RU2491680C2 - Светоизлучающий модуль и способ тепловой защиты - Google Patents

Светоизлучающий модуль и способ тепловой защиты Download PDF

Info

Publication number
RU2491680C2
RU2491680C2 RU2010129836/28A RU2010129836A RU2491680C2 RU 2491680 C2 RU2491680 C2 RU 2491680C2 RU 2010129836/28 A RU2010129836/28 A RU 2010129836/28A RU 2010129836 A RU2010129836 A RU 2010129836A RU 2491680 C2 RU2491680 C2 RU 2491680C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
light emitting
emitting device
semiconductor light
thermal relay
temperature
Prior art date
Application number
RU2010129836/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2010129836A (ru
Inventor
Цзянхун ЮЙ
Original Assignee
Конинклейке Филипс Электроникс Н.В.
ФИЛИПС ЛЬЮМИЛДЗ ЛАЙТИНГ КОМПАНИ, ЭлЭлСи
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Конинклейке Филипс Электроникс Н.В., ФИЛИПС ЛЬЮМИЛДЗ ЛАЙТИНГ КОМПАНИ, ЭлЭлСи filed Critical Конинклейке Филипс Электроникс Н.В.
Publication of RU2010129836A publication Critical patent/RU2010129836A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2491680C2 publication Critical patent/RU2491680C2/ru

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors

Abstract

Изобретение относится к светоизлучающему модулю. Сущность изобретения: светоизлучающий модуль содержит полупроводниковое светоизлучающее устройство и термореле, которое оборудовано для защиты светоизлучающего устройства от перегрева. При повышенной температуре соединение устройства может достигать критического уровня, что приводит к катастрофической поломке устройства. Согласно изобретению термореле оборудовано, чтобы шунтировать полупроводниковое светоизлучающее устройство. Это является особым преимуществом, так как тепловая защита, выполняемая термореле, приведена в соответствие непосредственно с температурой устройства в условиях эксплуатации. Светоизлучающий модуль обеспечивает тепловую защиту, регулируемую и настроенную на температуру соединения полупроводникового светоизлучающего устройства. 2 н. и 6 з.п. ф-лы, 5 ил.

