RU2529761C1 - Способ измерения теплового сопротивления переход-корпус полупроводникового прибора и устройство для его осуществления - Google Patents
Способ измерения теплового сопротивления переход-корпус полупроводникового прибора и устройство для его осуществления Download PDFInfo
- Publication number
- RU2529761C1 RU2529761C1 RU2013118507/28A RU2013118507A RU2529761C1 RU 2529761 C1 RU2529761 C1 RU 2529761C1 RU 2013118507/28 A RU2013118507/28 A RU 2013118507/28A RU 2013118507 A RU2013118507 A RU 2013118507A RU 2529761 C1 RU2529761 C1 RU 2529761C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- semiconductor device
- controlled semiconductor
- temperature
- microcontroller
- controlled
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Investigating Or Analyzing Materials Using Thermal Means (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
Изобретение относится к измерительной технике, в частности к технике измерения тепловых параметров полупроводниковых приборов после изготовления, а также для неразрушающего входного контроля при производстве радиоэлектронной аппаратуры. Технический результат - повышение точности и быстродействия измерения теплового сопротивления переход-корпус полупроводникового прибора. Технический результат в способе для измерения теплового сопротивления переход-корпус полупроводникового прибора достигается воздействием на контролируемый полупроводниковый прибор нагретой жидкостью посредством струи. При этом определяют n значений выходного напряжения контролируемого полупроводникового прибора через равные промежутки времени. Полученные данные сохраняются в виде массива напряжений. По полученным данным вычисляют температурный коэффициент напряжения контролируемого полупроводникового прибора. Массив напряжений преобразуют в массив температур путем деления членов массива напряжений на температурный коэффициент напряжения. Определение теплового сопротивления переход-корпус контролируемого полупроводникового прибора осуществляет n раз с использованием данных массива температур, теплоемкости, величины временных промежутков с последующим определением среднего значения теплового сопротивления. Технический результат в устройстве для измерения теплового сопротивления переход-корпус полупроводникового прибора, содержащем контактную колодку с клеммами для подключения контролируемого полупроводникового прибора, температурный датчик, источник питания, источник тока, выход которого подключен к контактной колодке с клеммами, достигается тем, что в него введены последовательно соединенные микроконтроллер и компьютер, форсунка со схемой включения, оптический излучатель и оптически связанный с ним оптический приемник, выход которого подключен к первому входу микроконтроллера, второй выход которого подключен к форсунке со схемой включения, второй вход микроконтроллера соединен с выходом источника тока, третий вход микроконтроллера соединен с датчиком температуры, а выход источника питания соединен с оптическим излучателем. 2 н.п. ф-лы, 6 ил.
Description
Изобретение относится к измерительной технике, в частности к технике измерения тепловых параметров полупроводниковых приборов после изготовления, а также для неразрушающего входного контроля при производстве радиоэлектронной аппаратуры.
Известен способ измерения теплового сопротивления переход-корпус, в котором полупроводниковый кристалл нагревают путем пропускания через него постоянного тока I0 заданной амплитуды, измеряют в процессе нагревания значение его температурочувствительного параметра, в качестве которого используют прямое падение напряжения на кристалле Uп, и одновременно измеряют температуру основания корпуса Тк прибора в выбранной точке. Запоминают эти значения, получая их зависимости от времени t. Прекращают нагрев полупроводникового кристалла при достижении температуры Тк заданного значения и в режиме естественного охлаждения при подаче на кристалл коротких измерительных импульсов тока с амплитудой I0 и скважностью, не влияющих на тепловое равновесие прибора, измеряют и запоминают значения температурочувствительного параметра и температуры основания корпуса, получая зависимости Uп(t) и Tk(t) на интервале охлаждения. При этом длительность интервала охлаждения выбирают из условия безусловного выполнения 1>>3τ, где τ - наибольшая тепловая постоянная конструкции прибора, определяют момент динамического равновесия t1 на интервале нагрева и по полученным зависимостям вычисляют тепловое сопротивление переход-корпус в данной точке t1 (Патент РФ №2240573, G01R3 1/16, опубл. 20.11.2004, БИ №13, 2007 г.).
