RU2300115C1 - Способ определения теплового сопротивления переход - корпус силовых полупроводниковых приборов в корпусном исполнении - Google Patents

Способ определения теплового сопротивления переход - корпус силовых полупроводниковых приборов в корпусном исполнении Download PDF

Info

Publication number
RU2300115C1
RU2300115C1 RU2006103036/28A RU2006103036A RU2300115C1 RU 2300115 C1 RU2300115 C1 RU 2300115C1 RU 2006103036/28 A RU2006103036/28 A RU 2006103036/28A RU 2006103036 A RU2006103036 A RU 2006103036A RU 2300115 C1 RU2300115 C1 RU 2300115C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
value
current
heat
time
heating
Prior art date
Application number
RU2006103036/28A
Other languages
English (en)
Inventor
Николай Николаевич Беспалов (RU)
Николай Николаевич Беспалов
Михаил Владимирович Ильин (RU)
Михаил Владимирович Ильин
Original Assignee
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Мордовский государственный университет им. Н.П. Огарева"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Мордовский государственный университет им. Н.П. Огарева" filed Critical Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Мордовский государственный университет им. Н.П. Огарева"
Priority to RU2006103036/28A priority Critical patent/RU2300115C1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2300115C1 publication Critical patent/RU2300115C1/ru

Links

Landscapes

  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

Изобретение относится к технике измерения тепловых параметров силовых полупроводниковых приборов в корпусном исполнении и может быть использовано для контроля их качества. Технический результат: возможность определения теплового сопротивления переход-корпус тиристоров и симисторов, более простая реализации источников греющего и измерительного тока, упрощение обработки результатов измерения. Сущность: через испытуемый прибор пропускают постоянный измерительный ток Imeasure заданной величины. В начальном термодинамическом равновесии в момент времени t0 измеряют и запоминают значения термочувствительного параметра uhc(t0) и температуры корпуса TC(t0). С момента времени t1 до момента времени t2 нагревают прибор током iheat произвольной формы. В процессе нагрева в моменты времени
Figure 00000001
n-ого интервала измерения и запоминания термочувствительного параметра
Figure 00000002
измеряют и запоминают значения тока
Figure 00000003
вычисляют среднюю мощность n-ого интервала измерения потерь
Figure 00000004
С момента времени t1 величину греющего тока iheat увеличивают от минимальной, равной величине постоянного измерительного тока Imeasure, и при сравнении величины вычисленной средней мощности потерь на n-м интервале измерения
Figure 00000005
с предварительно установленной максимально допустимой мощностью Рmax прекращают увеличивать величину греющего тока iheat, продолжая процесс нагрева. В момент t1 прерывают протекание греющего тока iheat, измеряют и запоминают величины термочувствительного параметра uhc(t2) от протекания постоянного измерительного тока Imeasure и температуры корпуса TC(t2). После момента времени t2 в режиме естественного охлаждения по достижении термодинамического равновесия в момент времени t3 измеряют и запоминают величины термочувствительного параметра uhc(t3) и температуры корпуса прибора ТC(t3) и рассчитывают тепловое сопротивление переход-корпус. 1 ил.

