RU2419913C1 - Способ изготовления полого холодного катода газового лазера - Google Patents

Способ изготовления полого холодного катода газового лазера Download PDF

Info

Publication number
RU2419913C1
RU2419913C1 RU2010107566/07A RU2010107566A RU2419913C1 RU 2419913 C1 RU2419913 C1 RU 2419913C1 RU 2010107566/07 A RU2010107566/07 A RU 2010107566/07A RU 2010107566 A RU2010107566 A RU 2010107566A RU 2419913 C1 RU2419913 C1 RU 2419913C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
oxygen
cathode
film
pressure
oxidation
Prior art date
Application number
RU2010107566/07A
Other languages
English (en)
Inventor
Виктор Львович Фарштендикер (RU)
Виктор Львович Фарштендикер
Эсфирь Павловна Пролейко (RU)
Эсфирь Павловна Пролейко
Александр Гаврилович Пузанов (RU)
Александр Гаврилович Пузанов
Валентин Иванович Хворостов (RU)
Валентин Иванович Хворостов
Ольга Николаевна Минаева (RU)
Ольга Николаевна Минаева
Original Assignee
Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М.Ф Стельмаха" (ФГУП "НИИ "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха")
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М.Ф Стельмаха" (ФГУП "НИИ "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха") filed Critical Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М.Ф Стельмаха" (ФГУП "НИИ "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха")
Priority to RU2010107566/07A priority Critical patent/RU2419913C1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2419913C1 publication Critical patent/RU2419913C1/ru

Links

Landscapes

  • Lasers (AREA)

Abstract

Изобретение относится к области квантовой электроники и может быть использовано при производстве газоразрядных приборов, в частности холодных катодов моноблочных газовых лазеров. Способ изготовления полого холодного катода газового лазера, включающий изготовление заготовки, напыление на ее внутреннюю поверхность эмитирующей пленки и окисление ее в кислороде, в котором заготовку катода и эмитирующую пленку выполняют из алюминия, проводят термообработку катода при давлении не выше 0,00133 Па при температуре 573…593 К в течение 30…40 мин с последующим ступенчатым окислением эмитирующей пленки при нормальной температуре разрядом в кислороде при плотностях тока 0,15…0,9 мА/см и давлении кислорода 40 Па…80 Па в течение 45…55 мин, затем при плотности тока 0,15…0,3 мА/см2 и давлении кислорода 150…200 Па в течение 25…35 мин. Технический результат - упрощение технологии за счет исключения термического окисления, уменьшения затрачиваемого технологического времени и необходимости использования высокотоксичного бериллия. 1 табл.

