RU2152127C1 - Силовой ключ на мдп-транзисторе - Google Patents
Силовой ключ на мдп-транзисторе Download PDFInfo
- Publication number
- RU2152127C1 RU2152127C1 RU98111842A RU98111842A RU2152127C1 RU 2152127 C1 RU2152127 C1 RU 2152127C1 RU 98111842 A RU98111842 A RU 98111842A RU 98111842 A RU98111842 A RU 98111842A RU 2152127 C1 RU2152127 C1 RU 2152127C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- transistor
- transformer
- transistors
- power switch
- resistors
- Prior art date
Links
Abstract
Изобретение относится к импульсной технике и может быть примененено в различных бесконтактных коммутационных устройствах. В устройстве имеются два транзистора одинаковой проводимости, переходы базы-эмиттер которых зашунтированы резисторами, а переходы коллектор-эмиттер - диодами, включенными в запирающем направлении, а между базами транзистора включен резистор. Эмиттеры подключены к вторичной обмотке трансформатора, а коллекторы - к переходу затвор-исток МДП-транзистора. Технический результат: повышение надежности. 1 ил.
Description
Изобретение относится к импульсной технике и может быть применено в различных бесконтактных коммутационных устройствах.
Известен силовой ключ на МДП-транзисторе, содержащий МДП-транзистор и два взаимодополняющих биполярных транзистора (УДН 621.382.32 Процессы переключения силовых МДП-транзисторов в импульсных регуляторах мощности. Машунов Е.В., Конев Ю.И., Леоненко И.М. - ЭТвА, 1982, вып. 13, с. 9, рис. 1а).
Однако этот ключ не имеет гальванической развязки от схемы управления и требует дополнительного источника питания схемы управления по затвору.
Наиболее близким к предлагаемому по технической сущности является силовой ключ, содержащий разделительный трансформатор, два взаимодополняющих биполярных транзистора, конденсаторы, резисторы и диоды (УДК 621.314.5: 621.382.32 Высокочастотные конверторы на мощных МДП-транзисторах /Б.В. Кабелев - ЭТвА, 1984, вып. 15, с. 27, рис. 5), который выбран в качестве прототипа.
Недостатком известного устройства является невозможность коммутации длительных импульсов и отсутствие запирающего напряжения на затворе МДП-транзистора в закрытом состоянии ключа, что уменьшает надежность.
Целью изобретения является расширение функциональных возможностей и повышение надежности.
Поставленная цель достигается тем, что два транзистора одинаковой проводимости, переходы база-эмиттер которых зашунтированы резисторами, а переходы коллектор-эмиттер - диодами, включенными в запирающем направлении, между базами которых включен резистор, эмиттерами подключены к вторичной обмотке трансформатора, а коллекторами - к переходу затвор-исток МДП-транзистора.
На чертеже представлена принципиальная электрическая схема силового ключа на МДП-транзисторе.
Силовой ключ на МДП-транзисторе содержит разделительный трансформатор 1 с первичной обмоткой 2 и вторичной обмоткой 3, базовые резисторы 4, 5, ограничительный резистор 6, диоды 7,8, транзисторы 9, 10, МДП-транзистор 11, диоды 7, 8 включены параллельно коллекторно-эмиттерным переходам транзисторов 9, 10 в запирающем направлении, базовые резисторы включены параллельно базо-эмиттерным переходам транзистора 9, 10, а ограничительный резистор 6 включен между базами транзисторов 7, 8, вторичная обмотка 3 трансформатора 1 подключена между эмиттерами транзистора 9, 10, затвор-исток МДП-транзистора 11 подключен между коллекторами транзисторов 9, 10.
Устройство работает следующим образом.
При подаче на вход устройства на обмотку 2 трансформатора 1 коротких положительных импульсов с большой скважностью на вторичной обмотке 3 трансформатора 1 также появятся короткие положительные импульсы с большой скважностью, небольшое отрицательное напряжение, присутствующее между короткими положительными импульсами, мало и им можно пренебречь.
Положительный потенциал с верхнего по схеме вывода обмотки 3 трансформатора 1 через диод 7 поступает на затвор МДП-транзистора 11 и через резисторы 4, 6 на базо-эмиттерный переход транзистора 10, вызывая протекание базового тока, по цепи - верхний по схеме вывод обмотки 3 трансформатора 1, резисторы 4, 6, базо-эмиттерный переход транзистора 10, нижний вывод обмотки 3 трансформатора 1, транзистор 10 открывается и отрицательный потенциал с нижнего вывода обмотки 3 трансформатора 1 поступает на исток МДП-транзистора, происходит быстрый заряд емкости затвор-исток МДП-транзистора 11 и он открывается, транзистор 9 при этом закрыт.
В паузе между короткими положительными импульсами на вторичной обмотке 3 транзистора 1 присутствует небольшое отрицательное напряжение, но его величины не достаточно для открывания диода 8 и транзистора 9 по цепи - нижний вывод обмотки 3 трансформатора 1, резисторы 5, 6, базо-эмиттерный переход транзистора 9, верхний вывод обмотки 3 трансформатора 1 и МДП-транзистор 11 остается открытым положительным напряжением заряженной емкости затвор-исток МПД-транзистора 11.
