014106157/02 A RU 2014106157/02A RU 2014106157 A RU2014106157 A RU 2014106157A RU 2562717 C1 RU2562717 C1 RU 2562717C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
silicon
crucible
silicon oxide
hydrogen
pipe
Prior art date
Application number
RU2014106157/02A
Other languages
Russian (ru)
Other versions
RU2014106157A (en
Inventor
Ашот Александрович Навасардян
Original Assignee
Ашот Александрович Навасардян
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ашот Александрович Навасардян filed Critical Ашот Александрович Навасардян
Priority to RU2014106157/02A priority Critical patent/RU2562717C1/en
Publication of RU2014106157A publication Critical patent/RU2014106157A/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2562717C1 publication Critical patent/RU2562717C1/en

Links

Images

Landscapes

  • Silicon Compounds (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

FIELD: chemistry.
SUBSTANCE: group of inventions relates to production of silicon from silicon oxide. The method includes heating the top surface of silicon, feeding silicon oxide onto the heated silicon to obtain silicon monoxide; blowing the obtained silicon monoxide with hydrogen to obtain pure silicon and cooling the obtained silicon on the sides with removal of impurities formed while cooling on the silicon surface as they accumulate. All reactions are conducted the same reactor. An apparatus for producing silicon from oxides is also provided.
EFFECT: high technological effectiveness of the process by carrying out the process in one apparatus and high volume of the obtained end product.
9 cl, 1 dwg

Description

Изобретение относится к области неорганической химии, а именно к средствам получения неорганических веществ, и может быть использовано для получения кремния из оксида кремния.The invention relates to the field of inorganic chemistry, namely to means for producing inorganic substances, and can be used to obtain silicon from silicon oxide.

Наиболее близким по технической сути к заявляемому способу является «СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МЕТАЛЛА ИЛИ КРЕМНИЯ» по патенту РФ на изобретение №2339710 от 01.06.2006, опубликованному 27.11.2008, МПК С22В 5/02, С01В 33/023, включающий получение в тигле исходного расплава и подачу порции порошка оксидсодержащего материала на поверхность исходного расплава, при этом осуществляют обработку порошка оксидсодержащего материала на поверхности расплава электронным лучом при плотности тока в луче 5-12 мА/мм2, ускоряющем напряжении 15-35 кВ и вакууме 10-4-10 - 5 мм рт. ст; осуществляют подачу порции порошка оксида металла на поверхность исходного расплава металла; осуществляют подачу порции порошка оксида кремния на поверхность исходного расплава кремния.The closest in technical essence to the claimed method is the "METHOD OF PRODUCING METAL OR SILICON" according to the patent of the Russian Federation for invention No. 2339710 dated 06/01/2006, published on 11/27/2008, IPC С22В 5/02, СВВ 33/023, including obtaining the initial melt in the crucible and feeding a portion of the powder of oxide-containing material to the surface of the initial melt, while processing the powder of oxide-containing material on the surface of the melt by an electron beam at a current density in the beam of 5-12 mA / mm 2 , an accelerating voltage of 15-35 kV and a vacuum of 10-4-10 - 5 mmHg Art; supplying a portion of the metal oxide powder to the surface of the initial metal melt; supplying a portion of the silicon oxide powder to the surface of the initial silicon melt.

Описанный в прототипе способ периодичен и позволяет получать только небольшие объемы конечного продукта. Процессы, при осуществлении описанного в прототипе способа, проходят в вакууме 10-4-10-5 мм рт. ст., что значительно снижает технологичность получения кремния. Кроме того, в ходе осуществления способа при расплаве оксидов образуются и испаряются моноокиси, что снижает конечный выход продукта.The method described in the prototype is periodic and allows only small volumes of the final product to be obtained. The processes, in the implementation of the method described in the prototype, take place in a vacuum of 10 -4 -10 -5 mm RT. Art., which significantly reduces the manufacturability of silicon. In addition, during the implementation of the method during the melt of oxides, monoxides are formed and evaporate, which reduces the final yield of the product.

