RU2439694C1 - Analogue voltage multiplier - Google Patents
Analogue voltage multiplier Download PDFInfo
- Publication number
- RU2439694C1 RU2439694C1 RU2010153496/08A RU2010153496A RU2439694C1 RU 2439694 C1 RU2439694 C1 RU 2439694C1 RU 2010153496/08 A RU2010153496/08 A RU 2010153496/08A RU 2010153496 A RU2010153496 A RU 2010153496A RU 2439694 C1 RU2439694 C1 RU 2439694C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- transistors
- input transistor
- emitter
- power supply
- current
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Amplifiers (AREA)
Abstract
Description
Предлагаемое изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в устройствах автоматической регулировки усиления, фазовых детекторах и модуляторах, а также в системах фазовой автоподстройки и умножения частоты или в качестве усилителя, коэффициент передачи по напряжению которого зависит от уровня сигнала управления. Аналоговый перемножитель (АПН) является базовым узлом современных систем приема и обработки сигналов ВЧ и СВЧ-диапазонов, аналоговой вычислительной и измерительной техники, позволяет решать задачи выделения разностной частоты, аттенюации сигналов. АПН является неотъемлемым звеном квадратурных модуляторов и демодуляторов, а также синхронных фильтров. Высоколинейный широкополосный АПН может служить базовой ячейкой нелинейных СФ-блоков «систем на кристалле».The present invention relates to the field of radio engineering and communication and can be used in automatic gain control devices, phase detectors and modulators, as well as in phase locked loop and frequency multiplication systems or as an amplifier, the voltage transfer coefficient of which depends on the level of the control signal. The analog multiplier (APN) is the basic unit of modern systems for the reception and processing of high-frequency and microwave-frequency signals, analogue computing and measuring equipment, which makes it possible to solve the problems of distinguishing difference frequencies and attenuating signals. APN is an integral part of quadrature modulators and demodulators, as well as synchronous filters. High-linear broadband APN can serve as the base cell of non-linear SF blocks of “systems on a chip”.
Аналоговый перемножитель напряжений (АПН) современных систем связи и телекоммуникаций реализуется, в основном, на базе перемножающей ячейки Джильберта, которая совершенствовалась в более чем 50 патентах ведущих микроэлектронных фирм (смотри, например, [1-36]). Предполагаемое изобретение относится к данному классу устройств.The analog voltage multiplier (APN) of modern communication and telecommunication systems is implemented mainly on the basis of the Gilbert cell multiplier, which has been improved in more than 50 patents of leading microelectronic companies (see, for example, [1-36]). The alleged invention relates to this class of devices.
На основе ячейки Джильберта реализуются не только перемножители напряжений, но и управляемые усилители, и смесители (миксеры) сигналов ВЧ и СВЧ диапазонов. В этом смысле АПН является базовым функциональным узлом современной микроэлектроники, определяющим качественные показатели многих систем связи.On the basis of the Gilbert cell, not only voltage multipliers are realized, but also controlled amplifiers and mixers (mixers) of the RF and microwave ranges. In this sense, the APN is the basic functional unit of modern microelectronics, which determines the quality indicators of many communication systems.
