RU2227822C1 - Устройство для выращивания монокристаллов сапфира - Google Patents

Устройство для выращивания монокристаллов сапфира Download PDF

Info

Publication number
RU2227822C1
RU2227822C1 RU2003112433/15A RU2003112433A RU2227822C1 RU 2227822 C1 RU2227822 C1 RU 2227822C1 RU 2003112433/15 A RU2003112433/15 A RU 2003112433/15A RU 2003112433 A RU2003112433 A RU 2003112433A RU 2227822 C1 RU2227822 C1 RU 2227822C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
crucible
tungsten
rings
bowl
insert
Prior art date
Application number
RU2003112433/15A
Other languages
English (en)
Inventor
Н.И. Блецкан
Original Assignee
Блецкан Николай Иванович
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Блецкан Николай Иванович filed Critical Блецкан Николай Иванович
Priority to RU2003112433/15A priority Critical patent/RU2227822C1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2227822C1 publication Critical patent/RU2227822C1/ru

Links

Images

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

Изобретение относится к технологии выращивания из расплавов объемных монокристаллов сапфира и направлено на повышение срока службы элементов конструкции. Сущность изобретения: в устройстве для выращивания монокристаллов сапфира, содержащем установленные в вакуумной камере нагреватель, тигель с формообразователем, затравкодержатель, тепловые экраны, системы регулирования скорости подъема затравочного кристалла и мощности нагревателя, в тигель соосно с ним установлен вкладыш из вольфрама, который выполнен в виде чаши, повторяющей форму тигля, или в виде набора колец из вольфрамового прутка по вертикали и горизонтали, при этом по вертикали кольца установлены соосно одно на другом, а по горизонтали кольца установлены концентрически и плотно прилегающими друг к другу. Кроме того, между вкладышем в виде чаши и тиглем установлена корзина; корзина выполнена в виде 1-3 пар изогнутых по форме вкладыша и скрепленных в нижней точке вольфрамовых прутков, концы которых выступают над верхней кромкой тигля и выгнуты наружу; корзина выполнена из вольфрамовых прутков диаметром 2-3 мм; вкладыш в виде чаши выполнен с толщиной стенок 300-500 мкм; тигель выполнен из сплава молибдена и вольфрама; кольца вкладыша скреплены друг с другом, а верхнее кольцо снабжено держателями. 6 з.п.ф-лы, 3 ил.

