RU2474918C1 - Способ обнаружения скрытых электрических дефектов матричных или линейных кремниевых моп мультиплексоров - Google Patents
Способ обнаружения скрытых электрических дефектов матричных или линейных кремниевых моп мультиплексоров Download PDFInfo
- Publication number
- RU2474918C1 RU2474918C1 RU2011134395/28A RU2011134395A RU2474918C1 RU 2474918 C1 RU2474918 C1 RU 2474918C1 RU 2011134395/28 A RU2011134395/28 A RU 2011134395/28A RU 2011134395 A RU2011134395 A RU 2011134395A RU 2474918 C1 RU2474918 C1 RU 2474918C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- layer
- mos
- metal
- multiplexors
- layers
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
Изобретение относится к технологии изготовления и способам тестирования матричных или линейных МОП мультиплексоров. Сущность изобретения: в способе обнаружения скрытых электрических дефектов матричных или линейных кремниевых МОП мультиплексоров на кремниевую пластину с годными кристаллами МОП мультиплексоров наносят слой защитного окисла и слой фоторезиста. Вскрывают контактные окна к металлизированным площадкам истоков МОП транзисторов и контактное окно к подложке. Наносят слой или слои металла. Проводят фотолитографическую обработку по слою или слоям металла для создания металлической площадки. Проводят плазмохимическое снятие фоторезиста в плазме кислорода с верхней поверхности металлической площадки и ее периферии. Контролируют функционирование годных МОП мультиплексоров с выявлением скрытых дефектов - закороток исток-сток. Удаляют слой (слои) металла вне контактных окон в органических растворителях методом «взрыва» с оставлением адгезионных слоев в области контактных окон. Формируют индиевые микроконтакты. Режут пластины на кристаллы. Предложен простой и экономичный способ тестирования кремниевых МОП мультиплексоров в процессе их изготовления на предмет обнаружения электрических дефектов. 5 ил.
Description
Изобретение относится к технологии изготовления и способам тестирования матричных или линейных МОП мультиплексоров.
В настоящее время широко используется способ изготовления гибридных ИК матричных фотоприемных устройств (МФПУ) методом перевернутого монтажа кристалла фоточувствительного элемента и кремниевого МОП мультиплексора при помощи индиевых (In) микроконтактов. После стыковки часто обнаруживаются электрические дефекты МОП мультиплексора, определить которые до стыковки невозможно. Например, электрическое короткое замыкание между входными контактами и выходными шинами МОП мультиплексора (исток - шина стока ключевого МОП транзистора) в ячейке матрицы считывания фотосигнала.
Известно, что для выявления упомянутых выше скрытых электрических дефектов используется слой In, закорачивающий на подложку все истоки через окна, вскрытые в слое защитного окисла, имитируя при этом стыковку. После обнаружения дефектов формируются методом фотолитографии микроконтакты необходимой высоты из слоя In, используемого при тестировании МОП мультиплексоров на предмет обнаружения скрытых электрических дефектов (Способ обнаружения скрытых дефектов матричного и линейного кремниевого МОП мультиплексора, RU, патент на изобретение №2415493, приоритет 05.02.2010 г.).
Указанный метод обнаружения скрытых электрических дефектов имеет следующие недостатки: при травлении слоя индия в процессе фотолитографии для формирования микроконтактов часто возникают дополнительные технологические дефекты - смыкание микроконтактов между собой. Избежать возникновения указанных дефектов можно используя для изготовления микроконтактов метод «взрывной» фотолитографии (например, Способ изготовления индиевых столбиков, RU, патент на изобретение №2419178, приоритет 08.04.2010 г.). Но для «взрывной» фотолитографии известный способ обнаружения скрытых электрических дефектов использовать невозможно.
Задачей изобретения является создание простого и экономичного способа тестирования кремниевых МОП мультиплексоров в процессе их изготовления на предмет обнаружения электрических дефектов.
Технический результат достигается тем, что вместо слоя индия, который в известных источниках используют впоследствии для изготовления индиевых контактов, для закорачивания истоков в предложенном способе используется слой (слои) другого металла, который впоследствии служит адгезирующим слоем между металлизированными истоками и индиевыми контактами. Помимо этого, при использовании предлагаемого способа изготовления и тестирования МОП мультиплексора происходит ранняя диагностика дефектности мультиплексора до формирования индиевого слоя.
