RU2356177C1 - Схема считывания сигналов из ячеек матрицы фотодетекторов - Google Patents

Схема считывания сигналов из ячеек матрицы фотодетекторов Download PDF

Info

Publication number
RU2356177C1
RU2356177C1 RU2008108484/09A RU2008108484A RU2356177C1 RU 2356177 C1 RU2356177 C1 RU 2356177C1 RU 2008108484/09 A RU2008108484/09 A RU 2008108484/09A RU 2008108484 A RU2008108484 A RU 2008108484A RU 2356177 C1 RU2356177 C1 RU 2356177C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
transistor
bus
drain
source
gate
Prior art date
Application number
RU2008108484/09A
Other languages
English (en)
Inventor
Владимир Александрович Энкович (RU)
Владимир Александрович Энкович
Original Assignee
Общество с ограниченной ответственностью ООО "Юник Ай Сиз"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Общество с ограниченной ответственностью ООО "Юник Ай Сиз" filed Critical Общество с ограниченной ответственностью ООО "Юник Ай Сиз"
Priority to RU2008108484/09A priority Critical patent/RU2356177C1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2356177C1 publication Critical patent/RU2356177C1/ru

Links

Images

Landscapes

  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

Изобретение относится к технике машинного зрения и может быть использовано в оптических высокоскоростных мышках, видеокамерах и фотоаппаратах. Техническим результатом настоящего изобретения является повышение чувствительности и уменьшение количества компонентов в столбцовой схеме считывания. Указанный результат достигается за счет того, что в известном устройстве схемы считывания сигналов с активных ячеек фотодетекторов предложено первый электрод активного транзистора выполнить истоком, а второй стоком и между его стоком и затвором включить конденсатор обратной связи. В качестве элементов, обслуживающих сигнальную шину и шину постоянного потенциала восстановления, применить первый и второй генераторы втекающего и вытекающего тока, подключенные соответственно к сигнальной шине и шине постоянного потенциала, и транзистор обратной связи того же типа проводимости, что и у активного транзистора, исток которого соединен с шиной постоянного потенциала, сток - с общим выводом, затвор - с сигнальной шиной, являющейся выходом усилителя. Дополнительно предложено между стоком активного транзистора ячейки и ключом адресации каскадно включить транзистор того же типа проводимости. А между истоком транзистора обратной связи и шиной постоянного потенциала включить последовательно один или более транзисторов того же типа проводимости в диодном включении. Первый дополнительный признак улучшает точность предустановки потенциала на интегрирующем конденсаторе, второй расширяет размах выходного сигнала. 2 з.п. ф-лы, 2 ил.