Description

Изобретение относится к технике измерения тепловых параметров компонентов силовой электроники, в частности силовых полупроводниковых приборов в корпусном исполнении, включающих в себя диоды, транзисторы, тиристоры и симисторы, и может быть использовано для контроля их качества.
Известен способ определения теплового сопротивления переход-корпус силовых полупроводниковых приборов в корпусном исполнении [1], заключающийся в том, что полупроводниковый кристалл нагревают путем пропускания через него постоянного тока I0 заданной амплитуды и в процессе нагревания измеряют значение его термочувствительного параметра, в качестве которого используют прямое падение напряжения на кристалле (UП) и одновременно измеряют температуру основания корпуса (Tк) прибора в выбранной точке. Запоминают эти значения, получая их зависимости от времени t. Прекращают нагрев полупроводникового кристалла при достижении температуры Tк заданного значения и в режиме естественного охлаждения при подаче на кристалл коротких измерительных импульсов тока с амплитудой, равной значению постоянного греющего тока I0, и скважностью, не влияющими на тепловое равновесие прибора, измеряют и запоминают значения термочувствительного параметра и температуры основания корпуса, получая зависимости Un(t) и Тt(t) на интервале охлаждения. При этом длительность интервала охлаждения выбирают из условия безусловного выполнения t≫3τ, где τ - наибольшая тепловая постоянная конструкции прибора, определяют момент динамического равновесия на интервале нагрева и по полученным зависимостям вычисляют тепловое сопротивление переход-корпус (RU 2240573, МПК7 G01R 31/26, опубл. 20.11.2004).
Недостатками известного способа являются:
1. Ограниченные функциональные возможности способа, заключающиеся в том, что данным способом невозможно определять тепловое сопротивление переход-корпус таких приборов, как тиристоры и симисторы. Это обусловлено тем, что в этих приборах при включении существует процесс распространения включенного состояния по площади полупроводниковой структуры, время распространения которого варьируется от десятков микросекунд для маломощных приборов до единиц миллисекунд для мощных приборов. Причем время распространения зависит от конструкции управляющего электрода, степени шунтирования управления и величины плотности тока, что требует дополнительных условий по его определению для каждого типа тиристоров и симисторов. Тогда длительность измерительных импульсов тока по известному способу должна быть не менее длительности процесса распространения включенного состояния. При этом подача измерительных импульсов тока с амплитудой, равной величине греющего тока, создает условия дополнительного нагрева полупроводниковой структуры, что не позволяет реализовать известный способ для тиристоров и симисторов.
2. Сложное техническое решение реализации способа, обусловленное необходимостью использования источника греющего постоянной тока с малыми значениями пульсаций, что обуславливает применение мощного и высокоточного источника постоянного тока, а также источника измерительных импульсов тока с амплитудой, равной величине греющего постоянного тока, что также требует мощного и высокоточного источника импульсного тока.
3. Сложность реализации обработки результатов измерения, обусловленная применением аппроксимации экспоненциальными функциями снятой точечной временной зависимости напряжения на испытуемом приборе в процессе нагрева и нахождения точных значений коэффициентов аппроксимации с корреляцией по методу наименьших квадратов, являющихся тепловыми параметрами полупроводниковых приборов, что требует длительного итерационного процесса определения теплового сопротивления.
Технический результат заключается в дополнительной возможности определения теплового сопротивления переход-корпус тиристоров и симисторов, более простой технической реализации источника греющего тока и источника измерительного тока, упрощении обработки результатов измерения.
Технический результат достигается тем, что в способе определения теплового сопротивления переход-корпус полупроводниковых приборов в корпусном исполнении, заключающемся в том, что полупроводниковый прибор нагревают путем пропускания через него тока iheat(t) в состоянии высокой проводимости, на интервале нагревания измеряют и запоминают значения его термочувствительного параметра, в качестве которого используют падение напряжения на полупроводниковом приборе uhc в состоянии высокой проводимости, и температуру корпуса TС(t) прибора в выбранной точке, прекращают нагрев полупроводникового прибора при достижении температуры корпуса заданного значения и в режиме естественного охлаждения пропускают измерительный ток, не влияющий на тепловое равновесие испытуемого прибора, и запоминают значение термочувствительного параметра и температуру корпуса, при этом длительность интервала охлаждения выбирают из условия безусловного выполнения t≫3τ, где τ - тепловая постоянная конструкции прибора, в процессе осуществления предварительно пропускают постоянный измерительный ток Imeasure заданной величины, в начальном термодинамическом равновесии в момент времени t0 измеряют и запоминают значения термочувствительного параметра uhc(t0) и температуры корпуса TС(t0), с момента времени t1 до момента времени t2 нагревают прибор током iheat произвольной формы, в процессе нагрева в моменты времени
Figure 00000011
n-го интервала измерения и запоминания термочувствительного параметра
Figure 00000012
измеряют и запоминают значения тока
Figure 00000013
вычисляют среднюю мощность n-го интервала измерения потерь
Figure 00000014
