RU2169986C2 - Способ изготовления кварцевых резонаторов бт-среза - Google Patents
Способ изготовления кварцевых резонаторов бт-среза Download PDFInfo
- Publication number
- RU2169986C2 RU2169986C2 RU99114946A RU99114946A RU2169986C2 RU 2169986 C2 RU2169986 C2 RU 2169986C2 RU 99114946 A RU99114946 A RU 99114946A RU 99114946 A RU99114946 A RU 99114946A RU 2169986 C2 RU2169986 C2 RU 2169986C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- resonators
- axis
- crystal
- quartz
- cut
- Prior art date
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 23
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims abstract description 33
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 33
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 claims abstract description 9
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims abstract description 7
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims abstract description 6
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000007669 thermal treatment Methods 0.000 claims abstract description 3
- 238000009434 installation Methods 0.000 claims description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 9
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract description 2
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 10
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 10
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 4
- PHTQWCKDNZKARW-UHFFFAOYSA-N isoamylol Chemical compound CC(C)CCO PHTQWCKDNZKARW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N n-(2,4-dichloro-5-propan-2-yloxyphenyl)acetamide Chemical compound CC(C)OC1=CC(NC(C)=O)=C(Cl)C=C1Cl QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 3
- MIMUSZHMZBJBPO-UHFFFAOYSA-N 6-methoxy-8-nitroquinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC(OC)=CC([N+]([O-])=O)=C21 MIMUSZHMZBJBPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 229910017855 NH 4 F Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000010431 corundum Substances 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 239000011253 protective coating Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 238000000844 transformation Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
- H03H9/02551—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of quartz substrates
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
Изобретение относится к пьезоэлектронике и может быть использовано для изготовления высокочастотных резонаторов и монолитных фильтров. Способ изготовления кварцевых резонаторов БТ-среза, включающий распиловку кристалла кварца на плоские заготовки, механическую шлифовку заготовок, формирование кристаллических элементов преимущественно в форме обратной мезаструктуры глубоким химическим травлением, нанесение электродов и монтаж, плоскую заготовку при распиловке кристалла кварца ориентируют под углом 0o00' ± 30' к оси X и -49o ± 30' к оси Z, формируют кристаллический элемент с шероховатостью поверхности не более 5 • 10-8 м химическим травлением и осуществляют инверсию структуры кристаллического элемента к углу -49o ± 30' к оси Z путем термической обработки при температуре α-β-α-фазового перехода (846 К). Техническим результатом является расширение области использования технологии изготовления БТ-резонаторов до ВЧ- и СВЧ-диапазона в серийном производстве с одновременным упрощением технологии. 3 ил., 1 табл.
Description
Изобретение относится к пьезозлектронике и может быть использовано для изготовления высокочастотных резонаторов и монолитных фильтров.
Известны способы изготовления кварцевых резонаторов и монолитных фильтров БТ-среза, включающие распиловку кристалла кварца на плоские заготовки с ориентацией под углом 0o00'±30' к оси X и -49o±30' к оси Z, механическую шлифовку или полировку заготовок, нанесение электродов и монтаж пьезоэлементов в держатель [1]. Способы позволяют изготавливать резонаторы с хорошей добротностью до частоты 50 МГц, при толщине кристаллического элемента (КЭ) 50 мкм. Серийное производство БТ-резонаторов на более высокие частоты не производительно из-за ограниченных возможностей механической обработки тонких КЭ.
Известны способы изготовления кварцевых резонаторов АТ-среза [2], включающие распиловку кварца на плоские заготовки с ориентацией +35o±30' к оси Z, механическую шлифовку, формирование КЭ в форме обратной мезаструктуры химическим травлением, нанесение электродов и монтаж в держатель. Такие способы используются в серийном производстве высокочастотных резонаторов до 100 МГц и для экспериментальных изделий на частоты 400 МГц и более. При этом химическим полирующим травлением получают кварцевые мембраны с толщиной в рабочей области 4-17 мкм. Резонаторы БТ-среза с высокой добротностью на указанные частоты таким способом получить не удается - отсутствуют подходящие методы и растворы химического полирования мембран БТ-кварца.