Ближайшим прототипом заявляемого устройства является аналоговый перемножитель напряжений (АПН), (фиг.1), рассмотренный в монографии Е.И.Старченко «Аналоговые перемножители напряжений» - Шахты: Издательство ЮРГУЭС, 2006. - 57 с, стр.12, рис.2.2. Кроме этого данная структура АПН представлена в учебном пособии для вузов В.Н.Ногина «Аналоговые электронные устройства». - М.: Радио и связь, 1992. - 304 с, стр.260, рис.16.11, а также в патенте US 6.456.142, fig.8. Известный АПН содержит перемножающую ячейку Джильберта 1, противофазные токовые выходы которой 2 и 3 связаны с первой 4 шиной источника питания через симметричную цепь нагрузки 5, первый 6 и второй 7 токовые входы канала «Y» перемножающей ячейки Джильберта 1, соединенные с соответствующими токовыми выходами преобразователя «напряжение-ток» канала «Y» 8, первый 9 и второй 10 потенциальные входы канала «X» перемножающей ячейки Джильберта 1, связанные с коллекторами соответствующих первого 11 и второго 12 входных транзисторов, первый 13 и второй 14 логарифмирующие p-n переходы, первые выводы которых объединены и через цепь согласования потенциалов 15 связаны с шиной первого 4 источника питания, причем второй вывод первого 13 логарифмирующего p-n перехода соединен с коллектором первого 11 входного транзистора, а второй вывод второго 14 логарифмирующего p-n перехода соединен с коллектором второго 12 входного транзистора, масштабирующий резистор 16, включенный между эмиттерами первого 11 и второго 12 входных транзисторов, первый 17 источник опорного тока, включенный между эмиттером первого 11 входного транзистора и второй 18 шиной источника питания, второй 19 источник опорного тока, включенный между эмиттером второго 12 входного транзистора и второй 18 шиной источника питания.The closest prototype of the claimed device is an analog voltage multiplier (APN), (Fig. 1), considered in the monograph by E.I. Starchenko “Analog voltage multipliers” - Mines: Publishing House of YURGUES, 2006. - 57 s, p. 12, Fig. 2.2 . In addition, this structure of the APN is presented in the textbook for universities VN Nogin "Analog electronic devices." - M.: Radio and Communications, 1992. - 304 s, p. 260, Fig. 16.11, as well as in US Pat. Known APN contains a multiplier cell of Gilbert 1, the antiphase current outputs of which 2 and 3 are connected to the first 4 bus of the power source through a
Существенный недостаток известного перемножителя напряжений (АПН) состоит в том, что он имеет сравнительно невысокий диапазон рабочих частот, который ограничивается паразитными емкостями применяемых транзисторов (емкостью коллектор-база и емкостью на подложку).A significant drawback of the known voltage multiplier (APN) is that it has a relatively low operating frequency range, which is limited by the parasitic capacitances of the transistors used (collector-base capacitance and substrate capacitance).
Основная цель предлагаемого изобретения состоит в расширении диапазона рабочих частот (полосы пропускания) АПН.The main objective of the invention is to expand the range of operating frequencies (bandwidth) APN.
Поставленная цель достигается тем, что в АПН, содержащем перемножающую ячейку Джильберта 1, противофазные токовые выходы которой 2 и 3 связаны с первой 4 шиной источника питания через симметричную цепь нагрузки 5, первый 6 и второй 7 токовые входы канала «Y» перемножающей ячейки Джильберта 1, соединенные с соответствующими токовыми выходами преобразователя «напряжение-ток» канала «Y» 8, первый 9 и второй 10 потенциальные входы канала «X» перемножающей ячейки Джильберта 1, связанные с коллекторами соответствующих первого 11 и второго 12 входных транзисторов, первый 13 и второй 14 логарифмирующие p-n переходы, первые выводы которых объединены и через цепь согласования потенциалов 15 связаны с шиной первого 4 источника питания, причем второй вывод первого 13 логарифмирующего p-n перехода соединен с коллектором первого 11 входного транзистора, а второй вывод второго 14 логарифмирующего p-n перехода соединен с коллектором второго 12 входного транзистора, масштабирующий резистор 16, включенный между эмиттерами первого 11 и второго 12 входных транзисторов, первый 17 источник опорного тока, включенный между эмиттером первого 11 входного транзистора и второй 18 шиной источника питания, второй 19 источник опорного тока, включенный между эмиттером второго 12 входного транзистора и второй 18 шиной источника питания, предусмотрены новые элементы и связи - в схему введены первая 20 и вторая 21 группы вспомогательных транзисторов, причем коллекторы n>2 параллельно включенных вспомогательных транзисторов первой 20 группы соединены с эмиттером первого 11 входного транзистора, коллекторы n>2 параллельно включенных вспомогательных транзисторов второй 21 группы соединены с эмиттером второго 12 входного транзистора, эмиттеры и базы всех вспомогательных транзисторов первой 20 и второй 21 группы объединены и связаны со второй 18 шиной источника питания.This goal is achieved by the fact that in the APN containing the Gilbert multiplying
На чертеже фиг.1 показана схема АПН-прототипа.The drawing of figure 1 shows a diagram of the APN prototype.