Недостатком известного способа является низкая точность измерения теплового сопротивления. Точность способа зависит от точности измерения температуры корпуса, которая измеряется в одной точке. Между тем температура корпуса может иметь значительный градиент по поверхности и существенно зависеть от условий охлаждения корпуса прибора.
Известно устройство для измерения тепловых параметров двухполюсников методом сравнения содержащее, источник тока, образцовый двухполюсник, амперметр, клеммы для подключения контролируемого двухполюсника и вольтметр для измерения напряжения на контролируемом двухполюснике, причем выход источника тока соединен с одной из клемм для подключения контролируемого двухполюсника, один из полюсов амперметра соединен с соответствующим выводом образцового двухполюсника, а второй полюс амперметра и вторая клемма для подключения контролируемого двухполюсника соединены с общей шиной, дополнительно k-1 образцовых двухполюсников с известным и одинаковым тепловым сопротивлением и однополюсный k-позиционный переключатель, при этом соответствующие выводы дополнительных k-1 образцовых двухполюсников соединены с соответствующим полюсом амперметра, а вторые выводы всех образцовых двухполюсников, каждый по отдельности, соединены с соответствующими контактами однополюсного k-позиционного переключателя, общий полюс которого соединен с выходом источника тока (Патент РФ №2227922, G01R 31/26, опубл. 27.04.2004). Недостатком известного устройства является низкое быстродействие, поскольку необходимо производить измерения теплового сопротивления нескольких дополнительных образцовых устройств и сравнивать их тепловое сопротивление с контролируемым образцом, это увеличивает время для проведения измерения и уменьшает быстродействие известного устройства.
Наиболее близким техническим решением к предлагаемому способу и устройству является способ, приведенный в патенте на устройство для измерения теплового сопротивления переход-корпус полупроводникового прибора, включающий воздействие на контролируемый полупроводниковый прибор нагретой жидкостью с заданной температурой путем погружения контролируемого полупроводникового прибора в нагретую жидкость, определение зависимости выходного напряжения контролируемого полупроводникового прибора от температуры нагрева контролируемого полупроводникового прибора, определение теплового сопротивления переход-корпус контролируемого полупроводникового прибора с учетом параметров теплоемкости контролируемого полупроводникового прибора, значений температур и времени нагрева между этими температурами контролируемого полупроводникового прибора. Устройство согласно прототипу содержит контактную колодку с клеммами для подключения контролируемого полупроводникового прибора, два устройства сравнения, источник опорных напряжений, селектор, генератор тактовых импульсов, источник питания, счетчик, вход которого подключен к выходу селектора, один из входов которого подключен к выходу генератора тактовых импульсов, а выходы источника опорных напряжений подключены соответственно к входам устройств сравнения, другие входы устройств сравнения соединены между собой, устройство также содержит нагреватель, вентилятор, термометр, сосуд с диэлектрической жидкостью, усилитель, переключатель, вольтметр, источник тока, выход которого подключен к входу усилителя и контактной колодке с клеммами для подключения контролируемого полупроводникового прибора, а выход усилителя подключен к третьему контакту переключателя, первый контакт которого подключен к вольтметру, второй контакт переключателя подключен к соединенным входам устройств сравнения, а выходы устройств сравнения подключены к входам селектора соответственно, термометр, вентилятор и нагреватель погружены в сосуд с диэлектрической жидкостью, входы вентилятора и нагревателя соединены между собой и подключены к источнику питания (см. Патент РФ №2392631, G01R 31/26, опубл. 20.06.2010, БИ №17 2010 г.).
Недостатком известного способа и устройства по прототипу является низкая точность измерения теплового сопротивления и низкое быстродействие. Точность способа зависит от точности срабатывания устройств сравнения, а как показано в литературе (Алексенко А.Г. и др. Применение прецизионных аналоговых ИС.- М.: Радио и связь, 1981, стр. 172) при медленных процессах компараторы, которые используются в качестве устройств сравнения, дают большую ошибку по времени включения. Кроме того, измерение времени нагрева делается один раз, и нет возможности проводить статистическую обработку результатов измерений, а известно, что статистическая обработка результатов измерения уменьшает влияние случайных факторов и помех и повышает точность измерения. Низкое быстродействие способа связано с тем, что измерение происходит в два этапа: первый этап - определение зависимости выходного напряжения контролируемого полупроводникового прибора от температуры нагрева контролируемого полупроводникового прибора и второй этап - собственно измерение времени нагрева и вычисление теплового сопротивления переход-корпус.
