RU2400485C1 - Способ получения чистого декафенилциклопентасилана - Google Patents

Способ получения чистого декафенилциклопентасилана Download PDF

Info

Publication number
RU2400485C1
RU2400485C1 RU2009117347/04A RU2009117347A RU2400485C1 RU 2400485 C1 RU2400485 C1 RU 2400485C1 RU 2009117347/04 A RU2009117347/04 A RU 2009117347/04A RU 2009117347 A RU2009117347 A RU 2009117347A RU 2400485 C1 RU2400485 C1 RU 2400485C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
decaphenylcyclopentasilane
minus
cyclopentasilane
decaphenyl
diphenyldichlorosilane
Prior art date
Application number
RU2009117347/04A
Other languages
English (en)
Inventor
Павел Аркадьевич Стороженко (RU)
Павел Аркадьевич Стороженко
Виктор Дмитриевич Шелудяков (RU)
Виктор Дмитриевич Шелудяков
Анатолий Викторович Лебедев (RU)
Анатолий Викторович Лебедев
Алла Борисовна Лебедева (RU)
Алла Борисовна Лебедева
Ольга Леонидовна Устинова (RU)
Ольга Леонидовна Устинова
Валерий Владимирович Шатунов (RU)
Валерий Владимирович Шатунов
Борис Иванович Козыркин (RU)
Борис Иванович Козыркин
Виталий Юрьевич Орлов (RU)
Виталий Юрьевич Орлов
Original Assignee
Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный ордена Трудового Красного Знамени научно-исследовательский институт химии и технологии элементоорганических соединений" (ФГУП ГНИИХТЭОС)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный ордена Трудового Красного Знамени научно-исследовательский институт химии и технологии элементоорганических соединений" (ФГУП ГНИИХТЭОС) filed Critical Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный ордена Трудового Красного Знамени научно-исследовательский институт химии и технологии элементоорганических соединений" (ФГУП ГНИИХТЭОС)
Priority to RU2009117347/04A priority Critical patent/RU2400485C1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2400485C1 publication Critical patent/RU2400485C1/ru

Links

Landscapes

  • Silicon Compounds (AREA)

Abstract

Изобретение относится к способам получения декафенилциклопентасилана, используемого в качестве базового химического соединения для синтеза циклопентасилана для электроники. Техническая задача - разработка способа получения декафенилциклопентасилана, обеспечивающего повышение выхода и уменьшение себестоимости целевого продукта при поддержании высокой чистоты целевого продукта. Предложен способ получения чистого декафнилциклопентасилана взаимодействием свежеперегнанного дифенилдихлорсилана с ультрамелкодисперсным металлическим литием в среде сухого тетрагидрофурана, взятых в соотношении 1:2, при температуре минус 10 - минус 20°С с последующей обработкой реакционной массы дистиллированной водой.