При подаче на вход устройства на первичную обмотку 2 трансформатора 1 коротких отрицательных импульсов с большой скважностью происходят аналогичные процессы, т.к. схема устройства симметрична, при этом емкость затвор-исток МДП-транзистора 11 перезаряжается - на затвор-исток МДП-транзистора поступает отрицательное напряжение и он закрывается.
Таким образом, предлагаемое устройство проще, сохранена гальваническая развязка от схемы управления, не требуется отдельный источник для питания схемы управления по затвору, повышена надежность за счет использования меньшего количества элементов и подачи запирающего напряжения на затвор-исток МДП-транзистора в закрытом состоянии ключа.
Опытный образце устройства был собран на БТИЗ-61, 2Т3117А, 2Д510А, 2П922А. При управлении импульсами К = 10 В, τ = 3 мкс, Q = 500 ключ коммутировал ток 10 А с длительностью фронтов 0,7 мкс, при этом ток потребления схемы, формирующей управляющие импульсы, составлял 1,5 мА при U = 5 В.
Из известных заявителю патентно-информационных материалов не обнаружены признаки, сходные с отличительными признаками заявляемого объекта.
Claims (1)
- Силовой ключ на МДП-транзисторе, содержащий трансформатор, транзисторы, резисторы и диоды, отличающийся тем, что у двух транзисторов одинаковой проводимости, между базами которых включен резистор, переходы база-эмиттер зашунтированы резисторами, а переходы коллектор-эмиттер-диодами, включенными в запирающем направлении, эмиттеры подключены ко вторичной обмотке трансформатора, а коллекторы - к переходу затвор-исток МДП-транзистора.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU98111842A RU2152127C1 (ru) | 1998-06-22 | 1998-06-22 | Силовой ключ на мдп-транзисторе |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU98111842A RU2152127C1 (ru) | 1998-06-22 | 1998-06-22 | Силовой ключ на мдп-транзисторе |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU98111842A RU98111842A (ru) | 2000-04-10 |
RU2152127C1 true RU2152127C1 (ru) | 2000-06-27 |
Family
ID=20207523
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU98111842A RU2152127C1 (ru) | 1998-06-22 | 1998-06-22 | Силовой ключ на мдп-транзисторе |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2152127C1 (ru) |
-
1998
- 1998-06-22 RU RU98111842A patent/RU2152127C1/ru not_active IP Right Cessation
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
КАБЕЛЕВ Б.В. Высокочастотные конверторы на мощных МДП-транзисторах. - М.: ЭТвА, 1984, вып. 15, с. 27, рис. 5. МАШУКОВ Е.В. и др. Процессы переключения силовых МДП-транзисторов в импульсных регуляторах мощности. - М.: ЭТаВ. 1982, вып. 13, с. 9, рис. 1а. БАС А.А. и др. Источники вторичного электропитания с бестрансформаторным входом. - М.: Радио и связь, 1987, с. 58, рис. 2.30. * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4553082A (en) | Transformerless drive circuit for field-effect transistors | |
RU2337473C1 (ru) | Силовой ключ на мдп-транзисторе | |
US4315307A (en) | Switching device and switched-type power supply using the same | |
US5534769A (en) | Synchronous rectifying circuit | |
JPS63204814A (ja) | パワートランジスタ駆動回路 | |
RU2152127C1 (ru) | Силовой ключ на мдп-транзисторе | |
JP3348022B2 (ja) | ゲートドライブ回路 | |
RU2223596C2 (ru) | Силовой ключ на мдп-транзисторе | |
RU2390094C2 (ru) | Силовой ключ на мдп-транзисторе | |
RU2338316C1 (ru) | Силовой ключ на мдп-транзисторе | |
EP0218288B1 (en) | Mos power device usable both as an n-chanel mos transistor and as a p-channel mos transistor | |
RU2395159C1 (ru) | Силовой ключ на мдп-транзисторе | |
RU2263393C1 (ru) | Силовой ключ на мдп-транзисторе | |
RU2262799C1 (ru) | Силовой ключ на мдп-транзисторе | |
RU2340085C1 (ru) | Силовой ключ на мдп-транзисторе | |
RU2257668C1 (ru) | Силовой ключ на мдп-транзисторе | |
RU2344542C1 (ru) | Силовой ключ на мдп-транзисторе | |
RU2340084C1 (ru) | Силовой ключ на мдп-транзисторе | |
RU2340086C1 (ru) | Силовой ключ на мдп-транзисторе | |
JPH0430819Y2 (ru) | ||
RU2358383C1 (ru) | Силовой ключ на мдп-транзисторе | |
SU1598152A1 (ru) | Транзисторное реле | |
JPH0430820Y2 (ru) | ||
RU2262187C1 (ru) | Силовой ключ на мдп-транзисторе | |
SU1251298A2 (ru) | Генератор импульсов |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20090623 |