Технический результат в предлагаемом способе и устройстве - повышение быстродействия и точности измерения теплового сопротивления переход-корпус полупроводникового прибора.
Технический результат в способе для измерения теплового сопротивления переход-корпус полупроводникового прибора, включающем воздействие на контролируемый полупроводниковый прибор нагретой жидкостью с заданной температурой, определение зависимости выходного напряжения контролируемого полупроводникового прибора от температуры нагрева контролируемого полупроводникового прибора, определение теплового сопротивления переход-корпус контролируемого полупроводникового прибора с учетом параметров теплоемкости контролируемого полупроводникового прибора, значений температур и времени нагрева между этими температурами контролируемого полупроводникового прибора, достигается тем, что воздействие нагретой жидкостью на контролируемый полупроводниковый прибор осуществляют посредством струи нагретой жидкости, фиксируя при этом n значений выходного напряжения контролируемого полупроводникового прибора через равные промежутки времени, фиксируя при этом время начала процесса и фиксируя время конца каждого последующего временного интервала, определение зависимости выходного напряжения контролируемого полупроводникового прибора от температуры нагрева контролируемого полупроводникового прибора осуществляют по двум крайним температурам, соответствующим началу и концу процесса нагрева контролируемого полупроводникового прибора, и на основе этой зависимости определяют температурный коэффициент напряжения контролируемого полупроводникового прибора, n значений выходного напряжения контролируемого полупроводникового прибора преобразуют в n значений температур в конце каждого временного интервала путем деления каждого измеренного напряжения на температурный коэффициент напряжения, определение теплового сопротивления переход-корпус контролируемого полупроводникового прибора осуществляет n раз с учетом n временных интервалов времени нагрева полупроводникового прибора, n значений температур контролируемого полупроводникового прибора, определяемых в конце каждого временного интервала, далее определяют среднее значение теплового сопротивления переход-корпус контролируемого полупроводникового прибора по формуле:
где R - тепловое сопротивление переход-корпус контролируемого полупроводникового прибора,
С - теплоемкость контролируемого полупроводникового прибора,
t0 - время начала процесса нагрева контролируемого полупроводникового прибора,
ti=(Δt·i)-i - временной интервал в конце которого измеряется напряжение на выходе значения температуры контролируемого полупроводникового прибора,
Δt - значение временного интервала,
Т0 - значения температуры контролируемого полупроводникового прибора перед началом измерения,
Ti - значения температуры контролируемого полупроводникового прибора в конце i временного интервала,
i и n - натуральный ряд чисел.
Технический результат в устройстве для измерения теплового сопротивления переход-корпус полупроводникового прибора, содержащем контактную колодку с клеммами для подключения контролируемого полупроводникового прибора, температурный датчик, источник питания, источник тока, выход которого подключен к контактной колодке с клеммами для подключения контролируемого полупроводникового прибора, достигается тем, что введены последовательно соединенные микроконтроллер и компьютер, форсунка со схемой включения, оптический излучатель и оптически связанный с ним оптический приемник, выход которого подключен к первому входу микроконтроллера, второй выход которого подключен к форсунке со схемой включения, второй вход микроконтроллера соединен с выходом источника тока, третий вход микроконтроллера соединен с температурным датчиком, а выход источника питания соединен с оптическим излучателем.