На чертеже фиг.2 представлена схема классической перемножающей ячейки Джильберта (1), которая реализована на транзисторах 33÷36.The drawing of figure 2 presents a diagram of a classical multiplying cell Gilbert (1), which is implemented on
На чертеже фиг.3 приведена схема заявляемого АПН в соответствии с формулой изобретения.The drawing of figure 3 shows a diagram of the claimed APN in accordance with the claims.
На чертеже фиг.4 показана схема аналогового перемножителя фиг.2 в среде Cadence на моделях SiGe интегральных транзисторов с цепями расширения частотного диапазона, реализованными на основе первой 20 и второй 21 группы вспомогательных транзисторов.The drawing of Fig. 4 shows a diagram of the analog multiplier of Fig. 2 in a Cadence environment on SiGe models of integrated transistors with frequency range extension circuits implemented on the basis of the first 20 and second 21 groups of auxiliary transistors.
На чертеже фиг.5 приведена зависимость коэффициента усиления АПН фиг.4 от частоты с использованием первой 20 и второй 21 группы вспомогательных транзисторов с различными площадями эмиттерных переходов при сопротивлении масштабирующего резистора 16, равном R16=200 Ом, и напряжении управления по каналу «Y», равном Vу=100 мВ.The drawing of Fig.5 shows the dependence of the gain of the APN of Fig.4 on the frequency using the first 20 and second 21 groups of auxiliary transistors with different areas of emitter junctions with a resistance of the
На чертеже фиг.6 показана зависимость коэффициента усиления АПН фиг.4 от частоты при сопротивлении масштабирующего резистора 16 R16=200 Ом и другом напряжении управления по каналу «Y», равном Vу=200 мВ.The drawing of Fig.6 shows the dependence of the gain of the APN of Fig.4 on the frequency with the resistance of the
Чертеж фиг.7 иллюстрирует зависимость коэффициента усиления АПН от частоты при подключении первой 20 и второй 21 группы вспомогательных транзисторов с различными площадями эмиттерных переходов при сопротивлении масштабирующего резистора 16 R16=1 кОм и напряжении управления по каналу «Y», равном Vу=100 мВ.The drawing of Fig.7 illustrates the dependence of the gain of the APN on the frequency when connecting the first 20 and second 21 groups of auxiliary transistors with different areas of emitter junctions with a resistance of the
На чертеже фиг.8 приведена зависимость коэффициента усиления АПН от частоты при подключении первой 20 и второй 21 группы вспомогательных транзисторов с различными площадями эмиттерных переходов при сопротивлении масштабирующего резистора 16 R16=1 кОм и другом напряжении управления по каналу «Y», равном Vу=200 мВ.The drawing of Fig. 8 shows the dependence of the gain of the APN on the frequency when connecting the first 20 and second 21 groups of auxiliary transistors with different areas of emitter junctions with a resistance of the
Заявляемый АПН фиг.3 содержит классическую перемножающую ячейку Джильберта 1 (фиг.2), противофазные токовые выходы которой 2 и 3 связаны с первой 4 шиной источника питания через симметричную цепь нагрузки 5, первый 6 и второй 7 токовые входы канала «Y» перемножающей ячейки Джильберта 1, соединенные с соответствующими токовыми выходами преобразователя «напряжение-ток» канала «Y» 8, первый 9 и второй 10 потенциальные входы канала «X» перемножающей ячейки Джильберта 1, связанные с коллекторами соответствующих первого 11 и второго 12 входных транзисторов, первый 13 и второй 14 логарифмирующие p-n переходы, первые выводы которых объединены и через цепь согласования потенциалов 15 связаны с шиной первого 4 источника питания, причем второй вывод первого 13 логарифмирующего p-n перехода соединен с коллектором первого 11 входного транзистора, а второй вывод второго 14 логарифмирующего p-n перехода соединен с коллектором второго 12 входного транзистора, масштабирующий резистор 16, включенный между эмиттерами первого 11 и второго 12 входных транзисторов, первый 17 источник опорного тока, включенный между эмиттером первого 11 входного транзистора и второй 18 шиной источника питания, второй 19 источник опорного тока, включенный между эмиттером второго 12 входного транзистора и второй 18 шиной источника питания. В схему введены первая 20 и вторая 21 группы вспомогательных транзисторов, причем коллекторы n>2 параллельно включенных вспомогательных транзисторов первой 20 группы соединены с эмиттером первого 11 входного транзистора, коллекторы n>2 параллельно включенных вспомогательных транзисторов второй 21 группы соединены с эмиттером второго 12 входного транзистора, эмиттеры и базы всех вспомогательных транзисторов первой 20 и второй 21 группы объединены и связаны со второй 18 шиной источника питания.The inventive APN of Fig. 3 contains a classical Gilbert multiplying cell 1 (Fig. 2), the antiphase current outputs of which 2 and 3 are connected to the first 4 bus of the power supply through a
В частном случае на чертеже фиг.3 первый 17 и второй 19 источники опорного тока выполнены на транзисторах 22 и 23. Однако в ряде случаев авторы рекомендуют использовать в качестве данных элементов сравнительно высокоомные резисторы.In the particular case of FIG. 3, the first 17 and second 19 sources of the reference current are made on transistors 22 and 23. However, in some cases, the authors recommend using relatively high-resistance resistors as these elements.