с момента времени t1 величину греющего тока iheat увеличивают от минимальной, равной величине постоянного измерительного тока Imeasure, и при сравнении величины вычисленной средней мощности потерь на n-м интервале измерения
Figure 00000015
с предварительно установленной максимально допустимой мощностью Рmax прекращают увеличивать величину греющего тока iheat и продолжают процесс нагрева, в момент t2 прерывают протекание греющего тока iheat, измеряют и запоминают величины термочувствительного параметра uhc(t2) от протекания постоянного измерительного тока Imeasure и температуры корпуса TC(t2), после момента времени t2 в режиме естественного охлаждения по достижению термодинамического равновесия в момент времени t3 измеряют и запоминают величины термочувствительного параметра uhc(t3) и температуры корпуса прибора ТC(t3), при этом тепловое сопротивление переход-корпус рассчитывают как:
Figure 00000016
где:
uhc(t2) - значение термочувствительного параметра полупроводникового прибора в момент прекращения протекания греющего тока;
uhc(t0) - значение термочувствительного параметра полупроводникового прибора в начальном ненагретом состоянии;
TC(t2) - значение температуры корпуса полупроводникового прибора в момент прекращения протекания греющего тока;
TC(t0) - значение температуры корпуса полупроводникового прибора в начальном ненагретом состоянии;
Figure 00000017
- средняя мощность потерь в установившемся тепловом режиме в процессе нагрева;
ТКН - температурный коэффициент напряжения, рассчитываемый как:
Figure 00000018
где:
uhc(t3) - значение термочувствительного параметра полупроводникового прибора в состоянии термодинамического равновесия в режиме охлаждения;
TC(t3) - значение температуры корпуса полупроводникового прибора в состоянии термодинамического равновесия в режиме охлаждения.
Способ осуществляют следующим образом. Перед подачей греющего тока, во время его протекания и после окончания его протекания через испытуемый полупроводниковый прибор пропускают постоянный измерительный ток Imeasure. Величина измерительного тока Imesure выбирается таким образом, чтобы его протекание не влияло на термодинамическое равновесие испытуемого прибора. Для тиристоров и симисторов его величина должна быть такой, чтобы включенное состояние распространилось по всей площади полупроводниковой структуры во время длительности всего испытательного цикла.
В качестве термочувствительного параметра используют падение напряжения на полупроводниковом приборе uhc в состоянии высокой проводимости. Его использование объясняется линейной зависимостью от температуры. Температурный коэффициент напряжения (ТКН) для каждого прибора является индивидуальным для каждого прибора даже одного типа (Беспалов Н.Н. Исследование термочувствительного параметра полупроводниковых диодов. / Н.Н. Беспалов, М.В. Ильин // Технические и естественные науки: проблемы, теория, эксперимент (Межвузовский сборник научных трудов). - Саранск, 2005. - Вып.V. - С.29-31), поэтому в данном способе ТКН определяется для каждого испытуемого прибора.
Перед подачей греющего тока испытуемый прибор находится в начальном состоянии термодинамического равновесия. Температура испытуемого прибора равна температуре окружающей среды, а следовательно, и его полупроводниковый кристалл имеет такую же температуру. В начальный момент времени t0 измеряют и запоминают значения термочувствительного параметра uhc(t0) от протекания измерительного тока Imesure и температуры корпуса TC(t0) в выбранной точке корпуса. Момент времени t0 для тиристоров и симисторов должен быть установлен после времени распространения включенного состояния.
Далее с момента времени t1 до момента времени t2 нагревают испытуемый прибор током iheat(t) произвольной формы. Нагрев, например, может производиться током полусинусоидальной или трапецеидальной формой, прямоугольными импульсами или любыми иными формами.
В процессе нагрева в моменты времени
Figure 00000019
n-го интервала измерения и запоминания термочувствительного параметра
Figure 00000020
измеряют и запоминают значения тока
Figure 00000021
и вычисляют среднюю мощность потерь
Figure 00000022
как:
Figure 00000023
где:
En - энергия электрических потерь в полупроводниковом приборе на n-м интервале измерения при протекании греющего тока:
Figure 00000024
где:
n - номер интервала измерения;
mn - количество измерений на n-м интервале измерения;
Figure 00000025
- момент времени измерения параметров в процессе нагрева;
Figure 00000026
- последующий момент времени на n-м интервале измерения параметров в процессе нагрева;
Figure 00000027
- значение термочувствительного параметра полупроводникового прибора в момент времени
Figure 00000028
на n-м интервале измерения в процессе нагрева;
Figure 00000029
- значение греющего тока в момент времени
Figure 00000030
на n-м интервале измерения в процессе нагрева;
Figure 00000031
- значение термочувствительного параметра полупроводникового прибора в момент времени
Figure 00000032
на n-м интервале измерения в процессе нагрева;
Figure 00000033
- значение греющего тока в момент времени
Figure 00000034
на n-м интервале измерения в процессе нагрева;
Figure 00000035
- последний момент времени на n-м интервале измерения параметров в процессе нагрева;
Figure 00000036
- первый момент времени на n-м интервале измерения параметров в процессе нагрева.
Ток, протекая через полупроводниковый кристалл, нагревает его. Выделяющаяся тепловая энергия через слои припоя, термокомпенсатор и корпус рассеивается в окружающую среду. Для измерения температуры корпуса ТC выбирают точку, расположенную под центром полупроводникового кристалла либо в центре основания корпуса.
