RU2121147C1 - Способ и чувствительный элемент для измерения электрических напряжений и/или напряженностей электрического поля - Google Patents

Способ и чувствительный элемент для измерения электрических напряжений и/или напряженностей электрического поля Download PDF

Info

Publication number
RU2121147C1
RU2121147C1 RU94040863/09A RU94040863A RU2121147C1 RU 2121147 C1 RU2121147 C1 RU 2121147C1 RU 94040863/09 A RU94040863/09 A RU 94040863/09A RU 94040863 A RU94040863 A RU 94040863A RU 2121147 C1 RU2121147 C1 RU 2121147C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
crystal
light wave
axis
potential
light
Prior art date
Application number
RU94040863/09A
Other languages
English (en)
Other versions
RU94040863A (ru
Inventor
Пайер Дирк (DE)
Пайер Дирк
Хирш Хольгер (DE)
Хирш Хольгер
Original Assignee
МВБ Хай Волтадж Системз ГмбХ
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by МВБ Хай Волтадж Системз ГмбХ filed Critical МВБ Хай Волтадж Системз ГмбХ
Publication of RU94040863A publication Critical patent/RU94040863A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2121147C1 publication Critical patent/RU2121147C1/ru

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R15/00Details of measuring arrangements of the types provided for in groups G01R17/00 - G01R29/00, G01R33/00 - G01R33/26 or G01R35/00
    • G01R15/14Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks
    • G01R15/24Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks using light-modulating devices
    • G01R15/241Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks using light-modulating devices using electro-optical modulators, e.g. electro-absorption
    • G01R15/242Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks using light-modulating devices using electro-optical modulators, e.g. electro-absorption based on the Pockels effect, i.e. linear electro-optic effect

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Measuring Instrument Details And Bridges, And Automatic Balancing Devices (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Measurement Of Current Or Voltage (AREA)
  • Heterocyclic Carbon Compounds Containing A Hetero Ring Having Oxygen Or Sulfur (AREA)

Abstract

Изобретение касается способа измерения электрических напряжений или электрических полей при применении кристалла, имеющего электрооптический эффект (эффект Покеля). Для этого создается поперек к направлению распространения (Y - направление) поляризованной в Z - направлении световой волны градиент напряженности электрического поля в кристалле в X - направлении, из которого вытекает соответствующий градиент показателя преломления n кристалла. В результате этого происходит зависимое от напряженности поля отклонение световой волны в кристалле, которое используется при выходе как мера для напряжения или напряженности поля. Также описывается соответствующий чувствительный элемент. 2 с. и 7 з.п. ф-лы, 7 ил.