Ближайшим аналогом является способ получения акустического устройства на основе искусственно сдвойникованных пластин кварца [3, 4]. Способ включает распиловку кварца на плоские заготовки с ориентацией +35o15' к оси Z, механическую обработку КЭ, нанесение пленок Cr, NiCr или Ni на участки КЭ, прилежащие к электродной области, термическую инверсию кристаллической структуры кварца к углу -35o15' на участках под пленками при 550-560oC, нанесение электродов и монтаж.
Способ позволяет изготовить резонаторы АТ-среза с улучшенной температурно-частотной характеристикой. Однако, он не пригоден для производства резонаторов БТ-среза с частотами выше 50 МГц, т.к. не обеспечивает высокого качества обработки рабочих поверхностей КЭ и полную контролируемую инверсию кварцевой пластины. Кроме того, технология изготовления усложняется операциями нанесения и снятия металлизации для проведения термической инверсии.
Задачей предлагаемого технического решения является расширение области использования технологии изготовления БТ-резонаторов до высокочастотного и сверхвысокочастотного диапазона в серийном производстве с одновременным упрощением технологии.
Поставленная задача решается тем, что в способе изготовления кварцевых резонаторов БТ-среза, включающем распиловку кристалла кварца на плоские заготовки, механическую шлифовку заготовок, формирование кристаллических элементов преимущественно в форме обратной мезаструктуры глубоким химическим травлением, нанесение электродов и монтаж, плоскую заготовку при распиловке кристалла кварца ориентируют под углом 0o00'±30' к оси X и +49o±30' к оси Z, формируют КЭ с шероховатостью поверхности не более 5 • 10-8 м химическим травлением и осуществляют инверсию структуры КЭ к углу -49o±30' к оси Z путем термической обработки при температуре α-β-α- фазового перехода (846 К).
На фиг. 1 показана гистограмма инверсии тонких пластин со срезом +49o от температуры.
На фиг. 2 представлена зависимость шероховатости поверхности Rz кварцевых пластин от глубины травления.
На фиг. 3 показана ТЧХ резонатора 60,56 МГц с кристаллическим элементом, полученным инверсией к углу -49o.
Последовательность операций изготовления кварцевых резонаторов БТ-среза по предлагаемому способу следующая.
Вначале осуществляют распиловку кристалла кварца на плоские заготовки с ориентацией под углом 0o00'±30' к оси X и +49o±30' к оси Z. Затем шлифуют поверхности плоских заготовок, заканчивая механическую обработку на корунде М5, и проводят тщательную очистку полученных КЭ ультразвуковым методом, химической промывкой и вакуумным отжигом. Если КЭ на конечном этапе требуется придать форму обратной мезаструктуры, то дополнительно по периферии КЭ наносят защитное покрытие любым известным способом.
После механической обработки и очистки кристаллические элементы подвергают химическому травлению до необходимой толщины, например, в полирующих растворах плавиковой кислоты (HF), бифторида аммония (NH4F•HF), изоамилового спирта, диметилформамида, обеспечивая при этом шероховатость рабочих поверхностей не более 5 • 10-8 м. Затем КЭ помещают в муфельную печь и проводят термическую обработку при температуре α-β-α-фазового перехода кварца, осуществляя при этом инверсию кристаллической структуры к углу -49o±30' относительно оси Z, что соответствует срезу БТ.
Далее на КЭ наносят электроды и полученные пьезоэлементы монтируют в держатели, например, для корпусов "ММ".
Возможность осуществления изобретения показана на этапах отработки технологических операций при изготовлении БТ-резонаторов на частоту до 70 МГц. Опыты по глубокому химическому травлению проводились с кварцевыми пластинами срезов +49o и -49o к оси Z. Диаметр пластин 5 мм, а начальная толщина от 50 до 80 мкм. Травление осуществлялось на промышленной установке ЦЛ 1080-4421 при температуре растворов (353 ± 0,5)К. Пластинам, помещенным в кассеты, задавалось реверсивное круговое движение в горизонтальной плоскости и возвратно-поступательное движение в вертикальной плоскости с частотой 24 качания в минуту. В ряде случаев для формирования КЭ с обратной мезаструктурой травление проводилось с использованием масок Y-Cu, напыленных с двух сторон пластины магнетронным способом.