На фиг.1 представлена структурная схема устройства для измерения теплового сопротивления переход-корпус с подключенным контролируемым полупроводниковым прибором. На фиг.2 представлено пространственное расположение элементов изображения на фиг.1. На фиг.3, 4 представлены временные диаграммы работы устройства. На фиг.5 представлена осциллограмма выходных сигналов на выходе контролируемого полупроводникового прибора и выходе оптического приемника. На фиг.6 представлен алгоритм работы микроконтроллера. Устройство для измерения теплового сопротивления переход-корпус содержит: контактную колодку 1 с клеммами для подключения контролируемого полупроводникового прибора, датчик температуры 2, источник питания 3, источник тока 4, выход которого соединен с контактной колодкой 1 для подключения контролируемого полупроводникового прибора и вторым входом микроконтроллера 5, компьютер 6, вход которого соединен с первым выходом микроконтроллера 5, форсунка со схемой включения 7, подключенная к второму выходу микроконтроллера 5, оптический излучатель 8, вход которого соединен с выходом источника питания 3, оптический приемник 9, выход которого соединен с первым входом микроконтроллера 5, третий вход которого соединен с выходом датчика температуры 2, 10 - контролируемый полупроводниковый прибор.
В качестве контролируемого полупроводникового прибора 10 был использован транзистор типа КТ805. В качестве выходного напряжения контролируемого полупроводникового прибора использовалось прямое падение напряжения на эмиттерном переходе. В качестве датчика температуры 2 использовался бескорпусной диод КД911 с малой температурной постоянной времени, датчик температуры 2 приклеивается на нижнюю поверхность контролируемого полупроводникового прибора с использованием эпоксидного клея. Источник питания 3 - GPS3030D. Источник тока 4 был выполнен по схеме (см. Алексенко А.Г. и др. Применение прецизионных аналоговых ИС.- М.: Радио и связь, 1981, стр. 218 рис. 6. 6а). В качестве микроконтроллера 5 использовалась микросхема Atmega 128 производства фирмы «ATMEL», в состав которой входит усилитель, коммутатор, аналого-цифровой преобразователь, память для программы и сохранения данных, полученных при измерении, интерфейс для соединения с компьютером. Микроконтроллер 5 соединен с компьютером 6 интерфейсом RS232 для передачи данных. Компьютер 6 с процессором Intel Pentium III 737 МГц с СОМ портом. В качестве форсунки со схемой включения 7 использовался электронасос ЭНЦ 2,5-12 с управлением от электронных ключей на транзисторах КТ829. Выходное сопло форсунки 7 располагалось напротив нижней поверхности контролируемого полупроводникового прибора на расстоянии 15-20 мм. В качестве оптического излучателя 8 был применен инфракрасный светодиод АЛ107Б, оптический приемник 9 - фотодиод марки ФД265-01. Оптические оси оптического излучателя 8 и оптического приемника 9 расположены под таким углом, чтобы инфракрасные лучи, излучаемые оптическим передатчиком, отражались от нижней поверхности контролируемого полупроводникового прибора 10 и попадали на оптический приемник 9, например под углом 160°-170° друг к другу. В качестве жидкости с температурой Тn использовалась полиметилсилоксановая жидкость марки ПМС-5 по ГОСТ 13032-77 с изм. 1-3 (см. также «Кремнийорганические продукты, выпускаемые в СССР», Каталог-справочник. М.: Химия, 1970, с. 52). Жидкости типа ПМС обладают высокими диэлектрическими свойствами и химически инертны даже при высоких температурах.