Description

Изобретение касается способа измерения электрических напряжений и/или напряженностей электрического поля и чувствительного элемента для осуществления этого способа согласно органичительных частей формулы изобретения 1 и 8. Известные способы и соответственно используемые чувствительные элементы этого типа основываются на принципе использования линейного электрооптического эффекта различных кристаллов.
Уже известны способы измерения и чувствительные элементы для этого, основывающиеся на том принципе, что коэффициент преломления определенных, проницаемых для световых волн кристаллов можно изменять в зависимости от производимой в кристалле напряженности поля. Этот так называемый электрооптический эффект показывают, например, кристаллы из ниобата лития или дигидрофосфата калия. Два электрода, расположенные на поверхности кристаллической пластинки параллельно и на расстоянии друг от друга, присоединяют, например, для измерения напряжения к измеряемому напряжению, а обусловленное в результате этого изменение показателя преломления принимается как мера для подаваемого напряжения.
Для определения индексов преломления известны интерферометрические или поляриметрические устройства. В первом способе модулируется фаза световой волны и накладывается на контрольную фазу, что приводит к изменению интенсивности отводимой световой волны. При использовании поляриметрического устройства поляризация поляризованной световой волны изменяется в зависимости от показателя преломления, а изменение интенсивности устанавливается посредством поляризатора.
Для обоих известных устройств требуются относительно высокие технические затраты. Кроме того, проблемы реализации появляются из-за применяемых материалов. Помимо требования относительно высоких электрооптических эффектов материалов, в них наряду с чистым электрооптическим эффектом появляются соответственно как пьезоэлектрический, так и эластооптический эффект, которые вместе показывают такую же картину, что и чистый электрооптический эффект. Инерционность материала приводит затем к тому, что в зоне низких частот электрооптический эффект, с одной стороны, и пьезоэлектрический и эластооптический эффект, с другой стороны, накладываются друг на друга. Переходная зона отличается далее резонансными явлениями, вытекающими из вибраций кристаллов.
Для широкополосной системы измерения, следовательно, должно выдвигаться требование относительно исключительного использования чистого электрооптического эффект, т. е. соответствующие пьезоэлектрические - эластооптические эффекты не должны приниматься во внимание.
При поляриметрической системе такое положение вещей должно иметь место одновременно для двух коэффициентов, в то время как при интерферометрической системе достаточно одного коэффициента. В соответствии с этим в распоряжении имеются значительно больше материалов для создания широкополосной интерферометрической системы измерения, чем для широкополосной поляриметрической системы измерения. Этому противопоставляются однако значительные технологические затраты интерферометра. Для этого должны быть использованы далее интегрированно-оптические элементы конструкции, к которым должны подводиться оптическая мощность с определенным типом волны и с определенным состоянием поляризации. При практическом использовании этой технологии требуется поэтому применение сохраняющего поляризацию проводника световой волны (HiBi - волокно) с настоятельной необходимостью.
Посредством данного изобретения должна быть решена задача, заключающаяся в том, чтобы предложить способ и чувствительный элемент для осуществления этого способа, с помощью которого или с помощью которых в принципе должны быть сохранены преимущества интерферометрического способа, а именно необходимость оценки только лишь одного единственного электрооптического коэффициента. Кроме того, технические затраты должны сохраняться небольшими в результате того, что не должны использоваться ни интегрированно-оптическая технология, ни специальный проводник световой волны.
Решается эта задача посредством признаков, указанных в отличительной части формулы изобретения 1 и 8.
Данное изобретение характеризуется, в частности, тем, что световая волна посылается только через кристалл, то есть должна быть введена и отведена. Отклонение отведенной или отводимой световой волны можно устанавливать и оценивать с помощью простых средств.
Другие предпочтительные детали данного изобретения указаны в зависимых пунктах формулы изобретения и ниже поясняются более подробно на основе наглядно показанных в чертеже примеров осуществления. На рисунках показано:
Фиг. 1: вид в перспективе используемого способа согласно изобретению, присоединяемого к напряжению, кристалла; фиг. 2: вид сверху на кристалле согласно фиг. 1; фиг. 3: вид торцевой стороны кристалла согласно фиг. 1; фиг. 4: ход кривой показателя преломления n в X - направлении; фиг. 5: ход кривой напряженности поля EZ в X - направлении; фиг. 6: возможный ход кривой отклоненной световой волны; фиг. 7: расположение чувствительного элемента между двумя предусмотренными в электрическом поле шаровыми полусферами.