Description

Изобретение относится к технологии выращивания из расплавов объемных монокристаллов сапфира методом направленной кристаллизации и направлено на повышение срока службы элементов конструкции.
Известно устройство для выращивания монокристаллических лент сапфира из расплава на затравку. Поверхности основных элементов устройства - тигля из молибдена и нагревателя из вольфрама - имеют термостойкие покрытия, причем покрытие из вольфрама нанесено на внешнюю поверхность тигля, а покрытие из карбида молибдена - на внутреннюю поверхность нагревателя.
Устройство позволяет повысить износостойкость элементов конструкции. Однако его недостатком является проведение специальных технологических операций для нанесения покрытий вольфрама и карбида молибдена. Поскольку внутренняя поверхность тигля не защищена, известное устройство не обеспечивает предотвращение контакта расплава с тиглем, в связи с чем изнутри тигель подвергается агрессивному воздействию и быстро теряет эксплуатационные качества (см. а.с. №1213781, С 30 В 15/34, 29/20, 1984).
Известно устройство для выращивания объемных монокристаллов сапфира, содержащее установленные в вакуумной камере нагреватель, тигель с формообразователем, затравкодержатель, тепловые экраны, системы регулирования скорости подъема затравочного кристалла и мощности нагревателя (см. а.с. СССР №1132606, С 30 В 17/00, 11.08.83. Блецкан Н.И. и др.).
Данное устройство, решающее ту же техническую задачу, что и предлагаемое изобретение, принято за прототип.
Это устройство обеспечивает достаточно высокий выход продукта и его качество. Значительной составляющей себестоимости получаемых с помощью данного устройства монокристаллов являются затраты на дорогостоящий тигель, часто подлежащий замене из-за агрессивного воздействия расплава, с которым внутренняя поверхность тигля находится в прямом контакте. В какой-то мере задачу повышения срока службы тигля решает его выполнение из наиболее тугоплавкого и инертного среди подходящих конструкционных материалов металлического вольфрама, который используется в прототипе. Использование в качестве контейнерного материала вольфрама решает и задачу минимизации примесей в конечном продукте. Срок службы тигля может быть увеличен за счет увеличения толщины листа, из которого изготавливается тигель, однако экономически это становится невыгодным.
Таким образом, недостатком устройства являются высокие затраты, связанные с высокой стоимостью контейнерного материала вольфрама и недостаточным сроком службы тигля.
Техническим результатом предлагаемого изобретения является удешевление и повышение срока службы тигля в устройстве для выращивания монокристаллов сапфира методом направленной кристаллизации при сохранении выхода и качества кристаллов.
Технический результат достигается тем, что в устройстве для выращивания монокристаллов сапфира, содержащем установленные в вакуумной камере нагреватель, тигель с формообразователем, затравкодержатель, тепловые экраны, системы регулирования скорости подъема затравочного кристалла и мощности нагревателя, согласно изобретению в тигель соосно с ним установлен вкладыш из вольфрама, который выполнен в виде чаши, повторяющей форму тигля, или в виде набора колец из вольфрамового прутка по вертикали и горизонтали, при этом по вертикали кольца установлены соосно одно на другом, а по горизонтали кольца установлены концентрически и плотно прилегающими друг к другу.
Кроме того, между вкладышем в виде чаши и тиглем установлена корзина; корзина выполнена в виде 1-3 пар изогнутых по форме вкладыша и скрепленных в нижней точке вольфрамовых прутков, концы которых выступают над верхней кромкой тигля и выгнуты наружу; корзина выполнена из вольфрамовых прутков диаметром 2-3 мм; вкладыш в виде чаши выполнен с толщиной стенок 300-500 мкм; тигель выполнен из сплава молибдена и вольфрама; кольца вкладыша скреплены друг с другом, а верхнее кольцо снабжено держателями.
Сущность изобретения состоит в том, что применение вкладышей заявленной конструкции позволяет исключить контакт расплава Аl2О3 со стенкой тигля, сохранив при этом преимущества контакта расплава с вольфрамом. В качестве контейнерного материала для тигля становится возможным использовать сплав молибдена с вольфрамом, например выпускаемый промышленностью сплав состава Mo:W=70:30, без ущерба качеству продукта. А так как для изготовления вкладышей используют дешевые вольфрамовые прутки или тонкие листы, то в целом достигается существенное сокращение расхода дефицитного вольфрама и снижается себестоимость конструкции.
Применение вкладышей увеличивает ресурс работы тигля из сплава вольфрама и молибдена в два и более раз или при том же ресурсе работы значительно уменьшить толщину тигля.
Так, применение вкладыша в виде чаши, повторяющей форму тигля, из вольфрамового листа толщиной 300 мкм в тигле с внешним диаметром 175 мм позволяет уменьшить толщину стенки тигля с 10 до 5 мм и, соответственно, вес тигля примерно в 2 раза. Себестоимость тигля при этом снижается на 40-50%.
Еще более высокая степень защиты внутренней поверхности тигля достигается при использовании корзины из вольфрамовых прутков, установленной между чашей и тиглем, при том что стоимость и расход прутков невелики. Общая толщина стенок, включая тигель, корзину и чашу, и в этом случае не превышает 10 мм.
В описанных случаях достигается полная изоляция внутренней поверхности тигля от расплава, однако существует определенная сложность в изготовлении чаши.
Если вкладыш выполнен из вольфрамовых колец, изготовленных из прутков диаметром 2-3 мм, существует незначительная вероятность контакта расплава Аl2О3 со стенкой тигля, но при этом срок службы тигля по-прежнему значительно выше, чем в отсутствие вкладыша. Изготовление колец необходимого диаметра из стандартных прутков не представляет сложности, отдельные кольца по необходимости можно заменять.
Таким образом, существует выбор варианта изготовления вкладыша, каждый из которых приводит к достижению технического результата.
Устройство схематически изображено на фиг.1 и состоит из камеры 1, нагревателя 2, тигля 3, формообразователя со вкладышем 4, подставки под тигель 5, затравкодержателя 6, отражателя 7, тепловых экранов 8, системы регулирования скорости подъема затравочного кристалла и мощности нагревателя (на схеме не обозначена).
Ниже приведены примеры работы устройства.
Пример 1. В тигель из сплава молибдена и вольфрама устанавливают корзину в виде пары изогнутых по форме вкладыша и скрепленных в нижней точке вольфрамовых прутков, концы которых для удобства пользования выступают над верхней кромкой тигля и выгнуты наружу. Устанавливают в корзину чашу из вольфрамового листа толщиной 400 мкм (фиг.2). Помещают в нее формообразователь из вольфрамового листа и производят загрузку исходным сырьем в виде кусков кристаллов Аl2О3 с той же массой, что и в прототипе. Устанавливают систему тепловых экранов и отражатель, вставляют и центрируют в затравкодержателе затравочный кристалл, герметизируют и откачивают камеру, разогревают тигель, получают расплав, опускают в него затравочный кристалл и проводят рост монокристалла сапфира. Показатели веса и чистоты полученного кристалла по газовым включениям соответствуют аналогичным показателям по прототипу. Содержание молибдена в продукте не превышает 3 ppm, что является показателем очень высокого качества. Количество циклов в одном тигле при толщине 10 мм по сравнению с тиглем без вкладыша увеличивается в 2 раза, а при толщине 5 мм соответствует прототипу.
Пример 2. В тигель из сплава молибдена и вольфрама устанавливают набор колец из вольфрамового прутка диаметром 3 мм. На дно тигля кольца устанавливают концентрически одно в другом с уменьшающимся диаметром так, чтобы они плотно прилегали друг к другу. Затем одно на другое устанавливают кольца с диаметром, соответствущим внутреннему диаметру тигля, по всей высоте тигля (фиг.3). В тигель с вкладышем помещают формообразователь, производят загрузку сырьем и ведут выращивание, как описано в примере 1. Получают монокристалл сапфира, аналогичный по весу и количеству газовых включений кристаллу по примеру 1. Содержание молибдена в нем составляет 5 ppm. Срок службы тигля с вкладышем из вольфрамовых колец при толщине стенок тигля 10 мм в 1,8 раз выше, чем без вкладыша, а при толщине 5 мм соответствует прототипу.
Таким образом, заявленное устройство благодаря использованию предложенных материалов для изготовления тигля и вкладышей, а также предложенному конструктивному выполнению вкладышей позволяет повысить срок службы тигля и снизить затраты на его изготовление при сохранении выхода и качества кристаллов.