Description

Область техники, к которой относится изобретение
Настоящее изобретение относится к светоизлучающему модулю. Более точно, данное изобретение относится к светоизлучающему модулю, содержащему полупроводниковое светоизлучающее устройство и термореле. Кроме того, данное изобретение относится к способу тепловой защиты таких светоизлучающих модулей.
Предпосылки создания изобретения
Вариант осуществления светоизлучающего модуля изложенного вида известен по патенту JP2006060165. Этот документ раскрывает светоизлучающее устройство, содержащее LED, электрически подключенного последовательно с биметаллическим элементом. При подключении этого устройства к внешнему источнику тока, возникает эффект, заставляющий LED мигать. Данный эффект происходит из-за повторяющегося цикла нагревания и охлаждения биметаллического элемента, т.к. энергия рассеивается внутрь него, когда ток течет через устройство, и рассеивается от него, когда цепь разомкнута.
Повторяющееся размыкание и замыкание цепи посредством действия биметаллического элемента может обеспечить защиту LED от перегрева, и таким образом от серьезной поломки в случае, если температура соединения достигла бы критического значения.
Прекращение подачи тока через LED по патенту JP2006060165, как очевидно, не в первую очередь зависит от температуры (соединения) LED. Фактически, основным возбудителем функции биметаллического элемента является резистивное рассеивание электроэнергии в самом элементе. И, следовательно, это не обеспечивает тепловую защиту, хорошо отрегулированную и настроенную на температуру соединения самого LED.
Сущность изобретения
Целью данного изобретения является обеспечение светоизлучающего модуля изложенного вида, который обеспечивает тепловую защиту, регулируемую и настроенную на температуру соединения полупроводникового светоизлучающего устройства. Данная цель достигается посредством модуля, согласно первому аспекту изобретения, описанному в пункте 1 формулы изобретения. Светоизлучающий модуль, содержащий полупроводниковое светоизлучающее устройство, имеющее соединение, и термореле, отличается тем, что термореле предусмотрено для того, чтобы шунтировать полупроводниковое светоизлучающее устройство.
В электронике, шунт позволяет электрическому току обходить контакт в цепи. Это достигается при подключении шунта к цепи параллельно контакту. Также термореле в данном изобретении предусматривается в электрической параллели к светоизлучающему диоду или лазерному диоду. Предпочтительно то, что не электроэнергия рассеивается в термореле непосредственно в условиях эксплуатации. Вместо того в этих условиях (соединение) полупроводникового светоизлучающего устройства нагревается из-за не идеального перехода электроэнергии в световую. Монтаж термореле смежным (или, по крайней мере, в очень тесном соседстве) с устройством успешно приводит к более позднему нагреванию последнего как посредством передачи энергии излучения, так и посредством передачи электрической энергии через составляющие элементы модуля. Соответственно и предпочтительно, что тепловая защита, обеспечиваемая термореле, настраивается напрямую на температуру (соединения) полупроводникового устройства. В дополнение, когда множество модулей последовательно подключено в цепи, данное изобретение позволяет защитить отдельный модуль от перегрева без прекращения подачи тока в остальные модули данной цепи.
В варианте осуществления термореле предусмотрено для действия при заданной температуре шунта, предохраняя соединение от достижения критической температуры в условиях эксплуатации. Предпочтительно то, что это позволяет шунтировать ток, подаваемый к модулю, до того, как возникнет катастрофическое повреждение.
В варианте осуществления изобретения термореле содержит материал с высоким коэффициентом теплового расширения (ВКТР), причем αВ - коэффициент теплового расширения, и материал с низким коэффициентом теплового расширения (НКТР), причем αН - коэффициент теплового расширения, и αВ>αН. Преимущественно то, что это позволяет термореле геометрически деформироваться, что является причиной замыкания термореле, и таким образом шунтирования тока, подаваемого к полупроводниковому устройству.
В варианте осуществления, материал с ВКТР содержит металл, а материал с НКТР содержит керамику. Предпочтительно, что эти виды материалов могут легко собираться посредством обычного способа производства, известного из предшествующего уровня техники. Обычно, у металлов коэффициент выше, чем у керамики. Например, коэффициент теплового расширения некоторых полезных металлов: Cu~18·10-6/°C, Al~24·10-6/°C и сплава MnPd (обычно 80%/20%, со следами (Ni) никеля, добавленного для электрической жесткости) ~30·10-6/°C. Так же, коэффициент некоторых полезных керамических материалов: Si3N4 ~3·10-6/°C, A1N ~4·10-6/°C, и Al203 ~8·10-6/°C.