Description

Изобретение относится к области квантовой электроники и может быть использовано при производстве газоразрядных приборов, в частности холодных катодов моноблочных газовых лазеров.
Известен способ изготовления полых холодных катодов из алюминиевых сплавов [1].
В этом способе с помощью форвакуумного насоса создается давление воздуха 266 Па. Поджигают разряд с обеспечением на холодном катоде плотности тока 5…10 мА/см2. После обработки в течение 1…3 мин снимают напряжение и откачивают трубку с заготовкой. Затем снова наполняют трубку воздухом или кислородом, поджигают разряд. Указанные действия повторяют 4…5 раз, после чего откачивают трубку до давления 1,3×10-4 Па, обезгаживают трубку пламенем газовой горелки и наполняют трубку гелий-неоновой смесью.
Недостатком этого способа является низкая эффективность при изготовлении катодов для их использования в моноблочных газовых лазерах, где требуется значительная стабильность работы катода и долговечность в течение десятков тысяч часов. В указанном способе предлагается форсированная обработка катодной поверхности при плотностях тока, в 25…50 раз превышающих рабочую плотность тока во время эксплуатации лазера. При таких режимах обработки в кислороде требуются жесткие режимы контроля за параметрами проведения процесса окисления.
Недостатками этого способа являются непостоянство получения стабильных рабочих параметров катодов и необходимость использования токсичного бериллия, что обусловлено следующими причинами.
При окислении в атмосфере кислорода образующийся на пленке бериллия гидрид бериллия разлагается при температуре порядка 370К, при этом меняется его структура [2], что приводит к нестабильности защитных свойств окисла бериллия в условиях катодной бомбардировки в тлеющем разряде в газовом лазере.
Бериллий является веществом I класса опасности. Существуют технические сложности и ограничения, связанные с утилизацией отходов бериллия.
Задачей данного изобретения является упрощение технологии изготовления полого холодного катода газового лазера за счёт исключения термического окисления, уменьшения затрачиваемого технологического времени и необходимости использования высокотоксичного бериллия.
Указанная задача решается за счет того, что в известном способе изготовления полого катода газового лазера, включающем изготовление заготовки полого холодного катода, напыление на её внутреннюю поверхность эмиттирующей пленки и окисление пленки в кислороде, заготовку катода и эмиттирующую пленку выполняют из алюминия, проводят термообработку катода при давлении не выше 0,00133 Па при температуре 573…593 K в течение 30…40 мин с последующим ступенчатым окислением эмиттирующей пленки при нормальной температуре разрядом в кислороде при плотностях тока 0,15…0,9 мА/см2 и давлении кислорода 40 Па…80 Па в течение 45…55 мин, затем при плотности тока 0,15…0,3 мА/см2 и давлении кислорода 150…200 Па в течение 25…35 мин.
Выбор значения величины давления во время термообработки катода не выше 0,00133 Па основан на том, что при большем давлении на поверхности напыленной (плотной) окиси алюминия образуется дополнительная наружная (пористая) пленка окиси. В отличие от плотного внутреннего напыленного слоя наружный пористый слой окиси менее стоек к катодному распылению в условиях тлеющего разряда. Поэтому требуется не допускать образования пористого окисного слоя на поверхности пленки окиси алюминия на стадии термообработки, что достигается проведением указанного процесса при пониженном давлении.
При термообработке температура и время вжигания напыленной пленки алюминия для обеспечения ее высокой адгезии к заготовке катода выбраны исходя из экспериментальных данных. При температуре менее 573 К не подтвержден факт эффективного вжигания пленки алюминия; при этом окись алюминия, образующаяся на напыленной пленке во время нахождения заготовки катода на атмосфере при межоперационных переходах, имеет плотную аморфную структуру. При температуре более 593 К идет неконтролируемая кристаллизация и частичное растрескивание рыхлого наружного слоя. Это приводит к ухудшению структуры поверхности перед созданием защитной окисной пленки в тлеющем разряде.
Параметры обработки полого холодного катода в тлеющем разряде в кислороде выбраны следующим образом. Известно, что во время окисления напыленной пленки алюминия при давлении кислорода выше 0,00133 Па не происходит существенного влияния концентрации кислорода на скорость окисления алюминия [4]. При давлении кислорода в диапазоне 40…66 Па рост окисной пленки является повторяемым и прогнозируемым во времени, при этом структура пленки оптимальна для обеспечения долговечности катода при эксплуатации в составе лазера в течение десятков тысяч часов. Времена процесса создания защитной окисной пленки в тлеющем разряде и величины плотности тока разряда подобраны экспериментальным путем с целью получения оптимального значения толщины защитного окисного слоя.
Пример
На внутреннюю поверхность алюминиевой заготовки полого холодного катода с площадью внутренней поверхности 9 см2 напыляют катодную пленку особо чистого алюминия чистоты не ниже 99,995%.
Проводят дополнительную термообработку заготовки катода вжиганием катодной пленки для увеличения адгезии напыленного покрытия при давлении 0,00133 Па и температуре 573 К в течение 35 минут.
Монтируют заготовку катода в стеклянный технологический прибор.
Обезгаживающий отжиг технологического прибора проводят в вакууме 0,00133 Па при температуре 573 К в течение 120 минут.
Напаивают макет по общепринятой вакуумной технологии на высоковакуумный откачной пост. Па откачном посту перед формированием на напыленной пленке алюминия защитной пленки окиси алюминия производят ионную очистку внутренней поверхности катода в тлеющем разряде неона. Формируют окисную пленку в среде кислорода при температуре 293 К при токах разряда от 2 до 8 мА (плотность тока от 0,22 до 0,89 мА/см2), давлении кислорода 40 Па и суммарном времени окисления 50 минут (см. таблицу). Заканчивают процесс получения защитных свойств окисной пленки алюминия обработкой катода в тлеющем разряде кислорода при плотности тока 0,28 мА/см2 и давлении 160 Па в течение 30 минут.
Таблица
Кислород, давление 40 Па
Ток разряда, мА Плотность тока, мА/см2 Время обработки, мин
2,0 0,22 10
4,0 0,44 10
8,0 0,89 30
Таким образом, применение предложенного способа упрощает технологию изготовления холодного катода газового лазера, уменьшает затрачиваемое технологическое время более чем на 50%, а также исключает необходимость использования высокотоксичного бериллия.
Источники информации
1. Патент США №3860310.
2. Папиров И. И. Окисление и защита бериллия. - М.: Металлургия, 1968. - 120 с.
3. Макарычев Ю.Б., Акимов А. Г. Исследование механизма окисления алюминия в кислороде и парах воды // Поверхность. 1988. - №12. - С.94-99.