На фиг. 1 цифрой 1 обозначен кристалл, например из ниобата лития. Его обе поверхности - верхняя поверхность 2 и нижняя поверхность 3 - проходят в направлении X и Y - осей, а его толщина 4 - в направлении Z оси кристалла 1, как это показано с помощью системы координат. Ниже данные о координатах X-, Y- и Z - направления относятся постоянно к осям кристалла. Обе поверхности 2 и 3 снабжены соответственно парой простирающихся в Y - направлении, полосообразных электродов 5, 6 или 7, 8. При этом одна пара электродов 5, 6 противостоит другой паре электродов 7, 8 конгруентно. Обе пары электродов 5, 6 или 7,8 присоединены к источнику напряжения 9, в результате того, что соответственно диагонально противостоящие друг другу электроды 5, 8 и 6, 7 соединены с соответственно одним из полюсов 10 или 11 этого источника. Благодаря этому между электродами 5 и 7, с одной стороны, и между электродами 6 и 8, с другой стороны, образуется электрическое поле EZ в Z - направлении; однако эти электрические поля EZ соответственно подключению к источнику напряжения 9 направлены друг против друга. По определению линейного электрооптического эффекта поэтому, например показатель преломления n кристалла 1 в одном случае увеличивается, а в другом случае - уменьшается (так называемый Покель-эффект). Соответственно в зоне 12, которая, как правило, несколько больше, чем расстояние 13 между проходящими параллельно друг другу электродами 5, 6 и 7, 8 на поверхности 2 или 3 согласно фиг. 4 образуется непрерывно изменяющаяся напряженность поля с определенными градиентами напряженности поля 14 в Х - направлении. Соответственно изменяется также и коэффициент преломления n в X - направлении, и получают соответствующий градиент 15, как представлено на фиг. 4.
Одна из вертикально находящихся к Y - направлению торцовых поверхностей 16 служит для ввода поляризованной в Z - направлении световой волны 17. Точка ввода 18 в примере осуществления выбрана соосно к торцовой поверхности 16. Соответственно точка отвода 19 может быть предусмотрена на другой торцовой поверхности 20. В зависимости от желаемого результата измерения эти точки ввода и отвода 18, 19 однако могут быть выбраны или предусмотрены также на других местах кристалла 1.
Измерение напряжения (или напряженности) поля с вышеназванным расположением может осуществляться следующим образом.
При распространении поляризованной в Z - направлении световой волны 17 в положительном Y - направлении кристалла 1 появляется показатель преломления n с одним электрооптическим коэффициентом r33 (единственный в хорошем приближении независимый от частоты коэффициент ниобата лития):
n = ne - 1/2n 3 e r33Ez (1)
причем
ne = 2,200 описывает экстраупорядоченный (индекс) показатель преломления, а EZ - наружное электрическое поле вдоль Z - направления кристалла.
Если изменяется составляющая напряженности поля EZ вдоль координаты X, то показатель преломления является функцией места. Распространение света падающей в Y - направленности световой волны 17 можно тогда описать посредством уравнения Эйконала:
(gradФ(x)2) = n(x)2 (2)
с фазовой функцией Ф(x) оптической волны. Световая волна следует, таким образом, уравнению излучения
d/ds/n(x) • dr/ds/ = gradn(x) (3)
с длиной пути S вдоль светового участка или распространения лучей с радиусом-вектором r. Возможное отклонение световой волны 17 изображено на фиг. 6 штриховой или штрихпунктирной линией.
Из решения уравнения /3/ для функции места светового луча следует приближенно:
x = 1/α/•/cosh/αy/-1/ (4)
α = -1/2n 2 e r33dEz(x)/dx (5)
Небольшие углы отклонения φ можно оценивать с учетом вычисления при выходе световой волны 17' из кристалла 1 с пронизанными лучами световым участком 21 или длиной L:
φ = -1/2n 3 e r33dEz(x)/dxL/ (6)
На примере уравнения /6/ становится ясно, что для электрооптического отклонения световой волны 17 определяющим является градиент напряженности поля EZ. Подобный ход кривой напряженности поля осуществляется посредством описанного устройства с четырьмя электродами.
В результате соответствующего ввода и отвода световой волны 17 можно получить соответственно временному ходу кривой напряженности поля, например модулированный по интенсивности оптический сигнал на единице оценки 22, что соответствует поданному на электроды 5, 6 или 7, 8 напряжению или соответствующей напряженности поля.
Ввод световой волны 17, как показано на фиг. 6, может осуществляться через соответствующий световод 23, связанный с торцовой поверхностью 16, а отвод - через световод 24, соединенный с торцовой поверхностью 24. Предпочтительно, чтобы ядро или диаметр ядра 25 предусмотренного на стороне отвода световода 24 было меньше, чем возможная область отклонения 26. В результате этого при представленном центрированном расположении световода 24 к световоду 23 можно узнать отклонение через изменение интенсивности светового потока, проникающего в световод 24.
Для измерения электрического поля можно, согласно фиг. 7, в поле 27 установить устройство из двух, в примере осуществления выполненных как шаровые полусферы эквипотенциальных поверхностей 28 и 29, и по меньшей мере из электропроводящего с одной стороны материала, между которыми - как описано - расположен вышеназванный кристалл 1. Электроды вместо источника напряжения 9 соединены с эквипотенциальными поверхностями 28, 29. При имеющемся электрическом поле 27, на эквипотенциальных поверхностях 28, 29 индицируется электрическое напряжение, представляющее собой меру для имеющейся там напряженности поля, и которое может быть измерено. Поэтому при такой системе измерения и методике измерения чувствительный элемент присоединен не к наружному напряжению или источнику напряжения так, что обусловленные в ином случае в искажения поля не могут больше появляться.
Оценка отклонения отведенной или отводимой световой волны 17' осуществляется преимущественно через фотодиод или посредством диодной строки или посредством прочих фотоэлементов, в данном случае, через бленду 30, как показано на фиг. 6.
Предложенный способ и применяемый при этом чувствительный элемент согласно изобретению можно использовать для постоянного тока или для низкочастотных и высокочастотных напряжений, или также для соответствующих полей постоянного тока или переменных полей.
Как вытекает из описания фиг. 1, предложенный способ и чувствительный элемент для осуществления этого способа может быть полностью работоспособным в том случае, если оси кристалла X и Y повернуты на 90o по отношению к изображению, представленному на фиг. 1.