Последовательность технологической цепочки предлагаемого способа иллюстрируется на фиг.1-5, где:
1 - годный кристалл МОП мультиплексора, являющийся частью пластины;
2 - слой защитного окисла;
3 - контактные окна к металлизированным площадкам истоков МОП транзисторов;
4 - контактное окно к подложке;
5 - слой фоторезиста;
6 - слой или слои металла (например, ванадия, алюминия, молибден);
7 - металлическая площадка;
8 - контактные площадки кристалла МОП мультиплексора;
9 - адгезионные слои металла.
Способ обнаружения скрытых дефектов МОП мультиплексоров осуществляется в следующей последовательности:
- на кремниевую пластину с годными кристаллами 1 МОП мультиплексоров наносят слой 2 защитного окисла и слой 5 фоторезиста;
- вскрывают контактные окна 3 к металлизированным площадкам истоков МОП транзисторов и контактное окно 4 к подложке (фиг.1); при этом слой 5 фоторезиста после фотолитографической обработки окон не удаляется;
- наносят слой 6 или слои металла (фиг.2) толщиной, достаточной для закорачивания всех истоков МОП транзисторов на подложку;
- проводят фотолитографическую обработку по слою (слоям) металла для создания металлической площадки 7 в каждом кристалле на пластине, закорачивающей все истоки на подложку в каждом из кристаллов МОП мультиплексора (фиг.3), и проводят плазмохимическое снятие фоторезиста в плазме кислорода (фиг.4) с верхней поверхности металлической площадки и ее периферии;
- проводят контроль функционирования годных МОП мультиплексоров с выявлением скрытых дефектов - закороток исток-сток;
- проводят удаление слоя (слоев) металла вне контактных окон 3 в органических растворителях (например, диметилформамиде) методом «взрыва» с оставлением адгезионных слоев 9 в области контактных окон (фиг.5);
- далее следует формирование индиевых микроконтактов известными способами и резка пластины на кристаллы.
Изготовлены экспериментальные образцы кремниевых МОП мультиплексоров с проведением тестирования на предмет обнаружения скрытых дефектов методом закорачивания истоков МОП транзисторов на подложку слоем или слоями металла с последующим формированием индиевых микроконтактов «взрывом».
Claims (1)
- Способ обнаружения скрытых электрических дефектов матричных или линейных кремниевых МОП мультиплексоров, заключающийся в том, что на кремниевой пластине с годными МОП мультиплексорами вскрывают методом фотолитографии контактные окна в защитном окисле к металлизированным площадкам истоков МОП транзисторов и подложке с оставлением фоторезиста, наносят слой или слои металла, которые закорачивают все истоки МОП транзисторов на подложку, проводят фотолитографическую обработку этого слоя с формированием металлической площадки в каждом кристалле на пластине, проводят удаление фоторезиста в плазме кислорода с верхней поверхности металлической площадки и ее периферии, проводят контроль годных кристаллов с обнаружением скрытых электрических дефектов, проводят удаление слоя или слоев металла вне контактных окон в органических растворителях с оставлением адгезионных слоев в области контактных окон.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2011134395/28A RU2474918C1 (ru) | 2011-08-16 | 2011-08-16 | Способ обнаружения скрытых электрических дефектов матричных или линейных кремниевых моп мультиплексоров |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2011134395/28A RU2474918C1 (ru) | 2011-08-16 | 2011-08-16 | Способ обнаружения скрытых электрических дефектов матричных или линейных кремниевых моп мультиплексоров |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2474918C1 true RU2474918C1 (ru) | 2013-02-10 |
Family
ID=49120582
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2011134395/28A RU2474918C1 (ru) | 2011-08-16 | 2011-08-16 | Способ обнаружения скрытых электрических дефектов матричных или линейных кремниевых моп мультиплексоров |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2474918C1 (ru) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2523752C1 (ru) * | 2013-04-01 | 2014-07-20 | Российская Федерация, От Имени Которой Выступает Министерство Промышленности И Торговли Российской Федерации | Способ обнаружения скрытых дефектов матричных бис считывания |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2005308C1 (ru) * | 1991-01-09 | 1993-12-30 | Московский Инженерно-Физический Институт | Способ ускоренных испытаний МОП-интегральных микросхем на пластине |