Description

Изобретение относится к технологии органического синтеза, в частности к технологии синтеза полисиланов, а именно к способу получения декафенилциклопентасилана [Si(C6H5)2]5, используемого в качестве базового химического соединения для синтеза циклопентасилана, применяемого для получения и нанесения струйно-принтерным методом аморфного кремния в процессе изготовления солнечных батарей, а также для получения эпитаксиальных слоев полупроводниковых материалов на основе легированного кремния.
Известен способ получения декафенилциклопентасилана прикапыванием дифенилдихлорсилана к суспензии металлического лития в тетрагидрофуране (ТГФ) при комнатной температуре с последующим кипячением реакционной смеси в течение 40 часов, после чего реакционную массу охлаждают, фильтруют, упаривают, продукт реакции растворяют несколько дней в избытке бензола, раствор отфильтровывают от нерастворившегося осадка и высаживают декафенилциклопентасилан добавлением петролейного эфира (Gilman Н., Schwebke G.L. // Journal of American Chemical Society, 1964, Vol.86, №13. P.2693-2699).
Недостатками указанного способа являются невысокий выход декафенилциклопентасилана (70-75%), большая продолжительность синтеза и выделения целевого продукта, использование большого количества органических растворителей (2 л бензола на 175 г очищаемой реакционной массы), проведение трудоемкой фильтрации реакционной массы, возможность наличия непрореагировавшего металлического лития в реакционной смеси, высокая пожароопастность.
Позднее было показано, что для получения чистого декафенилциклопентасилана известным способом необходимо проведение стадии дополнительной очистки целевого продукта перекристаллизацией из смеси бензол-гексан (Lemanski M.F., Schram Е.Р. // Inorganic Chemistry, 1976, Vol.15, №7, P.1489-1492).
При сохранении всех вышеперечисленных недостатков главным из них в указанном способе является низкий выход чистого декафенилциклопентасилана (около 50%).
Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому изобретению и принятым за прототип является способ получения декафенилциклопентасилана взаимодействием дифенилдихлорсилана с металлическим литием в среде сухого ТГФ при температуре 0°C с последующей обработкой реакционной массы водой (Патент US №7173180, МПК H01L 31/0256, 2007). Способ осуществляют при низкой температуре, что позволяет уменьшить количество возможных побочных реакций, а выделяют декафенилциклопентасилан, обрабатывая реакционную массу водой с последующей фильтрацией осадка декафенилциклопентасилана, затем его промывают водой, циклогексаном и сушат на воздухе.
Недостатком этого способа является невысокий выход декафенилциклопентасилана (58,9%), кроме того, неизвестна его чистота.
Задачей, на решение которой направлено настоящее изобретение, является повышение выхода и уменьшение себестоимости декафенилциклопентасилана при поддержании высокой чистоты целевого продукта (содержание основного вещества не менее 96% с допустимой примесью не более 4% только его гомолога додекафенилциклогексасилана, чистота по кремнию не менее 99,99%).
Технический результат достигается за счет того, что получение декафенилциклопентасилана проводят взаимодействием дифенилдихлорсилана с металлическим литием в среде сухого ТГФ при пониженной температуре, в котором согласно изобретению генерирование декафенилциклопентасилана осуществляют действием свежеперегнанного дифенилдихлорсилана на суспензию ультрамелкодисперсного металлического лития в сухом ТГФ в интервале температур минус 10 - минус 20°C и последующей обработкой реакционной массы дистиллированной водой. Дифенилдихлорсилан и специально подготовленный ультрамелкодисперсный литий берут в мольном соотношении 1:2. Количество ТГФ определяют как 420 мл на моль лития. Прикапывание дифенилдихлорсилана к суспензии лития в ТГФ ведут в течение 7 часов, поддерживая температуру реакционной массы в интервале температур минус 10 - минус 20°C. Предпочтительна температура минус 15°C. Реакционную массу доводят самонагреванием до комнатной температуры, перемешивают еще 5 часов и выливают в воду-бидистиллат, количество которой составляет не менее 2 л на моль лития. После перемешивания в течение 3 часов осадок декафенилциклопентасилана фильтруют, промывают водой-бидистиллатом и гексаном, сушат на воздухе или вакууме до постоянного веса (до отсутствия примеси ТГФ по данным спектров ЯМР). Выход декафенилциклопентасилана составляет не менее 90% в расчете на взятый дифенилдихлорсилан.