Опыты по инверсии структуры кварца проводились на пластинах со срезом +49o к оси Z толщиной 30, 40 и 70 мкм, а также на пластинах АТ-среза размерами: 17х17 мм и толщиной 0,4 мм, диаметром 10 мм и толщиной 0,2 мм, диаметром 5 мм и толщинами 20, 40 и 60 мкм.
Полная инверсия кварца АТ-среза к углу -35o после химической обработки поверхности пластин в полирующих растворах обнаружена авторами при нагреве пластин с указанными размерами до 960oC при скорости нагрева 3 град/мин и последующем охлаждении до комнатной температуры. Пластины были изготовлены из кристалла искусственного электроочищенного кварца марки СКО. В дальнейшем аналогичные опыты по инверсии структуры кварца проведены с пластинами различных срезов +41o, +49o, +53o (ЖТ-срез) - при температурах 560, 570, 600, 650, 800 и 960oC. Результаты однозначны. Типичная гистограмма для пластин со срезом +49o показана на фиг. 1. В каждом случае обработке при указанных температурах в течение 1 ч подвергались не менее 10 пластин. Точность установления температуры в муфельной печи ±10 градусов, поэтому инверсия наблюдается не у всех пластин при 560 и 570oC (10 и 30% соответственно). Кроме того, градиент температуры по объему печи может достигать 20 градусов. Поскольку кварц имеет различную величину внутреннего напряжения и примесность, которые влияют на температуру инверсии его структуры, то целесообразно технологическую температуру установить через обобщенный параметр - температуру фазового перехода. Для искусственного электроочищенного кварца это, как правило, 846 К.
Аномальные изменения кристаллической структуры в пластинах кварца, обнаруженные в наших опытах при фазовых превращениях, можно объяснить, согласно с автором [5], "сверхпластичностью" кристаллической решетки, пронизанной дефектами в результате механических напряжений на различных этапах обработки.
На фиг. 2 представлены данные по химической полировке кварцевых пластин БТ-среза (-49o к оси Z), а также пластин, ориентированных под углом +49o к оси Z. График 1 соответствует травлению в растворе 45% HF и бифторида аммония со скоростью 0,6 мкм/мин. Верхний график 2 получен с добавкой равных частей изоамилового спирта и диметилформамида в указанный раствор при скорости травления 0,21 мкм/мин. Следует заметить, что подобный уровень шероховатости Rz=0,l мкм получен для БТ-среза в работе [6]. Однако, полировка на таком уровне недостаточна для изготовления резонаторов на частоту выше 50 МГц по основной моде. Динамическое сопротивление резонаторов при этом 60-100 Ом. Кроме того, на рабочих поверхностях кристаллических элементов присутствуют каналы травления глубиной 1 - 10 мкм, что резко сокращает выход годных резонаторов.
Химическая полировка среза +49o (нижний график 2) значительно выигрывает, т. к. Rz ≅ 0,05 мкм при скорости травления 1,05 мкм/мин. На поверхности кристаллических элементов отсутствуют каналы травления. Уместно упомянуть, что инверсия кристаллической структуры кварца к углу -49o при α-β-α-фазовом переходе происходит без видимого нарушения поверхностной текстуры пластин. Перестройка решетки идет на атомарном уровне при изменении линейных размеров в пределах 1 
На основе технического решения, разработанного в настоящей заявке, изготовлены экспериментальные резонаторы БТ-среза. В таблице указаны основные параметры этих резонаторов, а также параметры резонаторов АТ-среза, изготовленные по аналоговой технологии [2]:
f - основная частота, МГц;
Rq - динамическое сопротивление, Ом;
Uн - уровень нелинейных искажений, Дб;
Rz - шероховатость поверхности кристаллических элементов, измеренная по средней линии;
θ - угол ориентации кристаллического элемента к оси Z.
На основе технического решения, разработанного в настоящей заявке, изготовлены экспериментальные резонаторы БТ-среза. В таблице указаны основные параметры этих резонаторов, а также параметры резонаторов АТ-среза, изготовленные по аналоговой технологии [2]:
f - основная частота, МГц;
Rq - динамическое сопротивление, Ом;
Uн - уровень нелинейных искажений, Дб;
Rz - шероховатость поверхности кристаллических элементов, измеренная по средней линии;
θ - угол ориентации кристаллического элемента к оси Z.