Description

Изобретение относится к технике машинного зрения и может быть использовано в оптических высокоскоростных мышках, видеокамерах и фотоаппаратах.
Известны схемы считывания сигналов с активных ячеек фотодетекторов, содержащие расположенные в ячейке транзисторный ключ восстановления потенциала на интегрирующем конденсаторе, активный транзистор, соединенный первым электродом с шиной источника питания, затвором - с интегрирующим конденсатором, вторым электродом - с ключом адресации, соединяющим его с сигнальной шиной, включаемые при замыкании ключей ячейки в схему распределенного усилителя, в которой элементы ячейки образуют входную часть усилитителя, а элементы, обслуживающие сигнальную шину и шину постоянного потенциала восстановления, образуют остальную часть усилителя. См., например: US Патент 6717616 B1, Apr. 6 2004, Morteza Afghahi и др. "Amplifier Assisted active pixel read out structure" и US Патент 7157682 B2, Jan. 2 2007, Kevin E. Brehmer и др. "Method and Apparatus for a CMOS image sensor with a distributed amplifier".
В этих источниках описываются устройства ячеек, содержащих истоковый повторитель, как активный транзистор, подключенный стоком к шине постоянного потенциала, а истоком через транзистор адресации к сигнальной шине, нагруженной на генератор тока, задающий рабочий режим распределенному дифференциальному усилителю, в котором истоковый повторитель при включенном транзисторе адресации становится входной ветвью.
Недостатком этих схем является недостаточная чувствительность при работе на высоких частотах считывания или сложность столбцовой части усилителя, затрудняющая ее размещение при малом шаге матрицы фотодетекторов.
Наиболее близким аналогом к заявленному изобретению является схема, описанная в US Патент 7157682 B2, Jan. 2 2007, Kevin E. Brehmer и др. "Method and apparatus for a CMOS image sensor with a distributed amplifier", имеющая те же недостатки.
Техническим результатом настоящего изобретения является повышение чувствительности и уменьшение количества компонентов в столбцовой схеме считывания.
Указанный результат достигается за счет того, что в известном устройстве схемы считывания сигналов с активных ячеек фотодетекторов предложено:
- первый электрод активного транзистора выполнить истоком, а второй стоком и между его стоком и затвором включить конденсатор обратной связи, в качестве элементов, обслуживающих сигнальную шину и шину постоянного потенциала восстановления, применить первый и второй генераторы втекающего и вытекающего тока, подключенные соответственно к сигнальной шине и шине постоянного потенциала, и транзистор обратной связи того же типа проводимости, что и у активного транзистора, исток которого соединен с шиной постоянного потенциала, сток - с общим выводом, затвор - с сигнальной шиной, являющейся выходом усилителя.
Дополнительно предложено:
- между стоком активного транзистора ячейки и ключом адресации каскодно включить транзистор того же типа проводимости.
- между истоком транзистора обратной связи и шиной постоянного потенциала включить последовательно один или более транзисторов того же типа проводимости в диодном включении.
Первый дополнительный признак улучшает точность предустановки потенциала на интегрирующем конденсаторе, второй расширяет размах выходного сигнала.
Перечень графических материалов, иллюстрирующих устройство, реализующее заявляемое изобретение.
Фиг.1 иллюстрирует известное устройство схемы считывания (прототип).
Фиг.2 показывает электрическую схему предлагаемой схемы считывания.
Схема считывания сигналов из ячеек матрицы фотодетекторов (1) состоит из расположенного в ячейке (2) транзисторного ключа (3) восстановления потенциала на интегрирующем конденсаторе (4), активного транзистора (5), соединенного первым электродом - истоком (6) с шиной источника питания (7), затвором (8) с интегрирующим конденсатором (4), вторым электродом - стоком (9) с ключом адресации (10), соединяющим его с сигнальной шиной (11), конденсатора обратной связи (12), включенного между его стоком (9) и затвором (8), при замыкании ключей ячейки (3, 10), образующих входную часть усилитителя, вторая (столбцовая) часть которого состоит из первого (13) и второго (14) генераторов втекающего и вытекающего тока, подключенных соответственно к сигнальной шине (11) и шине постоянного потенциала (15), транзистора (16) обратной связи того же типа проводимости, что и у активного транзистора (5), исток (17) которого соединен с шиной постоянного потенциала (15), сток (18) - с общим выводом (19), затвор (20) - с сигнальной шиной (11), являющейся выходом усилителя (21).
Дополнительно по п.2 формулы изобретения между стоком (9) активного транзистора (5) ячейки и ключом адресации (10) каскодно включен транзистор (22) того же типа проводимости.
Дополнительно по п.3 формулы изобретения между истоком (17) транзистора (16) обратной связи и шиной постоянного потенциала (15) включены последовательно один или более транзисторов (23) того же типа проводимости в диодном включении.
Схема работает следующим образом.
На этапе предустановки:
После включения транзисторных ключей (3 и 10) ячейка соединяется со столбцовыми элементами, образуя усилитель с двумя отрицательными обратными связями: динамической - через конденсатор (12) и статической - через транзистор (16). В установившемся режиме потенциал затвора (8) VA(0)=VDA-VGA(I1), где VGA(I1) - напряжение между истоком и затвором транзистора (5), поддерживающее ток I1. Потенциалы сигнальной шины (11) и точки В соединения конденсатора (12) со стоковой цепью активного транзистора (5) VC(0)=VB(0)=VDA-VGA(I1)-VGD(I2), где VGD(I2) - напряжение между истоком и затвором транзистора (16), поддерживающее ток I2.
На этапе накопления:
После отключения транзисторных ключей (3 и 10) в начале этапа VB=VDA из-за открытого активного транзистора (5). Скачок напряжения на В передается через конденсатор (12) на интегрирующий конденсатор (4) ΔVA=(VGA(I1)+VGD(I2))C1/(C1+CA). В конце этапа накопления длительностью Т напряжение на затворе активного транзистора понизится до VA(t)=VA(0)+ΔVA-IpT/(CA+C1)=VDA-VGA(I1)CA/(CA+CB)-VGD(I2)C1/(CA+C1)-IPT/(CA+C1), VB=VDA.
При считывании:
Ключ (10) замыкается и в образовавшемся усилителе в установившемся режиме в момент t, вследствие действия обратной связи через конденсатор (12), на затворе (8) активного транзистора (5) снова устанавливается начальное напряжение, соответствующее току I1: VA(t)=VDA-VGA(I1). На сигнальной шине (11) установится потенциал VC(t), поэтому изменение потенциала в точке В будет ΔVB(t)=VDA-VC(t) и соответствующее изменение потенциала на затворе активного транзистора будет ΔVA(t)=ΔVB(t) C1/(CA+C1). Учитывая, что ΔVA(t)=VA(T)-(VDA-VGA(I1))=VDA-VGA(I1)CA/(CA+CB)-VGB(I2)C1/(CA+C1)-IPT/(CA+C1)-(VDA-VGA(I1))=(VDA-VC(t))C1/(CA+C1), находим, что считываемый потенциал на сигнальной шине VC(t)=VDA-VGA(I1)-VGB(I2)+IPT/C1-VC(0)+IPT/C1. Относительно уровня черного VC(0) он изменяется в положительном направлении на величину IPT/C1, которая не зависит от величины интегрирующего конденсатора (4) СA. Величина конденсатора (12) C1 может быть сделана во много раз меньшей, чем СA и во столько же раз увеличится чувствительность.
Дополнительный транзистор (22) стабилизирует составляющую уровня черного VGA(I1) ввиду постоянства напряжения на стоке активного транзистора (5) при больших изменениях напряжения на сигнальной шине (11).
Каждый дополнительный транзистор в диодном включении в цепи истока (17) транзистора (16) изменяет составляющую уровня черного (-VGB(I2)) на такую же величину, увеличивая допустимый размах полезного сигнала
Настоящее описание изобретения, в т.ч. состава и работы устройства, включая предлагаемый вариант его исполнения, предполагает его дальнейшее возможное совершенствование специалистами и не содержит каких-либо ограничений в части реализации. Все притязания сформулированы исключительно в формуле изобретения.