Согласно варианту осуществления изобретения, термореле содержит биметаллический элемент. Предпочтительно то, что такие элементы доступны и очень экономичны.
В варианте осуществления светоизлучающего модуля, согласно изобретению, материал с ВКТР обеспечивается в двух частях, причем части располагаются на расстоянии друг от друга, образуя зазор. Предпочтительно, что это дает возможность электрического подключения первой части материала с ВКТР к n-стороне полупроводникового устройства и второй части к p-стороне.
В варианте осуществления изобретения тепловой зазор предусматривается с заданным размером для определения температуры шунта. Предпочтительно, коэффициент теплового расширения позволяет определить рост температуры, что необходимо для обеих частей, для того, чтобы замкнуть зазор. Дизайн модуля (материалы, факторы геометрической формы и т.д.) повлияет на фиксированное взаимодействие между ростом температуры соединения и термореле. Иначе говоря, размер зазора может быть заранее определен, чтобы замыкание происходило на уровне температуры защитного шунта, согласованной с тепловой устойчивостью соединения.
Согласно второму аспекту данное изобретение обеспечивает способ защиты полупроводникового светоизлучающего устройства от перегрева, причем этот способ содержит этапы, обеспечивающие полупроводниковое светоизлучающее устройство, имеющее соединение; обеспечивающие термореле; причем отличающееся тем, что полупроводниковое светоизлучающее устройство шунтируется посредством термореле. Предпочтительно, такой способ может использоваться в управлении и испытании тепловой конструкции светоизлучающего модуля, содержащего полупроводниковое светоизлучающее устройство.
Эти и другие аспекты настоящего изобретения будут очевидны из вариантов осуществления и освещены со ссылками на варианты осуществления, описанные далее.
Краткое описание чертежей
Кроме того, особенности, признаки и преимущества настоящего изобретения будут раскрыты в последующем подробном описании предпочтительного варианта осуществления с пояснениями и ссылками на приложенные чертежи настоящего изобретения.
Фиг.1 изображает вид светоизлучающего модуля согласно предшествующему уровню техники.
Фиг.2 изображает вид, схематически представляющий вариант осуществления согласно изобретению.
Фиг.3-фиг.5 изображают виды, иллюстрирующие этапы производства варианта осуществления согласно изобретению.
Подробное описание предпочтительного варианта осуществления
Фиг.1 изображает вид светоизлучающего модуля 500 согласно предшествующему уровню техники. Модуль содержит LED 510, размещенный в углублении первой части 520 выводной рамки. Кроме того, модуль содержит вторую часть 530a,b выводной рамки, отделенную от первой части при помощи изоляции 540. LED 510 имеет эпитаксиальный пакет 511, содержащий полупроводниковый слой n-типа и p-типа для прослаивания (типа «сандвич») диодного соединения. n-контактный слой 512, подключает LED 510 к первой части 520 выводной рамки, в то время как p-контактный слой 513 и рельсовый соединитель 550 подключает LED ко второй части 530а выводной рамки. Первая 520 и вторая 530b части выводной рамки обеспечивают подключение к источнику электроэнергии. И, наконец, модуль содержит биметаллический элемент 560, собранный последовательно в цепь с LED 510. Подача электрического тока через модуль приводит к светоизлучению от LED, также как и к рассеиванию энергии в электрически резистивном биметаллическом элементе 560, установленном, чтобы размыкать электрическую цепь, как только достигается температура, заданная конструкцией элемента. Когда цепь разомкнута, LED прекращает излучать свет, и биметаллический элемент остывает. В результате, цепь замыкается, что позволяет току протекать через модуль и цикл перезапускается. Поэтому, LED отобразит эффект автоматического мигания. Поскольку основным возбудителем функции биметаллического элемента 560 является резистивное рассеивание (гашение) электроэнергии в самом элементе, очевидно разрыв электрической цепи, не в первую очередь, зависит от температуры (соединения) самого LED.
