RU2361965C1 - Способ изготовления фильтрующего элемента и поворотное приспособление для его изготовления - Google Patents

Способ изготовления фильтрующего элемента и поворотное приспособление для его изготовления Download PDF

Info

Publication number
RU2361965C1
RU2361965C1 RU2007139120/02A RU2007139120A RU2361965C1 RU 2361965 C1 RU2361965 C1 RU 2361965C1 RU 2007139120/02 A RU2007139120/02 A RU 2007139120/02A RU 2007139120 A RU2007139120 A RU 2007139120A RU 2361965 C1 RU2361965 C1 RU 2361965C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
substrate
temperature
pressure
argon
plasma
Prior art date
Application number
RU2007139120/02A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2007139120A (ru
Inventor
Сергей Владимирович Борисов (RU)
Сергей Владимирович Борисов
Игорь Георгиевич Григоров (RU)
Игорь Георгиевич Григоров
Михаил Владимирович Кузнецов (RU)
Михаил Владимирович Кузнецов
Евгений Валентинович Поляков (RU)
Евгений Валентинович Поляков
Николай Александрович Хлебников (RU)
Николай Александрович Хлебников
Геннадий Петрович Швейкин (RU)
Геннадий Петрович Швейкин
Олег Павлович Щепашковский (RU)
Олег Павлович Щепашковский
Original Assignee
Институт химии твердого тела Уральского отделения Российской Академии наук
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Институт химии твердого тела Уральского отделения Российской Академии наук filed Critical Институт химии твердого тела Уральского отделения Российской Академии наук
Priority to RU2007139120/02A priority Critical patent/RU2361965C1/ru
Publication of RU2007139120A publication Critical patent/RU2007139120A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2361965C1 publication Critical patent/RU2361965C1/ru

Links

Images

Landscapes

  • Filtering Materials (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Coating By Spraying Or Casting (AREA)

Abstract

Изобретение относится к способу изготовления фильтрующих элементов и поворотному приспособлению для его осуществления. Фильтрующий элемент изготавливают ионно-плазменным напылением материала катода, выполненного из одного из металлов Ti, Zr, Hf, Cr, Al, Cu, Ni, Nb, или их сплавов, или нержавеющей стали, на пористую полимерную подложку. Подложку помещают на поворотном приспособлении в рабочую камеру. После откачивания рабочей камеры до давления (4-6)·10-5 мм рт.ст. ее заполняют аргоном до давления (1-4)·10-4 мм рт.ст., и проводят обработку низкотемпературной плазмой при токе разряда 40-50 А в течение 30-40 минут при температуре -50 - +150°С. Не выключая источник низкотемпературной плазмы, проводят напыление в том же температурном интервале. Весь процесс осуществляют при постоянном охлаждении подложки, за счет циркуляции охлаждающей среды через внутреннюю полость поворотного приспособления. Поворотное приспособление выполнено в форме цилиндра с поворотным механизмом и натяжным устройством для мембраны, размещенным на внешней поверхности цилиндра. Цилиндр выполнен полым и имеет систему охлаждения. 2 н. и 4 з.п. ф-лы, 1 табл., 1 ил.

