RU2226684C2 - Method and device determining surface plasma resonance - Google Patents

Method and device determining surface plasma resonance Download PDF

Info

Publication number
RU2226684C2
RU2226684C2 RU2001133739/28A RU2001133739A RU2226684C2 RU 2226684 C2 RU2226684 C2 RU 2226684C2 RU 2001133739/28 A RU2001133739/28 A RU 2001133739/28A RU 2001133739 A RU2001133739 A RU 2001133739A RU 2226684 C2 RU2226684 C2 RU 2226684C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
specified
signal
layer
differential
intensity
Prior art date
Application number
RU2001133739/28A
Other languages
Russian (ru)
Other versions
RU2001133739A (en
Inventor
Нонгджиан ТАО (US)
Нонгджиан ТАО
Салах БОУССААД (US)
Салах БОУССААД
Венлуе ХУАНГ (US)
Венлуе ХУАНГ
Original Assignee
Дзе Флорида Интернэшнл Юниверсити Борд Оф Трастиз
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Дзе Флорида Интернэшнл Юниверсити Борд Оф Трастиз filed Critical Дзе Флорида Интернэшнл Юниверсити Борд Оф Трастиз
Publication of RU2001133739A publication Critical patent/RU2001133739A/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2226684C2 publication Critical patent/RU2226684C2/en

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/55Specular reflectivity
    • G01N21/552Attenuated total reflection
    • G01N21/553Attenuated total reflection and using surface plasmons

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)

Abstract

FIELD: biological, biochemical and chemical research such as measurement of insignificant conformational changes in molecules and in reactions of electron transfer. SUBSTANCE: according to invention light from light source 14 is focused by prism on thin metal film 15 on which detected molecules are adsorbed. Total internal reflection of incident laser beam is collected neither by single-element or matrix photodetectors, which are widely utilized in preceding work but by differential position-sensitive or intensity-sensitive photodetector 12. Ratio of differential signal to summary signal from mentioned differential position-sensitive or intensity-sensitive photodetector makes it possible to measure accurately shift angle of surface plasma resonance caused by adsorption of molecules on metal films 15 or by conformational changes in specified adsorbed molecules. EFFECT: invention does not require numerical approximation for determination of resonance angle and proposed device is compact and insensitive to background radiation. 40 cl, 10 dwg

Description

Текст описания в факсимильном виде (см. графическую часть).Description text in facsimile form (see graphic part).

Claims (39)