Claims (9)

1. Способ для измерения электрических напряжений или напряженностей электрического поля при применении появляющегося в кристалле электрооптического эффекта, согласно которому пропускают поляризованную световую волну через кристалл и изменяют по ходу света напряженность поля в кристалле и тем самым показатель преломления кристалла посредством противолежащих друг над другом поверхностей электродов, проходящих параллельно к ходу света и присоединенных к напряжению или потенциалу, в соответствии с приложенной к ним разностью напряжений или потенциалов и используют изменение световой волны, создаваемое изменением показателя преломления, в качестве меры для подаваемого на электроды напряжения или потенциала, отличающийся тем, что присоединенные к измеряемому напряжению или измеряемому потенциалу электроды в направлении плоскости, образованной осями X-Y, устанавливают таким образом, что при приложенном напряжении или потенциале в кристалле по ходу света появляется проходящий поперек к направлению распространения световой волны в направлении оси X или оси Y кристалла градиент электрической напряженности поля в направлении оси Z кристалла и тем самым градиент показателя преломления в направлении оси Z, причем световую волну в кристалле отклоняют возникающими градиентами в зависимости от напряжения или потенциала в направлении оси X или Y и это отклонение используют для определения измеряемого напряжения или потенциала, приложенного к электродам.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что на имеющем форму пластинки кристалле, поверхности которого проходят в направлении осей X-Y, а толщина которого проходит в направлении оси ZZ, на каждой поверхности напротив друг друга устанавливают соответственно по одной паре проходящих в направлении оси Y или X и в направлении оси X или Y на расстоянии друг от друга электродов, а световая волна проникает на торцевой стороне кристалла в точке, находящейся в зоне расстояния в направлении оси Y или X.
3. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что применяют поляризованную в направлении оси Z кристалла световую волну.
4. Способ по одному из пп.1-3, отличающийся тем, что световую волну вводят через световод.
5. Способ по одному из пп.1-4, отличающийся тем, что отвод отклоненной световой волны осуществляют на противоположной вводу торцевой стороне через световод, светопроводящий керн которого меньше зоны отклонения отводимой световой волны, так что отклонение вызывает изменение силы света отводимой световой волны.
6. Способ по одному из пп. 1-5, отличающийся тем, что для измерения напряженности поля в электрическое поле помещают на расстоянии друг от друга две потенциальные поверхности, а кристалл располагают между ними и подключают к ним.
7. Способ по п.6, отличающийся тем, что в качестве потенциальных поверхностей применяют сферические или полусферические насадки.
8. Чувствительный элемент для измерения электрических напряжений или напряженностей электрического поля при применении появляющегося в кристалле электрооптического эффекта, выполненного с возможностью пропускания поляризованной световой волны через кристалл и изменения по ходу света напряженности поля в кристалле и тем самым показателя преломления кристалла посредством последовательно противолежащих поверхностей электродов, проходящих параллельно к ходу света и присоединенных к напряжению или потенциалу, в соответствии с приложенной к ним разностью напряжений или потенциалов и использования изменения световой волны, создаваемого изменением показателя преломления, в качестве меры для подаваемого на электроды напряжения или потенциала, отличающийся тем, что он содержит имеющий форму пластинки кристалл, поверхности которого расположены в направлении плоскости, образованной осями X и Y, а толщина которого расположена в направлении оси Z, причем на поверхности пластинок кристалла расположены попарно противолежащие друг другу, полосообразные и параллельные друг другу электроды, расположенные на расстоянии друг от друга в направлении оси Y или X, при этом соответственно диагонально противолежащие друг другу электроды электропроводяще соединены между собой, а соответственно противолежащие друг другу торцевые поверхности кристалла в направлении оси Y или X являются местом ввода или отвода.
9. Чувствительный элемент по п.8, отличающийся тем, что кристалл состоит из ниобата лития.
RU94040863/09A 1992-02-24 1993-02-20 Способ и чувствительный элемент для измерения электрических напряжений и/или напряженностей электрического поля RU2121147C1 (ru)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE4205509A DE4205509A1 (de) 1992-02-24 1992-02-24 Verfahren und sensor zum messen von elektrischen spannungen und/oder elektrischen feldstaerken
DEP4205509.1 1992-02-24
DEP42.05509.1 1992-02-24
US08/294,029 US5559442A (en) 1992-02-24 1994-08-24 Process and sensor for measuring electric voltages and/or electric field intensities

