RU2489230C1 - Способ осаждения наночастиц золота на микросферы кремнезема - Google Patents

Способ осаждения наночастиц золота на микросферы кремнезема Download PDF

Info

Publication number
RU2489230C1
RU2489230C1 RU2012104712/28A RU2012104712A RU2489230C1 RU 2489230 C1 RU2489230 C1 RU 2489230C1 RU 2012104712/28 A RU2012104712/28 A RU 2012104712/28A RU 2012104712 A RU2012104712 A RU 2012104712A RU 2489230 C1 RU2489230 C1 RU 2489230C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
substrate
silica microspheres
reactor
torr
gold nanoparticles
Prior art date
Application number
RU2012104712/28A
Other languages
English (en)
Inventor
Александр Сергеевич Кучьянов
Александр Иванович Плеханов
Игорь Константинович Игуменов
Борис Максимович Кучумов
Роман Григорьевич Пархоменко
Сергей Владимирович Трубин
Original Assignee
Корпорация "САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС Ко., Лтд."
Учреждение Российской академии наук "Институт автоматики и электрометрии Сибирского отделения РАН" (ИАиЭ СО РАН)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Корпорация "САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС Ко., Лтд.", Учреждение Российской академии наук "Институт автоматики и электрометрии Сибирского отделения РАН" (ИАиЭ СО РАН) filed Critical Корпорация "САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС Ко., Лтд."
Priority to RU2012104712/28A priority Critical patent/RU2489230C1/ru
Priority to KR1020120104211A priority patent/KR20130092361A/ko
Priority to EP13154561.8A priority patent/EP2626960A3/en
Priority to US13/764,041 priority patent/US20130250988A1/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2489230C1 publication Critical patent/RU2489230C1/ru

Links

Images

Landscapes

  • Manufacture Of Metal Powder And Suspensions Thereof (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)

Abstract

Изобретение относится к области физической химии и может быть использовано в производстве фотонных кристаллов с заданными физическими свойствами. Сущность: подложку с предварительно нанесенными микросферами кремнезема помещают в реактор. Вакуумируют реакционную камеру до 10-4 торр. Затем подложку нагревают до температуры 192-230°С, напускают в зону реакции пары прекурсора с температурой 45-56°С. Выдерживают пары в течение, по меньшей мере, 1,5 секунд. Осуществляют подачу воздуха в реакционную камеру до давления 10-2 торр. Выдерживают реакционную смесь в течение, по меньшей мере, 2 секунд и откачивают реакционную систему до начального вакуума. Технический результат: упрощение способа, сокращение сроков выполнения работ, расширение функциональных возможностей за счет получения наночастиц золота контролируемого размера. 2 з.п. ф-лы, 3 ил.