Наиболее близким по технической сущности к заявляемой установке является устройство, описанное в патенте РФ на изобретение №2403300 «СПОСОБ ВАКУУМНОЙ ОЧИСТКИ КРЕМНИЯ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ» от 18.06.2009, опубликованное 10.11.2010, МПК С22В 9/22, С01В 33/037, содержащее вакуумную камеру, тигель с очищаемым кремнием и электронно-лучевую пушку, отличающееся тем, что оно снабжено холодильником, установленным на наружной поверхности стенки тигля в его верхней части на уровне поверхности расплава кремния, охлаждаемой емкостью, в которой соосно размещен тигель, теплоизолятором, расположенным между тиглем и охлаждаемой емкостью до уровня нижнего торца холодильника, и теплопроводным элементом, расположенным между охлаждаемой емкостью и днищем тигля по их продольной оси; холодильник выполнен подвижным.The closest in technical essence to the claimed installation is the device described in the patent of the Russian Federation for invention No. 2403300 "METHOD OF VACUUM CLEANING OF SILICON AND DEVICE FOR ITS IMPLEMENTATION" dated 06/18/2009, published 10.11.2010, IPC С22В 9/22, С01В 33/037 containing a vacuum chamber, a crucible with purified silicon and an electron beam gun, characterized in that it is equipped with a refrigerator mounted on the outer surface of the crucible wall in its upper part at the level of the surface of the silicon melt cooled by a vessel in which Shchen crucible, a heat insulator disposed between the crucible and the cooling capacity to the level of the lower end of the refrigerator and the heat-conducting member disposed between the cooling tank and the bottom of the crucible along their longitudinal axis; the refrigerator is movable.

Задачей предлагаемого технического решения является повышение технологичности получения кремния из оксида кремния.The objective of the proposed technical solution is to increase the manufacturability of silicon from silicon oxide.

Поставленная задача решена за счет способа получения кремния из оксида кремния, включающего нагрев кремния и подачу оксида кремния на кремний, отличающегося тем, что перед подачей оксида кремния проводят нагрев в тигле верхней поверхности кремния до образования расплава, после нагрева осуществляют порционную подачу оксида кремния на нагретый сверху кремний с получением моноокиси кремния, после чего осуществляют продувку полученной моноокиси водородом с получением чистого кремния, охлаждают тигель с полученным в нем кремнием с удалением примесей, образующихся в процессе охлаждения на поверхности кремния по мере их накопления; оксид кремния предварительно подвергают взаимодействию с подогретым водородом перед подачей на нагретый сверху кремний; реализует заявляемый способ установка для получения кремния из оксида кремния, содержащая теплоизолированный корпус, в котором расположен тигель и размещенный над тиглем бункер запаса сырья из оксида кремния, выполненный с возможностью дозированной подачи сырья в тигель, при этом установка снабжена подведенным сверху к тиглю патрубком подачи водорода с форсунками, выполненным с