Рассмотрим осуществление способа для измерения теплового сопротивления переход-корпус и работу устройства, его реализующего. Контролируемый полупроводниковый прибор 10 подключается к контактной колодке 1 так, чтобы нижняя поверхность контролируемого полупроводникового прибора 10 для отвода тепла была обращена в стороны сопла форсунки 7. Микроконтроллер 5 программируется управляющей программой, алгоритм работы которой показан на фиг.6. В программе микроконтроллера 5 устанавливаются следующие параметры: n - количество измерений, Δt - значение временного интервала. После включения устройства некоторое время, например 500-700 миллисекунд, длится переходный процесс и установления стабильного режима работы устройства. После окончания переходного процесса через колодку 1 с установленным в ней контролируемым полупроводниковым прибором 10 протекает ток от источника тока 4. Одновременно включается источник питания 3, который питает оптический излучатель 8, его лучи после отражения от контролируемого полупроводникового прибора 10, подключенного к контактной колодке 1, попадают на оптический приемник 9, который преобразует их в электрический сигнал и вводит эти сигналы в микроконтроллер 5. Датчик температуры 2 измеряет температуру Т0 в точке t0 и передает ее в микроконтроллер 5, где она запоминается в памяти микроконтроллера 5. После окончания переходного процесса сигнал со второго выхода микроконтроллера 5 включает форсунку со схемой включения 7. Жидкость с температурой Тn, температура которой Тn>>Т0, поступает в форсунку 7 и через ее выходное сопло посредством струи на поверхность контролируемого полупроводникового прибора 10, установленного в колодке 1. В результате быстрого нагрева контролируемого полупроводникового прибора напряжение на его выходе начинает падать, поскольку р-n переход имеет отрицательную зависимость прямого напряжения от температуры. График изменения напряжения Uвых на выходе контролируемого полупроводникового прибора 10 показан на фиг.3. Как только первые капли струи жидкости с температурой Тn попадают на поверхность контролируемого полупроводникового прибора 10, световой луч между оптическим излучателем 8 и оптическим приемником 9 ослабляется и происходит резкое изменение уровня сигнала на выходе оптического приемника 9, которое фиксируется микроконтроллером 5 на первом входе. На осциллограмме фиг.5, полученной с помощью цифрового осциллографа ADS2111М, показаны сигналы с выхода контролируемого полупроводникового прибора 10 (верхняя осциллограмма) и сигналы с выхода оптического приемника 9 (нижняя осциллограмма). Перепад напряжения с выхода оптического приемника 9 поступает на первый вход микроконтроллера 5 и преобразуется в команду для запуска программы измерения напряжения на выходе контролируемого полупроводникового прибора 10. На временной оси фиг.3 этот момент времени обозначен t0, микроконтроллер 5 формирует интервалы времени Δt, в конце каждого из которых происходит измерение напряжения на выходе контролируемого полупроводникового прибора 10 и сохранение значений напряжений в памяти микроконтроллера 5 в виде массива напряжений Мu. Процесс измерения происходит до точки tn. После измерения напряжения в точке tn происходит измерение температуры Тn с помощью датчика температуры 2 и запоминание этого значения в памяти микроконтроллера 5. Вычисление температурного коэффициента напряжения Кткн осуществляется в соответствии с ГОСТ 19656.15-84 Диоды полупроводниковые СВЧ. Методы измерения теплового сопротивления переход-корпус и импульсного теплового сопротивления. Приложение 1, стр. 13. Программа микроконтроллера 5 вычисляет температурный коэффициент напряжения Кткн по формуле:
где Кткн - температурный коэффициент напряжения,
U0 - напряжение на выходе контролируемого полупроводникового прибора перед началом измерения, в момент времени t0,
Un - напряжение на выходе контролируемого полупроводникового прибора в конце процесса измерения, в момент времени tn,
Т0 - температура контролируемого полупроводникового прибора перед началом измерения, в момент времени t0,
Tn - температура контролируемого полупроводникового прибора в в конце процесса измерения, в момент времени tn.
После вычисления температурного коэффициента напряжения каждый член массива Мu напряжений в памяти микроконтроллера 5 преобразуется в массив температур Mt по формуле:
Поскольку работа программы микроконтроллера 5 синхронизируется с помощью кварцевого резонатора, временные интервалы Δt в программе микроконтроллера 5 задаются с высокой точностью, после преобразования по формуле 2 получаем массив температур Mt, в котором каждая точка графика фиг.4 определяется значениями температуры р-n перехода контролируемого полупроводникового прибора 10 Тpn и времени t. Причем время будет определяться по номеру члена массива. Например, мы устанавливаем в программе микроконтроллера 5 временной интервал Δt между измерениями, равный 50 миллисекунд, тогда t0=0, t1=50Mceк, t2=100Mceл, … ti=50·i мсек, где i - натуральный ряд чисел. После преобразования полученный массив Mt передается из микроконтроллера в компьютер 6 с помощью интерфейса RS232 и используется для расчета теплового сопротивления переход-корпус. Расчет теплового сопротивления производится в компьютере 6 в программе Microsoft Excel n раз с последующим вычислением средней величины по формуле:
где R - тепловое сопротивление переход-корпус контролируемого полупроводникового прибора,
С - теплоемкость контролируемого полупроводникового прибора,
t0 - время начала процесса нагрева контролируемого полупроводникового прибора,
ti=(Δt·i)-i - временной интервал, в конце которого измеряется напряжение на выходе значения температуры контролируемого полупроводникового прибора,
Δt - значение временного интервала,
Т0 - температура контролируемого полупроводникового прибора перед началом измерения,
Ti - температура контролируемого полупроводникового прибора в конце i временного интервала,
i и n - натуральный ряд чисел.