Description

Изобретение относится к области изготовления фильтрующих элементов, которые могут быть использованы для очистки газов, технических жидкостей, питьевой воды, разделения и утилизации жидких техногенных отходов.
Известен способ изготовления фильтрующего элемента путем нанесения покрытия на подложку из диэлектрического материала плазмохимическим напылением (патент РФ №2073743, МКИ С23С 14/00, 1992 г.). Подложку размещают на приспособлении в вакуумной камере и зажигают электрическую дугу с образованием потока металлической плазмы. При этом перед осаждением покрытия поверхность подложки активируют и нагревают потоком нейтральных частиц азота с энергией 0,5-5,0 кэВ.
К недостаткам известного способа относятся, во-первых, явление блистеринга (локального вспучивания подложки и шелушения напыляемого покрытия) при длительном напылении; во-вторых, при перегреве подложка начинает интенсивно дегазироваться, и напыляемый материал не осаждается на ее поверхность.
Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому способу является способ изготовления фильтрующего элемента методом плазмохимического напыления материала катода, выполненного из одного из металлов Ti, Zr, Hf, Cr, Al, Ni, нержавеющей стали, электродуговым испарением на пористую полимерную подложку, помещенную на планетарном приспособлении в рабочей камере, при непрерывном контроле температуры подложки, давления рабочего газа в камере и нулевом электрическом потенциале между подложкой и корпусом рабочей камеры, которую откачивают предварительно до давления (4,5-8,2)·10-2 мм рт.ст., а процесс ведут в воздушной среде, либо в среде азота, либо в среде нейтрального газа, например аргона (патент РФ №2148679, С23С 14/20, 2000 г. - прототип). По известному способу, при достижении температуры подложки 82-90°С и давления рабочего газа в камере (1,6-6,3)·10-2 мм рт.ст. процесс электродугового испарения катода прерывают гашением дуги; при остывании пористой полимерной подложки до температуры 26-27°С и снижении давления в рабочей камере до начального процесс напыления возобновляют и повторяют не менее чем 5 раз. Известный способ позволяет получать диаметр сквозных пор фильтрующего элемента только более 50 нм.
Недостатками известного способа являются: длительность напыления, обусловленная наличием большого числа циклов, невозможность получения покрытий с низким содержанием примесей и размером пор менее 50 нм вследствие высокого уровня загрязнений в покрытиях, осаждение которых производится в условиях очень низкого вакуума, величина которого в одном цикле вследствие термической десорбцией загрязнений со стенок камеры, технологической оснастки и с поверхности подложки возрастает от 1,6·10-2 до 6,3·10-2 мм рт.ст.
Известно поворотное приспособление для размещения органической подложки в рабочей камере установки плазменного напыления и снабженное поворотным механизмом (патент РФ №2148679, С23С 14/20, 2000 г.).
Недостатком известного приспособления является быстрое нагревание подложки до температуры, при которой процесс напыления невозможен вследствие деструктивных изменений подложки.
Таким образом, перед авторами стояла задача разработать способ изготовления фильтрующего элемента, обеспечивающий осаждение покрытий с низким содержанием примесей и с широким диапазон наноразмера сквозных пор на полимерной подложке, а также позволяющий сократить длительность процесса.
Поставленная задача решена в предлагаемом способе изготовления фильтрующего элемента, включающем ионно-плазменное напыление материала катода, выполненного из одного из металлов Ti, Zr, Hf, Cr, Al, Cu, Ni, Nb, или их сплавов, или нержавеющей стали, на пористую полимерную подложку, которую помещают на поворотном приспособлении в рабочую камеру, электродуговым испарением в среде рабочего газа при непрерывном контроле температуры подложки и давления рабочего газа в камере, в котором после откачивания рабочей камеры до давления (4-6)·10-5 мм рт.ст. ее заполняют рабочим газом до давления (1-4)·10-4 мм рт.ст. и проводят обработку низкотемпературной плазмой при токе разряда 40-50 А в течение 30-40 минут при температуре -50 - +150°С; затем, не выключая источник низкотемпературной плазмы, проводят напыление в том же температурном интервале, при этом весь процесс осуществляют при постоянном охлаждении подложки за счет циркуляции охлаждающей среды через внутреннюю полость поворотного приспособления.
При этом в качестве рабочего газа может быть использован аргон или смесь аргона и азота, или смесь аргона и ацетилена, или смесь аргона и азота и ацетилена.
При этом в качестве охлаждающей среды может быть использована вода или жидкий азот или глицерин.
При этом процесс осуществляют при нулевом или при отрицательном потенциале между подложкой и корпусом рабочей камеры.
Поставленная задача также решена в предлагаемом поворотном приспособлении для размещения подложки при изготовлении фильтрующего элемента в рабочей камере, содержащем металлический цилиндр с поворотным механизмом, которое дополнительно снабжено натяжным устройством для подложки, размещенным на внешней поверхности металлического цилиндра, который выполнен полым и снабжен системой охлаждения.
При этом натяжное устройство может быть выполнено пружинным.
В настоящее время из патентной и научно-технической литературы не известен способ изготовления фильтрующего элемента, в котором после предварительной откачки рабочей камеры до (3-5)10-5 мм рт.ст. очистку поверхностей подложки, оснастки, стенок рабочей камеры и осаждение покрытий осуществляют в условиях повышенной ионизации рабочего газа и распыляемого вещества катода, создаваемой дополнительным источником плазмы и при непрерывном принудительном охлаждении подложки.
Обработка поверхности подложки ионами аргона газоразрядной плазмы при давлении Аr - (1-4)10-4 мм рт.ст. обеспечивает не только активирование поверхности подложки, но и ее очистку. По мере десорбции загрязнений с поверхностей подложки, оснастки и стенок камеры давление в рабочей камере сначала возрастает до 3·10-2 мм рт.ст., а затем падает до первоначального, равного (1-4)10-4 мм рт.ст.
Процесс очистки и осаждения покрытия осуществляют в одном и том же температурном диапазоне -50°С - +150°С в зависимости от используемого материала подложки и поставленных задач по получению конкретных соединений.