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU94040863A RU94040863A (ru) 1998-02-27
RU2121147C1 true RU2121147C1 (ru) 1998-10-27

Family

ID=25912110

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU94040863/09A RU2121147C1 (ru) 1992-02-24 1993-02-20 Способ и чувствительный элемент для измерения электрических напряжений и/или напряженностей электрического поля

Country Status (12)

Country Link
US (1) US5559442A (ru)
EP (1) EP0628169B1 (ru)
JP (1) JP3253621B2 (ru)
CN (1) CN1052304C (ru)
AT (1) ATE152837T1 (ru)
CA (1) CA2130825C (ru)
DE (3) DE4205509A1 (ru)
ES (1) ES2103466T3 (ru)
HU (1) HU218051B (ru)
RU (1) RU2121147C1 (ru)
WO (1) WO1993017346A1 (ru)
ZA (1) ZA931069B (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU194557U1 (ru) * 2019-09-10 2019-12-16 Публичное акционерное общество "Пермская научно-производственная приборостроительная компания" Оптический чувствительный элемент для измерения электрической разности потенциалов

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4416298A1 (de) * 1994-05-09 1995-11-16 Abb Research Ltd Verfahren und Vorrichtung zur optischen Ermittlung einer physikalischen Größe
EP0696739B1 (en) * 1994-08-12 2002-11-20 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Optical sensor
DE19634251A1 (de) * 1996-08-26 1998-03-05 Abb Patent Gmbh Spannungswandler
FR2764390B1 (fr) * 1997-06-06 1999-07-16 Gec Alsthom T D Balteau Capteur electro-optique a diviseur de tension massif
US6252388B1 (en) * 1998-12-04 2001-06-26 Nxtphase Corporation Method and apparatus for measuring voltage using electric field sensors
US6749735B1 (en) 2000-03-16 2004-06-15 David Le Febre Electromobility focusing controlled channel electrophoresis system
CN101408558B (zh) * 2008-09-10 2011-07-06 湾世伟 微型光学直流交流电场传感器
KR20110041114A (ko) * 2009-10-15 2011-04-21 삼성전자주식회사 다양한 광픽업이 연결가능한 광 재생장치 및 그의 광픽업 제어방법
CN103226162B (zh) * 2013-03-26 2015-04-15 北京航空航天大学 一种基于双光路补偿的光波导电压传感器
WO2015186160A1 (ja) * 2014-06-06 2015-12-10 東芝三菱電機産業システム株式会社 3次元表面電位分布計測装置
CN104613879B (zh) * 2015-01-19 2018-03-20 无锡名谷科技有限公司 一种硅片厚度测量装置及测量方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2341073B2 (de) * 1973-08-10 1980-01-10 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Meßeinrichtung für die Spannung in einer gekapselten Hochspannungsschaltanlage
JPS58109859A (ja) * 1981-12-24 1983-06-30 Sumitomo Electric Ind Ltd 光による電圧・電界測定器
JPS59147274A (ja) * 1983-02-10 1984-08-23 Hitachi Ltd 光方式電界測定装置
US4755036A (en) * 1985-02-07 1988-07-05 Brother Kogyo Kabushiki Kaisha Apparatus for deflecting light beam
JP2537364B2 (ja) * 1987-06-10 1996-09-25 浜松ホトニクス株式会社 電圧検出装置
JPH0695113B2 (ja) * 1987-06-10 1994-11-24 浜松ホトニクス株式会社 電圧検出装置
JPH01320473A (ja) * 1988-06-22 1989-12-26 Anritsu Corp 電気光学効果素子及びそれを用いた電気信号波形測定装置
DE3924369A1 (de) * 1989-07-22 1991-01-31 Asea Brown Boveri Verfahren zur messung eines elektrischen feldes oder einer elektrischen spannung und einrichtung zur durchfuehrung des verfahrens
JPH03154875A (ja) * 1989-11-13 1991-07-02 Dainippon Printing Co Ltd 電気光学結晶を用いた電位センサ及び電位測定方法
US5029273A (en) * 1990-02-02 1991-07-02 The University Of British Columbia Integrated optics Pockels cell voltage sensor
US5113131A (en) * 1990-02-16 1992-05-12 Southern California Edison Company Voltage measuring device having electro-optic sensor and compensator