В схеме фиг.3 симметричная цепь нагрузки 5 реализована на базе коллекторных резисторов 24 и 25. В других схемах включения это могут быть индуктивности или колебаторные контуры.In the circuit of FIG. 3, a
Конденсаторы 26 и 27 на чертеже фиг.3 характеризуют выходную емкость транзисторов 22 и 23.Capacitors 26 and 27 in the drawing of figure 3 characterize the output capacitance of transistors 22 and 23.
Преобразователь «напряжение-ток» канала «Y» (фиг.3) выполнен по традиционной схеме на транзисторах 28 и 29, резисторе 30, токостабилизирующих двухполюсниках 31 и 32.The voltage-current Converter channel "Y" (figure 3) is made according to the traditional scheme on
На чертеже фиг.2 перемножающая ячейка Джильберта 1 выполнена по классической архитектуре и содержит транзисторы 33÷36. В качестве цепи согласования потенциалов 15 могут использоваться стабилитроны, резисторы или диоды.In the drawing of figure 2, the Gilbert
Рассмотрим работу АПН фиг.3.Consider the operation of the APN of Fig.3.
Для реализации функции перемножения двух напряжений uх и uу в схеме фиг.3 необходимо с помощью преобразователя «напряжение-ток» канала «Y» 8 обеспечить преобразование управляющего напряжения uу с крутизной S в два противофазно изменяющихся тока и управление этими токами величиной коэффициента усиления по напряжению дифференциальных каскадов на транзисторах 33, 36 и 34, 35 (фиг.2). В схеме фиг.3 при увеличении тока первого 6 токового входа на величину и уменьшении тока второго 7 токового входа на величину коэффициент усиления по напряжению каскада на транзисторах 35, 36 (фиг.2) увеличивается, а каскада на транзисторах 37, 38 (фиг.2) уменьшается. Поэтому, переменное выходное напряжение АПН пропорционально произведению напряжений uх и uу:To implement the function of multiplying two voltages u x and u y in the circuit of figure 3, it is necessary to convert the control voltage u y with slope S into two antiphase currents using the voltage-current converter of channel "Y" 8 and controlling these currents with the magnitude of the voltage gain of the differential stages on
где RH.ЭКВ - эквивалентное сопротивление цепи симметричной нагрузки 5;where R H. ECV is the equivalent resistance of the
φт ≈ 26 мВ - температурный потенциал.φ t ≈ 26 mV - temperature potential.
