RU2386189C1 - Способ обработки кварцевой оснастки полупроводникового производства - Google Patents
Способ обработки кварцевой оснастки полупроводникового производства Download PDFInfo
- Publication number
- RU2386189C1 RU2386189C1 RU2009115565/28A RU2009115565A RU2386189C1 RU 2386189 C1 RU2386189 C1 RU 2386189C1 RU 2009115565/28 A RU2009115565/28 A RU 2009115565/28A RU 2009115565 A RU2009115565 A RU 2009115565A RU 2386189 C1 RU2386189 C1 RU 2386189C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- quartz
- minutes
- snap
- semiconductor production
- quartz equipment
- Prior art date
Links
Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
Изобретение относится к химической очистке поверхности кварцевой оснастки, используемой в полупроводниковой технологии для изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем. В способе обработки кварцевой оснастки полупроводникового производства, включающем обработку кварцевой оснастки после высокотемпературных операций полупроводникового производства в очищающем растворе, для обработки кварцевой оснастки используют очищающий раствор, состоящий из фтористоводородной кислоты, фторида аммония, сульфомалеинового ангидрида и деионизованной воды при следующем весовом соотношении компонентов,
соответственно 0,5:1:1:1, обработку кварцевой оснастки проводят в две стадии, первая из которых при температуре 30°С в течение 20-30 минут, а вторая в свежем растворе при том же весовом соотношении компонентов при комнатной температуре в течение 10-20 минут, после чего кварцевую оснастку обрабатывают в деионизованной воде при комнатной температуре в течение 30-60 минут. Техническим результатом изобретения является обеспечение полного удаления загрязнений различного происхождения с поверхности кварцевой оснастки технологического оборудования производства, простота выполнения способа, а также снижение токсичности процесса.
Description
Изобретение относится к химической очистке поверхности кварцевой оснастки, используемой в полупроводниковой технологии для изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем.
В полупроводниковом производстве широко используются кварцевые реакционные камеры и изделия для проведения процессов диффузии, окисления, пиролитического осаждения слоев, процессов химической обработки. Поверхность кварцевой оснастки полупроводникового производства - держателей, лодочек, ампул, камер, как правило, содержит загрязняющие примеси различного происхождения (металлы, их окислы, органические соединения, а также остатки продуктов реакций). При этом требуется тщательная очистка поверхностей кварцевых изделий - оснастки полупроводникового производства после технологических операций, чтобы исключить загрязнение полупроводниковых структур при повторном использовании оснастки.
Известен способ очистки поверхности кварцевых изделий с использованием газовой смеси, содержащей хлор и хлористый водород (Маслов А.А. Технология и конструкция полупроводниковых приборов. М.: «Энергия», 1970, стр.53-54).
Однако известный способ обработки обладает рядом недостатков, таких как недостаточная степень очистки, сложность оборудования для газовой установки, токсичность процесса.
Техническим результатом изобретения является обеспечение полного удаления загрязнений различного происхождения с поверхности кварцевой оснастки технологического оборудования полупроводникового производства, простота выполнения способа, а также снижение токсичности процесса. Данный способ обеспечивает высокоэффективную очистку поверхности кварцевой оснастки после высокотемпературных операций полупроводникового производства, таких как диффузия, окисление, пиролитическое осаждение слоев.
Технический результат достигается тем, что в способе обработки кварцевой оснастки полупроводникового производства, включающем обработку кварцевой оснастки после высокотемпературных операций полупроводникового производства в очищающем растворе, для обработки кварцевой оснастки используют очищающий раствор, состоящий из фтористоводородной кислоты, фторида аммония, сульфомалеинового ангидрида и деионизованной воды при следующем весовом соотношении компонентов, соответственно 0,5:1:1:1, обработку кварцевой оснастки проводят в две стадии, первая из которых при температуре 30°C в течение 20-30 минут, а вторая в свежем растворе при том же весовом соотношении компонентов при комнатной температуре в течение 10-20 минут, после чего кварцевую оснастку обрабатывают в деионизованной воде при комнатной температуре в течение 30-60 минут.
Установлено, что использование в способе обработки кварцевой оснастки очищающего раствора, состоящего из фтористоводородной кислоты, фторида аммония, сульфомалеинового ангидрида и деионизованной воды при указанном весовом соотношении компонентов, соответственно 0,5:1:1:1, а также проведение обработки в указанном растворе в две стадии при конкретных условиях обеспечивает наиболее эффективное очищение поверхности. Именно данное весовое соотношение компонентов очищающего раствора является наиболее эффективным при указанных температурах. Отклонение от указанного соотношения, а также изменение температурного режима обработки ухудшают эффективность очистки поверхности кварцевой оснастки, что приводит к недостаточно полному удалению загрязняющих примесей предшествующих технологических операций и может привести к браку на следующих стадиях полупроводникового производства.
