RU2165902C1 - СПОСОБ ПРИГОТОВЛЕНИЯ НЕГАТИВНОГО СЕЛЕКТИВНОГО ТРАВИТЕЛЯ ДЛЯ РЕЗИСТНЫХ СЛОЕВ ХАЛЬКОГЕНИДНОГО СТЕКЛА As2S3 - Google Patents

СПОСОБ ПРИГОТОВЛЕНИЯ НЕГАТИВНОГО СЕЛЕКТИВНОГО ТРАВИТЕЛЯ ДЛЯ РЕЗИСТНЫХ СЛОЕВ ХАЛЬКОГЕНИДНОГО СТЕКЛА As2S3 Download PDF

Info

Publication number
RU2165902C1
RU2165902C1 RU99121722A RU99121722A RU2165902C1 RU 2165902 C1 RU2165902 C1 RU 2165902C1 RU 99121722 A RU99121722 A RU 99121722A RU 99121722 A RU99121722 A RU 99121722A RU 2165902 C1 RU2165902 C1 RU 2165902C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
layers
etching
etchant
selective
chalcogenide
Prior art date
Application number
RU99121722A
Other languages
English (en)
Russian (ru)
Inventor
Евгений Федорович Венгер
Сергей Александрович Костюкевич
Петр Евгеньевич Шепелявый
Юрий Геннадиевич Гольцов
Юрий Александрович Бородин
Андрей Андреевич Крючин
Вячеслав Васильевич Петров
Original Assignee
Институт физики полупроводников Национальной Академии наук Украины
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Институт физики полупроводников Национальной Академии наук Украины filed Critical Институт физики полупроводников Национальной Академии наук Украины
Application granted granted Critical
Publication of RU2165902C1 publication Critical patent/RU2165902C1/ru

Links

Images

Landscapes

  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Glass Compositions (AREA)
RU99121722A 1999-07-27 1999-10-15 СПОСОБ ПРИГОТОВЛЕНИЯ НЕГАТИВНОГО СЕЛЕКТИВНОГО ТРАВИТЕЛЯ ДЛЯ РЕЗИСТНЫХ СЛОЕВ ХАЛЬКОГЕНИДНОГО СТЕКЛА As2S3 RU2165902C1 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
UA99074336A UA34995C2 (uk) 1999-07-27 1999-07-27 СПОСІБ ПРИГОТУВАННЯ НЕГАТИВНОГО СЕЛЕКТИВНОГО ТРАВНИКА ДЛЯ РЕЗИСТНИХ ШАРІВ ХАЛЬКОГЕНІДНОГО СКЛА Аs<sub>2</sub>S<sub>3 </sub>
UA99074336 1999-07-27

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2165902C1 true RU2165902C1 (ru) 2001-04-27

Family

ID=21689387

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU99121722A RU2165902C1 (ru) 1999-07-27 1999-10-15 СПОСОБ ПРИГОТОВЛЕНИЯ НЕГАТИВНОГО СЕЛЕКТИВНОГО ТРАВИТЕЛЯ ДЛЯ РЕЗИСТНЫХ СЛОЕВ ХАЛЬКОГЕНИДНОГО СТЕКЛА As2S3

Country Status (2)

Country Link
RU (1) RU2165902C1 (uk)
UA (1) UA34995C2 (uk)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013125933A2 (ru) * 2012-02-22 2013-08-29 Даугавпилсский Университет Халькогенидный as-se-s электронный резист
RU2687889C1 (ru) * 2018-08-20 2019-05-16 Андрей Львович Степанов Способ изготовления фазовых периодических микроструктур на основе халькогенидных стеклообразных полупроводников

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013125933A2 (ru) * 2012-02-22 2013-08-29 Даугавпилсский Университет Халькогенидный as-se-s электронный резист
WO2013125933A3 (ru) * 2012-02-22 2013-11-14 Даугавпилсский Университет Халькогенидный as-se-s электронный резист
RU2687889C1 (ru) * 2018-08-20 2019-05-16 Андрей Львович Степанов Способ изготовления фазовых периодических микроструктур на основе халькогенидных стеклообразных полупроводников

Also Published As

Publication number Publication date
UA34995C2 (uk) 2003-09-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3001607B2 (ja) 二層法における寸法安定な構造転写方法
KR940004423B1 (ko) 포토래지스트층에서 네거티브 패턴을 형성하는 방법
US5318870A (en) Method of patterning a phenolic polymer film without photoactive additive through exposure to high energy radiation below 225 nm with subsequent organometallic treatment and the associated imaged article
EP0045639B1 (en) Method of forming a microscopic pattern
US5178989A (en) Pattern forming and transferring processes
DE60106229T2 (de) Ozon-verstärktes silylierungsverfahren zur erhöhung des ätzwiderstands von dünnen resistschichten
DE69332460T2 (de) Gebrauchsverfahren von strahlungsempfindlichen Materialien
KR0174316B1 (ko) 미세패턴 형성방법
EP0018653B1 (en) Process for the production of photo-resist structures
KR100555497B1 (ko) 미세 패턴 형성 방법
EP0140240B1 (en) Process for forming an organic thin film
CA2135413C (en) Energy sensitive materials and methods for their use
EP0040535B1 (en) Method of forming a microscopic pattern, and a photoresist
JPS6324248A (ja) フォトレジスト層中にポジパタ−ンを形成する方法
RU2165902C1 (ru) СПОСОБ ПРИГОТОВЛЕНИЯ НЕГАТИВНОГО СЕЛЕКТИВНОГО ТРАВИТЕЛЯ ДЛЯ РЕЗИСТНЫХ СЛОЕВ ХАЛЬКОГЕНИДНОГО СТЕКЛА As2S3
JPH01154050A (ja) パターン形成方法
US5543252A (en) Method for manufacturing exposure mask and the exposure mask
EP0098922A2 (en) Process for selectively generating positive and negative resist patterns from a single exposure pattern
JPS62102243A (ja) フオトレジストの製法
EP0015459B1 (en) Article comprising a negative x-ray resist containing poly(2,3-dichloro-1-propyl acrylate) and poly(glycidyl methacrylate-co-ethyl acrylate) and method using this resist
EP0188568B1 (en) Method of developing radiation sensitive negative resists
EP1128220A2 (en) Developing process, process for forming pattern and process for preparing semiconductor device using same
RU2165637C1 (ru) Способ изготовления голографических дифракционных решеток
US8512937B2 (en) Lithographic dry development using optical absorption
EP0042109B1 (en) Lithographic process and resulting article

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20061016