Фиг.2 изображает вид, схематически представляющий вариант осуществления согласно изобретению. Изображен вид светоизлучающего модуля 1, подключенного к внешнему источнику 100 энергии. Модуль содержит полупроводниковое светоизлучающее устройство 10 - обозначенное как LED, в последующем описании, однако, будет подразумеваться, что лазерный диод функционирует также - и термореле 20. LED содержит эпитаксиальный пакет (выполненный как известно из предшествующего уровня техники), включающий соединение, установленное, чтобы излучать свет заданной длины волны. Термореле включается параллельно (шунтирует) LED. Предпочтительно то, что не электроэнергия рассеивается в термореле 20 непосредственно в условиях эксплуатации. Фактически, LED 10 функционирует как источник тепла для действия термореле 20. Таким образом, монтаж термореле 20 смежным с LED 10 позволяет последнему разогреваться позднее, как посредством передачи энергии излучения, так и посредством передачи электропроводной энергии через конструктивные элементы (не показано) модуля 1. Следовательно, тепловая защита, предлагаемая термореле 20, настраивается на температуру (соединения) LED 10. Очевидно, реле не действует при той же самой температуре, что и соединение LED 10, которому требуется тепловая защита. Геометрические коэффициенты конструкции светоизлучающего модуля 1 устанавливают разницу температур между соединением и термореле 20. Следовательно, реле может быть оборудовано или отрегулировано так, чтобы действовать при заданной температуре шунта значительно ниже критической температуры соединения. Предпочтительно то, что это позволяет защищать LED 10 от достижения критической температуры соединения, и следовательно от катастрофического повреждения в условиях эксплуатации. Как только термореле 20 замыкается, электрический ток обходит стороной LED 10, что приводит в результате к его охлаждению. Уменьшенное тепловое рассеивание в LED 10, в свою очередь, приводит термореле 20 к остыванию и к повторному размыканию. Это позволяет стабилизировать температуру LED 10 в модуле 1.
Фиг.3-фиг.5 изображают виды, иллюстрирующие этапы производства варианта осуществления в соответствии с настоящим изобретением. Начнем с фиг.3, где изображен вид, иллюстрирующий светоизлучающий модуль 1, содержащий подложку 5. На верху подложки 5 размещаются шаблоны 12, 13 для электрического подключения к n- и p-сторонам LED 10. В месте соединения с LED 10 модуль 1 содержит термореле 20. В варианте осуществления термореле 20 содержит материал 30 с ВКТР (фиг.5) и материал 40 с НКТР (фиг.4). Материал 30 с ВКТР имеет коэффициент теплового расширения - αВ. Точно так же, материал 40 с НКТР имеет коэффициент теплового расширения - αН. Отношение αВ>αН сохраняется. Материал 40 с НКТР предпочтительно содержит керамику, такую как Si3 N4, Al2 O3 или AlN, в то время как материал 30 с ВКТР содержит металл, такой как медь, алюминий или сплав MnPd. Предпочтительно то, что данные виды материалов могут быть легко получены обычными способами изготовления, применяемыми в производстве полупроводниковых светоизлучающих устройств. В варианте осуществления, сквозные (меж)соединения 35 (фиг.3) через материал 40 с НКТР, соединяют материал 30 с ВКТР с шаблонами 12, 13. Материал 40 с НКТР также действует, как электрический изолятор.
В варианте осуществления, материал 30 с ВКТР содержит две части 31, 32 (фиг.5). Существенно то, что оборудование этих частей на маленьком расстоянии друг от друга сверху материала 40 с НКТР создает зазор 36 между ними. В варианте воплощения зазор 36 имеет заданный размер. Предпочтительно то, что это позволяет определять температуру шунта. Повышение температуры ΔТ, равное температуре шунта, побуждает термореле 20 замыкаться, если размер зазора d равен d=αВ·ΔТ.
Способ защиты полупроводникового светоизлучающего устройства 10, согласно данному изобретению, может эффективно применяться в испытании тепловых конструкций осветительных установок, содержащих модули 1. В то время как применяются современные дорогостоящие и склонные к ошибкам способы, такие как испытания температурных скачков и тепловидение, применение заявленного способа устраняет многие проблемы в данной области. Во-первых, известные способы становятся устаревшими с того момента, как заявленный способ непосредственно раскрывает очевидное (видимое невооруженным глазом), достигнута ли критическая температура конструкции в осветительной установке, а соответственно, в светоизлучающем модуле 1. Наконец, при достижении предела критической температуры LED 10 погаснет. Во-вторых, светоизлучающий модуль 1 по настоящему изобретению может массово производиться с низкими затратами. В-третьих, модули 1 могут быть сконструированы, чтобы функционировать при температуре заданного уровня. Эти преимущества делают модули универсальным инструментом для широкого диапазона практических применений и температур.
Несмотря на то, что настоящее изобретение освещает проблему со ссылками на варианты осуществления, описанные выше, будет очевидным, что альтернативные варианты осуществления могут быть использованы для достижения подобной цели. Возможности настоящего изобретения, исходя из вышесказанного, не ограничиваются раскрытыми выше вариантами осуществления. Например, как альтернатива к вышеописанному термореле 20, вариант осуществления может охватывать биметаллический элемент.
Соответственно, идея и сфера настоящего изобретения ограничиваются только формулой изобретения и ее эквивалентами.