Величину амплитуды и форму греющего тока iheat(t) определяют исходя из условия, что мощность потерь, выделяющаяся в кристалле полупроводникового прибора не должна превышать максимальную среднюю мощность потерь Рmax, а температура основания корпуса ТC удовлетворяет условию ограничения температуры перехода Tj<Тjmax, где Tjmax - максимально допустимая температура перехода, которая не превышает предельной температуры с запасом 20°С-30°C. Максимальная средняя мощность потерь определяется как:
Figure 00000037
где:
k - коэффициент запаса температуры кристалла, выбранный из условия k<1;
RthjсТУ - предполагаемое или известное из технических условий (ТУ) или справочных данных значение теплового сопротивления.
Процесс регулирования представляет собой постепенное увеличение величины греющего тока. В интервалах между очередным увеличением тока рассчитывается значение средней мощности потерь полупроводникового прибора
Figure 00000038
.
При достижении значения средней мощности потерь полупроводникового прибора
Figure 00000038
предельного значения Рmax дальнейшее увеличение мощности прекращается, и дальнейший нагрев производится током с полученными параметрами. Отключение подачи греющего тока производят при достижении температуры корпуса полупроводникового прибора значения ТС=(80-90)°С.
При протекании греющего тока iheat температура корпуса полупроводникового прибора ТC возрастает. После завершения переходных тепловых процессов в приборе, через интервал времени t≫3τ, разность между температурами Tj над ТC составляет постоянную величину, пропорциональную тепловому сопротивлению переход-корпус Rthjc.
В момент времени t2 при достижении температуры корпуса Тс заданного значения прерывают протекание греющего тока iheat(t) и измеряют, и запоминают величины термочувствительного параметра uhc(t2) от протекания постоянного измерительного тока Imesure и температуры корпуса TC(t2).
В режиме естественного охлаждения температура полупроводникового прибора снижается по экспоненциальной зависимости. Из-за различия теплоемкостей кристалла и корпуса прибора охлаждения происходит с разными тепловыми постоянными. Теплоемкость полупроводникового кристалла значительно меньше теплоемкости корпуса и через интервал времени t≫3τК, где τK - тепловая постоянная полупроводникового кристалла прибора, достигается термодинамическое равновесие. После достижения данного состояния температура полупроводникового кристалла становится равной температуре корпуса, и охлаждение происходит с одинаковой тепловой постоянной. В момент времени t3 измеряют и запоминают величины термочувствительного параметра uhc(t3) и температуры корпуса прибора TC(t3).
Тепловое сопротивление переход-корпус рассчитывают по формуле:
Figure 00000039
где:
uhc(t2) - значение термочувствительного параметра полупроводникового прибора в момент прекращения протекания греющего тока;
ТКН - температурный коэффициент напряжения, рассчитывающийся как:
Figure 00000018
где:
uhc(t3) - значение термочувствительного параметра полупроводникового прибора в состоянии термодинамического равновесия в режиме охлаждения;
TC(t3) - значение температуры корпуса полупроводникового прибора в состоянии термодинамического равновесия в режиме охлаждения;
uhc(t0) - значение термочувствительного параметра полупроводникового прибора в начальном ненагретом состоянии;
TC(t0) - значение температуры корпуса полупроводникового прибора в начальном ненагретом состоянии;
TC(t2) - значение температуры корпуса полупроводникового прибора в момент прекращения протекания греющего тока;
Figure 00000040
- значение средней мощности потерь в установившемся тепловом режиме в процессе нагрева.
Сущность заявляемого решения поясняется чертежом, на котором в качестве примера отображены временные зависимости информативных параметров на этапах измерения при использовании полусинусоидальной формы греющего тока iheat. Регулирование мощности потерь Ptot осуществляется фазой греющего тока iheat.
Признаками, отличающими заявляемое техническое решение от прототипа, являются:
1) измерительный ток Imesure протекает на всех этапах измерения;
2) нагревание производят током произвольной формы;
3) в процессе нагревания измеряют и запоминают значения греющего тока
Figure 00000041
4) в процессе нагревания вычисляют среднюю мощность электрических потерь
Figure 00000042
5) вычисляют ТКН для каждого испытуемого полупроводникового прибора;
6) в качестве испытуемых приборов дополнительно возможно использовать тиристоры и симисторные структуры.
По сравнению с известным решением предлагаемое позволяет определять тепловое сопротивление не только силовых диодов и транзисторов, но и таких распространенных типов силовых полупроводниковых приборов, как тиристоры и симисторы, позволяет снизить затраты при технической реализации за счет применения управляемых нестабилизированных источников греющего тока, которые более просты в управлении, а также за счет применения источника постоянного измерительного тока малой мощности с величиной тока не более 10 А. При этом для определения теплового сопротивления не требуется применение построения градуировочной зависимости и сложной математической обработки результатов измерения с применением аппроксимации экспоненциальными функциями снятой точечной временной зависимости напряжения на испытуемом приборе в процессе нагрева и нахождения точных значений коэффициентов аппроксимации с корреляцией по методу наименьших квадратов, так как его определение осуществляется по простой формуле на основании данных измерения простых электрических параметров и температуры, что повышает дополнительно точность определения.