возможностью вертикального перемещения, по меньшей мере, одним нагревающим элементом, выполненным с возможностью вертикального перемещения внутри тигля, причем тигель выполнен с возможностью охлаждения, при этом корпус имеет патрубки отвода отработанных газов и сливной канал примесей, а тигель имеет сливные окна, выполненные с возможностью их открытия и закрытия; нагревательные элементы выполнены в виде электродов, радиально размещенных относительно нижней части патрубка для подачи водорода; электроды выполнены согнутыми в горизонтальной плоскости, а патрубок для подачи водорода выполнен с возможностью вращения; корпус снабжен средствами визуального наблюдения; охладитель выполнен в виде трубчатого теплообменника, ко входу которого через отверстие в корпусе подведен дополнительный патрубок для подачи водорода, а выход соединен трубопроводом с бункером запаса сырья из оксида кремния; бункер запаса сырья из оксида кремния снабжен дополнительным отводящим патрубком; тигель установлен на колесиках.The problem is solved by the method of producing silicon from silicon oxide, including heating silicon and supplying silicon oxide to silicon, characterized in that before feeding silicon oxide, the upper surface of silicon is heated in a crucible until a melt is formed, after heating, silicon oxide is fed portionwise onto heated silicon on top to obtain silicon monoxide, after which the obtained monoxide is purged with hydrogen to obtain pure silicon, the crucible with the silicon obtained in it is cooled and removed em impurities formed during the cooling on the silicon surface as they accumulate; silicon oxide is preliminarily subjected to interaction with heated hydrogen before being fed to silicon heated from above; implements the inventive method, a plant for producing silicon from silicon oxide, containing a thermally insulated body, in which the crucible and a silica feed hopper located above the crucible are arranged for dosed supply of raw materials to the crucible, while the plant is equipped with a hydrogen supply pipe connected to the crucible with nozzles made with the possibility of vertical movement of at least one heating element made with the possibility of vertical movement inside the crucible, when crucible it is adapted to cooling, wherein the housing has exhaust pipes and drain impurity channel, and the crucible has a discharge window made with the possibility of opening and closing; heating elements are made in the form of electrodes radially arranged relative to the lower part of the nozzle for supplying hydrogen; the electrodes are made bent in a horizontal plane, and the nozzle for supplying hydrogen is made to rotate; the case is equipped with visual observation means; the cooler is made in the form of a tubular heat exchanger, to the inlet of which an additional pipe for supplying hydrogen is supplied through an opening in the housing, and the outlet is connected by a pipe to a silo of raw materials from silicon oxide; the silica stock tank is equipped with an additional outlet pipe; crucible mounted on casters.

