RU2445257C2 - Способ получения кремния - Google Patents

Способ получения кремния Download PDF

Info

Publication number
RU2445257C2
RU2445257C2 RU2010123135/05A RU2010123135A RU2445257C2 RU 2445257 C2 RU2445257 C2 RU 2445257C2 RU 2010123135/05 A RU2010123135/05 A RU 2010123135/05A RU 2010123135 A RU2010123135 A RU 2010123135A RU 2445257 C2 RU2445257 C2 RU 2445257C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
silicon
magnesium
monosilane
impurities
metal
Prior art date
Application number
RU2010123135/05A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2010123135A (ru
Inventor
Александр Николаевич Дьяченко (RU)
Александр Николаевич Дьяченко
Роман Иванович Крайденко (RU)
Роман Иванович Крайденко
Original Assignee
ООО "Фторидные технологии"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ООО "Фторидные технологии" filed Critical ООО "Фторидные технологии"
Priority to RU2010123135/05A priority Critical patent/RU2445257C2/ru
Publication of RU2010123135A publication Critical patent/RU2010123135A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2445257C2 publication Critical patent/RU2445257C2/ru

Links

Landscapes

  • Silicon Compounds (AREA)

Abstract

Изобретение относится к области химической технологии неорганических веществ и может быть использовано для получения синтетического кремния. Способ включает смешивание диоксида кремния с магнием с получением силицида магния, обработку силицида магния минеральной кислотой с получением газообразного моносилана кремния и разложение последнего при 800-1000°C с получением твердого продукта - элементного кремния. Для получения силицида магния используются металлический магний, очищенный от примесей металлов и неметаллов методом возгонки, и оксид кремния, очищенный от примесей металлов и неметаллов через стадию образования гексафторосиликата аммония и его осаждением аммиачной водой. Технический результат заключается в получении кремния с низким содержанием примесей. Снижение себестоимости конечного продукта осуществляется за счет исключения стадии ректификации моносилана кремния. 1 пр.

Description

Изобретение относится к области химической технологии неорганических веществ и может быть использовано в тех случаях, когда необходимо получить синтетический кремний.
Известен способ получения кремния, основанный на восстановлении расплава SiО2 углеродом при 1800°С, с последующей кислотной обработкой [Химическая энциклопедия: В 5 т.: т.2/ Ред - кол.: Кнунянц И.Л. (гл.ред) и др. - М.: Большая Российская энциклопедия 1990. - 671 с. (Статья «Кремний» стр.508)]. Недостатком данного метода является низкая чистота конечного продукта 99,9%.
Известен способ получения кремния, основанный на хлорировании технического кремния до SiCl4 или SiHCl3, с последующей очисткой SiCCl4 (SiHCl3) ректификацией, сорбцией и др. методами и восстановлением при 1200°С [Химическая энциклопедия: В 5 т.: т.2/ Ред - кол.: Кнунянц И.Л. (гл.ред) и др. - М.: Большая Российская энциклопедия 1990. - 671 с. (Статья «Кремний» стр.508)]. Недостатком данного метода является энергоемкость и, как следствие, высокая стоимость конечного продукта.
Известен способ получения кремния (прототип), основанный на выделении SiH4 минеральными кислотами из силицида магния, с последующей ректификационной очисткой SiH4 и разложением моносилана кремния при 1000°С [Химическая энциклопедия: В 5 т.: т.2/ Ред - кол.: Кнунянц И.Л. (гл.ред) и др. - М.: Большая Российская энциклопедия 1990. - 671 с.(Статья «Кремний» стр.509)]. Недостатком данного метода является использование дорогостоящей стадии ректификации моносилана кремния.
Задачей настоящего изобретения является разработка промышленного способа получения элементного кремния с низким содержанием примесей.
Поставленная задача решается тем, что предварительно диспергированное исходное кремнийсодержащее сырье механически смешивают с фторидом-гидродифторидом аммония в смесителе. При комнатной температуре начинается процесс взаимодействия диоксида кремния, находящегося в исходной руде, механическое перемешивание способствует увеличению поверхности реагирования и интенсифицирует процесс, для интенсификации процесса также можно подводить тепло. В результате реакции образуется твердый гексафторосиликат аммония (NH4)2SiF6 и газообразные аммиак NН3 и вода Н2О. Образующиеся в результате реакции NH3 и Н2О поступают в абсорбер, где происходит конденсация газов и получение аммиачной воды. Полученную в смесителе шихту нагревают в сублиматоре до температуры 320-340°С и выдерживают до полного сублимационного отделения гексафторосиликата аммония. Гексафторосиликат аммония по обогреваемому трубопроводу поступает в десублиматор для перевода в твердое агрегатное состояние. Твердый гексафторосиликат аммония растворяют в воде, в раствор приливают аммиачную воду до полного перевода кремния в форму диоксида кремния. Диоксид кремния фильтруют и сушат. Таким образом, получают оксид кремния, очищенный от примесей металлов (Fe, Al, Ti и др.) и неметаллов (В, Р, As и др.).
Далее смешивают диоксид кремния с избытком магния (магний предварительно очищают от примесей металлов и неметаллов методом перегонки) 100-120% от стехиометрического соотношения для получения силицида магния и оксида магния и нагревают до температуры начала реакции, далее процесс протекает самопроизвольно за счет тепла реакции.
Протекающая реакция описывается уравнением:
SiO2+4Mg=Mg2Si+2MgO
Полученную шихту обрабатывают минеральной кислотой для выделения газообразного моносилана кремния. При использовании соляной кислоты реакция описывается уравнением:
Mg2Si+4НСl=2MgCl2+SiH4
Моносилан кремния разлагают на разогретой до 800 - 1000°С подложке с образованием кремния:
SiH4=Si+2Н2
Полученный хлорид магния может быть использован для получения металлического магния и хлора. Хлор и водород могут быть использованы для получения соляной кислоты.
В результате перечисленных операций получается твердый продукт - элементный кремний. Снижение себестоимости конечного продукта осуществляется за счет исключения стадии ректификации моносилана кремния.
Пример 1. Смешивают 10 г диоксида кремния и 16 г магния, нагревают до 600°С, продукты реакции остужают до комнатной температуры и промывают 160 г соляной кислоты. Выделяющийся газ направляют в реактор с разогретым до 800°С стержнем. Увеличение массы стержня составило 3,83 г, выход продукта составил 82%.