Description

Изобретение относится к области физической химии и может быть использовано в производстве фотонных кристаллов с заданными оптическими свойствами.
Известны различные способы осаждения наночастиц золота на микросферы кремнезема, например, лазерная абляция, осаждение из жидкой фазы. Основными недостатками данных способов являются наличие множества стадий осаждения, сложность управления размерами наночастиц, а также возможная агрегация наночастиц после удаления растворителя.
Известен способ получения опалоподобных структур с золотыми наночастицами, в котором осаждение проводят в две стадии. Первая стадия включает в себя получение золотых наночастиц лазерной абляцией, перевод их в этанольный раствор, посредством воздействия лазерного излучения с длиной волны 1060 нм на золотую мишень, находящуюся в этанольном растворе. Под действием лазерного импульса наночастицы золота переходят в этанольный раствор. На второй стадии производят многократную инфильтрацию золотых наночастиц в матрицу опала, для чего образец с нанесенными микросферами кремнезема погружают в раствор, полученный на первой стадии, и высушивают на воздухе. Процедуру повторяют до 100 раз (см. V.S. Gorelik, L.I. Ziobina, V.A. Karavanskii, O.A. Troitskii, R.I. Chanieva. InorganicMaterials 46 (2010), р.862-865) [1].
К недостаткам данного способа можно отнести наличие двух стадий процесса осаждения, а также отсутствие контроля за размерами наночастиц золота как на стадии получения, так и на стадии инфильтрации.
Известны способы осаждение наночастиц золота в порах матрицы микросфер путем восстановления золотосодержащих растворов, например, золотохлористоводородной кислоты, различными восстановителями в присутствии стабилизаторов, ПАВ и др.
Например, известен способ осаждения золотых наночастиц на поверхность микросфер кремнезема, заключающийся в следующем: в 2-3 мл раствора, содержащего 0,01% НАuСl4, 0,01% дубильной кислоты, 0,04% цитрата натрия и 0,26 мМ раствора карбоната калия, помещают стеклянную подложку с нанесенными микросферами под углом в 65° и ждут, когда раствор полностью испарится и будет инфильтрован в матрицу микросфер кремнезема под действием капиллярных сил. В результате из раствора получают золотые наночастицы размерами от 3,5 до 6,5 нм (см. A.Z. Khokhar, F. Rahman, N.P. Johnsori. Journal of Physics and Chemistry of Solids 72 (2011), р.185-189 )[2].
Известный способ обладает существенными недостатками, такими как невозможность управления размерами наночастиц, наличием ПАВ; а также агрегацией наночастиц после удаления растворителя.
Наиболее близким к заявляемому является способ осаждения наночастиц фосфида индия (InP) методом химического осаждения их из газовой фазы из металлорганических предшественников, путем совместного осаждения прекурсоров триметилиндия и фосфина на подложку с предварительно нанесенными микросферами кремнезема с размерами от 230 до 535 нм. Подложку помещают в реактор при атмосферном давлении, нагревают до 200-400°С, далее подают пары прекурсоров из двух независимых источников, при этом температуры паров варьируют от 52 до 150°С для триметилиндия и 350°С для фосфина. Число циклов осаждения составляет от 2 до 10 для каждого реактанта, продолжительность циклов составляет от 25 минут до 1 часа.
В результате получают наночастицы InP с размером 50 нм (см. H.M. Yates, M.E. Pemble, H. Miguez, A. Blanco, C.Lopez, F. Meseguer, L. Vazquez. J. Crys. Growth 193 (1998), 9-15)[3].
Недостатками прототипа являются сложность и длительность процесса.
Задача, на решение которой направлено заявляемое изобретение, состоит в упрощении известного способа, сокращении сроков его выполнения и расширении функциональных возможностей заявляемого способа за счет получения наночастиц золота контролируемого размера.
Технический результат достигается путем применения заявляемого способа, заключающегося в следующем.
Подложку необходимого размера и толщины с предварительно нанесенными микросферами кремнезема помещают в реактор, вакуумируют реакционную камеру до 10-4 торр, подложку нагревают до температуры 192-230°С, напускают пары прекурсора с температурой 45-56°С, выдерживают пары в течение не менее 1,5 секунд, напускают воздух в реакционную камеру до давления 10-2 торр, выдерживают реакционную смесь в течение не менее 2 секунд и откачивают реакционную систему до начального вакуума. В качестве прекурсора используют летучий металлорганический комплекс: дипивалоилметаиат диметилзолота. Число циклов составляет от 30 до 100. В результате происходит химическая реакция восстановления золота из прекурсора до металлического состояния с образованием на поверхности микросфер наночастиц золота с размером 5-20 нм.
Определяющим отличием заявляемого способа, по сравнению с прототипом, является то, что осаждение микрочастиц золота производят в одну стадию из газовой фазы при оптимальных режимах, что позволяет расширить функциональные возможности способа за счет обеспечения возможности получения одиночных, не агрегированных наночастиц золота контролируемого размера, составляющего 5-20 нм.
Способ осуществляют на автоматизированной установке, включающей реактор, вакуумную систему, систему подачи газов, управляемые с помощью компьютера.
Изобретение иллюстрируется следующими примерами конкретного выполнения.
Пример 1.
Подложку размером 10×10 мм2, толщиной 2 мм с нанесенными микросферами кремнезема со средним диаметром 210 нм, помещают в реактор, который откачивают до 10-4 торр, нагревают подложку до 192°С, в реакционную камеру напускают пары дипивалоилметанат диметилзолота с температурой 45°С, выдерживают в течение 1,5 секунд, напускают воздух в реакционную камеру до давления 10-2 торр, выдерживают реакционную смесь в течение 2 секунд и откачивают реакционную систему до начального вакуума. Число циклов составляет 50. В результате получены наночастицы золота с размерами 5-10 нм на поверхности микросфер кремнезема. На Фиг.1 представлена микрофотография микросфер кремнезема с осажденными на них наночастицами золота со сканирующего электронного микроскопа, где указан размер одной из наночастиц.
Пример 2.
Подложку размером 10×10 мм2, толщиной 2 мм с нанесенными микросферами кремнезема со средним диаметром 210 нм, помещают в реактор, который откачивают до 10-4 торр, нагревают подложку до 200°С, в реакционную камеру напускают пары дипивалоилметанат диметилзолота с температурой 56°С, выдерживают в течение 2 секунд, напускают воздух в реакционную камеру до давления 10-2 торр, выдерживают реакционную смесь в течение 2,5 секунд и откачивают реакционную систему до начального вакуума. Число циклов составляет 100. В результате получены наночастицы золота с размерами 10-20 нм на поверхности микросфер кремнезема. На Фиг.2 представлена микрофотография микросфер кремнезема с осажденными на них наночастицами золота со сканирующего электронного микроскопа, где указан размер одной из наночастиц.
Пример 3.
Подложку размером 10×10 мм2, толщиной 2 мм с нанесенными микросферами кремнезема со средним диаметром 210 нм, помещают в реактор, который откачивают до 10-4 торр, нагревают подложку до 230°С, в реакционную камеру напускают пары дипивалоилметанат диметилзолота с температурой 55°С, выдерживают в течение 2,5 секунд, напускают воздух в реакционную камеру до давления 10-2 торр, выдерживают реакционную смесь в течение 3 секунд и откачивают реакционную систему до начального вакуума. Число циклов составляет 30. В результате получены наночастицы золота с размерами 8-15 нм на поверхности микросфер кремнезема. На Фиг.3 представлена микрофотография микросфер кремнезема с осажденными на них наночастицами золота со сканирующего электронного микроскопа, где указан размер одной из наночастиц.
Использование заявляемого способа обеспечивает получение наночастиц золота с размером 5-20 нм на поверхности микросфер кремнезема.