Суть технического решения проиллюстрирована фиг. 1, на которой изображены установка 1 для получения кремния из оксида кремния, корпус 2, тигель 3, бункер 4 запаса сырья, оксид 5 кремния, кремний 6, патрубок 7 подачи водорода, форсунки 8, примеси 9, нагревающие элементы 10, охладитель 11, патрубок 12 отвода отработанных газов, дополнительный патрубок 13 подачи водорода, сливной канал 14 примесей, сливные окна 15, средства 16 визуального наблюдения, дополнительный отводящий патрубок 17.The essence of the technical solution is illustrated in FIG. 1, which shows a plant 1 for producing silicon from silicon oxide, a housing 2, a crucible 3, a silo 4 of a stock of raw materials, silicon oxide 5, silicon 6, a pipe 7 for supplying hydrogen, nozzles 8, impurities 9, heating elements 10, a cooler 11, the exhaust gas outlet pipe 12, an additional hydrogen supply pipe 13, an impurity drain channel 14, drain windows 15, visual observation means 16, an additional discharge pipe 17.

Установка для получения кремния из оксида кремния выполнена следующим образом.Installation for producing silicon from silicon oxide is as follows.

Установка 1 для получения кремния из оксида кремния содержит теплоизолированный корпус 2, в котором расположен тигель 3. В корпусе 2 над тиглем 3 размещен бункер 4 запаса сырья, выполненный с возможностью дозированной подачи сырья в тигель 3 ровным слоем. Сверху к тиглю 3 подведен патрубок 7 подачи водорода, снабженный форсунками 8. Патрубок 7 подачи водорода выполнен с возможностью вертикального перемещения до дна тигля 3. Опционально патрубок 7 подачи водорода выполнен с возможностью вращения в горизонтальной плоскости вокруг своей оси. Внутри корпуса 2 расположен, по меньшей мере, один нагревающий элемент 10, выполненный с возможностью вертикального перемещения внутри тигля 3. Опционально нагревающие элементы 10 выполнены в форме электродов, изогнутых в горизонтальной плоскости. Опционально электроды размещены радиально относительно патрубка 7 подачи водорода и закреплены на его нижней части. В случае закрепления нагревающих элементов 10 в виде электродов на нижней части патрубка 7 подачи водорода возможность вертикального перемещения нагревательных элементов 10 внутри тигля 3 реализована за счет совместного перемещения патрубка 7 подачи водорода с закрепленными на нем нагревающими элементами 10. Внутри теплоизолированного корпуса 2 в непосредственной близости от тигля 3 расположен охладитель 11, выполненный с возможностью направленного охлаждения тигля 3 снизу вверх. Опционально охладитель 11 выполнен в виде трубчатого теплообменника типа змеевика, к входу которого через отверстие в корпусе 2 подведен дополнительный патрубок 13 подачи водорода, а выход соединен трубопроводом с бункером 4 запаса сырья. Корпус 2 снабжен патрубком 12 отвода отработанных газов, который сообщает внутреннюю часть корпуса 2 с закорпусным пространством. Бункер 4 запаса сырья опционально снабжен дополнительным отводящим патрубком 17, сообщающим внутренний объем бункера 4 запаса сырья с закорпусным пространством. Тигель 3 снабжен сливными окнами 15, выполненными с возможностью открытия и закрытия. Тигель опционально снабжен колесиками. Корпус опционально снабжен средствами 16 визуального наблюдения.Installation 1 for producing silicon from silicon oxide contains a thermally insulated body 2, in which the crucible 3 is located. In the body 2 above the crucible 3 there is a raw material storage hopper 4, configured to dispense the raw material into the crucible 3 in an even layer. A hydrogen supply pipe 7 provided with nozzles 8 is connected to the crucible 3 above. The hydrogen supply pipe 7 is arranged to vertically move to the bottom of the crucible 3. Optionally, the hydrogen supply pipe 7 is rotatable in a horizontal plane about its axis. At least one heating element 10 is arranged inside the housing 2, which is arranged to vertically move inside the crucible 3. Optionally, the heating elements 10 are made in the form of electrodes curved in the horizontal plane. Optionally, the electrodes are placed radially relative to the hydrogen supply pipe 7 and are fixed on its lower part. In the case of fixing the heating elements 10 in the form of electrodes on the lower part of the hydrogen supply pipe 7, the vertical movement of the heating elements 10 inside the crucible 3 is possible due to the joint movement of the hydrogen supply pipe 7 with the heating elements fixed on it 10. Inside the heat-insulated housing 2 in the immediate vicinity crucible 3 is a cooler 11, made with the possibility of directional cooling of the crucible 3 from the bottom up. Optionally, the cooler 11 is made in the form of a tubular heat exchanger of the coil type, to the inlet of which an additional hydrogen supply pipe 13 is connected through an opening in the housing 2, and the outlet is connected by a pipeline to the raw material storage hopper 4. The housing 2 is equipped with a pipe 12 exhaust gas, which communicates the inner part of the housing 2 with the enclosure space. The bunker 4 of the stock of raw materials is optionally equipped with an additional outlet pipe 17, which informs the internal volume of the bunker 4 of the stock of raw materials with a casing space. The crucible 3 is equipped with drain windows 15, made with the possibility of opening and closing. The crucible is optionally equipped with wheels. The housing is optionally equipped with visual observation means 16.

Установка работает, а способ реализуют следующим образом.The installation works, and the method is implemented as follows.

