RU2012138818A - Способ определения теплового сопротивления переход - корпус транзисторов с полевым управлением - Google Patents

Способ определения теплового сопротивления переход - корпус транзисторов с полевым управлением Download PDF

Info

Publication number
RU2012138818A
RU2012138818A RU2012138818/28A RU2012138818A RU2012138818A RU 2012138818 A RU2012138818 A RU 2012138818A RU 2012138818/28 A RU2012138818/28 A RU 2012138818/28A RU 2012138818 A RU2012138818 A RU 2012138818A RU 2012138818 A RU2012138818 A RU 2012138818A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
time
value
current
heating
case
Prior art date
Application number
RU2012138818/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2516609C2 (ru
Inventor
Николай Николаевич Беспалов
Алексей Евгеньевич Лысенков
Original Assignee
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Мордовский государственный университет им. Н.П. Огарёва"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Мордовский государственный университет им. Н.П. Огарёва" filed Critical Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Мордовский государственный университет им. Н.П. Огарёва"
Priority to RU2012138818/28A priority Critical patent/RU2516609C2/ru
Publication of RU2012138818A publication Critical patent/RU2012138818A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2516609C2 publication Critical patent/RU2516609C2/ru

Links

Landscapes

  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

Способ определения теплового сопротивления переход - корпус транзисторов с полевым управлением, заключающийся в том, что через прибор в открытом состоянии предварительно пропускают измерительный ток, в начальном термодинамическом равновесии в момент времени tизмеряют и запоминают значения термочувствительного параметра, в качестве которого используют падение напряжения на приборе в открытом состоянии u(t) и температуры корпуса T(t) в выбранной точке, с момента времени tдо момента времени tприбор нагревают путем пропускания через него тока произвольной формы i(t) в открытом состоянии, в процессе нагрева в моменты временипрерывают протекание греющего тока iи, пропуская через прибор измерительный ток, измеряют и запоминают значения термочувствительного параметраи температуры корпуса, в интервалах временипериодически измеряют и запоминают значения греющего токаи вызываемого им падения напряжения на приборевычисляют среднюю мощностьвыделяемую прибором в интервале временис момента времени tсреднее значение греющего тока iувеличивают от минимального, равного значению измерительного тока, и при сравнении значения вычисленной средней мощности потерь на n-м интервале измеренияс предварительно установленной максимально допустимой мощностью Pпрекращают увеличивать среднее значение греющего тока iи продолжают процесс нагрева, по достижении температурой корпуса прибора заданного максимального значенияв момент tполностью прерывают протекание греющего тока i, через прибор пропускают измерительный ток и измеряют и запоминают значение термочувствительного параметра u(t), после момента времени tв режиме естест

Claims (1)