Заявляемые способ и устройство позволяют увеличить точность измерения теплового сопротивления переход-корпус, поскольку в процессе измерения теплового сопротивления используется n измерений с последующей статистической обработкой путем вычисления среднего значения. Статистическая обработка результатов измерения уменьшает влияние случайных факторов и помех и повышает точность измерения. Заявляемые способ и устройство позволяют уменьшить время измерения теплового сопротивления переход-корпус, поскольку измерение температурного коэффициента напряжения и собственно измерение теплового сопротивления происходят в одном цикле, тогда как в прототипе необходимы два цикла измерения.
Claims (2)
1. Способ измерения теплового сопротивления переход-корпус полупроводникового прибора, включающий воздействие на контролируемый полупроводниковый прибор нагретой жидкостью с заданной температурой, определение зависимости выходного напряжения контролируемого полупроводникового прибора от температуры нагрева контролируемого полупроводникового прибора, определение теплового сопротивления переход-корпус контролируемого полупроводникового прибора с учетом параметров теплоемкости контролируемого полупроводникового прибора, значений температур и времени нагрева между этими температурами контролируемого полупроводникового прибора, отличающийся тем, что воздействие нагретой жидкостью на контролируемый полупроводниковый прибор осуществляют посредством струи нагретой жидкости, фиксируя при этом n значений выходного напряжения контролируемого полупроводникового прибора через равные промежутки времени, фиксируя при этом время начала процесса и фиксируя время конца каждого последующего временного интервала нагрева контролируемого полупроводникового прибора, определение зависимости выходного напряжения контролируемого полупроводникового прибора от температуры нагрева контролируемого полупроводникового прибора осуществляют по двум крайним температурам, соответствующим началу и концу процесса нагрева контролируемого полупроводникового прибора, и на основе этой зависимости определяют температурный коэффициент напряжения контролируемого полупроводникового прибора, n значений выходного напряжения контролируемого полупроводникового прибора преобразуют в n значений температур в конце каждого временного интервала путем деления каждого измеренного выходного напряжения на температурный коэффициент напряжения, определение теплового сопротивления переход-корпус контролируемого полупроводникового прибора осуществляют n раз с учетом n временных интервалов времени нагрева полупроводникового прибора, n значений температур контролируемого полупроводникового прибора, определяемых в конце каждого временного интервала, далее определяют среднее значение теплового сопротивления переход-корпус контролируемого полупроводникового прибора по формуле:
где
R - тепловое сопротивление переход-корпус контролируемого полупроводникового прибора,
С - теплоемкость контролируемого полупроводникового прибора,
t0 - время начала процесса нагрева контролируемого полупроводникового прибора,
ti=(Δt·i) - временные интервалы в процессе нагрева контролируемого полупроводникового прибора,
Δt - значение временного интервала,
Т0 - значения температуры контролируемого полупроводникового прибора перед началом измерения,
Ti - значения температуры контролируемого полупроводникового прибора в конце i временного интервала,
i - текущий индекс, изменяется от 0 до n,
i и n - натуральный ряд чисел.
где
R - тепловое сопротивление переход-корпус контролируемого полупроводникового прибора,
С - теплоемкость контролируемого полупроводникового прибора,
t0 - время начала процесса нагрева контролируемого полупроводникового прибора,
ti=(Δt·i) - временные интервалы в процессе нагрева контролируемого полупроводникового прибора,
Δt - значение временного интервала,
Т0 - значения температуры контролируемого полупроводникового прибора перед началом измерения,
Ti - значения температуры контролируемого полупроводникового прибора в конце i временного интервала,
i - текущий индекс, изменяется от 0 до n,
i и n - натуральный ряд чисел.