Claims (8)

1. Светоизлучающий модуль (1), содержащий
полупроводниковое светоизлучающее устройство (10), имеющее соединение, и термореле (20), размещенное электрически параллельно к полупроводниковому светоизлучающему устройству (10) и расположенное смежно с полупроводниковым светоизлучающим устройством (10), что позволяет термореле быть нагреваемым посредством полупроводникового светоизлучающего устройства (10), отличающийся тем, что термореле приспособлено для шунтирования полупроводникового светоизлучающего устройства при заданной температуре шунта, предохраняя соединение от достижения критической температуры в условиях эксплуатации.
2. Светоизлучающий модуль (1) по п.1, в котором термореле (20) содержит материал с ВКТР (30) с коэффициентом теплового расширения αh и материал с НКТР (40) с коэффициентом теплового расширения α1 и αh>α1.
3. Светоизлучающий модуль (1) по п.2, в котором материал с ВКТР (30) содержит металл, и материал с НКТР (40) содержит керамику.
4. Светоизлучающий модуль (1) по п.2, в котором термореле (20) содержит биметаллический элемент.
5. Светоизлучающий модуль (1) по п.2, в котором материал с ВКТР (30) обеспечивается в двух частях (31, 32), части располагаются на расстоянии друг от друга, формируя зазор (36).
6. Светоизлучающий модуль (1) по п.5, в котором зазор (36) предусмотрен с заданным размером, определяющим температуру шунта.
7. Светоизлучающий модуль (1) по любому из предшествующих пунктов, в котором полупроводниковое светоизлучающее устройство (10) содержит светоизлучающий диод или лазерный диод.
8. Способ защиты полупроводникового светоизлучающего устройства (10) от перегрева, содержащий этапы, на которых обеспечивают полупроводниковое светоизлучающее устройство (10), имеющее соединение, обеспечивают термореле (20), размещенное электрически параллельно к полупроводниковому светоизлучающему устройству (10) и расположенное смежно с полупроводниковым светоизлучающим устройством (10), что позволяет термореле быть нагреваемым посредством полупроводникового светоизлучающего устройства (10), отличающийся наличием этапа, на котором шунтируют полупроводниковое светоизлучающее устройство (10) посредством термореле (20) при заданной температуре шунта, предохраняя соединение от достижения критической температуры в условиях эксплуатации.
RU2010129836/28A 2007-12-17 2008-12-10 Светоизлучающий модуль и способ тепловой защиты RU2491680C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP07123317 2007-12-17
EP07123317.5 2007-12-17
PCT/IB2008/055190 WO2009077932A1 (en) 2007-12-17 2008-12-10 Light emitting module and thermal protection method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2010129836A RU2010129836A (ru) 2012-01-27
RU2491680C2 true RU2491680C2 (ru) 2013-08-27

Family

ID=40469934

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2010129836/28A RU2491680C2 (ru) 2007-12-17 2008-12-10 Светоизлучающий модуль и способ тепловой защиты

Country Status (8)