1. Способ определения поверхностного плазмонного резонанса, включающий стадии, при которых осуществляют1. The method of determining surface plasmon resonance, including the stage at which exercise (a) фокусирование луча электромагнитного излучения на слой металлического материала, на котором находится, но необязательно, материал образца;(a) focusing the electromagnetic radiation beam onto the layer of metallic material on which, but not necessarily, the sample material; (b) определение указанного луча электромагнитного излучения, отраженного от слоя из металлического материала дифференциальным позиционно-фотодетектирующим устройством;(b) determining said electromagnetic radiation beam reflected from a layer of metallic material by a differential positional photodetecting device; (c) регистрируют интенсивность первого сигнала положения А и интенсивность первого сигнала положения В, генерированных указанным дифференциальным позиционно-фотодетектирующим устройством; осуществляют(c) registering the intensity of the first signal of position A and the intensity of the first signal of position B generated by the specified differential position-photodetecting device; carry out (d) позиционирование указанного дифференциального позиционно-фотодетектирующего устройства так, чтобы минимум интенсивности поверхностного плазмонного резонанса находился возле центра указанного дифференциального позиционно-фотодетектирующего устройства, и так, чтобы разница указанного сигнала положения А и сигнала положения В была равна нулю, и(d) positioning said differential positional photodetector device so that the minimum surface plasmon resonance intensity is near the center of said differential positional photodetection device, and so that the difference between said position signal A and position signal B is zero, and (е) определяют последующие изменения в распределении интенсивности, обусловленные угловым сдвигом поверхностного плазмонного резонанса.(e) determine subsequent changes in the intensity distribution due to the angular shift of the surface plasmon resonance. 2. Способ определения поверхностного плазмонного резонанса по п.1, где указанное дифференциальное позиционно-фотодетектирующее устройство представляет собой двухэлементное фотодетектирующее устройство, где один элемент продуцирует сигнал положения А, а другой элемент продуцирует указанный сигнал положения В.2. The method for determining surface plasmon resonance according to claim 1, where the specified differential position-photodetecting device is a two-element photodetecting device, where one element produces a position signal A, and the other element produces a specified position signal B. 3. Способ по п.1, который, кроме того, включает стадию, при которой осуществляют усиление дифференциального сигнала, полученного от дифференциального позиционно-фотодетектирующего устройства.3. The method according to claim 1, which, in addition, includes the stage at which carry out the amplification of the differential signal received from the differential positional-photodetecting device. 4. Способ по п.3, где указанное усиление дифференциального сигнала корректируется путем увеличения интенсивности сигнала.4. The method according to claim 3, where the specified differential signal gain is adjusted by increasing the signal intensity. 5. Способ по п.3, который, кроме того, включает стадию, при которой осуществляют определение указанного дифференциального сигнала, суммарного сигнала и отношения указанного дифференциального сигнала к указанному суммарному сигналу.5. The method according to claim 3, which, in addition, includes the stage of determining the specified differential signal, the total signal and the ratio of the specified differential signal to the specified total signal. 6. Способ по п.5, где указанное усиление дифференциального сигнала и определение указанного дифференциального сигнала, суммарного сигнала и отношения указанного дифференциального сигнала к указанному суммарному сигналу достигают с помощью компьютера или микропроцессора.6. The method according to claim 5, where the specified differential signal amplification and the determination of the specified differential signal, the total signal and the ratio of the specified differential signal to the specified total signal is achieved using a computer or microprocessor. 7. Способ по п.5, который, кроме того, включает стадию, при которой осуществляют модуляцию или контроль электрохимического потенциала слоя металлического материала.7. The method according to claim 5, which, in addition, includes the stage of modulating or monitoring the electrochemical potential of the layer of metallic material. 8. Способ по п.7, где указанную модуляцию электрохимического потенциала слоя металлического материала осуществляют с помощью, по крайней мере, одного контрольного электрода и, по крайней мере, одного противоэлектрода.8. The method according to claim 7, where the specified modulation of the electrochemical potential of the layer of metal material is carried out using at least one control electrode and at least one counter electrode. 