Обработка поверхностей подложки, оснастки, стенок рабочей камеры ионами аргона газоразрядной плазмы снижает количество примесей, делает процесс осаждения более стабильным и позволяет получать покрытия с минимальным содержанием примесей.
Постоянное охлаждение подложки за счет теплосъема с примыкающей к подложке стенки поворотного приспособления потоком охлаждающей среды в предлагаемом способе позволяет проводить процесс нанесения покрытия за один цикл, что значительно сокращает время осаждения покрытия.
В зависимости от режимов осаждения предлагаемым способом возможно получение нанокомпозитов с размером зерна пленки 1-100 нм и диаметром пор 1-3000 нм, одним из преимуществ предлагаемого способа является возможность получения сквозных пор с диаметром менее 50 нм. Таким образом, предлагаемый способ позволяет получать фильтрующие элементы со значительно расширенным диапазоном диаметра сквозных пор.
Для реализации предлагаемого способа авторами разработано поворотное приспособление, схема которого представлена на фиг.1. Предлагаемое поворотное приспособление, расположенное в рабочей камере и выполненное в форме металлического цилиндра (1), снабженного поворотным механизмом (5), дополнительно снабжено натяжным устройством (3) для подложки, размещенным на внешней поверхности цилиндра (1), при этом цилиндр(1) выполнен полым и снабжен системой охлаждения (4). Толщина стенок полого металлического цилиндра (1) составляет 3 мм. Система охлаждения может включать две коаксиальные трубки, одна из которых является подводящей, а другая отводящей для охлаждающей среды.
Предлагаемый способ получения фильтрующего элемента может быть осуществлен следующим образом. Реализация предлагаемого способа возможна на базе установки электродугового ионно-плазменного напыления ННВ 6.6 И1.
В рабочей камере установки ионно-плазменного напыления, в которой установлен катод из соответствующего металла, например титана, на поворотном приспособлении (1) размещают пористую подложку (2), выполненную из полимерного материала, и закрепляют ее с помощью натяжного устройства(3). Рабочую камеру откачивают до давления (4-6)·10-5 мм рт.ст., после чего включают поворотный механизм(2) поворотного приспособления с закрепленной на нем подложкой и рабочую камеру заполняют рабочим газом до давления (1-4)·10-4 мм рт.ст., в среде которого с помощью дополнительного источника плазмы зажигают низкотемпературную плазму с током разряда 40-50 А. Плазмой в течение 30-40 минут обрабатывают поверхность подложки, оснастки и стенок камеры при постоянном охлаждении подложки не выше температуры 150°С в зависимости от материала органической подложки, за счет циркуляции охлаждающей среды через внутреннюю полость поворотного приспособления (1). После предварительной обработки, не выключая источника плазмы, зажигают дугу на расходуемом катоде, выполненном из соответствующего металла, например из титана, и производят нанесение металлического покрытия. Для нанесения нитрид- или карбидсодержащего покрытия перед зажиганием дуги на катоде в камеру дополнительно подают азот или ацетилен до давления (3-8)10-3 мм рт.ст. Процесс ведут при нулевом или отрицательном потенциале между подложкой и корпусом рабочей камеры при непрерывном контроле температуры подложки и давлении рабочего газа в рабочей камере. При этом необходимую температуру подложки в диапазоне -50°С - +150°С, в зависимости от материала подложки, поддерживают путем непрерывной циркуляции охлаждающей среды заданной температуры. Процесс напыления прерывают гашением дуги и выключением плазменного источника, после чего полученный фильтрующий элемент охлаждают в рабочей камере при давлении рабочего газа 5·10-3 мм рт.ст. до температуры 30-40°С.
Предлагаемый способ иллюстрируется следующими примерами.
Пример 1. Получение фильтрующего элемента путем осаждения металлического Ti на пористую полимерную подложку из полиэтилентерефтолата. В рабочую камеру установки плазмохимического напыления, в которой установлен катод из титана марки ВТ10, на поворотном приспособлении (1), выполненном в форме полого металлического цилиндра диаметром 130 мм и высотой 200 мм, имеющего толщину стенок 3 мм, размещают пористую подложку (2) 100×200 мм, выполненную из полиэтилентерефтолата толщиной 20 мкм и диаметром пор 3 мкм; и закрепляют ее с помощью натяжного устройства (3). Затем последовательно производят следующие технологические операции: рабочую камеру откачивают до давления 4·10-5 мм рт.ст.; включают поворотный механизм (5) поворотного приспособления (1) с закрепленными на нем подложкой (2), заполняют камеру аргоном до давления 1·10-4 мм рт.ст.; с помощью дополнительного плазменного источника, помещенного в рабочую камеру, зажигают низкотемпературную плазму с током разряда 50А; полученной плазмой в течение 30 минут обрабатывают поверхность подложки и стенок камеры при постоянном охлаждении подложки до температуры 90°С за счет циркуляции охлаждающей среды (воды), имеющей температуру 90°С, через внутреннюю полость поворотного приспособления (1); после чего, не выключая источника плазмы, зажигают дугу на расходуемом титановом катоде и при токе катода Iк=50А и нулевом потенциале между подложкой и корпусом рабочей камеры U=0B производят нанесение металлического титанового покрытия в атмосфере аргона при давлении 1·10-4 мм рт.ст. и при температуре 90°С в течение 10 минут. Процесс напыления прерывают гашением дуги, после чего полученный фильтрующий элемент охлаждают в рабочей камере в вакууме при давлении Аr 3·10-5 мм рт.ст. до температуры 50°С. Получают титановое покрытие с размером пор 2800 нм.
Примеры 2-7 представлены в таблице.
Таким образом, авторами предлагается способ изготовления фильтрующего элемента и поворотное приспособление для его изготовления, обеспечивающее получение качественных покрытий заданного состава с порами наноразмера на полимерных подложках, осаждаемых за один цикл. Благодаря возможности тонкого регулирования диаметра сквозных пор в нанометровом диапазоне данные фильтрующие элементы могут эффективно использоваться в процессах фильтрационного фракционирования и для контроля размера частиц и микробиологических объектов.
Figure 00000001

