RU2433501C2 - Способ изготовления полупроводникового прибора - Google Patents
Способ изготовления полупроводникового прибора Download PDFInfo
- Publication number
- RU2433501C2 RU2433501C2 RU2008102765/28A RU2008102765A RU2433501C2 RU 2433501 C2 RU2433501 C2 RU 2433501C2 RU 2008102765/28 A RU2008102765/28 A RU 2008102765/28A RU 2008102765 A RU2008102765 A RU 2008102765A RU 2433501 C2 RU2433501 C2 RU 2433501C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- temperature
- semiconductor device
- layer
- device fabrication
- dose
- Prior art date
Links
Landscapes
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Element Separation (AREA)
Abstract
Использование: в технологии производства полупроводниковых приборов. Технический результат изобретения - снижение плотности дефектов в полупроводниковых приборах, обеспечивающее технологичность, улучшение параметров, повышение надежности и увеличение процента выхода годных. Сущность изобретения: в способе изготовления полупроводникового прибора скрытый изолирующий слой формируют из нитрида кремния имплантацией N2 в кремниевую подложку при температуре 550-650°С с энергией 140-160 кэВ и дозе 7,5·1017 см-2, с последующим отжигом при температуре 1200°С в атмосфере аргона в течение 2-4 час. 1 табл.
Description
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления транзисторов кремний-на-изоляторе, с низкой плотностью дефектов.
Известен способ изготовления полупроводникового прибора (Патент 4889829 США, МКИ H01L 21/76) путем формирования термической пленки SiO2 на Si-подложке, служащей для стабилизации электрических характеристик между формируемым в последствии методом осаждения изолирующим слоем и подложкой. Осажденный слой окисла и пленки термического SiO2 частично удаляются и остаются только в области формирования структуры кремний на изоляторе. Далее осаждают слой поликремния, предназначенный для создания структуры транзистора. В полупроводниковых приборах, изготовленных таким способом, образуются многослойные структуры, которые ухудшают параметры полупроводниковых приборов.
Известен способ изготовления полупроводникового прибора (Патент 5061642 США, МКИ H01L 21/477) путем имплантации О2 через подложку с образованием промежуточного слоя. Затем проводится отжиг подложки в атмосфере N2, в каждом цикле которого попеременно чередуются температура 1100°С и 500°С. Продолжительность цикла минута, количество циклов - 10. В результате происходит образование слоя SiO2 под слоем Si.
Недостатками этого способа являются:
- повышенная плотность дефектов в поверхностном слое Si;
- низкая технологическая воспроизводимость;
- значительные токи утечки.
Задача, решаемая изобретением: снижение плотности дефектов в полупроводниковых приборах, обеспечивающее технологичность, улучшение параметров, повышение надежности и увеличение процента выхода годных.
Задача решается путем формирования скрытого слоя нитрида кремния имплантацией N2 в кремниевую подложку при температуре 550÷650°С с энергией 140÷160 кэВ и дозе 7,5·1017 см-2, с плотностью тока пучка 0,7 мА/см2 и последующим отжигом при температуре 1200°С в атмосфере Ar в течение 2-4 час.
Формирование скрытого слоя нитрида кремния взамен SiO2 обеспечивает существенное снижение плотности дефектов в поверхностном слое Si и позволяет сформировать более толстые изолированные слои в Si, за счет снижения дозы имплантации.
Технология способа состоит в следующем: сначала на пластинах Si выращивали слой термического окисла (25 нм), который в процессе имплантации N2 предотвращает распыление Si и уменьшает загрязнение поверхности. Имплантацию N2 выполняли при температуре подложки 550÷650°С с энергией 140÷160 кэВ и дозе 7,5·1017 см-2, с плотностью тока пучка 0,7 мА/см2. Затем проводили термический отжиг при температуре 1200°С в атмосфере Ar в течение 2-4 час. Затем в верхнем слое Si создавали активные области полупроводникового прибора по стандартной технологии.