Country Link
US (1) US8743921B2 (ru)
EP (1) EP2225777B1 (ru)
JP (1) JP5160650B2 (ru)
KR (1) KR101477473B1 (ru)
CN (1) CN101904007B (ru)
RU (1) RU2491680C2 (ru)
TW (1) TWI453358B (ru)
WO (1) WO2009077932A1 (ru)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9781803B2 (en) * 2008-11-30 2017-10-03 Cree, Inc. LED thermal management system and method
JP2011139044A (ja) * 2009-12-01 2011-07-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光素子、発光装置、電子機器、および照明装置
US9809001B2 (en) 2010-10-19 2017-11-07 Massachusetts Institute Of Technology Flexural digital material construction and transduction
US9566758B2 (en) 2010-10-19 2017-02-14 Massachusetts Institute Of Technology Digital flexural materials
US9506485B2 (en) 2011-11-04 2016-11-29 Massachusetts Institute Of Technology Hierarchical functional digital materials
US20140145522A1 (en) * 2011-11-04 2014-05-29 Massachusetts Institute Of Technology Electromagnetic Digital Materials
JP2013118073A (ja) * 2011-12-02 2013-06-13 Shikoku Instrumentation Co Ltd 耐放射線特性に優れたｌｅｄランプ
WO2013192599A1 (en) 2012-06-21 2013-12-27 Massachusetts Institute Of Technology Methods and apparatus for digital material skins
FR3009653B1 (fr) * 2013-08-09 2015-08-07 Commissariat Energie Atomique Dispositif de conversion d'energie thermique en energie electrique
KR101553372B1 (ko) * 2014-03-28 2015-09-15 전북대학교산학협력단 자발 보호 기능을 겸비한 발광 소자
KR101723714B1 (ko) * 2014-10-24 2017-04-06 한국광기술원 발열 기능을 갖는 차량용 전조등
DE102015213460A1 (de) 2015-07-17 2017-01-19 Osram Gmbh Wellenlängenumwandlung von Primärlicht mittels eines Konversionskörpers
DE102015112048A1 (de) 2015-07-23 2017-01-26 Osram Oled Gmbh Optoelektronisches Bauteil und Verfahren zum Betrieb eines optoelektronischen Bauteils
CN107275394B (zh) * 2016-04-08 2020-08-14 株洲中车时代电气股份有限公司 一种功率半导体模块及其自保护方法
DE102018108412A1 (de) * 2018-04-10 2019-10-10 Siteco Beleuchtungstechnik Gmbh Temperaturüberwachtes led-modul

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4935315A (en) * 1988-12-05 1990-06-19 Hughes Aircraft Company Cell bypass circuit
RU2005119149A (ru) * 2002-11-19 2006-01-20 Дан ФРИИС (DK) Осветительное устройство или источник света, основанный на действии светодиодов
JP2006060165A (ja) * 2004-08-24 2006-03-02 Hitachi Cable Ltd 発光ダイオード
CN2877183Y (zh) * 2005-12-28 2007-03-07 程继金 一种发光装置
US7269192B2 (en) * 2003-01-23 2007-09-11 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Optical transmitting module and a method for controlling the same