Замечательная особенность в АПН фиг.3 состоит в том, что в нем обеспечивается взаимная компенсация влияния на амплитудно-частотную характеристику емкости коллекторного перехода транзистора 11 (12) и вспомогательных транзисторов первой 20 (второй 21) группы, а также транзисторов ячейки Джильберта (1), что снижает погрешность перемножения uх и uу в диапазоне высоких частот (f>10 ГГц). При этом за счет высокой идентичности транзисторов и их паразитных емкостей условия взаимной компенсации не нарушаются в рабочих диапазонах температур. В практических схемах число элементарных транзисторов, входящих в первую 20 и вторую 21 группу вспомогательных транзисторов лежит в пределах n=2÷6 и зависит от выбранной площади эмиттерных переходов и геометрии элементарных транзисторов.A remarkable feature in the APN of Fig. 3 is that it provides mutual compensation for the influence on the amplitude-frequency characteristic of the collector junction capacitance of the transistor 11 (12) and auxiliary transistors of the first 20 (second 21) group, as well as the Gilbert cell transistors (1) , which reduces the error in the multiplication of u x and u y in the high frequency range (f> 10 GHz). Moreover, due to the high identity of the transistors and their stray capacitances, the conditions of mutual compensation are not violated in the operating temperature ranges. In practical schemes, the number of elementary transistors included in the first 20 and second 21 groups of auxiliary transistors lies in the range n = 2 ÷ 6 and depends on the selected area of the emitter junctions and the geometry of the elementary transistors.
Действительно, анализ графиков фиг.5-фиг.8 показывает, что выигрыш по верхней граничной частоте коэффициента усиления (по уровню -3дБ), который обеспечивает введение первой 20 и второй 21 группы вспомогательных транзисторов, лежит в пределах от 8 ГГц до 12 ГГц (в зависимости от заданного уровня неравномерности амплитудно-частотной характеристики). Это позволяет за счет оптимального выбора числа n элементарных транзисторов, входящих в первую 20 и вторую 21 группу вспомогательных транзисторов и площадей их эмиттерных переходов, скорректировать амплитудно-частотную характеристику АПН в области высоких частот и обеспечить для SiGe технологий SGB25VD верхнюю граничную частоту 16÷24 ГГц, вместо 9÷10 ГГц.Indeed, the analysis of the graphs of FIGS. 5 to 8 shows that the gain in the upper cutoff frequency of the gain (in the -3dB level), which provides the introduction of the first 20 and second 21 groups of auxiliary transistors, lies in the range from 8 GHz to 12 GHz ( depending on a given level of non-uniformity of the amplitude-frequency characteristic). This allows, due to the optimal choice of the number n of elementary transistors included in the first 20 and second 21 groups of auxiliary transistors and the areas of their emitter junctions, to adjust the amplitude-frequency characteristic of the arrester in the high frequency region and to provide the upper cutoff frequency of 16 ÷ 24 GHz for SiGe technologies SGB25VD , instead of 9 ÷ 10 GHz.
Таким образом, предлагаемое техническое решение характеризуется более высокими качественными параметрами по частотному диапазону.Thus, the proposed technical solution is characterized by higher quality parameters in the frequency range.
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОКBIBLIOGRAPHIC LIST
1. Патент GB 2.318.470, H03f 3/451. Patent GB 2.318.470,
2. Патент ЕР 1.369.9922. Patent EP 1.369.992
3. Патент США №5.874.8573. US Patent No. 5,874.857
4. Патент США №6.456.142, фиг.84. US patent No. 6.456.142, Fig.8
5. Патент США №3.931.583, фиг.95. US Patent No. 3,931.583, Fig.9
6. Патентная заявка США №2007/0139114, фиг.16. US patent application No. 2007/0139114, figure 1
7. Патентная заявка США №2005/0073362, фиг.17. US Patent Application No. 2005/0073362, FIG. 1
8. Патент США №5.057.7878. US Patent No. 5.057.787
9. Патентная заявка WO 2004/0412989. Patent application WO 2004/041298
10. Патент США №5.389.840, фиг.1А10. US patent No. 5.389.840, figa
11. Патент США №5.883.539, фиг.111. US patent No. 5883.539, figure 1
12. Патентная заявка США №2005/005223912. US Patent Application No. 2005/0052239
13. Патент США №5.151.625, фиг.113. US patent No. 5.151.625, figure 1
14. Патент США №4.458.211, фиг.514. US Patent No. 4,458.211, figure 5