9. Способ по п.8, где указанный контрольный(е) электрод(ы) и противоэлектрод(ы) представляют собой элементы устройства для введения анализируемого образца на указанный слой металлического материала.9. The method of claim 8, where the specified control (s) electrode (s) and counter electrode (s) are elements of a device for introducing an analyzed sample on a specified layer of metal material. 10. Способ по п.3, где указанное усиление дифференциального сигнала может быть осуществлено до той степени, при которой, в основном, отсутствуют проблемы насыщения.10. The method according to claim 3, where the specified differential signal amplification can be implemented to the extent that, in the main, there are no saturation problems. 11. Способ по п.7, который, кроме того, включает стадию, при которой осуществляют определение угла ППР и электрохимического тока.11. The method according to claim 7, which, in addition, includes the stage at which determine the angle of the SPR and electrochemical current. 12. Способ по п.11, где указанное определение угла ППР и электрохимического тока осуществляют с помощью, по крайней мере, одного синхронного усилителя.12. The method according to claim 11, where the specified definition of the angle of the SPR and the electrochemical current is carried out using at least one synchronous amplifier. 13. Способ по п.7, где указанное определение угла ППР и электрохимического тока осуществляют одновременно с модуляцией электрохимического потенциала слоя металлического материала.13. The method according to claim 7, where the specified definition of the angle of the SPR and the electrochemical current is carried out simultaneously with the modulation of the electrochemical potential of the layer of metallic material. 14. Способ по п.1, который, кроме того, включает стадию, при которой определяют межфазную емкость.14. The method according to claim 1, which, in addition, includes a stage in which determine the interfacial capacitance. 15. Способ по п.14, где указанное определение межфазной емкости состоит из одновременной регистрации DC- и АС-составляющих электрохимического тока.15. The method according to 14, where the specified definition of interfacial capacitance consists of simultaneously registering the DC and AC components of the electrochemical current. 16. Способ по п.14, который, кроме того, включает стадию одновременной регистрации амплитуды и фазы дифференциального сигнала.16. The method according to 14, which, in addition, includes the step of simultaneously recording the amplitude and phase of the differential signal. 17. Датчик, включающий:17. A sensor including: (а) тело датчика, изготовленное из материала, прозрачного для электромагнитного излучения;(a) a sensor body made of a material transparent to electromagnetic radiation; (b) слой металлического материала, расположенный, по крайней мере, над частью первой поверхности указанного тела датчика;(b) a layer of metallic material located at least over a portion of a first surface of said sensor body; (c) средство для введения анализируемого образца на указанный слой металлического материала;(c) means for introducing the analyzed sample onto said layer of metallic material; (d) источник луча электромагнитного излучения, сфокусированного на указанном слое металлического материала, и(d) a source of a beam of electromagnetic radiation focused on the specified layer of metallic material, and (e) дифференциальное позиционно-фотодетектирующее устройство для отражения указанного луча электромагнитного излучения от указанного слоя металлического материала, где указанное дифференциальное позиционно-фотодетектирующее устройство позиционировано с возможностью приема указанного луча.(e) a differential positional photodetecting device for reflecting said electromagnetic radiation beam from said layer of metallic material, wherein said differential positional photodetecting device is positioned to receive said beam. 18. Датчик по п.17, где указанное дифференциальное позиционно-фотодетектирующее устройство состоит, по крайней мере, из двух фотоэлементов.18. The sensor of claim 17, wherein said differential positional photodetecting device consists of at least two photocells. 19. Датчик по п.17, где указанное средство для введения анализируемого образца на указанный слой металлического материала представляет собой ячейку для образца, включающую:19. The sensor according to 17, where the specified means for introducing the analyzed sample on the specified layer of metal material is a cell for the sample, including: (a) тело ячейки для образца, изготовленное из материала, который изолирует указанный образец от окружающего воздуха;(a) the body of the sample cell made of a material that insulates said sample from ambient air; (b) окно в указанном теле ячейки для образца, которое является прозрачным для электромагнитного излучения, и(b) a window in the specified body of the cell for the sample, which is transparent to electromagnetic radiation, and (c) по меньшей мере, одно отверстие для введения и удаления указанного образца.(c) at least one opening for introducing and removing said sample. 20. Датчик по п.17, который, кроме того, содержит средство для усиления дифференциального сигнала, принимаемого от указанного дифференциального позиционно-фотодетектирующего устройства.20. The sensor according to claim 17, which further comprises means for amplifying a differential signal received from said differential positional photodetecting device. 