EP1085333A1 (en) * | 1999-09-14 | 2001-03-21 | STMicroelectronics S.r.l. | A method of testing an integrated circuit |
US6211689B1 (en) * | 1998-01-14 | 2001-04-03 | Nec Corporation | Method for testing semiconductor device and semiconductor device with transistor circuit for marking |
US6275059B1 (en) * | 1997-04-04 | 2001-08-14 | University Of Florida | Method for testing and diagnosing MOS transistors |
US7358517B2 (en) * | 2004-05-06 | 2008-04-15 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for imager quality testing |
RU2388110C1 (ru) * | 2009-02-19 | 2010-04-27 | Федеральное государственное унитарное предприятие "НПО "ОРИОН" | Способ обнаружения скрытых дефектов матричных или линейных моп мультиплексоров |
RU2415493C1 (ru) * | 2010-02-05 | 2011-03-27 | Российская Федерация, От Имени Которой Выступает Министерство Промышленности И Торговли Российской Федерации | Способ обнаружения скрытых дефектов матричного или линейного кремниевого моп мультиплексора |
-
2011
- 2011-08-16 RU RU2011134395/28A patent/RU2474918C1/ru active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2005308C1 (ru) * | 1991-01-09 | 1993-12-30 | Московский Инженерно-Физический Институт | Способ ускоренных испытаний МОП-интегральных микросхем на пластине |
US6275059B1 (en) * | 1997-04-04 | 2001-08-14 | University Of Florida | Method for testing and diagnosing MOS transistors |
US6211689B1 (en) * | 1998-01-14 | 2001-04-03 | Nec Corporation | Method for testing semiconductor device and semiconductor device with transistor circuit for marking |
EP1085333A1 (en) * | 1999-09-14 | 2001-03-21 | STMicroelectronics S.r.l. | A method of testing an integrated circuit |
US7358517B2 (en) * | 2004-05-06 | 2008-04-15 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for imager quality testing |
RU2388110C1 (ru) * | 2009-02-19 | 2010-04-27 | Федеральное государственное унитарное предприятие "НПО "ОРИОН" | Способ обнаружения скрытых дефектов матричных или линейных моп мультиплексоров |
RU2415493C1 (ru) * | 2010-02-05 | 2011-03-27 | Российская Федерация, От Имени Которой Выступает Министерство Промышленности И Торговли Российской Федерации | Способ обнаружения скрытых дефектов матричного или линейного кремниевого моп мультиплексора |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2523752C1 (ru) * | 2013-04-01 | 2014-07-20 | Российская Федерация, От Имени Которой Выступает Министерство Промышленности И Торговли Российской Федерации | Способ обнаружения скрытых дефектов матричных бис считывания |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN103390623A (zh) | 检测装置的制造方法、检测装置和检测系统 | |
CN102664184A (zh) | 一种x射线检测装置的阵列基板及其制造方法 | |
CN103715137A (zh) | 阵列基板及其制造方法、显示装置 | |
KR101428115B1 (ko) | 박막 트랜지스터 어레이를 위한 전기 바이어스 스트레스를 사용한 어레이 시험 방법 | |
RU2474918C1 (ru) | Способ обнаружения скрытых электрических дефектов матричных или линейных кремниевых моп мультиплексоров | |
RU2415493C1 (ru) | Способ обнаружения скрытых дефектов матричного или линейного кремниевого моп мультиплексора | |
JPH07169814A (ja) | 半導体装置のスクリーニング方法 | |
CN104090389B (zh) | 测试元件组、阵列基板、显示装置和测试方法 | |
Bebek et al. | CCD research and development at Lawrence Berkeley National Laboratory | |
CN101197300B (zh) | 集成电路生产过程中ppid的监控方法 | |
RU2388110C1 (ru) | Способ обнаружения скрытых дефектов матричных или линейных моп мультиплексоров | |
RU2433503C1 (ru) | Способ обнаружения скрытых дефектов кремниевых моп мультиплексоров | |
Li et al. | Leakage current and low-frequency noise analysis and reduction in a suspended SOI lateral pin diode | |
US11404332B2 (en) | Array substrate and fabrication method thereof, and display device | |
CN104834140A (zh) | 一种检测tft阵列基板的缺陷的方法 | |
RU2523752C1 (ru) | Способ обнаружения скрытых дефектов матричных бис считывания | |
CN102347255B (zh) | 一种薄膜晶体管的对位检测方法 | |
KR20080002483A (ko) | Soi 웨이퍼의 결함 검사방법 | |
JP6099807B2 (ja) | 半導体装置、及び、その試験方法 | |
CN106415806B (zh) | Soi基板的评估方法 | |
TW200623293A (en) | Inspection method for an semiconductor device | |
CN105097582A (zh) | 一种监测晶圆固定器应力的方法 | |
JP2004228517A (ja) | 放射線撮像装置、その駆動方法及びその製造方法 | |
CN102901568A (zh) | 红外检测器及其制造方法 | |
JP2585556B2 (ja) | 半導体集積回路装置 |