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU194557U1 (ru) * 2019-09-10 2019-12-16 Публичное акционерное общество "Пермская научно-производственная приборостроительная компания" Оптический чувствительный элемент для измерения электрической разности потенциалов

Also Published As

Publication number Publication date
JPH07507627A (ja) 1995-08-24
JP3253621B2 (ja) 2002-02-04
CA2130825C (en) 2001-04-17
ATE152837T1 (de) 1997-05-15
ZA931069B (en) 1993-12-13
CN1077539A (zh) 1993-10-20
US5559442A (en) 1996-09-24
DE4205509A1 (de) 1993-08-26
HU9402435D0 (en) 1994-10-28
ES2103466T3 (es) 1997-09-16
HU218051B (hu) 2000-05-28
EP0628169B1 (de) 1997-05-07
CN1052304C (zh) 2000-05-10
DE59306405D1 (de) 1997-06-12
EP0628169A1 (de) 1994-12-14
HUT68112A (en) 1995-05-29
CA2130825A1 (en) 1993-08-25
DE9302488U1 (de) 1993-08-12
WO1993017346A1 (de) 1993-09-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2121147C1 (ru) Способ и чувствительный элемент для измерения электрических напряжений и/или напряженностей электрического поля
KR0168441B1 (ko) 전자광학을 이용한 전압 영상시스템
EP0581556A2 (en) Non-contact type probe and non-contact type voltage measuring apparatus
KR100232419B1 (ko) 전계센서
US4781425A (en) Fiber optic apparatus and method for spectrum analysis and filtering
US5029273A (en) Integrated optics Pockels cell voltage sensor
US5210407A (en) Electric field intensity detecting device having a condenser-type antenna and a light modulator
JP2619981B2 (ja) 電磁界強度測定装置
CA1205523A (en) Interferometer device for measurement of magnetic fields and electric current pickup comprising a device of this kind
US6362615B1 (en) Electro-optic voltage sensor for sensing voltage in an E-field
US6128424A (en) Dual purpose input electrode structure for MIOCs (multi-function integrated optics chips)
JPH08304430A (ja) 周波数シフタ及びそれを用いた光学式変位計測装置
RU94040863A (ru) Способ и чувствительный элемент для измерения электрических напряжений и/или напряженностей электрического поля
EP0099539B1 (en) Optical electric-field measuring apparatus
US6930475B2 (en) Method for the temperature-compensated, electro-optical measurement of an electrical voltage and device for carrying out the method
US7102757B2 (en) Current measurement method and device based on a fiber optic in-line Sagnac interferometer
US20170370723A1 (en) Electro-optical Phase Modulator Having Stitched-in Vacuum Stable Waveguide with Minimized Conductivity Contrast
JP3140546B2 (ja) 光磁界測定装置及び方法
Rodríguez-Asomoza et al. Electric field sensing system using a Ti: LiNbO/sub 3/optical coherence modulator
Faria An overview of electrooptic high voltage measuring systems
JP3063369B2 (ja) 磁界検出装置
BR102020026820A2 (pt) Cabeça eletro-óptica de instrumento sensor de tensão elétrica e harmônicos.
Rodríguez-Asomoza et al. Electric signal sensor using an electrooptic coherence modulator
GB1570802A (en) Measuring apparatus employing an electro-optic transducer
SU1327014A1 (ru) Оптоэлектронное устройство дл измерени напр женности электрического пол и напр жени

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20040221