Claims (1)

  1. Способ определения теплового сопротивления переход - корпус полупроводниковых приборов в корпусном исполнении, заключающийся в том, что полупроводниковый прибор нагревают путем пропускания через него тока iheat(t) в состоянии высокой проводимости, на интервале нагревания измеряют и запоминают значения его термочувствительного параметра, в качестве которого используют падение напряжения на полупроводниковом приборе uhc в состоянии высокой проводимости, и температуру корпуса TC(t) прибора в выбранной точке, прекращают нагрев полупроводникового прибора при достижении температурой корпуса заданного значения и в режиме естественного охлаждения пропускают измерительный ток, не влияющий на тепловое равновесие испытуемого прибора, и запоминают значение термочувствительного параметра и температуру корпуса, при этом длительность интервала охлаждения выбирают из условия безусловного выполнения t≫3τ, где τ - тепловая постоянная конструкции прибора, отличающийся тем, что в процессе осуществления предварительно пропускают постоянный измерительный ток Imeasure заданной величины, в начальном термодинамическом равновесии в момент времени t0 измеряют и запоминают значения термочувствительного параметра uhc(t0) и температуры корпуса TC(t0), с момента времени t1 до момента времени t2 нагревают прибор током iheat произвольной формы, в процессе нагрева в моменты времени
    Figure 00000043
    n-го интервала измерения и запоминания термочувствительного параметра
    Figure 00000044
    измеряют и запоминают значения тока
    Figure 00000045
    вычисляют среднюю мощность n-го интервала измерения потерь
    Figure 00000046
    с момента времени t1 величину греющего тока iheat увеличивают от минимальной, равной величине постоянного измерительного тока Imeasure, и при сравнении величины вычисленной средней мощности потерь на n-м интервале измерения
    Figure 00000047
    с предварительно установленной максимально допустимой мощностью Рmax прекращают увеличивать величину греющего тока iheat и продолжают процесс нагрева, в момент t2 прерывают протекание греющего тока iheat, измеряют и запоминают величины термочувствительного параметра uhc(t2) от протекания постоянного измерительного тока Imeasure и температуры корпуса TC(t2), после момента времени t2 в режиме естественного охлаждения по достижении термодинамического равновесия в момент времени t3, измеряют и запоминают величины термочувствительного параметра uhc(t3) и температуры корпуса прибора ТC(t3), при этом тепловое сопротивление переход - корпус рассчитывают как
    Figure 00000048
    где uhc(t2) - значение термочувствительного параметра полупроводникового прибора в момент прекращения протекания греющего тока;
    uhc(t0) - значение термочувствительного параметра полупроводникового прибора в начальном ненагретом состоянии;
    TC(t2) - значение температуры корпуса полупроводникового прибора в момент прекращения протекания греющего тока;
    TC(t0) - значение температуры корпуса полупроводникового прибора в начальном ненагретом состоянии;
    Figure 00000049
    - средняя мощность потерь в установившемся тепловом режиме в процессе нагрева;
    ТКН - температурный коэффициент напряжения, рассчитываемый как
    Figure 00000050
    где uhc(t3) - значение термочувствительного параметра полупроводникового прибора в состоянии термодинамического равновесия в режиме охлаждения;
    ТC(t3) - значение температуры корпуса полупроводникового прибора в состоянии термодинамического равновесия в режиме охлаждения.
RU2006103036/28A 2006-02-02 2006-02-02 Способ определения теплового сопротивления переход - корпус силовых полупроводниковых приборов в корпусном исполнении RU2300115C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2006103036/28A RU2300115C1 (ru) 2006-02-02 2006-02-02 Способ определения теплового сопротивления переход - корпус силовых полупроводниковых приборов в корпусном исполнении