Целевой продукт представляет собой белое кристаллическое вещество с температурой плавления выше 460°C, состоящее из 96-97% декафенилциклопентасилана и 3-4% додекафенилциклогексасилана, не мешающего дальнейшему применению целевого продукта для получения чистого циклопентасилана и эпитаксильных слоев полупроводниковых материалов на основе легированного кремния.
Полученный по заявленному способу декафенилциклопентасилан может быть использован для получения чистого циклопентасилана. Содержание микропримесей в целевом продукте не превышает 0,0003% по кремнию.
Существо настоящего изобретения иллюстрируется следующими примерами.
Пример 1.
В четырехгорлую колбу, снабженную термометром, механической мешалкой, капельной воронкой и обратным теплообменником, в атмосфере сухого аргона загружают 23 г специально приготовленного ультрамелкодисперсного лития и 1000 мл сухого ТГФ. Смесь охлаждают при энергичном перемешивании до минус 10°C и, поддерживая указанную температуру, прикапывают к реакционной массе раствор 421,6 г свежеперегнанного дифенилдихлорсилана в 400 мл сухого ТГФ в течение 7 часов. По окончании прикапывания прекращают охлаждение и перемешивают реакционную массу до достижения ею комнатной температуры, после чего смесь перемешивают еще 5 часов и содержимое колбы выливают в емкость, содержащую 7 л воды-бидистиллата. Полученную водную суспензию перемешивают 3 часа и фильтруют на воронке Бюхнера. Отфильтрованный осадок промывают трижды по 350 мл водой-бидистиллатом и после тщательного отсасывания раствора - 200 мл гексана. Продукт сушат на воздухе до постоянной массы, контролируя отсутствие примеси ТГФ методом спектроскопии ЯМР 1Н. Получают 282 г декафенилциклопентасилана в виде белого кристаллического вещества с температурой плавления более 460°C. Выход декафенилциклопентасилана 93%. Спектр ЯMP29Si (CDCl3, δ, м.д.): - 34,6 синглет (96% мас., декафенилциклопентасилан), - 32,2 синглет (4% додекафенилциклогексасилан). Брутто-формула C60H50Si5. Элементный анализ - найдено, %: C 79,03; H 5,52; Si 15,38; вычислено, %: C 79,07; H 5,53; Si 15,40.
Пример 2.
Декафенилциклопентасилан синтезируют и выделяют в условиях, описанных в примере 1, но при температуре реакции минус 15°C.
Выход целевого продукта 95%. Спектр ЯМР1Н (CDCl3, δ, м.д.): - 6,96 т (20 H), 7,16 (10H), 7,28 д (20H). Массовое соотношение декафенилциклопентасилана и додекафенилциклогексасилана 96,6/3,4. Содержание микропримесей по кремнию по данным спектров ICP составляет, ppm: Al - 7,8; P<15; Cr<1; Ca - 3,7; Cu<1; Ti<0,5; S<30; J<5; B<4; Zn - 2,8; Cd - 8,1; Ni<2; Ва - 0,55; Fe - 3,7; Mn<0,5; Ge<15; Mg<11,5; Sn<15. Общая чистота по кремнию составляет не менее 99.99%.
Пример 3.
Декафенилциклопентасилан синтезируют и выделяют в условиях, описанных в примере 1, но при температуре реакции минус 20°C. Выход целевого продукта 93%.
Настоящим изобретением установлено, что предложенный метод получения декафенилциклопентасилана с использованием ультрамелкодисперсного лития и пониженных температур проведения реакции, а также выделения целевого продукта простой обработкой дистиллированной водой является предпочтительным среди других известных методов получения декафенилциклопентасилана в связи с наиболее высоким выходом и минимизацией сырьевых затрат процесса, а также в связи с меньшей трудоемкостью процесса за счет снижения количества технологических операций и может быть реализован в промышленности с целью получения декафенилциклопентасилана и его последующего превращения в циклопентасилан и полупроводниковые материалы.
Все используемые для получения декафенилциклопентасилана ингредиенты выпускаются в промышленном масштабе и являются коммерчески доступными продуктами.