Claims (3)

1. Способ осаждения наночастиц золота на поверхность микросфер кремнезема, включающий помещение подложки с предварительно нанесенными микросферами кремнезема в реактор, нагревание подложки и транспортирование паров прекурсора в зону реактора, где расположена подложка, с последующим проведением необходимого числа циклов процесса до образования наночастиц заданного размера, отличающийся тем, что подложку с предварительно нанесенными микросферами кремнезема помещают в реактор, вакуумируют реакционную камеру до 10-4 торр, затем подложку нагревают до температуры 192-230°С, напускают в зону реакции пары прекурсора с температурой 45-56°С, выдерживают пары в течение, по меньшей мере, 1,5 с, осуществляют подачу воздуха в реакционную камеру до давления 10-2 торр, выдерживают реакционную смесь в течение, по меньшей мере, 2 с и откачивают реакционную систему до начального вакуума.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве прекурсора используют дипивалоилметанат диметилзолота.
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что число циклов составляет от 30 до 100.
RU2012104712/28A 2012-02-10 2012-02-10 Способ осаждения наночастиц золота на микросферы кремнезема RU2489230C1 (ru)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2012104712/28A RU2489230C1 (ru) 2012-02-10 2012-02-10 Способ осаждения наночастиц золота на микросферы кремнезема
KR1020120104211A KR20130092361A (ko) 2012-02-10 2012-09-19 나노 입자를 구비한 액티브 레이저 매체, 이를 포함하는 레이저 장치 및 나노 입자 제조방법
EP13154561.8A EP2626960A3 (en) 2012-02-10 2013-02-08 Active laser medium including nanoparticles, laser apparatus including the active laser medium, and method of manufacturing nanoparticles
US13/764,041 US20130250988A1 (en) 2012-02-10 2013-02-11 Active laser medium including nanoparticles, laser apparatus including the active laser medium, and method of manufacturing nanoparticles