15. Патентная заявка США №2005/0030096, фиг.615. US patent application No. 2005/0030096, Fig.6
16. Патентная заявка США №2007/009087616. US Patent Application No. 2007/0090876
17. Патент США №6.727.75517. US Patent No. 6,727.755
18. Патент США №5.552.734, фиг.13, фиг.1618. US patent No. 5.552.734, Fig.13, Fig.16
19. Патентная заявка США №2006/023233419. US patent application No. 2006/0232334
20. Патент США №5.767.72720. US Patent No. 5,767.727
21. Патент США №6.229.395, фиг.221. US patent No. 6.229.395, figure 2
22. Патент США №5.115.40922. US Patent No. 5.115.409
23. Патентная заявка США №2005/0231283, фиг.123. US patent application No. 2005/0231283, figure 1
24. Патентная заявка США №2006/0066362, фиг.1524. US patent application No. 2006/0066362, Fig.15
25. Патент США №5.151.624, фиг.1, фиг.225. US patent No. 5.151.624, figure 1, figure 2
26. Патент США №5.329.189, фиг.226. US patent No. 5.329.189, figure 2
27. Патент США №4.704.73827. US Patent No. 4,704.738
28. Патент США №4.480.33728. US Patent No. 4,480.337
29. Патент США №5.825.23129. US Patent No. 5.825.231
30. Патент США №6.211.718, фиг.1, фиг.230. US patent No. 6.211.718, figure 1, figure 2
31. Патент США №5.151.62431. US Patent No. 5.151.624
32. Патент США №5.329.18932. US Patent No. 5,329.189
33. Патент США №5.331.28933. US patent No. 5.331.289
34. Патент GB №2.323.72834. GB patent No. 2,323.728
35. Патентная заявка США №2008/0122540, фиг.135. US patent application No. 2008/0122540, figure 1
36. Патент США №4.965.52836. US Patent No. 4,965.528
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2010153496/08A RU2439694C1 (en) | 2010-12-27 | 2010-12-27 | Analogue voltage multiplier |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2010153496/08A RU2439694C1 (en) | 2010-12-27 | 2010-12-27 | Analogue voltage multiplier |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2439694C1 true RU2439694C1 (en) | 2012-01-10 |
Family
ID=45784297
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2010153496/08A RU2439694C1 (en) | 2010-12-27 | 2010-12-27 | Analogue voltage multiplier |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2439694C1 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU197011U1 (en) * | 2020-01-13 | 2020-03-24 | Виктор Петрович Тарасов | Quad-quad multiplier analog multiplier |
-
2010
- 2010-12-27 RU RU2010153496/08A patent/RU2439694C1/en not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU197011U1 (en) * | 2020-01-13 | 2020-03-24 | Виктор Петрович Тарасов | Quad-quad multiplier analog multiplier |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2419197C1 (en) | Differential amplifier with increased amplification factor as to voltage | |
Li | A new single MCCCDTA based Wien-bridge oscillator with AGC | |
Roy et al. | Two new analog multipliers/dividers employing single current differencing buffer amplifier | |
Chaturvedi et al. | Second order mixed mode quadrature oscillator using DVCCs and grounded components | |
RU2380824C1 (en) | Alternating current amplifier with controlled amplification | |
RU2439694C1 (en) | Analogue voltage multiplier | |
Kumngern | A new CMOS second generation current conveyor with variable current gain | |
RU2439785C1 (en) | Analogue multiplier of voltages | |
RU2321156C1 (en) | Broadband amplifier | |
RU2394358C1 (en) | Low-voltage analogue voltage multiplier | |
RU2384936C1 (en) | Controlled two-stage differential amplifier with inphase negative feedback | |
RU2436227C1 (en) | Broadband amplifier | |
RU2419190C1 (en) | Analogue voltage multiplier with low-voltage power supply | |
RU2421897C1 (en) | Controlled complementary differential amplifier | |
RU2419189C1 (en) | Analogue voltage multiplier with low-voltage power supply | |
RU2319296C1 (en) | Fast action differential amplifier | |
RU2460206C1 (en) | Cascode microwave amplifier with low supply voltage | |
RU2421888C1 (en) | Differential amplifier | |
RU2389071C1 (en) | Analog multiplier of voltages | |
RU2396698C1 (en) | Differential amplifier | |
RU2475941C1 (en) | Differential amplifier with complementary input cascade | |
RU2519563C2 (en) | Composite transistor | |
RU2432667C1 (en) | Differential operational amplifier with low supply voltage | |
RU2419145C1 (en) | Analogue voltage multiplier | |
RU2467468C1 (en) | Broadband current amplifier |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20121228 |