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
IL87526A (en) 1984-03-05 1990-11-29 Hughes Aircraft Co Thermally activated,shorting diode switch having non-operationally-alterable junction path
US4774558A (en) * 1984-03-05 1988-09-27 Hughes Aircraft Company Thermally-activated, shorting diode switch having non-operationally-alterable junction path
JPH0735268Y2 (ja) * 1989-04-14 1995-08-09 ニベックス株式会社 温度スイッチ
JP2781892B2 (ja) * 1989-07-06 1998-07-30 石川島播磨重工業株式会社 サーマルダイオード
JP3613328B2 (ja) * 2000-06-26 2005-01-26 サンケン電気株式会社 半導体発光装置
US6505954B2 (en) * 2001-06-18 2003-01-14 Excellence Opto. Inc. Safe light emitting device
JPWO2005104249A1 (ja) * 2004-04-21 2007-08-30 松下電器産業株式会社 発光素子駆動用半導体チップ、発光装置、及び照明装置
WO2006019897A2 (en) 2004-08-04 2006-02-23 Ng James K Led lighting system
DE102004047682A1 (de) * 2004-09-30 2006-04-06 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH LED-Array
KR100593934B1 (ko) * 2005-03-23 2006-06-30 삼성전기주식회사 정전기 방전 보호 기능을 갖는 발광 다이오드 패키지
TWI279659B (en) * 2005-12-27 2007-04-21 Polytronics Technology Corp LED with temperature control function
WO2007097483A1 (en) 2006-02-24 2007-08-30 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode package
CN2929457Y (zh) * 2006-07-20 2007-08-01 高准企业有限公司 高效led照明路灯装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4935315A (en) * 1988-12-05 1990-06-19 Hughes Aircraft Company Cell bypass circuit
RU2005119149A (ru) * 2002-11-19 2006-01-20 Дан ФРИИС (DK) Осветительное устройство или источник света, основанный на действии светодиодов
US7269192B2 (en) * 2003-01-23 2007-09-11 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Optical transmitting module and a method for controlling the same
JP2006060165A (ja) * 2004-08-24 2006-03-02 Hitachi Cable Ltd 発光ダイオード
CN2877183Y (zh) * 2005-12-28 2007-03-07 程继金 一种发光装置

Also Published As

Publication number Publication date
US8743921B2 (en) 2014-06-03
EP2225777A1 (en) 2010-09-08
JP2011507258A (ja) 2011-03-03
KR20100108387A (ko) 2010-10-06
US20100260221A1 (en) 2010-10-14
WO2009077932A1 (en) 2009-06-25
CN101904007A (zh) 2010-12-01
CN101904007B (zh) 2012-09-05
TW200944704A (en) 2009-11-01
RU2010129836A (ru) 2012-01-27
TWI453358B (zh) 2014-09-21
JP5160650B2 (ja) 2013-03-13
EP2225777B1 (en) 2016-09-28
KR101477473B1 (ko) 2014-12-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2491680C2 (ru) Светоизлучающий модуль и способ тепловой защиты
JP6195319B2 (ja) 発光ダイオード装置
US20090175035A1 (en) Light source module and method for manufacturing same
CN102593081A (zh) 包括散热器的半导体器件
JP6250691B2 (ja) 半導体装置
KR100928728B1 (ko) 펠티어 효과를 이용한 발광다이오드 조명기구의 냉각장치
CN108604768B (zh) 半导体激光器装置及其制造方法
CN111066116A (zh) 功率转换装置
US20130249401A1 (en) Light-emitting device
US10748836B2 (en) Semiconductor laser module and method for manufacturing the same
CN205726580U (zh) 复合保护电路、复合保护元件以及照明用led元件
US8222665B2 (en) LED package structure with fuse
KR102497180B1 (ko) 발광 디바이스 냉각
JP2012151354A (ja) 炭化珪素半導体装置
JP2009117535A (ja) ソリッドステートリレーおよびこれを搭載した電子機器
CN107112312B (zh) 具有短路故障模式的功率半导体模块
US20120261811A1 (en) Semiconductor device
JP2008112932A (ja) 半導体素子の接続リード
KR101418008B1 (ko) Ｌｅｄ용 기판 및 ｌｅｄ 방열 구조
JP2007317970A (ja) ヒューズ付半導体装置
KR100785449B1 (ko) 전류 과부하가 방지되는 ｌｅｄ 패키지 장치
KR101687209B1 (ko) 서미스터 내장형 엘이디 패키지 및 그 제조방법
KR20110134902A (ko) 과부하 보호를 가지는 교류 발광 다이오드 구조
Habenicht et al. The European SEEL (Solutions for energy efficient lighting) project: High temperature electronics for LED-lighting architectures
RU2010145033A (ru) Светодиод-лампа

Legal Events

Date Code Title Description
PD4A Correction of name of patent owner
PD4A Correction of name of patent owner
PC41 Official registration of the transfer of exclusive right

Effective date: 20190111

PD4A Correction of name of patent owner