Claims (6)

1. Способ изготовления фильтрующего элемента, включающий ионно-плазменное напыление материала катода, выполненного из одного из металлов Ti, Zr, Hf, Сr, Al, Cu, Ni, Nb или их сплавов или нержавеющей стали, на пористую полимерную подложку, которую помещают на поворотном приспособлении в рабочую камеру, электродуговым испарением в среде рабочего газа при непрерывном контроле температуры подложки и давления рабочего газа в камере, отличающийся тем, что после откачивания рабочей камеры до давления (4-6)·10-5 мм рт.ст. ее заполняют рабочим газом до давления (1-4)·10-4 мм рт.ст. и проводят обработку низкотемпературной плазмой при токе разряда 40-50 А в течение 30-40 мин при температуре (-50)-(+150)°С, затем, не выключая источник низкотемпературной плазмы, проводят напыление в том же температурном интервале, при этом весь процесс осуществляют при постоянном охлаждении подложки за счет циркуляции охлаждающей среды через внутреннюю полость поворотного приспособления.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве рабочего газа используют аргон, или смесь аргона и азота, или смесь аргона и ацетилена, или смесь аргона и азота и ацетилена.
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве охлаждающей среды используют воду, или жидкий азот, или глицерин.
4. Способ по п.1, отличающийся тем, что процесс осуществляют при нулевом или при отрицательном потенциале между подложкой и корпусом рабочей камеры.
5. Поворотное приспособление для размещения подложки при изготовлении фильтрующего элемента в рабочей камере установки ионно-плазменного напыления, содержащее металлический цилиндр с поворотным механизмом, отличающееся тем, что оно дополнительно снабжено натяжным устройством для подложки, размещенным на внешней поверхности металлического цилиндра, который выполнен полым и снабжен системой охлаждения.
6. Поворотное приспособление по п.5, отличающееся тем. что натяжное устройство выполнено пружинным.
RU2007139120/02A 2007-10-22 2007-10-22 Способ изготовления фильтрующего элемента и поворотное приспособление для его изготовления RU2361965C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2007139120/02A RU2361965C1 (ru) 2007-10-22 2007-10-22 Способ изготовления фильтрующего элемента и поворотное приспособление для его изготовления