  1. Способ определения теплового сопротивления переход - корпус транзисторов с полевым управлением, заключающийся в том, что через прибор в открытом состоянии предварительно пропускают измерительный ток, в начальном термодинамическом равновесии в момент времени t0 измеряют и запоминают значения термочувствительного параметра, в качестве которого используют падение напряжения на приборе в открытом состоянии uj(t0) и температуры корпуса TC(t0) в выбранной точке, с момента времени t1 до момента времени t2 прибор нагревают путем пропускания через него тока произвольной формы iheat(t) в открытом состоянии, в процессе нагрева в моменты времени t h e a t ( n )
    Figure 00000001
    прерывают протекание греющего тока iheat и, пропуская через прибор измерительный ток, измеряют и запоминают значения термочувствительного параметра u j ( t h e a t ( n ) )
    Figure 00000002
    и температуры корпуса T C ( t h e a t ( n ) )
    Figure 00000003
    , в интервалах времени t h e a t ( n ) t h e a t ( n + 1 )
    Figure 00000004
    периодически измеряют и запоминают значения греющего тока i h e a t ( t h e a t i ( n ) )
    Figure 00000005
    и вызываемого им падения напряжения на приборе u h e a t ( t h e a t i ( n ) ) ,
    Figure 00000006
    вычисляют среднюю мощность P t o t n ,
    Figure 00000007
    выделяемую прибором в интервале времени t h e a t ( n ) t h e a t ( n + 1 ) ,
    Figure 00000008
    с момента времени t1 среднее значение греющего тока iheat увеличивают от минимального, равного значению измерительного тока, и при сравнении значения вычисленной средней мощности потерь на n-м интервале измерения P t o t n
    Figure 00000009
    с предварительно установленной максимально допустимой мощностью PMAX прекращают увеличивать среднее значение греющего тока iheat и продолжают процесс нагрева, по достижении температурой корпуса прибора заданного максимального значения T C M A X
    Figure 00000010
    в момент t2 полностью прерывают протекание греющего тока iheat, через прибор пропускают измерительный ток и измеряют и запоминают значение термочувствительного параметра uj(t2), после момента времени t2 в режиме естественного охлаждения по достижении термодинамического равновесия в момент времени t3, выбираемый из условия безусловного выполнения t3>>t2+3τ, где τ - тепловая постоянная конструкции прибора, измеряют и запоминают значения термочувствительного параметра uj(t3) при протекании измерительного тока и температуры корпуса прибора TC(t3), после чего рассчитывают тепловое сопротивление переход - корпус Rthjc, отличающийся тем, что на протяжении всего процесса определения теплового сопротивления переход - корпус управляемых полупроводниковых приборов в корпусном исполнении значения термочувствительного параметра uj измеряют при пропускании через прибор импульса измерительного тока заданной амплитуды, длительность которого не влияет на термодинамическое состояние прибора, при подаче импульса напряжения заданной амплитуды на управляющий электрод прибора и по окончании переходного процесса, с момента времени t1 до момента времени t2 сравнивают вычисленную среднюю мощность P t o t n ,
    Figure 00000007
    выделяемую прибором за интервал времени t h e a t ( n ) t h e a t ( n + 1 ) ,
    Figure 00000011
    с предварительно установленной максимально допустимой для прибора рассеиваемой мощностью PMAX и, когда значение P t o t n
    Figure 00000009
    меньше, равно или больше PMAX, соответственно увеличивают, оставляют неизменным или уменьшают среднее значение греющего тока, тепловое сопротивление переход - корпус рассчитывают как
    R t h j c = lg ( u j ( t 2 ) ) lg ( u j ( t 0 ) ) a + T C ( t 0 ) T C M A X P t o t У С Т ,
    Figure 00000012
    где uj(t2) - значение термочувствительного параметра полупроводникового прибора в момент прекращения протекания греющего тока;
    uj(t0) - значение термочувствительного параметра полупроводникового прибора в его начальном термодинамическом равновесии;
    T C M A X
    Figure 00000013
    - значение температуры корпуса полупроводникового прибора в момент прекращения протекания греющего тока;
    TC(t0) - значение температуры корпуса полупроводникового прибора в его начальном термодинамическом равновесии;
    P t o t У С Т
    Figure 00000014
    - среднее значение мощности потерь в установившемся тепловом режиме в процессе нагрева;
    a - коэффициент, рассчитываемый по формуле
    a = lg ( u j ( t 3 ) ) lg ( u j ( t 0 ) ) T C ( t 3 ) T C ( t 0 ) ,
    Figure 00000015
    где uj(t3) - значение термочувствительного параметра полупроводникового прибора в состоянии термодинамического равновесия в режиме охлаждения;
    TC(t3) - значение температуры корпуса полупроводникового прибора в состоянии термодинамического равновесия в режиме охлаждения, при этом переходное тепловое сопротивление переход - корпус рассчитывают как
    Z t h j c ( t h e a t ( n ) ) = lg ( u j ( t h e a t ( n ) ) ) lg ( u j ( t 0 ) ) a + T C ( t 0 ) T C ( t h e a t ( n ) ) P t o t n ,
    Figure 00000016
    где u j ( t h e a t ( n ) )
    Figure 00000017
    - значение термочувствительного параметра полупроводникового прибора в момент времени t h e a t ( n )
    Figure 00000018
    в процессе нагрева прибора;
    T C ( t h e a t ( n ) )
    Figure 00000019
    - значение температуры корпуса полупроводникового прибора в момент времени t h e a t ( n )
    Figure 00000018
    в процессе нагрева;
    P t o t n
    Figure 00000020
    - средняя мощность потерь, выделяемая прибором за интервал времени t h e a t ( n ) t h e a t ( n + 1 )
    Figure 00000021
    .
RU2012138818/28A 2012-09-10 2012-09-10 Способ определения теплового сопротивления переход-корпус транзисторов с полевым управлением RU2516609C2 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2012138818/28A RU2516609C2 (ru) 2012-09-10 2012-09-10 Способ определения теплового сопротивления переход-корпус транзисторов с полевым управлением

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2012138818/28A RU2516609C2 (ru) 2012-09-10 2012-09-10 Способ определения теплового сопротивления переход-корпус транзисторов с полевым управлением

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2012138818A true RU2012138818A (ru) 2013-08-27
RU2516609C2 RU2516609C2 (ru) 2014-05-20

Family

ID=49163609

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2012138818/28A RU2516609C2 (ru) 2012-09-10 2012-09-10 Способ определения теплового сопротивления переход-корпус транзисторов с полевым управлением

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2516609C2 (ru)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2529761C1 (ru) * 2013-04-22 2014-09-27 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Казанский национальный исследовательский технический университет им. А.Н. Туполева-КАИ" (КНИТУ-КАИ) Способ измерения теплового сопротивления переход-корпус полупроводникового прибора и устройство для его осуществления
RU2572794C1 (ru) * 2014-11-05 2016-01-20 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ульяновский государственный технический университет" Способ измерения теплового сопротивления переход-корпус мощных мдп-транзисторов
CN113589124A (zh) * 2021-07-16 2021-11-02 杭州中安电子有限公司 一种变频率数据采集的方法及装置
CN114755549A (zh) * 2022-03-14 2022-07-15 温州大学 一种功率半导体器件瞬态热敏电压测试装置