21. Датчик по п.20, где указанное средство для усиления дифференциального сигнала выполнено с возможностью корректировки путем увеличения интенсивности сигнала.21. The sensor according to claim 20, where the specified means for amplifying the differential signal is made with the possibility of correction by increasing the signal intensity. 22. Датчик по п.20, который, кроме того, содержит средство для определения дифференциального сигнала, суммарного сигнала и отношения указанного дифференциального сигнала к указанному суммарному сигналу.22. The sensor according to claim 20, which, in addition, contains means for determining the differential signal, the total signal and the ratio of the specified differential signal to the specified total signal. 23. Датчик по п.22, где указанным средством для усиления дифференциального сигнала и средством для определения указанного дифференциального сигнала, суммарного сигнала и отношения указанного дифференциального сигнала к указанному суммарному сигналу является компьютер или микропроцессор.23. The sensor according to item 22, where the specified means for amplifying the differential signal and means for determining the specified differential signal, the total signal and the ratio of the specified differential signal to the specified total signal is a computer or microprocessor. 24. Датчик по п.22, который, кроме того, включает средство для модуляции или контроля электрохимического потенциала слоя металлического материала.24. The sensor according to item 22, which, in addition, includes means for modulating or monitoring the electrochemical potential of the layer of metallic material. 25. Датчик по п.24, где указанное средство для модуляции электрохимического потенциала слоя металлического материала состоит, по крайней мере, из одного контрольного электрода и, по меньшей мере, из одного противоэлектрода.25. The sensor according to paragraph 24, where the aforementioned means for modulating the electrochemical potential of the layer of metallic material consists of at least one control electrode and at least one counter electrode. 26. Датчик по п.25, где указанным средством для нанесения анализируемого образца на указанный слой металлического материала являются указанный(е) контрольный(е) электрод(ы) и противоэлектрод(ы).26. The sensor of claim 25, wherein said means for applying an analyzed sample to said layer of metal material are said (e) control (s) electrode (s) and counter electrode (s). 27. Датчик по п.20, который, кроме того, включает средство для доведения, перед измерением, указанного дифференциального сигнала почти до нуля с возможностью усиления указанного дифференциального сигнала до той степени, при которой, в основном, отсутствуют проблемы насыщения.27. The sensor according to claim 20, which also includes means for bringing, before measurement, the specified differential signal to almost zero with the possibility of amplifying the specified differential signal to the extent that, in the main, there are no saturation problems. 28. Датчик по п.27, где указанное средство для доведения, перед измерением, указанного дифференциального сигнала почти до нуля предусматривает монтирование указанного дифференциального позиционно-фотодетектирующего устройства на подвижной части, которая выполнена с возможностью перемещения так, чтобы указанный дифференциальный сигнал, детектируемый указанным дифференциальным позиционно-фотодетектирующим устройством, был почти равным нулю перед измерением.28. The sensor according to item 27, where the specified means for bringing, before measuring, the specified differential signal to almost zero, provides for mounting the specified differential positional-photodetecting device on the moving part, which is configured to move so that the specified differential signal detected by the specified differential position-photodetecting device, was almost equal to zero before measurement. 29. Датчик по п.17, который, кроме того, содержит средство для определения угла ППР и электрохимического тока.29. The sensor according to 17, which, in addition, contains means for determining the angle of SPR and electrochemical current. 30. Датчик по п.29, где указанное средство для определения угла ППР и электрохимического тока состоит, по меньшей мере, из одного синхронного усилителя.30. The sensor according to clause 29, where the specified means for determining the angle of the SPR and the electrochemical current consists of at least one synchronous amplifier. 31. Датчик по п.24, где указанное средство для определения угла ППР и электрохимического тока выполнено с возможностью функционирования одновременно с модуляцией электрохимического потенциала слоя металлического материала.31. The sensor according to paragraph 24, where the specified means for determining the angle of the SPR and the electrochemical current is configured to operate simultaneously with the modulation of the electrochemical potential of the layer of metallic material. 32. Датчик по п.17, который, кроме того, включает средство для определения межфазной емкости.32. The sensor according to 17, which, in addition, includes means for determining interfacial capacitance. 