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2007139120/02A RU2361965C1 (ru) 2007-10-22 2007-10-22 Способ изготовления фильтрующего элемента и поворотное приспособление для его изготовления

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2007139120A RU2007139120A (ru) 2009-04-27
RU2361965C1 true RU2361965C1 (ru) 2009-07-20

Family

ID=41018546

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2007139120/02A RU2361965C1 (ru) 2007-10-22 2007-10-22 Способ изготовления фильтрующего элемента и поворотное приспособление для его изготовления

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2361965C1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2606750C2 (ru) * 2015-04-30 2017-01-10 Общество с ограниченной ответственностью "Нанокомпозитные трековые мембраны" Способ ионно-плазменного напыления металла катода на полимерную пленку и устройство для его осуществления

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2606750C2 (ru) * 2015-04-30 2017-01-10 Общество с ограниченной ответственностью "Нанокомпозитные трековые мембраны" Способ ионно-плазменного напыления металла катода на полимерную пленку и устройство для его осуществления

Also Published As

Publication number Publication date
RU2007139120A (ru) 2009-04-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4188426A (en) Cold plasma modification of organic and inorganic surfaces
EP0614852B1 (fr) Procédé de préparation du disilane à partir du monosilane par décharge électrique et piégeage cryogénique et réacteur pour sa mise en oeuvre
TW200847422A (en) Method of cleaning a patterning device, method of depositing a layer system on a substrate, system for cleaning a patterning device, and coating system for depositing a layer system on a substrate
CN109750276B (zh) 基于惰性气体/氧等离子体的薄膜沉积方法及装置
RU2361965C1 (ru) Способ изготовления фильтрующего элемента и поворотное приспособление для его изготовления
JPS6350478A (ja) 薄膜形成法
JP2007513754A (ja) プロセスチャンバーのクリーニング方法およびクリーニング装置
JP6696991B2 (ja) 金属部片の表面を熱化学処理するためのプラズマプロセスおよびリアクタ
JP2010538161A (ja) 前駆体モノマーからフッ素化層を付着するための方法
JP2010001554A (ja) 堆積物除去方法
EP2535438B1 (en) Methods for forming metal fluoride film
Damond et al. TiCxN1− x coatings by using the arc evaporation technique
WO2013092770A1 (en) Method for removing deposits performed with varying parameters
US20100024845A1 (en) Process and apparatus for degreasing objects or materials by means of oxidative free radicals
US7943095B2 (en) Purifier
Halverson et al. Investigation of plasma-grown planar alumina films for use in the modeling of bulk alumina
CN2604848Y (zh) 一种新型的常压射频冷等离子体发生器
Saito et al. Effect of pressure on surface roughness treated by cathode spots of low pressure arc
Aoki et al. Formation of nanoscale diamond particles without substrate heating by cathodic arc deposition
RU2194087C2 (ru) Способ получения бериллиевой и бериллийсодержащей фольги и устройство для его осуществления
KR100250214B1 (ko) 칼라 스텐레스의 강판의 제조 방법
RU2146724C1 (ru) Способ нанесения композиционных покрытий
EP1713517A1 (en) Method of forming a plasma and use for decontamination by decomposition of toxic substances
RU2061788C1 (ru) Способ нанесения покрытий в вакууме
BE1006967A3 (fr) Procede pour la formation d'un revetement sur un substrat par pulverisation cathodique reactive.

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20111023