В тигле 3 располагают кремний 6 небольшого объема. Верхнюю поверхность кристалла кремния 6 нагревают до образования расплава при помощи нагревающих элементов 10, опционально расположенных на нижней части патрубка 7 подачи водорода. Внутрь тигля 3 подают водород через форсунки 8 патрубка 7 подачи водорода. Из бункера 4 запаса сырья подают порцию оксида кремния 5 на расположенный в тигле 3 кремний 6 равномерно по его верхней поверхности. Оксид кремния 5 взаимодействует с кремнием 6, в результате чего выделяется моноокись кремния. Полученная моноокись реагирует с подающимся через патрубок 7 водородом, в результате чего выделяется кремний, который осаждается на поверхность расплава. Также в результате взаимодействия моноокиси кремния и водорода выделяются кислород либо пары воды, которые вытесняются из корпуса 2 через патрубок 12 отвода отработанных газов за счет вытеснения постоянно подающимся через патрубок 7 водородом. Получаемый кремний охлаждают охладителем 11 по бокам. Опционально получаемый кремний охлаждают охладителем 11 по бокам по направлению снизу вверх. Опционально охлаждение осуществляют при помощи водорода, пропускаемого через змеевик, установленный в непосредственной близости от тигля 3. В случае использования в качестве охладителя 11 трубчатого теплообменника типа змеевика в данный змеевик подается водород через дополнительный патрубок 13 подачи водорода, при этом водород, проходящий по змеевику, охлаждает по бокам тигель 3 вместе с содержащимся в тигле кремнием 6. Если выход трубчатого теплообменника соединен трубопроводом с бункером 4 запаса сырья, подогретый водород после теплообмена с кремнием 6 подается в бункер 4 запаса сырья, где предварительно подогревает и частично очищает оксид кремния 5. Охлаждение кремния 6 в направлении снизу вверх улучшает собираемость примесей на поверхности расплава кремния. Скорость застывания расплава снизу будет равна скорости подъема нагревающих элементов 10, что приведет к направленной кристаллизации и дополнительной очистке кремния.In the crucible 3 have silicon 6 small volume. The upper surface of the silicon crystal 6 is heated to melt using the heating elements 10, optionally located on the lower part of the hydrogen supply pipe 7. Inside the crucible 3, hydrogen is supplied through the nozzles 8 of the hydrogen supply pipe 7. A portion of silicon oxide 5 is fed from silo 4 of the stock of raw materials onto silicon 6 located in crucible 3 evenly over its upper surface. Silicon oxide 5 interacts with silicon 6, resulting in the release of silicon monoxide. The resulting monoxide reacts with the hydrogen supplied through the pipe 7, as a result of which silicon is released, which is deposited on the surface of the melt. Also, as a result of the interaction of silicon monoxide and hydrogen, oxygen or water vapors are released, which are displaced from the housing 2 through the exhaust gas pipe 12 due to the displacement of hydrogen continuously fed through the pipe 7. The resulting silicon is cooled by a cooler 11 on the sides. The optionally obtained silicon is cooled by a cooler 11 on the sides in the direction from the bottom up. The cooling is optionally carried out using hydrogen passing through a coil installed in the immediate vicinity of the crucible 3. If a tubular heat exchanger of the coil type is used as a cooler 11, hydrogen is supplied to this coil through an additional hydrogen supply pipe 13, while the hydrogen passing through the coil cools the crucible 3 along the sides with the silicon 6 contained in the crucible. If the outlet of the tubular heat exchanger is connected by a pipe to the feed storage hopper 4, heated hydrogen after heat exchange with silicon 6 is fed into the silo 4 of the stock of raw materials, where it preheats and partially purifies silicon oxide 5. Cooling silicon 6 in the direction from the bottom up improves the collection of impurities on the surface of the silicon melt. The pour point of the melt below will be equal to the lifting speed of the heating elements 10, which will lead to directional crystallization and additional purification of silicon.

Claims (9)