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2006103036/28A RU2300115C1 (ru) 2006-02-02 2006-02-02 Способ определения теплового сопротивления переход - корпус силовых полупроводниковых приборов в корпусном исполнении

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2300115C1 true RU2300115C1 (ru) 2007-05-27

Family

ID=38310782

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2006103036/28A RU2300115C1 (ru) 2006-02-02 2006-02-02 Способ определения теплового сопротивления переход - корпус силовых полупроводниковых приборов в корпусном исполнении

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2300115C1 (ru)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2507526C1 (ru) * 2012-07-03 2014-02-20 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ульяновский государственный технический университет" Способ измерения теплового импеданса полупроводниковых диодов с использованием полигармонической модуляции греющей мощности
RU2516609C2 (ru) * 2012-09-10 2014-05-20 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Мордовский государственный университет им. Н.П. Огарёва" Способ определения теплового сопротивления переход-корпус транзисторов с полевым управлением
RU2556315C2 (ru) * 2013-01-15 2015-07-10 Общество с ограниченной ответственностью "Малое инновационное предприятие "Уникальные системы и технологии" Способ измерения теплового импеданса светодиодов
RU2630191C1 (ru) * 2016-03-09 2017-09-05 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ульяновский государственный технический университет" Способ измерения теплового импеданса полупроводниковых диодов с использованием амплитудно-импульсной модуляции греющей мощности
RU2653962C1 (ru) * 2017-03-31 2018-05-15 ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "Брянский государственный технический университет" Способ автоматизированного определения теплового сопротивления переход - корпус силовых полупроводниковых приборов в корпусном исполнении
RU2685769C1 (ru) * 2018-07-03 2019-04-23 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Мордовский государственный университет им. Н.П. Огарёва" Способ определения переходного теплового сопротивления кристалл-корпус и теплового сопротивления кристалл-корпус в состоянии теплового равновесия транзисторов с полевым управлением
RU2686859C1 (ru) * 2018-09-05 2019-05-06 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский политехнический университет" Способ измерения теплового сопротивления между корпусом полупроводникового прибора и радиатором охлаждения
RU2698512C1 (ru) * 2018-02-12 2019-08-28 ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "Брянский государственный технический университет" Способ автоматизированного контроля тепловых сопротивлений полупроводниковых приборов
RU2720185C1 (ru) * 2019-08-02 2020-04-27 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ульяновский государственный технический университет" Способ измерения тепловых сопротивлений переход-корпус и тепловых постоянных времени переход-корпус кристаллов полупроводниковых изделий в составе электронного модуля
RU2724148C1 (ru) * 2019-10-28 2020-06-22 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ставропольский государственный аграрный университет" Способ измерения теплового сопротивления переход-корпус силовых полупроводниковых приборов