Claims (1)

  1. Способ изготовления полого холодного катода газового лазера, включающий изготовление заготовки катода, напыление на ее внутреннюю поверхность эмиттирующей пленки и окисление ее в кислороде, отличающийся тем, что заготовку катода и эмигрирующую пленку выполняют из алюминия, проводят термообработку катода при давлении не выше 0,00133 Па при температуре 573…593К в течение 30…40 мин с последующим ступенчатым окислением эмиттирующей пленки при нормальной температуре разрядом в кислороде при плотностях тока 0,15…0,9 мА/см и давлении кислорода 40…80Па в течение 45…55 мин, затем при плотности тока 0,15…0,3 мА/см2 и давлении кислорода 150…200 Па в течение 25…35 мин.
RU2010107566/07A 2010-03-03 2010-03-03 Способ изготовления полого холодного катода газового лазера RU2419913C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2010107566/07A RU2419913C1 (ru) 2010-03-03 2010-03-03 Способ изготовления полого холодного катода газового лазера

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2010107566/07A RU2419913C1 (ru) 2010-03-03 2010-03-03 Способ изготовления полого холодного катода газового лазера

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2419913C1 true RU2419913C1 (ru) 2011-05-27

Family

ID=44734972

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2010107566/07A RU2419913C1 (ru) 2010-03-03 2010-03-03 Способ изготовления полого холодного катода газового лазера

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2419913C1 (ru)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2581610C1 (ru) * 2014-12-17 2016-04-20 Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха" (ОАО "НИИ "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха") Способ создания анодной окисной плёнки холодного катода газового лазера в тлеющем разряде постоянного тока
RU2589731C1 (ru) * 2015-04-27 2016-07-10 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Рязанский государственный радиотехнический университет" Способ изготовления холодного катода гелий-неонового лазера
RU2713915C1 (ru) * 2019-09-11 2020-02-11 Акционерное общество "Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха" Способ изготовления окисной пленки холодного катода газового лазера в тлеющем разряде постоянного тока

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2581610C1 (ru) * 2014-12-17 2016-04-20 Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха" (ОАО "НИИ "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха") Способ создания анодной окисной плёнки холодного катода газового лазера в тлеющем разряде постоянного тока
RU2589731C1 (ru) * 2015-04-27 2016-07-10 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Рязанский государственный радиотехнический университет" Способ изготовления холодного катода гелий-неонового лазера
RU2713915C1 (ru) * 2019-09-11 2020-02-11 Акционерное общество "Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха" Способ изготовления окисной пленки холодного катода газового лазера в тлеющем разряде постоянного тока

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2419913C1 (ru) Способ изготовления полого холодного катода газового лазера
US6650816B2 (en) Planar waveguide amplifier
WO2010024310A1 (ja) 珪素の精製方法
US6215247B1 (en) Construction of electrode for high pressure discharge lamp and process for producing the same
EP1137047B1 (en) High-pressure discharge lamp
JP2002157952A (ja) 冷陰極形成方法、及び電子放出素子並びにその応用デバイス
JP4721448B2 (ja) 電解コンデンサ用アルミニウム箔の製造方法
JP2002025500A (ja) 高圧放電灯およびその製造方法
US3492598A (en) Method for processing gas discharge devices
US20130307404A1 (en) Vacuum tube and vacuum tube manufacturing apparatus and method
JP3626324B2 (ja) セラミック製放電ランプの製造方法
JP2000200581A (ja) 高圧放電灯の電極構造およびその製造方法
JP4059758B2 (ja) レーザ装置用主放電電極の製造方法
RU2185676C1 (ru) Способ откачки электровакуумных приборов
JP5823770B2 (ja) ショートアーク高圧放電ランプ
RU2199789C2 (ru) Способ изготовления активного элемента гелий-неонового лазера с холодным катодом
RU2713915C1 (ru) Способ изготовления окисной пленки холодного катода газового лазера в тлеющем разряде постоянного тока
JP2003045373A (ja) 高圧放電灯
JP3509256B2 (ja) 紫外線殺菌用低圧水銀放電灯及びその製造方法
US2084911A (en) Glow lamp electrode and method of manufacture
RU2589731C1 (ru) Способ изготовления холодного катода гелий-неонового лазера
JPS58204467A (ja) 放電灯
EP3192897B1 (en) A method of increasing the luminescence efficiency of titanium-doped oxide crystal
JP2000057939A (ja) プラズマディスプレイパネルの製造方法
JP2021113355A (ja) 金属精製方法および金属精製装置