1. Способ получения кремния из оксида кремния, включающий нагрев кремния и подачу оксида кремния на кремний, отличающийся тем, что перед подачей оксида кремния проводят нагрев в тигле верхней поверхности кремния до образования расплава, после нагрева осуществляют порционную подачу оксида кремния на нагретый сверху кремний с получением моноокиси кремния, после чего осуществляют продувку полученной моноокиси водородом с получением чистого кремния, охлаждают тигель с полученным в нем кремнием с удалением примесей, образующихся в процессе охлаждения на поверхности кремния по мере их накопления.1. A method of producing silicon from silicon oxide, comprising heating silicon and supplying silicon oxide to silicon, characterized in that before supplying silicon oxide, the upper surface of silicon is heated in a crucible until a melt is formed, after heating, silicon oxide is batch fed to silicon heated from above obtaining silicon monoxide, after which the obtained monoxide is purged with hydrogen to obtain pure silicon, the crucible with silicon obtained in it is cooled to remove impurities formed in the process cooling on the surface of silicon as they accumulate. 2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что оксид кремния предварительно подвергают взаимодействию с подогретым водородом перед подачей на нагретый сверху кремний.2. The method according to p. 1, characterized in that the silicon oxide is pre-subjected to interaction with heated hydrogen before being fed to the top-heated silicon. 3. Установка для получения кремния из оксида кремния, содержащая теплоизолированный корпус, в котором расположен тигель и размещенный над тиглем бункер запаса сырья из оксида кремния, выполненный с возможностью дозированной подачи сырья в тигель, отличающаяся тем, что она снабжена подведенным сверху к тиглю патрубком подачи водорода с форсунками, выполненным с возможностью вертикального перемещения по меньшей мере одним нагревающим элементом, выполненным с возможностью вертикального перемещения внутри тигля, причем тигель выполнен с возможностью охлаждения, при этом корпус имеет патрубки отвода отработанных газов и сливной канал примесей, а тигель имеет сливные окна, выполненные с возможностью их открытия и закрытия.3. Installation for producing silicon from silicon oxide, comprising a thermally insulated body, in which the crucible and a silo of silica feed stock located above the crucible are arranged for dosing of raw materials into the crucible, characterized in that it is provided with a supply pipe hydrogen with nozzles made with the possibility of vertical movement of at least one heating element made with the possibility of vertical movement inside the crucible, and the crucible is made with POSSIBILITY cooling, the body has exhaust pipes and drain impurity channel, and the crucible has a discharge window made with the possibility of opening and closing. 4. Установка по п. 3, отличающаяся тем, что нагревающие элементы выполнены в виде электродов, радиально размещенных относительно нижней части патрубка для подачи водорода.4. Installation according to claim 3, characterized in that the heating elements are made in the form of electrodes radially arranged relative to the lower part of the pipe for supplying hydrogen. 5. Установка по п. 4, отличающаяся тем, что электроды выполнены согнутыми в горизонтальной плоскости, а патрубок для подачи водорода выполнен с возможностью вращения.5. Installation according to claim 4, characterized in that the electrodes are made bent in the horizontal plane, and the pipe for supplying hydrogen is made to rotate. 6. Установка по п. 3, отличающаяся тем, что корпус снабжен средствами визуального наблюдения.6. Installation according to claim 3, characterized in that the housing is equipped with visual observation means. 7. Установка по п. 3, отличающаяся тем, что охладитель выполнен в виде трубчатого теплообменника, к входу которого через отверстие в корпусе подведен дополнительный патрубок для подачи водорода, а выход соединен трубопроводом с бункером запаса сырья из оксида кремния.7. Installation according to claim 3, characterized in that the cooler is made in the form of a tubular heat exchanger, to the inlet of which an additional pipe for supplying hydrogen is supplied through an opening in the housing, and the outlet is connected by a pipe to a silo of raw materials from silicon oxide. 8. Установка по п. 3 или 7, отличающаяся тем, что бункер запаса сырья из оксида кремния снабжен дополнительным отводящим патрубком.8. Installation according to p. 3 or 7, characterized in that the silo stock of raw materials from silicon oxide is equipped with an additional outlet pipe. 9. Установка по п. 3, отличающаяся тем, что тигель установлен на колесиках. 9. Installation according to claim 3, characterized in that the crucible is mounted on wheels.
RU2014106157/02A 2014-02-20 2014-02-20 Method of producing silicon from silicon oxide RU2562717C1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2014106157/02A RU2562717C1 (en) 2014-02-20 2014-02-20 Method of producing silicon from silicon oxide

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2014106157/02A RU2562717C1 (en) 2014-02-20 2014-02-20 Method of producing silicon from silicon oxide

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2014106157A RU2014106157A (en) 2015-08-27
RU2562717C1 true RU2562717C1 (en) 2015-09-10

Family

ID=54015345

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2014106157/02A RU2562717C1 (en) 2014-02-20 2014-02-20 Method of producing silicon from silicon oxide