33. Датчик по п.32, где указанное средство для определения межфазной емкости состоит из средства для одновременной регистрации DC- и АС-составляющих электрохимического тока.33. The sensor of claim 32, wherein said means for determining interfacial capacitance consists of means for simultaneously registering the DC and AC components of the electrochemical current. 34. Датчик по п.31, который, кроме того, включает средство для одновременной регистрации амплитуды и фазы дифференциального сигнала.34. The sensor according to p, which, in addition, includes means for simultaneously recording the amplitude and phase of the differential signal. 35. Датчик по пп.17-34, который имеет менее 5 см в одном измерении.35. The sensor according to claims 17-34, which has less than 5 cm in one dimension. 36. Датчик по пп.17-35, который выполнен с возможностью использования в биологических, биохимических или химических тестах.36. The sensor according to PP.17-35, which is made with the possibility of use in biological, biochemical or chemical tests. 37. Способ определения угла поверхностного плазмонного резонанса с использованием датчика по пп.17-35, включающий стадии, при которых осуществляют37. A method for determining the angle of surface plasmon resonance using a sensor according to claims 17-35, comprising the steps of: (a) определение дифференциального сигнала;(a) determination of a differential signal; (b) определение суммарного сигнала;(b) determining the total signal; (c) определение отношения дифференциального сигнала к суммарному и(c) determining the ratio of the differential signal to the total and (d) определяют угол ППР из отношения дифференциального сигнала к суммарному сигналу.(d) determine the SPR angle from the ratio of the differential signal to the total signal. 38. Способ определения поверхностного плазмонного резонанса, включающий стадии, при которых осуществляют38. A method for determining surface plasmon resonance, comprising the steps of (a) фокусирование луча электромагнитного излучения на слой металлического материала, на котором находится, но необязательно, материал образца;(a) focusing the electromagnetic radiation beam onto the layer of metallic material on which, but not necessarily, the sample material; (b) определение указанного луча электромагнитного излучения, отраженного от слоя из металлического материала дифференциальным, чувствительным к интенсивности, фотодетектирующим устройством;(b) determining said electromagnetic radiation beam reflected from a layer of metallic material by a differential, intensity-sensitive photodetecting device; (c) регистрируют интенсивность сигнала, генерированного чувствительным к интенсивности, фотодетектирующим устройством;(c) registering the intensity of a signal generated by an intensity sensitive photodetector device; (d) осуществляют позиционирование указанного чувствительного к интенсивности фотодетектирующего устройства так, чтобы минимум интенсивности поверхностного плазмонного резонанса находился возле центра указанного чувствительного к интенсивности фотодетектирующего устройства, и так, чтобы указанная разница интенсивности сигнала равна нулю; и(d) positioning said intensity-sensitive photo-detecting device so that the minimum intensity of surface plasmon resonance is near the center of said intensity-sensitive photo-detecting device, and so that said signal intensity difference is zero; and (e) определяют последующие изменения в распределении интенсивности, обусловленные угловым сдвигом поверхностного плазмонного резонанса.(e) determine subsequent changes in the intensity distribution due to the angular shift of the surface plasmon resonance. 39. Датчик, включающий:39. A sensor including: (a) тело датчика, изготовленное из материала, прозрачного для электромагнитного излучения;(a) a sensor body made of a material transparent to electromagnetic radiation; (b) слой металлического материала, расположенный, по крайней мере, над частью первой поверхности указанного тела датчика;(b) a layer of metallic material located at least over a portion of a first surface of said sensor body; (c) средство для введения анализируемого образца на указанный слой металлического материала;(c) means for introducing the analyzed sample onto said layer of metallic material; (d) источник луча электромагнитного излучения, сфокусированного на указанном слое металлического материала, и(d) a source of a beam of electromagnetic radiation focused on the specified layer of metallic material, and (e) чувствительное к интенсивности фотодетектирующее устройство для отражения указанного луча электромагнитного излучения от указанного слоя металлического материала, где указанное чувствительное к интенсивности фотодетектирующее устройство позиционировано с возможностью приема указанного луча.(e) an intensity-sensitive photo-detecting device for reflecting said electromagnetic radiation beam from said layer of metallic material, wherein said intensity-sensitive photo-detecting device is positioned to receive said beam.
RU2001133739/28A 1999-05-17 2000-05-16 Method and device determining surface plasma resonance RU2226684C2 (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US13448299P 1999-05-17 1999-05-17
US60/134,482 1999-05-17