Анализ данных таблицы и графиков на фиг. 2 позволяет выбрать граничное значение шероховатости поверхности КЭ, до которого следует проводить химическое полирующее травление в предлагаемом способе. В данном случае это величина Rz ≅ 0,05, при которой уровень нелинейных искажений БТ-резонаторов больше 50 Дб с выходом 90%. Rq таких резонаторов выше, чем для аналоговых резонаторов АТ-среза при сравнимых частотах. Тем не менее, добротность резонаторов БТ-среза на частоту 65 МГц в 1,5-2 раза выше, чем у резонаторов АТ-среза.
Кристаллические элементы резонаторов АТ-среза и среза -35o15' изготовлены в форме обратной мезаструктуры. Срез -35o15' не имеет технического применения в производстве изделий пьезотехники и выбран в качестве экспериментального подтверждения полной инверсии химически полированных КЭ с положительной ориентацией при α-β-α-фазовом переходе.
Резонаторы, указанные в таблице, имеют серебряное электродное покрытие с подслоем нихрома. ТЧХ резонаторов с инверсией к углу -49o (см. фиг. 3) имеет вид, типичный для классических резонаторов БТ-среза.
Таким образом, введение в техпроцесс операций химического полирования кварцевых пластин со срезом +49o±30' до Rz ≅ 0,05 мкм и термической инверсии их структуры к углу -49o±30' позволяет создать технологию для серийного производства высокочастотных резонаторов БТ-среза.
Claims (1)
- Способ изготовления кварцевых резонаторов БТ-среза, включающий распиловку кристалла кварца на плоские заготовки, механическую шлифовку заготовок, формирование кристаллических элементов преимущественно в форме обратной мезаструктуры глубоким химическим травлением, нанесение электродов и монтаж, отличающийся тем, что плоскую заготовку при распиловке кристалла кварца ориентируют под углом 0o00' ± 30' к оси X и + 49o ± 30' к оси Z, формируют кристаллический элемент с шероховатостью поверхности не более 5 x 10-8 м глубоким химическим травлением и осуществляют инверсию структуры кристаллического элемента к углу -49o ± 30' к оси Z путем термической обработки при температуре α-β-α фазового перехода, равной 846 К, после чего осуществляют нанесение электродов и монтаж.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU99114946A RU2169986C2 (ru) | 1999-07-07 | 1999-07-07 | Способ изготовления кварцевых резонаторов бт-среза |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU99114946A RU2169986C2 (ru) | 1999-07-07 | 1999-07-07 | Способ изготовления кварцевых резонаторов бт-среза |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2169986C2 true RU2169986C2 (ru) | 2001-06-27 |
| RU99114946A RU99114946A (ru) | 2001-07-10 |
Family
ID=20222477
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU99114946A RU2169986C2 (ru) | 1999-07-07 | 1999-07-07 | Способ изготовления кварцевых резонаторов бт-среза |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2169986C2 (ru) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2276453C1 (ru) * | 2004-09-06 | 2006-05-10 | Федеральное государственное унитарное предприятие Омский научно-исследовательский институт приборостроения | Способ изготовления высокочастотного фильтрового кварцевого резонатора |
| RU2366037C1 (ru) * | 2008-02-29 | 2009-08-27 | Николай Дмитриевич Дронов-Дувалджи | Способ изготовления кварцевых резонаторов с линейной температурно-частотной характеристикой |
| RU2475950C1 (ru) * | 2012-01-30 | 2013-02-20 | Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" - Госкорпорация "Росатом" | Способ изготовления кварцевых кристаллических элементов z-среза |
| RU2786419C2 (ru) * | 2014-09-25 | 2022-12-21 | Арк Кристал, Ллс | Высокоэнергетические кристаллы, полученные прецизионной резкой |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2270718A1 (ru) * | 1974-05-06 | 1975-12-05 | Suisse Horlogerie | |