Claims (3)

1. Схема считывания сигналов из ячеек матрицы фотодетекторов, содержащая расположенные в ячейке транзисторный ключ восстановления потенциала на интегрирующем конденсаторе, активный транзистор, соединенный первым электродом с шиной источника питания, затвором с интегрирующим конденсатором, вторым электродом с ключом адресации, соединяющим его с сигнальной шиной, включаемые при замыкании ключей ячейки в схему распределенного усилителя, в которой элементы ячейки образуют входную часть усилитителя, а элементы, обслуживающие сигнальную шину и шину постоянного потенциала восстановления, образуют остальную часть усилителя, отличающаяся тем, что первый электрод активного транзистора является истоком, а второй стоком, между его стоком и затвором включен конденсатор обратной связи, элементами, обслуживающими сигнальную шину и шину постоянного потенциала восстановления, являются первый и второй генераторы втекающего и вытекающего тока, подключенные соответственно к сигнальной шине и шине постоянного потенциала, транзистор обратной связи того же типа проводимости, что и у активного транзистора, исток которого соединен с шиной постоянного потенциала, сток - с общим выводом, затвор - с сигнальной шиной, являющейся выходом усилителя.
2. Схема считывания по п.1, отличающаяся тем, что между стоком активного транзистора ячейки и ключом адресации каскодно включен транзистор того же типа проводимости.
3. Схема считывания по п.1, отличающаяся тем, что между истоком транзистора обратной связи и шиной постоянного потенциала включены последовательно один или более транзисторов того же типа проводимости в диодном включении.
RU2008108484/09A 2008-03-06 2008-03-06 Схема считывания сигналов из ячеек матрицы фотодетекторов RU2356177C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2008108484/09A RU2356177C1 (ru) 2008-03-06 2008-03-06 Схема считывания сигналов из ячеек матрицы фотодетекторов

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2008108484/09A RU2356177C1 (ru) 2008-03-06 2008-03-06 Схема считывания сигналов из ячеек матрицы фотодетекторов

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2356177C1 true RU2356177C1 (ru) 2009-05-20

Family

ID=41021882

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2008108484/09A RU2356177C1 (ru) 2008-03-06 2008-03-06 Схема считывания сигналов из ячеек матрицы фотодетекторов

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2356177C1 (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6321182B2 (ja) 一定の電圧でバイアスされたフォトダイオードを有する画素回路及び関連する撮像方法
KR100660193B1 (ko) 자기-보상 상관 이중 샘플링 회로
US9369649B2 (en) Imaging apparatus, imaging system, and method for driving imaging apparatus
US9129879B2 (en) Solid state imaging device and camera system
US7133074B1 (en) Image sensor circuits including sampling circuits used therein for performing correlated double sampling
JP4854410B2 (ja) 半導体装置
TWI587699B (zh) 感光電路及其控制方法
JPH0927883A (ja) 画像読取信号処理装置
WO2018001014A1 (zh) 像素电路及其驱动方法、图像传感器及图像获取装置
US9549138B2 (en) Imaging device, imaging system, and driving method of imaging device using comparator in analog-to-digital converter
US11006062B2 (en) Pixel sensing circuit and driving method thereof, image sensor and electronic device
US20140016007A1 (en) Readout circuit, solid-state imaging apparatus, and method for driving readout circuit
US10991735B2 (en) Optical detection pixel unit, optical detection circuit, optical detection method and display device
CN108391071A (zh) 一种采用二次相关双采样技术的spad阵列级读出电路
JP2015097304A (ja) 比較回路およびそれを用いた撮像素子並びに比較回路の制御方法
US6791613B2 (en) Signal processing apparatus
Gruev et al. Linear current mode imager with low fix pattern noise
JPWO2007066762A1 (ja) 固体撮像装置
TW201106688A (en) Clamp circuit and solid-state image sensing device having the same
US6191412B1 (en) Gain and error correction circuitry
JP5106596B2 (ja) 撮像装置
RU2356177C1 (ru) Схема считывания сигналов из ячеек матрицы фотодетекторов
US9080914B2 (en) Photoelectric conversion apparatus using fixed pattern noises of sensor and memory cells
JP3610144B2 (ja) 固体撮像装置
JPH1023336A (ja) 固体撮像装置

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20110307