2. Устройство для измерения теплового сопротивления переход-корпус полупроводникового прибора, содержащее контактную колодку с клеммами для подключения контролируемого полупроводникового прибора, датчик температуры, источник питания, источник тока, выход которого подключен к контактной колодке с клеммами для подключения контролируемого полупроводникового прибора, отличающееся тем, что в него введены последовательно соединенные микроконтроллер и компьютер, форсунка со схемой включения, оптический излучатель и оптически связанный с ним оптический приемник, выход которого подключен к первому входу микроконтроллера, второй выход которого подключен к форсунке со схемой включения, второй вход микроконтроллера соединен с выходом источника тока, третий вход микроконтроллера соединен с датчиком температуры, а выход источника питания соединен с оптическим излучателем.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2013118507/28A RU2529761C1 (ru) | 2013-04-22 | 2013-04-22 | Способ измерения теплового сопротивления переход-корпус полупроводникового прибора и устройство для его осуществления |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2013118507/28A RU2529761C1 (ru) | 2013-04-22 | 2013-04-22 | Способ измерения теплового сопротивления переход-корпус полупроводникового прибора и устройство для его осуществления |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2529761C1 true RU2529761C1 (ru) | 2014-09-27 |
Family
ID=51656811
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2013118507/28A RU2529761C1 (ru) | 2013-04-22 | 2013-04-22 | Способ измерения теплового сопротивления переход-корпус полупроводникового прибора и устройство для его осуществления |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2529761C1 (ru) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2686859C1 (ru) * | 2018-09-05 | 2019-05-06 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский политехнический университет" | Способ измерения теплового сопротивления между корпусом полупроводникового прибора и радиатором охлаждения |
RU2687300C1 (ru) * | 2018-09-05 | 2019-05-13 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский политехнический университет" | Устройство для измерения теплового сопротивления между корпусом полупроводникового прибора и радиатором охлаждения |
CN110132428A (zh) * | 2019-06-13 | 2019-08-16 | 无锡物联网创新中心有限公司 | Mems传感器热学参数测试电路及测试方法 |
CN114034912A (zh) * | 2021-11-08 | 2022-02-11 | 湖南大学 | 基于大电流饱和压降的igbt结壳热阻测量方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2227922C2 (ru) * | 2002-07-05 | 2004-04-27 | Ульяновский государственный технический университет | Устройство для измерения тепловых параметров двухполюсников методом сравнения |
RU2240573C1 (ru) * | 2003-04-22 | 2004-11-20 | Флоренцев Станислав Николаевич | Экспресс-метод измерения теплового сопротивления переход-корпус силовых полупроводниковых приборов в корпусном исполнении |
RU2392631C1 (ru) * | 2009-06-09 | 2010-06-20 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Казанский государственный технический университет им. А.Н. Туполева | Устройство для измерения теплового сопротивления переход-корпус полупроводникового прибора |
RU121374U1 (ru) * | 2012-05-17 | 2012-10-20 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский Электротехнический институт им. В.И. Ленина" (ФГУП ВЭИ) | Устройство ускоренного контроля теплового сопротивления силовых полупроводниковых приборов таблеточной конструкции |
RU2012138818A (ru) * | 2012-09-10 | 2013-08-27 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Мордовский государственный университет им. Н.П. Огарёва" | Способ определения теплового сопротивления переход - корпус транзисторов с полевым управлением |
-
2013
- 2013-04-22 RU RU2013118507/28A patent/RU2529761C1/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2227922C2 (ru) * | 2002-07-05 | 2004-04-27 | Ульяновский государственный технический университет | Устройство для измерения тепловых параметров двухполюсников методом сравнения |
RU2240573C1 (ru) * | 2003-04-22 | 2004-11-20 | Флоренцев Станислав Николаевич | Экспресс-метод измерения теплового сопротивления переход-корпус силовых полупроводниковых приборов в корпусном исполнении |