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2001133739A RU2001133739A (en) 2003-09-10
RU2226684C2 true RU2226684C2 (en) 2004-04-10

Family

ID=22463595

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2001133739/28A RU2226684C2 (en) 1999-05-17 2000-05-16 Method and device determining surface plasma resonance

Country Status (11)

Country Link
EP (1) EP1194763A4 (en)
JP (1) JP2002544516A (en)
CN (1) CN1216282C (en)
AU (1) AU5134100A (en)
CA (1) CA2373343A1 (en)
DE (1) DE1194763T1 (en)
ES (1) ES2177473T1 (en)
HK (1) HK1044041A1 (en)
IL (1) IL146207A (en)
RU (1) RU2226684C2 (en)
WO (1) WO2000070328A1 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2758779C1 (en) * 2021-03-17 2021-11-01 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Сибирский государственный университет геосистем и технологий» Surface plasmon resonance sensor
RU2770648C1 (en) * 2021-03-09 2022-04-19 Общество С Ограниченной Ответственностью "Микросенсор" Optical sensor based on plasmon-induced transparency and fano resonances

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA2431399C (en) 2000-12-13 2009-04-28 Institut D'optique Theorique Et Appliquee Method for characterising a surface, and device therefor
FR2817962B1 (en) * 2000-12-13 2004-08-06 Inst Optique Theorique Et Appl SURFACE CHARACTERIZATION METHOD, APPLICATION AND DEVICE IMPLEMENTING THE METHOD
KR20040012384A (en) * 2002-08-03 2004-02-11 이종협 high resolution surface plasmon resonance spectroscopy and measuring method of adsorption and selectivity of heavy metal ions using the same
WO2005050181A1 (en) * 2003-11-19 2005-06-02 Beanor Oy Method and device for carrying out surface plasmon resonance measurement
ES2261009B1 (en) * 2004-06-11 2007-11-16 Consejo Superior De Investigaciones Cientificas. DEVICE AND METHOD FOR DETECTING CHANGES IN THE REFRACTION INDEX OF A DIELECTRIC ENVIRONMENT.
US7869013B2 (en) * 2004-09-15 2011-01-11 Agency For Science, Technology And Research Surface plasmon resonance and quartz crystal microbalance sensor
US7317519B2 (en) 2004-10-29 2008-01-08 Agilent Technologies, Inc. Swept-angle SPR measurement system
CN101203741B (en) * 2005-06-14 2012-01-18 富士胶片株式会社 Sensor, multichannel sensor, sensing apparatus, and sensing method
JP4481967B2 (en) * 2005-09-05 2010-06-16 キヤノン株式会社 Sensor device
CN100412528C (en) * 2005-10-20 2008-08-20 汪胜前 Gas and liquid concentration testing sensor and testing system
JP4663590B2 (en) * 2006-06-14 2011-04-06 日本電信電話株式会社 Peak position variation measuring apparatus, measuring method and program thereof
CN101473211A (en) * 2006-07-03 2009-07-01 和舰科技(苏州)有限公司 Optical detection method for plasma treatment degree of silicon oxynitride film
CN100489500C (en) * 2007-01-23 2009-05-20 中国科学院长春应用化学研究所 Electrochemistry original position time surface differentiated plasma resonance measuring instrument
KR100876608B1 (en) * 2007-08-20 2008-12-31 한국생명공학연구원 Surface plasmon resonance sensor using rotating mirror
JP5344828B2 (en) * 2008-02-28 2013-11-20 富士フイルム株式会社 Sensing device
WO2011066667A1 (en) * 2009-12-01 2011-06-09 国家纳米科学中心 Surface plasmon resonance(spr) sensor based on measurement of resonance angle and measurement method thereof
CN103675053B (en) * 2013-09-27 2016-05-11 中国科学院电子学研究所 A kind of local electrochemistry imaging test system based on surface plasma resonance
WO2015121704A2 (en) * 2013-11-01 2015-08-20 Miller Marvin J Pathogen detection
JP6346040B2 (en) * 2014-09-10 2018-06-20 日本電信電話株式会社 Refractive index measuring device
CN105699335B (en) * 2016-04-12 2019-01-04 岭南师范学院 A kind of multi-functional SPR detector
CN109490279A (en) * 2018-09-10 2019-03-19 桂林电子科技大学 The rotary SPR sensorgram chip of D-shaped microtrabeculae mirror
CN110133066A (en) * 2019-05-24 2019-08-16 暨南大学 Electrochemistry pdp optical fiber heavy metal detection system and method
CN110823835B (en) * 2019-12-16 2022-02-25 长沙学院 Waveguide coupling long-range surface plasma resonance sensor and measuring method thereof