Claims (7)

1. Устройство для выращивания монокристаллов сапфира, содержащее установленные в вакуумной камере нагреватель, тигель с формообразователем, затравкодержатель, тепловые экраны, системы регулирования скорости подъема затравочного кристалла и мощности нагревателя, отличающееся тем, что в тигель соосно с ним установлен вкладыш из вольфрама, который выполнен в виде чаши, повторяющей форму тигля, или в виде набора колец из вольфрамового прутка по вертикали и горизонтали, при этом по вертикали кольца установлены соосно одно на другом, а по горизонтали кольца установлены концентрически и плотно прилегающими друг к другу.
2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что между вкладышем в виде чаши и тиглем установлена корзина.
3. Устройство по п.2, отличающееся тем, что корзина выполнена в виде 1-3 пар изогнутых по форме вкладыша и скрепленных в нижней точке вольфрамовых прутков, концы которых выступают над верхней кромкой тигля и выгнуты наружу.
4. Устройство по любому из пп.2 и 3, отличающееся тем, что корзина выполнена из вольфрамовых прутков диаметром 2-3 мм.
5. Устройство по любому из пп.1-4, отличающееся тем, что вкладыш в виде чаши выполнен с толщиной стенок 300-500 мкм.
6. Устройство по любому из пп.1-5, отличающееся тем, что тигель выполнен из сплава молибдена и вольфрама.
7. Устройство по п.1, отличающееся тем, что кольца вкладыша скреплены друг с другом, а верхнее кольцо снабжено держателями.
RU2003112433/15A 2003-04-29 2003-04-29 Устройство для выращивания монокристаллов сапфира RU2227822C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2003112433/15A RU2227822C1 (ru) 2003-04-29 2003-04-29 Устройство для выращивания монокристаллов сапфира

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2003112433/15A RU2227822C1 (ru) 2003-04-29 2003-04-29 Устройство для выращивания монокристаллов сапфира

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2227822C1 true RU2227822C1 (ru) 2004-04-27

Family

ID=32466136

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2003112433/15A RU2227822C1 (ru) 2003-04-29 2003-04-29 Устройство для выращивания монокристаллов сапфира

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2227822C1 (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3961750B2 (ja) 単結晶の成長装置および成長方法
JP5413354B2 (ja) シリコン単結晶引き上げ装置及びシリコン単結晶の製造方法
KR100786878B1 (ko) 단결정 육성장치, 그 장치를 이용한 단결정 제조방법 및단결정
EP2664695A1 (en) Physical vapor transport growth system for simultaneously growing more than one sic single crystal, and method of growing
KR100566051B1 (ko) 실리콘 단결정 인상용 석영 유리 도가니 및 그 제조방법
CN203373445U (zh) 一种应用于泡生法蓝宝石单晶生长的轴向温度梯度可调的保温结构
JP2007077017A (ja) 単結晶の成長装置および成長方法
JP2018177560A (ja) 熱遮蔽部材、単結晶引き上げ装置および単結晶シリコンインゴットの製造方法
RU2227822C1 (ru) Устройство для выращивания монокристаллов сапфира
CN103352247A (zh) 一种应用于泡生法蓝宝石单晶生长的轴向温度梯度可调的保温结构
JP2020114802A (ja) シリコン単結晶の製造方法
RU2304641C2 (ru) Устройство для выращивания профилированных монокристаллов сапфира
JP6627737B2 (ja) 単結晶引上げ装置
RU2227821C1 (ru) Устройство для выращивания монокристаллов сапфира
JP2004123516A (ja) 単結晶引上装置
JP2631591B2 (ja) 半導体単結晶製造方法および製造装置
JP2007254162A (ja) 単結晶製造装置およびリチャージ方法
KR101683646B1 (ko) 사파이어 단결정 성장용 도가니 및 이를 이용한 단결정 성장장치
JP5391735B2 (ja) 単結晶引き上げ装置
EP4174224A1 (en) Method for producing sic crystals
SU1132606A1 (ru) Устройство дл выращивани монокристаллов тугоплавких материалов
US9476141B2 (en) Weir for inhibiting melt contamination
KR102609885B1 (ko) 실리콘카바이드 단결정의 제조 장치
JP2007246358A (ja) 固形状原料のリチャージ装置
KR102532226B1 (ko) 단결정 성장로의 열차폐 장치

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20080430