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2012104712/28A RU2489230C1 (ru) 2012-02-10 2012-02-10 Способ осаждения наночастиц золота на микросферы кремнезема

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2489230C1 true RU2489230C1 (ru) 2013-08-10

Family

ID=49159423

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2012104712/28A RU2489230C1 (ru) 2012-02-10 2012-02-10 Способ осаждения наночастиц золота на микросферы кремнезема

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2489230C1 (ru)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
H.M. Yates and others. Atmospheric pressure MOCVD growth of crystalline InP in opals / Journal of Crystal Growth, 1998, vol.193, p.9-15. A.Z. Khokhar and others. Preparation and properties of gold-infiltrated polystyrene photonic crystals / Journal of Physics and Chemistry of Solids, 2011, vol.72, p.185-189. RU 2434085 C1 (ООО "НАНОТЕХЦЕНТР"), 20.11.2011. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108559972B (zh) 一种基于常压化学气相沉积的大面积单层二硫化钨薄膜的制备方法和产品
WO2018049948A1 (zh) 一种胶链量子点薄膜的方法与量子点薄膜
Macias‐Montero et al. Vertically aligned hybrid core/shell semiconductor nanowires for photonics applications
CN107445488B (zh) 一种制备大面积均匀单层过渡金属硫属化合物的方法
KR20140115868A (ko) 저압 화학기상증착방법을 이용한 단일층의 육방정계 질화붕소의 제조방법
CN101235485A (zh) 纳米金刚石薄膜窗口的制备方法
CN106044855A (zh) 一种制备单层MoS2的新方法
CN104377114A (zh) 一种锗量子点的生长方法、锗量子点复合材料及其应用
Butcher et al. InN grown by migration enhanced afterglow (MEAglow)
RU2489230C1 (ru) Способ осаждения наночастиц золота на микросферы кремнезема
KR101633075B1 (ko) 3차원 플라즈모닉 나노 구조체 및 그 제조방법
JP6461091B2 (ja) ダイヤモンド蒸着のための方法
CN108893714B (zh) 一种高密度Ag纳米柱表面增强拉曼散射衬底的制备方法
CN106226283A (zh) 一种拉曼增强衬底的制作方法
CN108373136A (zh) 一种非密排有序聚苯乙烯纳米球模板的制备方法
CN103938180A (zh) 一种厚度可控的纳米碳膜的制备
RU2555283C2 (ru) Способ нанесения палладиевого покрытия на подложку
KR101201623B1 (ko) 실리카 나노 튜브 안에 실리카 나노 입자가 존재하는 나노 구조의 단일 단계 제조방법
CN110607516A (zh) 一种单层或双层二硫化钨薄膜的制备方法
CN106011775B (zh) 超薄自支撑聚合物薄膜的制备方法
EP2626960A2 (en) Active laser medium including nanoparticles, laser apparatus including the active laser medium, and method of manufacturing nanoparticles
RU2789692C1 (ru) Способ синтеза пленок нанокристаллического карбида кремния на кремниевой подложке
RU2567283C2 (ru) Способ и устройство для получения углеродных нанотрубок
CN100503445C (zh) 低温原位生长In2O3纳米线的方法
KR100968811B1 (ko) 실리콘 나노와이어 제조방법