Claims (1)

  1. Способ получения чистого декафенилциклопентасилана, включающий взаимодействие дифенилдихлорсилана с металлическим литием в среде сухого тетрагидрофурана и последующую обработку реакционной смеси дистиллированной водой, отличающийся тем, что в качестве исходных реагентов используют свежеперегнанный дифенилдихлорсилан и ультрамелкодисперсный литий, причем мольное соотношение свежеперегнанного дифенилдихлорсилана к ультрамелкодисперсному металлическому литию составляет 1:2, а процесс ведут при температурах минус 10 - минус 20°С.
RU2009117347/04A 2009-05-07 2009-05-07 Способ получения чистого декафенилциклопентасилана RU2400485C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2009117347/04A RU2400485C1 (ru) 2009-05-07 2009-05-07 Способ получения чистого декафенилциклопентасилана

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2009117347/04A RU2400485C1 (ru) 2009-05-07 2009-05-07 Способ получения чистого декафенилциклопентасилана

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2400485C1 true RU2400485C1 (ru) 2010-09-27

Family

ID=42940326

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2009117347/04A RU2400485C1 (ru) 2009-05-07 2009-05-07 Способ получения чистого декафенилциклопентасилана

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2400485C1 (ru)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Lemanski M.F., Schram E.P. «Preparation, Characterization, and Reactivity of the cyclo-Metallosilane [(С 6 Н 5 ) 3 Р] 2 Pt[Si(С 6 Н 5 ) 2 ] 3 Si(C 6 H 5 ) 2 ». Inorganic Chemistry, 1976, vol.15, No.7, pp.1489-1491. Henry Gilman, Gerald L. Schwebke «Reactions and Structure of Decaphenylcyclopentasilane». Journal of the American Chemical Society, 1964, vol.86, No.13, pp.2693-2699. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102529558B1 (ko) 신규한 클로로실릴아릴게르만, 그것의 제조 방법 및 그것의 용도
AU2005292984A1 (en) Process for producing 2-amino-2-[2-[4-(3-benzyloxyphenylthio)-2-chlorophenyl]ethyl]-1,3-propanediol hydrochloride or hydrate thereof and intermediate for the same
KR102572540B1 (ko) 게르마늄-규소 층의 제조를 위한 트리페닐게르밀실란및 트리클로로실릴-트리클로로게르만, 및 트리클로로실릴-트리페닐게르만으로부터 그를 제조하는 방법
Gilman et al. Hexakis (trimethylsilyl) disilane: A highly branched and symmetrical organopolysilane
JP2002173494A (ja) アミノアルキルシランの製造方法
JPH11349594A (ja) 短鎖ポリスルフィドシラン混合物の製造方法
EP0205891B1 (de) Phenylengruppen-haltige Organosilane, Verfahren zu ihrer Herstellung
RU2400485C1 (ru) Способ получения чистого декафенилциклопентасилана
Benkeser et al. The reactions of some triarylsilanes with methyllithium and phenylisopropylpotassium
CN109705048B (zh) 一种戊唑醇的清洁制备方法
US7674926B1 (en) Dopant group-substituted semiconductor precursor compounds, compositions containing the same, and methods of making such compounds and compositions
CN103249736A (zh) 双酚聚合物结构单元及其制备方法
FR3097856A1 (fr) Solide cristallise izm-5 et son procede de preparation
US8840857B1 (en) Heterocyclic semiconductor precursor compounds, compositions containing the same, and methods of making such compounds and compositions
IL49286A (en) 1-iodo-1-trans-alkenes their preparation and pharmaceutical compositions containing them
US8624049B2 (en) Dopant group-substituted semiconductor precursor compounds, compositions containing the same, and methods of making such compounds and compositions
WINKLER et al. Polysilanes Containing One or More Si—H Groups
JPH01186838A (ja) 3−(4’−ブロモビフェニル)−4−フェニル酪酸の製造方法
JP4262900B2 (ja) テトラターシャリーアルコキシシランの製法
CN111689998B (zh) 一种双(乙胺基)二环戊基硅烷的合成方法
US6150549A (en) Silane compound
JP5083753B2 (ja) 4,5−ジメチル−[1,3]ジセレノール−2−セロンの新規製造方法
JPS6172614A (ja) 水素化ケイ素化合物の製造方法
JPS58199717A (ja) ゲルマン酸塩の製造方法
JP2001019769A (ja) ネットワークポリシランの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PC43 Official registration of the transfer of the exclusive right without contract for inventions

Effective date: 20160401

MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20170508