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL8700851A (en) * 1987-04-10 1988-11-01 Tno METHOD AND APPARATUS FOR DETECTING VERY LOW CONCENTRATIONS OF A MEASURING MEDIA CHEMICAL COMPONENT USING SURFACE-PLASMON RESONANCE AND ELECTROCHEMICALLY STIMULATED ADSORPTION
GB9107796D0 (en) * 1991-04-12 1991-05-29 Nat Res Dev Methods of and apparatus for measurement using acousto-optic devices
GB9212416D0 (en) * 1992-06-11 1992-07-22 Medical Res Council Reversible binding substances
US5351127A (en) * 1992-06-17 1994-09-27 Hewlett-Packard Company Surface plasmon resonance measuring instruments
GB9414599D0 (en) * 1994-07-20 1994-09-07 Scient Generics Ltd Biosensor
JPH09292334A (en) * 1996-04-30 1997-11-11 Fuji Photo Film Co Ltd Surface plasmon sensor
JPH10267841A (en) * 1997-03-24 1998-10-09 Kokuritsu Shintai Shogaisha Rehabilitation Center Souchiyou Surface plasmon resonance-sensing device
US5986762A (en) * 1998-06-15 1999-11-16 Imation Corp. Optical sensor having optimized surface profile

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
НИКИТИН А.К. и др. Фазовая ПЭВ-микроскопия. Письма в ЖТФ, т.17, вып.11, 1991, с.76-78. *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2770648C1 (en) * 2021-03-09 2022-04-19 Общество С Ограниченной Ответственностью "Микросенсор" Optical sensor based on plasmon-induced transparency and fano resonances
RU2758779C1 (en) * 2021-03-17 2021-11-01 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Сибирский государственный университет геосистем и технологий» Surface plasmon resonance sensor

Also Published As

Publication number Publication date
DE1194763T1 (en) 2002-10-17
EP1194763A1 (en) 2002-04-10
IL146207A (en) 2005-05-17
EP1194763A4 (en) 2006-01-11
CN1216282C (en) 2005-08-24
AU5134100A (en) 2000-12-05
ES2177473T1 (en) 2002-12-16
HK1044041A1 (en) 2002-10-04
WO2000070328A1 (en) 2000-11-23
CN1364233A (en) 2002-08-14
CA2373343A1 (en) 2000-11-23
IL146207A0 (en) 2002-07-25
JP2002544516A (en) 2002-12-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2226684C2 (en) Method and device determining surface plasma resonance
RU2001133739A (en) DETERMINATION OF A SURFACE PLASMON RESONANCE WITH A HIGH ANGULAR RESOLUTION AND A SHORT RESPONSE TIME
US4844613A (en) Optical surface plasmon sensor device
US7339681B2 (en) Surface plasmon resonance microscope using common-path phase-shift interferometry
US7713751B2 (en) Method of optical detection of binding of a material component to a sensor substance due to a biological, chemical or physical interaction and apparatus for its embodiment (variants)
US20100145627A1 (en) System with extended range of molecular sensing through integrated multi-modal data acquisition
JPH06505794A (en) surface plasmon resonance device
DE69618390D1 (en) Two-dimensional sample using LAPS to measure cell activity
Bolognesi et al. A Fully Integrated Miniaturized Optical Biosensor for Fast and Multiplexing Plasmonic Detection of High‐and Low‐Molecular‐Weight Analytes
Horn et al. Plasmon spectroscopy: methods, pitfalls and how to avoid them
EP1617203B1 (en) Differential surface plasmon resonance measuring device and its measuring method
US20050099632A1 (en) Laser-based spectroscopic detection techniques
AU1785499A (en) Method and biosensor for detecting antigen
US6784999B1 (en) Surface plasmon resonance detection with high angular resolution and fast response time
CN107219191A (en) A kind of oblique incident ray difference in reflection device based on Fourier transformation
JPS62291547A (en) Method for measuring concentration of substance
CN105092480B (en) A kind of biochip and its detection method for OIRD detection methods
JPH10281982A (en) Surface plasmon sensor
JP4030796B2 (en) Measuring chip
CN112881312B (en) Detection device for simultaneously monitoring solution change and sensor solid/liquid interface change
JPH0675035B2 (en) Reflectance measuring device
JPWO2020040509A5 (en)
UA156402U (en) PHOTOMETER-BIOSENSOR BASED ON THE PHENOMENON OF LOCALIZED SURFACE PLASMON RESONANCE
CN1342885A (en) Angle-modulated polarized surface plasma wave sensor
Han et al. Quantitative SERS analysis of pesticides using printed paper substrate

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20070517