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2507526C1 (ru) * 2012-07-03 2014-02-20 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ульяновский государственный технический университет" Способ измерения теплового импеданса полупроводниковых диодов с использованием полигармонической модуляции греющей мощности
RU2516609C2 (ru) * 2012-09-10 2014-05-20 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Мордовский государственный университет им. Н.П. Огарёва" Способ определения теплового сопротивления переход-корпус транзисторов с полевым управлением
RU2556315C2 (ru) * 2013-01-15 2015-07-10 Общество с ограниченной ответственностью "Малое инновационное предприятие "Уникальные системы и технологии" Способ измерения теплового импеданса светодиодов
RU2630191C1 (ru) * 2016-03-09 2017-09-05 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ульяновский государственный технический университет" Способ измерения теплового импеданса полупроводниковых диодов с использованием амплитудно-импульсной модуляции греющей мощности
RU2653962C1 (ru) * 2017-03-31 2018-05-15 ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "Брянский государственный технический университет" Способ автоматизированного определения теплового сопротивления переход - корпус силовых полупроводниковых приборов в корпусном исполнении
RU2698512C1 (ru) * 2018-02-12 2019-08-28 ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "Брянский государственный технический университет" Способ автоматизированного контроля тепловых сопротивлений полупроводниковых приборов
RU2685769C1 (ru) * 2018-07-03 2019-04-23 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Мордовский государственный университет им. Н.П. Огарёва" Способ определения переходного теплового сопротивления кристалл-корпус и теплового сопротивления кристалл-корпус в состоянии теплового равновесия транзисторов с полевым управлением
RU2686859C1 (ru) * 2018-09-05 2019-05-06 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский политехнический университет" Способ измерения теплового сопротивления между корпусом полупроводникового прибора и радиатором охлаждения
RU2720185C1 (ru) * 2019-08-02 2020-04-27 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ульяновский государственный технический университет" Способ измерения тепловых сопротивлений переход-корпус и тепловых постоянных времени переход-корпус кристаллов полупроводниковых изделий в составе электронного модуля
RU2724148C1 (ru) * 2019-10-28 2020-06-22 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ставропольский государственный аграрный университет" Способ измерения теплового сопротивления переход-корпус силовых полупроводниковых приборов

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2300115C1 (ru) Способ определения теплового сопротивления переход - корпус силовых полупроводниковых приборов в корпусном исполнении
RU2516609C2 (ru) Способ определения теплового сопротивления переход-корпус транзисторов с полевым управлением
US5927853A (en) Method for thermal impedance evaluation of packaged semiconductor components
Carubelli et al. Experimental validation of a thermal modelling method dedicated to multichip power modules in operating conditions
Amoiridis et al. Vce-based chip temperature estimation methods for high power IGBT modules during power cycling—A comparison
Ghimire et al. An online V ce measurement and temperature estimation method for high power IGBT module in normal PWM operation
RU2724148C1 (ru) Способ измерения теплового сопротивления переход-корпус силовых полупроводниковых приборов
CN102221667B (zh) 二极管芯片的量测装置及量测方法
Siegal Practical considerations in high power LED junction temperature measurements
CN109211963B (zh) 一种导热材料热阻性能检测系统及检测方法
RU2613481C1 (ru) Способ измерения переходной тепловой характеристики цифровых интегральных схем
Farkas et al. Thermal transient testing
Cova et al. Thermal characterization of IGBT power modules
RU2698512C1 (ru) Способ автоматизированного контроля тепловых сопротивлений полупроводниковых приборов
RU2685769C1 (ru) Способ определения переходного теплового сопротивления кристалл-корпус и теплового сопротивления кристалл-корпус в состоянии теплового равновесия транзисторов с полевым управлением
Hedayati et al. Fast temperature sensing for GaN power devices using E-field probes
Iero et al. Heat flux sensor for power loss measurements of switching devices
US11313819B2 (en) Thermal analysis of semiconductor devices
RU2787328C1 (ru) Способ измерения теплового сопротивления переход-корпус и тепловой постоянной времени переход-корпус полупроводникового изделия
McAfee et al. Zener Diode Reverse Breakdown Voltage as a Simultaneous Heating and Temperature Sensing Element
RU2697028C2 (ru) Способ измерения переходной тепловой характеристики цифровых интегральных схем
Sathik et al. Online electro-thermal model for real time junction temperature estimation for insulated gate bipolar transistor (IGBT)
Mary et al. Simple and precise calorimetry method for evaluation of losses in power electronic converters
Sofia Principles of component characterization
CN112986781B (zh) 一种结温在线监测数据验证系统和方法

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20080203