| US4112147A (en) * | 1977-05-13 | 1978-09-05 | Western Electric Company, Inc. | Method of manufacturing a monolithic crystal filter |
| RU2007023C1 (ru) * | 1992-03-10 | 1994-01-30 | Научно-исследовательский институт "Фонон" | Полосковый пьезоэлемент толщинно-сдвиговых колебаний и способ его изготовления |
| RU1739826C (ru) * | 1989-12-12 | 1995-01-09 | Омский научно-исследовательский институт приборостроения | Способ изготовления кварцевых кристаллических элементов |
-
1999
- 1999-07-07 RU RU99114946A patent/RU2169986C2/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2270718A1 (ru) * | 1974-05-06 | 1975-12-05 | Suisse Horlogerie | |
| US4112147A (en) * | 1977-05-13 | 1978-09-05 | Western Electric Company, Inc. | Method of manufacturing a monolithic crystal filter |
| RU1739826C (ru) * | 1989-12-12 | 1995-01-09 | Омский научно-исследовательский институт приборостроения | Способ изготовления кварцевых кристаллических элементов |
| RU2007023C1 (ru) * | 1992-03-10 | 1994-01-30 | Научно-исследовательский институт "Фонон" | Полосковый пьезоэлемент толщинно-сдвиговых колебаний и способ его изготовления |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| JEEE Jnternational Frequency Control Symposium. - 1996, June 5 - 7, p.145. J. Appl. Phys. - 1996, vol. 35, part 1, № 58, may 1966, pp.2975 - 2979. * |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2276453C1 (ru) * | 2004-09-06 | 2006-05-10 | Федеральное государственное унитарное предприятие Омский научно-исследовательский институт приборостроения | Способ изготовления высокочастотного фильтрового кварцевого резонатора |
| RU2366037C1 (ru) * | 2008-02-29 | 2009-08-27 | Николай Дмитриевич Дронов-Дувалджи | Способ изготовления кварцевых резонаторов с линейной температурно-частотной характеристикой |
| RU2475950C1 (ru) * | 2012-01-30 | 2013-02-20 | Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" - Госкорпорация "Росатом" | Способ изготовления кварцевых кристаллических элементов z-среза |
| RU2786419C2 (ru) * | 2014-09-25 | 2022-12-21 | Арк Кристал, Ллс | Высокоэнергетические кристаллы, полученные прецизионной резкой |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10361357B2 (en) | Piezoelectric oxide single crystal substrate | |
| KR102519924B1 (ko) | 탄탈산리튬 단결정 기판 및 이것의 접합 기판과 이 제조법 및 이 기판을 사용한 탄성 표면파 디바이스 | |
| CN1601402A (zh) | 温控的游丝摆轮谐振器 | |
| CN108111142A (zh) | 一种基于碳化硅衬底/氧化锌或掺杂氧化锌薄膜的声表面波器件及其制备方法 | |
| CN110247639B (zh) | 一种射频声表面波滤波器芯片及制作工艺 | |
| RU2169986C2 (ru) | Способ изготовления кварцевых резонаторов бт-среза | |
| Spencer | Monolithic crystal filters | |
| JPS61134111A (ja) | タンタル酸リチウム単結晶ウエ−ハ | |
| CN210444234U (zh) | 一种射频声表面波滤波器芯片 | |
| RU2117382C1 (ru) | Способ изготовления кварцевых кристаллических элементов ат-среза | |
| CN111883646A (zh) | 一种硅基钽酸锂压电单晶薄膜衬底的制备方法 | |
| KR100413345B1 (ko) | 란가사이트 단결정 기판의 제조방법, 란가사이트 단결정기판 및 압전 장치 | |
| US4224547A (en) | Adjusting the frequency of piezoelectric crystal devices via fracturing the crystal surface | |
| RU1739826C (ru) | Способ изготовления кварцевых кристаллических элементов | |
| JPH0230207A (ja) | 水晶振動子及びその製造方法 | |
| CN119343042B (zh) | 一种压电水晶光刻腐蚀工艺 | |
| EP1178135B1 (en) | Piezoelectric oxide single crystal wafer | |
| JP2003168941A (ja) | 小型圧電素板のコンベックス加工法 | |
| SU587601A1 (ru) | Способ изготовлени кварцевых резонаторов | |
| CN117758368A (zh) | 非极性面氮化铝单晶复合衬底的制备方法、声表面波器件及其制备方法 | |
| Ward | Design of high performance SC resonators | |
| Cheng et al. | Frequency modulation and device repaired by laser surface treatment in film bulk acoustic filters | |
| JP4303221B2 (ja) | 高品位人工水晶、水晶ウェハ及び水晶片 | |
| Fachberger et al. | Homogeneity of langasite and langatate wafers | |
| JPH01158811A (ja) | 圧電振動子の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20110708 |