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2653962C1 (ru) * 2017-03-31 2018-05-15 ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "Брянский государственный технический университет" Способ автоматизированного определения теплового сопротивления переход - корпус силовых полупроводниковых приборов в корпусном исполнении
RU2655736C1 (ru) * 2017-09-01 2018-05-29 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Мордовский государственный университет им. Н.П. Огарёва" Способ оценки тепловой постоянной силового полупроводникового прибора
RU2698512C1 (ru) * 2018-02-12 2019-08-28 ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "Брянский государственный технический университет" Способ автоматизированного контроля тепловых сопротивлений полупроводниковых приборов
RU2685769C1 (ru) * 2018-07-03 2019-04-23 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Мордовский государственный университет им. Н.П. Огарёва" Способ определения переходного теплового сопротивления кристалл-корпус и теплового сопротивления кристалл-корпус в состоянии теплового равновесия транзисторов с полевым управлением

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4713612A (en) * 1986-07-14 1987-12-15 Hughes Aircraft Company Method and apparatus for determination of junction-to-case thermal resistance for a hybrid circuit element
RU2240573C1 (ru) * 2003-04-22 2004-11-20 Флоренцев Станислав Николаевич Экспресс-метод измерения теплового сопротивления переход-корпус силовых полупроводниковых приборов в корпусном исполнении
RU2300115C1 (ru) * 2006-02-02 2007-05-27 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Мордовский государственный университет им. Н.П. Огарева" Способ определения теплового сопротивления переход - корпус силовых полупроводниковых приборов в корпусном исполнении

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2529761C1 (ru) * 2013-04-22 2014-09-27 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Казанский национальный исследовательский технический университет им. А.Н. Туполева-КАИ" (КНИТУ-КАИ) Способ измерения теплового сопротивления переход-корпус полупроводникового прибора и устройство для его осуществления
RU2572794C1 (ru) * 2014-11-05 2016-01-20 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ульяновский государственный технический университет" Способ измерения теплового сопротивления переход-корпус мощных мдп-транзисторов
CN113589124A (zh) * 2021-07-16 2021-11-02 杭州中安电子有限公司 一种变频率数据采集的方法及装置
CN113589124B (zh) * 2021-07-16 2023-11-28 杭州中安电子有限公司 一种变频率数据采集的方法及装置
CN114755549A (zh) * 2022-03-14 2022-07-15 温州大学 一种功率半导体器件瞬态热敏电压测试装置

Also Published As

Publication number Publication date
RU2516609C2 (ru) 2014-05-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2012138818A (ru) Способ определения теплового сопротивления переход - корпус транзисторов с полевым управлением
CN106443400B (zh) 一种igbt模块的电-热-老化结温计算模型建立方法
US11397209B2 (en) Methods of monitoring conditions associated with aging of silicon carbide power MOSFET devices in-situ, related circuits and computer program products
RU2018114648A (ru) Хирургический сшивающий инструмент с управлением двигателем на основании показаний температуры
CN105510793B (zh) 一种变流器igbt功率模块结温测量的自标定方法
EP1715330A4 (en) DEVICE FOR IDENTIFYING LIQUID TYPES
US10935507B2 (en) Thermal conductivity detector for gas mixtures having at least three components
JP5911450B2 (ja) パワー半導体デバイスの温度特性演算装置
JP6203415B2 (ja) 半導体試験装置および半導体試験方法
US10845226B2 (en) Adhesive flow meter
US20170059498A1 (en) Thermal needle probe
US9823292B2 (en) Information output apparatus
KR101480439B1 (ko) 반도체 접합부 온도의 측정이 가능한 시험방법 및 이를 응용한 파워사이클링 시 접합부 온도 제어 방법
RU2685769C1 (ru) Способ определения переходного теплового сопротивления кристалл-корпус и теплового сопротивления кристалл-корпус в состоянии теплового равновесия транзисторов с полевым управлением
RU2572794C1 (ru) Способ измерения теплового сопротивления переход-корпус мощных мдп-транзисторов
RU2003111424A (ru) Экспресс-метод измерения теплового сопротивления переход-корпус силовых полупроводниковых приборов в корпусном исполнении
RU2016115526A (ru) Способ измерения переходной тепловой характеристики полупроводниковых изделий
RU2450277C2 (ru) Термоанемометр для измерения скорости потока жидкости или газа
RU2698512C1 (ru) Способ автоматизированного контроля тепловых сопротивлений полупроводниковых приборов
RU2013113070A (ru) Способ измерения температуры среды
RU2653962C1 (ru) Способ автоматизированного определения теплового сопротивления переход - корпус силовых полупроводниковых приборов в корпусном исполнении
RU2575472C2 (ru) Способ измерения уровня жидких сред
RU2561998C2 (ru) Цифровой измеритель температуры
RU162877U1 (ru) Калориметр для определения удельной теплоты плавления сахаров
RU2654353C1 (ru) Способ измерения компонент теплового сопротивления мощных полупроводниковых приборов

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20180911