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2562717C1 (en)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4504307A (en) * 1983-02-03 1985-03-12 Voest-Alpine Aktiengesellschaft Method for carrying out melting, melt-metallurgical and/or reduction-metallurgical processes in a plasma melting furnace as well as an arrangement for carrying out the method
EP1099767A1 (en) * 1999-05-06 2001-05-16 Ken Kansa Method and device for induction-heating and melting metal oxides-containing powder and granular material
CA2429024A1 (en) * 2000-11-15 2002-05-23 Cambridge University Technical Services Limited Metal and alloy powders and powder fabrication
RU2237616C2 (en) * 2002-09-17 2004-10-10 Карабанов Сергей Михайлович Sun-quality silicon production process
RU2339710C2 (en) * 2006-06-01 2008-11-27 Федеральное государственное унитарное предприятие "Сибирский химический комбинат" Method for metal or silicon receiving

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4504307A (en) * 1983-02-03 1985-03-12 Voest-Alpine Aktiengesellschaft Method for carrying out melting, melt-metallurgical and/or reduction-metallurgical processes in a plasma melting furnace as well as an arrangement for carrying out the method
EP1099767A1 (en) * 1999-05-06 2001-05-16 Ken Kansa Method and device for induction-heating and melting metal oxides-containing powder and granular material
CA2429024A1 (en) * 2000-11-15 2002-05-23 Cambridge University Technical Services Limited Metal and alloy powders and powder fabrication
RU2237616C2 (en) * 2002-09-17 2004-10-10 Карабанов Сергей Михайлович Sun-quality silicon production process
RU2339710C2 (en) * 2006-06-01 2008-11-27 Федеральное государственное унитарное предприятие "Сибирский химический комбинат" Method for metal or silicon receiving

Also Published As

Publication number Publication date
RU2014106157A (en) 2015-08-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5396954B2 (en) Chlorosilane purification apparatus and chlorosilane production method
RU2484158C2 (en) Method and plant for making zinc powder
RU2014133866A (en) METHOD AND DEVICE FOR PRODUCING HIGH PURE MAGNESIUM
JP2007507329A (en) Thin film evaporator
US2912311A (en) Apparatus for production of high purity elemental silicon
RU2562717C1 (en) Method of producing silicon from silicon oxide
KR101525860B1 (en) Apparatus for manufacturing fine powder of high purity silicon
US3856477A (en) Process for refining zirconium tetrachloride containing hafnium tetrachloride
RU2159213C2 (en) Method of silicon purification and device for its embodiment
RU147459U1 (en) INSTALLATION FOR OBTAINING INORGANIC MATERIAL INGOTS FROM METAL OXIDES OR SEMICONDUCTORS
KR20200100178A (en) Apparatus and method for extracting molten salt with outlet
US20150000342A1 (en) Process and device for purifying silicon
KR101525859B1 (en) Apparatus for manufacturing fine powder of high purity silicon
KR101987637B1 (en) Apparatus for increasing the purity of the low melting metal
US9108857B2 (en) Process for ammonia saturation of solid materials, and corresponding assembly
KR102057276B1 (en) Control device of an excess reduction agent
US2819149A (en) Continuous process of producing beryllium fluoride by thermal decomposition of ammonium beryllium fluoride and separate recovery of the constituent fluorides
KR20130060381A (en) Thermoelectric metal powder and the manufacturing method
JP7333222B2 (en) Titanium tetrachloride treatment apparatus, titanium tetrachloride treatment method, purified titanium tetrachloride production apparatus, and purified titanium tetrachloride production method
CN103833037B (en) A kind of polysilicon dephosphorization apparatus and method
RU124188U1 (en) HEAT EXCHANGE DEVICE
KR101483695B1 (en) Apparatus for Refining Silicon
RU2403300C1 (en) Vacuum silicone cleaning method and device for its implementation
RU2461405C2 (en) Apparatus for extracting crystals from solutions
KR101397979B1 (en) Apparatus for Refining Silicon

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20160221