Claims (1)

  1. Способ получения кремния, включающий получение силицида магния, разложение силицида магния минеральной кислотой с получением моносилана кремния, разложение моносилана кремния, отличающийся тем, что для получения силицида магния используются металлический магний, очищенный от примесей металлов и неметаллов методом возгонки, и оксид кремния, очищенный от примесей металлов и неметаллов через стадию образования гексафторосиликата аммония и его осаждением аммиачной водой с получением диоксида кремния.
RU2010123135/05A 2010-06-07 2010-06-07 Способ получения кремния RU2445257C2 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2010123135/05A RU2445257C2 (ru) 2010-06-07 2010-06-07 Способ получения кремния

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2010123135/05A RU2445257C2 (ru) 2010-06-07 2010-06-07 Способ получения кремния

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2010123135A RU2010123135A (ru) 2011-12-20
RU2445257C2 true RU2445257C2 (ru) 2012-03-20

Family

ID=45403686

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2010123135/05A RU2445257C2 (ru) 2010-06-07 2010-06-07 Способ получения кремния

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2445257C2 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2549410C1 (ru) * 2013-10-09 2015-04-27 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский Томский политехнический университет" Способ получения кремния из силицида магния

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090241730A1 (en) * 2008-03-31 2009-10-01 Et-Energy Corp. Chemical process for generating energy
WO2010027782A2 (en) * 2008-08-25 2010-03-11 Orion Laboratories, Llc Magnesiothermic methods of producing high-purity solution

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090241730A1 (en) * 2008-03-31 2009-10-01 Et-Energy Corp. Chemical process for generating energy
WO2010027782A2 (en) * 2008-08-25 2010-03-11 Orion Laboratories, Llc Magnesiothermic methods of producing high-purity solution

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
ХИМИЧЕСКАЯ ЭНЦИКЛОПЕДИЯ //Под ред. И.Л. КНУНЯНЦ. - М.: Советская энциклопедия, 1990, т.2, стр.509. *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2549410C1 (ru) * 2013-10-09 2015-04-27 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский Томский политехнический университет" Способ получения кремния из силицида магния

Also Published As

Publication number Publication date
RU2010123135A (ru) 2011-12-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5296091B2 (ja) P4o6の製造方法
JP4714197B2 (ja) トリクロロシランの製造方法および多結晶シリコンの製造方法
JP5552490B2 (ja) 高純度窒化ケイ素の製造方法
JP5284483B2 (ja) 収量向上したp4o6の製造方法
US20090028766A1 (en) High Purity Anhydrous Aluminium Chloride and Process for Production Thereof
JP5317707B2 (ja) クロロシラン統合プラント内での高沸点化合物の再利用方法
RU2445257C2 (ru) Способ получения кремния
JP5772982B2 (ja) 高純度クロロポリシランの製造方法
RU2458006C2 (ru) Способ получения синтетического диоксида кремния высокой чистоты
RU2357925C1 (ru) Способ получения диоксида кремния
RU2452687C2 (ru) Способ получения кремния
AU2012386620B2 (en) Method for producing alumina
RU2549410C1 (ru) Способ получения кремния из силицида магния
US7541015B2 (en) Process for producing a silicon nitride compound
JP5742622B2 (ja) トリクロロシラン製造方法及び製造装置
RU128874U1 (ru) Технологический комплекс для получения монокристаллического кремния
RU2637690C1 (ru) Способ получения хлорсиланов из аморфного кремнезема для производства кремния высокой чистоты
RU2519460C1 (ru) Способ получения кремния с использованием субхлорида алюминия
RU1782936C (ru) Способ осаждени полупроводникового кремни
WO2003059814A1 (de) Verfahren zur herstellung von silicium
CN116161692A (zh) 无水三氯化钪的制备方法和应用
DE10358452B4 (de) Verfahren zur Herstellung von hochreinem Silicium über die Calciumsilicid-Route
JP2021100902A (ja) 高純度トリクロロシランの精製方法
WO2020153342A1 (ja) 精製クロロシラン類の製造方法
RU2421401C1 (ru) Способ получения фторида алюминия

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20120608