RU2392631C1 (ru) * | 2009-06-09 | 2010-06-20 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Казанский государственный технический университет им. А.Н. Туполева | Устройство для измерения теплового сопротивления переход-корпус полупроводникового прибора |
RU121374U1 (ru) * | 2012-05-17 | 2012-10-20 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский Электротехнический институт им. В.И. Ленина" (ФГУП ВЭИ) | Устройство ускоренного контроля теплового сопротивления силовых полупроводниковых приборов таблеточной конструкции |
RU2012138818A (ru) * | 2012-09-10 | 2013-08-27 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Мордовский государственный университет им. Н.П. Огарёва" | Способ определения теплового сопротивления переход - корпус транзисторов с полевым управлением |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2686859C1 (ru) * | 2018-09-05 | 2019-05-06 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский политехнический университет" | Способ измерения теплового сопротивления между корпусом полупроводникового прибора и радиатором охлаждения |
RU2687300C1 (ru) * | 2018-09-05 | 2019-05-13 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский политехнический университет" | Устройство для измерения теплового сопротивления между корпусом полупроводникового прибора и радиатором охлаждения |
CN110132428A (zh) * | 2019-06-13 | 2019-08-16 | 无锡物联网创新中心有限公司 | Mems传感器热学参数测试电路及测试方法 |
CN110132428B (zh) * | 2019-06-13 | 2020-05-22 | 无锡物联网创新中心有限公司 | Mems传感器热学参数测试电路及测试方法 |
CN114034912A (zh) * | 2021-11-08 | 2022-02-11 | 湖南大学 | 基于大电流饱和压降的igbt结壳热阻测量方法 |
CN114034912B (zh) * | 2021-11-08 | 2022-07-19 | 湖南大学 | 基于大电流饱和压降的igbt结壳热阻测量方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2529761C1 (ru) | Способ измерения теплового сопротивления переход-корпус полупроводникового прибора и устройство для его осуществления | |
CN101435727A (zh) | 温度预测方法及装置 | |
Siegal | Practical considerations in high power LED junction temperature measurements | |
JPS54107374A (en) | Electronic clinical thermometer | |
CN108303628B (zh) | 一种利用矩形波信号驱动半导体器件进行结温测试的方法 | |
RU2624406C1 (ru) | Способ измерения теплового импеданса светодиодов | |
Baker et al. | Experimental evaluation of IGBT junction temperature measurement via a Modified-VCE (ΔVCE_ΔVGE) method with series resistance removal | |
JP2009145257A (ja) | 温度センサ、及び温度測定方法 | |
RU2687300C1 (ru) | Устройство для измерения теплового сопротивления между корпусом полупроводникового прибора и радиатором охлаждения | |
RU2556315C2 (ru) | Способ измерения теплового импеданса светодиодов | |
RU2327177C1 (ru) | Способ определения теплового сопротивления цифровых интегральных микросхем | |
CN104266751B (zh) | 多波长激光功率检定仪及其检定方法 | |
RU2685769C1 (ru) | Способ определения переходного теплового сопротивления кристалл-корпус и теплового сопротивления кристалл-корпус в состоянии теплового равновесия транзисторов с полевым управлением | |
RU2453854C1 (ru) | Энергосберегающий микроконтроллерный измерительный преобразователь для резистивных датчиков | |
Kobeleva et al. | A device for free-carrier recombination lifetime measurements | |
RU2686859C1 (ru) | Способ измерения теплового сопротивления между корпусом полупроводникового прибора и радиатором охлаждения | |
Iermolenko et al. | The method of determining the duration of transients in semiconductor devices for current-voltage characteristics measurement | |
CN102706476A (zh) | 基于赛格奈克光纤干涉仪的高精度快速温度测量方法 | |
RU2564862C2 (ru) | Способ контроля дискретных уровней жидкости и система (устройство), обеспечивающая его реализацию | |
RU2787328C1 (ru) | Способ измерения теплового сопротивления переход-корпус и тепловой постоянной времени переход-корпус полупроводникового изделия | |
RU2654353C1 (ru) | Способ измерения компонент теплового сопротивления мощных полупроводниковых приборов | |
SU1506297A1 (ru) | Устройство дл измерени температуры | |
SU596894A1 (ru) | Способ определени максимально допустимого тока лавинно-пролетных диодов | |
RU2331898C1 (ru) | Способ неразрушающего контроля качества соединений элементов конструкции полупроводниковых изделий | |
Nada et al. | On the automation of thermographic phosphor calibration |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20170423 |