По предлагаемому способу были изготовлены и исследованы полупроводниковые приборы. Результаты обработки представлены в таблице.
Экспериментальные исследования показали, что выход годных полупроводниковых структур на партии пластин, сформированных в оптимальном режиме, увеличился на 20,5%.
Технический результат:
- снижение плотности дефектов, обеспечение технологичности; улучшение параметров, повышение надежности и увеличение процента выхода годных приборов.
Стабильность параметров во всем эксплуатационном интервале температур была нормальной и соответствовала требованиям.
Предложенный способ изготовления полупроводникового прибора путем формирования скрытого слоя нитрида кремния имплантацией N2 в кремниевую подложку при температуре 550÷650°С с энергией 140÷160 кэВ и дозе 7,5·1017 см-2, с плотностью тока пучка 0,7 мА/см2 с последующим отжигом при температуре 1200°С в атмосфере Ar в течение 2-4 час позволяет повысить процент выхода годных приборов и улучшить их надежность.
Claims (1)
- Способ изготовления полупроводникового прибора, включающий формирование скрытого изолирующего слоя в подложке кремния и создание на верхнем слое кремния активных областей полупроводникового прибора, отличающийся тем что скрытый изолирующий слой формируют из нитрида кремния имплантацией N2 в кремниевую подложку при температуре 550÷650°С с энергией 140÷160 кэВ и дозе 7,5·1017 см-2, с последующим отжигом при температуре 1200°С в атмосфере аргона в течение 2-4 ч.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2008102765/28A RU2433501C2 (ru) | 2008-01-24 | 2008-01-24 | Способ изготовления полупроводникового прибора |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2008102765/28A RU2433501C2 (ru) | 2008-01-24 | 2008-01-24 | Способ изготовления полупроводникового прибора |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2008102765A RU2008102765A (ru) | 2009-07-27 |
RU2433501C2 true RU2433501C2 (ru) | 2011-11-10 |
Family
ID=41048126
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2008102765/28A RU2433501C2 (ru) | 2008-01-24 | 2008-01-24 | Способ изготовления полупроводникового прибора |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2433501C2 (ru) |
-
2008
- 2008-01-24 RU RU2008102765/28A patent/RU2433501C2/ru not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
RU2008102765A (ru) | 2009-07-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101379409B1 (ko) | 전기 손실들이 감소된 반도체 온 절연체 타입 구조의 제조 공정 및 대응 구조 | |
CN105304477B (zh) | 晶体管内与先进的硅化物形成结合的凹槽式漏极和源极区 | |
US9583595B2 (en) | Methods of forming low noise semiconductor devices | |
TWI239557B (en) | Semiconductor on insulator apparatus and method | |
US7294561B2 (en) | Internal gettering in SIMOX SOI silicon substrates | |
JP2001210811A (ja) | 半導体基板の製造方法 | |
TWI420591B (zh) | 半導體基板,半導體裝置及其製造方法 | |
RU2688851C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
RU2674413C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
RU2522930C2 (ru) | Способ изготовления тонкопленочного транзистора | |
RU2433501C2 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
Popov et al. | Properties of silicon-on-insulator structures and devices | |
RU2515334C1 (ru) | Способ изготовления тонкопленочного транзистора | |
RU2629655C2 (ru) | Способ изготовления полупроводниковой структуры | |
RU2431904C2 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
RU2498450C1 (ru) | Способ изготовления структуры полупроводник-на-изоляторе | |
RU2428764C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
JP4609026B2 (ja) | Soiウェーハの製造方法 | |
TWI282174B (en) | SOI field effect transistor element having a recombination region and method of forming same | |
RU2610056C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
RU2804604C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
RU2594615C2 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
RU2748455C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
RU2660212C1 (ru) | Способ изготовления диэлектрической изоляции | |
RU2755175C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20110608 |