Пример реализации
Процесс очистки кварцевой оснастки полупроводникового производства проводят после высокотемпературной операции диффузии в кремний. В качестве оснастки использованы кварцевые лодочки, которые подвергают обработке в очищающем растворе, состоящем из фтористоводородной кислоты, фторида аммония, сульфомалеинового ангидрида и деионизованной воды при следующем весовом соотношении компонентов, соответственно 0,5:1:1:1. Обработку проводят в две стадии. Для обработки готовят два одинаковых раствора. На первой стадии обработку в первом очищающем растворе проводят при температуре 30°C в течение 20-30 минут. Вторую стадию проводят во втором (таком же) растворе при том же весовом соотношении компонентов при комнатной температуре в течение 10-20 минут. После обработки в растворе кварцевые лодочки подвергают промывке в деионизованной воде при комнатной температуре в течение 30-60 минут.
Экспериментально установлено, что заявленный способ при указанных соотношениях компонентов используемого очищающего раствора и режимах обеспечивает наиболее полное удаление загрязняющих примесей с поверхности кварцевой оснастки полупроводникового производства, особенно после высокотемпературных операций технологического полупроводникового производства.
Claims (1)
- Способ обработки кварцевой оснастки полупроводникового производства, включающий обработку кварцевой оснастки после высокотемпературных операций полупроводникового производства в очищающем растворе, отличающийся тем, что для обработки кварцевой оснастки используют очищающий раствор, состоящий из фтористоводородной кислоты, фторида аммония, сульфомалеинового ангидрида и деионизованной воды при следующем весовом соотношении компонентов, соответственно 0,5:1:1:1, обработку кварцевой оснастки проводят в две стадии, первая из которых при температуре 30°С в течение 20-30 мин, а вторая в свежем растворе при том же весовом соотношении компонентов при комнатной температуре в течение 10-20 мин, после чего кварцевую оснастку обрабатывают в деионизованной воде при комнатной температуре в течение 30-60 мин.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2009115565/28A RU2386189C1 (ru) | 2009-04-27 | 2009-04-27 | Способ обработки кварцевой оснастки полупроводникового производства |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2009115565/28A RU2386189C1 (ru) | 2009-04-27 | 2009-04-27 | Способ обработки кварцевой оснастки полупроводникового производства |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2386189C1 true RU2386189C1 (ru) | 2010-04-10 |
Family
ID=42671279
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2009115565/28A RU2386189C1 (ru) | 2009-04-27 | 2009-04-27 | Способ обработки кварцевой оснастки полупроводникового производства |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2386189C1 (ru) |
-
2009
- 2009-04-27 RU RU2009115565/28A patent/RU2386189C1/ru active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Курносов А.И. Материалы для полупроводниковых приборов и интегральных схем. - М.: Высшая школа, 1980, с.272-273. Панфилов Ю.В. и др. Оборудование производства интегральных микросхем и промышленные работы. - М.: Радио и связь, 1988, с.48-50. * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN105280477B (zh) | 一种蓝宝石晶片的清洗工艺 | |
JP2002313727A (ja) | 半導体製造装置のクリーニング方法 | |
WO2011040966A2 (en) | Improved post-texturing cleaning method for photovoltaic silicon substrates | |
JP2009016833A (ja) | 洗浄溶液を用いて半導体ウェハを洗浄する方法 | |
KR20110073446A (ko) | 기판 처리 방법, 기판 및 상기 방법을 수행하기 위한 처리 장치 | |
RU2386188C1 (ru) | Способ обработки кварцевой оснастки полупроводникового производства | |
RU2386189C1 (ru) | Способ обработки кварцевой оснастки полупроводникового производства | |
JPH01262627A (ja) | 半導体基板の洗浄装置 | |
CN103014875A (zh) | 一种人造蓝宝石薄片的处理方法 | |
US9553004B2 (en) | Cleaning method | |
JP6630027B1 (ja) | 多結晶シリコンの洗浄方法、製造方法および洗浄装置 | |
RU2319252C2 (ru) | Способ очистки поверхности кремниевых подложек | |
JPH09321009A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
WO2014158320A1 (en) | Wet cleaning of chamber component | |
CN103013523A (zh) | 一种蚀刻剂及其制备和应用 | |
RU2366032C1 (ru) | Способ обработки кварцевой оснастки | |
RU2483387C1 (ru) | Способ предэпитаксиальной обработки поверхности германиевой подложки | |
CN103628079A (zh) | 钽聚焦环的清洗方法 | |
RU2383965C1 (ru) | Способ обработки кремниевой оснастки | |
RU2376676C1 (ru) | Способ обработки кристаллов кремния | |
JP2001250785A (ja) | 炭化ケイ素が被覆された半導体熱処理用部材の洗浄方法 | |
RU2534444C2 (ru) | Способ удаления окисла с поверхности кремниевых пластин | |
JP5365031B2 (ja) | 半導体製造装置部品の洗浄方法 | |
RU2495512C2 (ru) | Способ очистки поверхности полупроводниковых пластин | |
JP2007141888A (ja) | ポリイミド膜除去用洗浄液および洗浄方法 |