HU218051B - Eljárás és érzékelő villamos feszültség és/vagy villamos térerősség mérésére - Google Patents
Eljárás és érzékelő villamos feszültség és/vagy villamos térerősség mérésére Download PDFInfo
- Publication number
- HU218051B HU218051B HU9402435A HU9402435A HU218051B HU 218051 B HU218051 B HU 218051B HU 9402435 A HU9402435 A HU 9402435A HU 9402435 A HU9402435 A HU 9402435A HU 218051 B HU218051 B HU 218051B
- Authority
- HU
- Hungary
- Prior art keywords
- crystal
- light wave
- electrodes
- axis
- light
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R15/00—Details of measuring arrangements of the types provided for in groups G01R17/00 - G01R29/00, G01R33/00 - G01R33/26 or G01R35/00
- G01R15/14—Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks
- G01R15/24—Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks using light-modulating devices
- G01R15/241—Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks using light-modulating devices using electro-optical modulators, e.g. electro-absorption
- G01R15/242—Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks using light-modulating devices using electro-optical modulators, e.g. electro-absorption based on the Pockels effect, i.e. linear electro-optic effect
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Measuring Instrument Details And Bridges, And Automatic Balancing Devices (AREA)
- Heterocyclic Carbon Compounds Containing A Hetero Ring Having Oxygen Or Sulfur (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Measurement Of Current Or Voltage (AREA)
Abstract
A találmány tárgya eljárás és érzékelő villamos feszültség és/vagyvillamos térerősség mérésére. Az eljárás során kristályban (1) fellépőelektrooptikai hatást alkalmaznak úgy, hogy a kristályon (1)polarizált fényhullámot (17) vezetnek át, és a fényút (21) mentén atérerősség a kristályban (1) és ezáltal a kristály (1) törésmutatója afényúttal (21) párhuzamos, egy feszültségre csatlakoztatott vagycsatlakoztatható elektródákkal (5, 6, 7, 8) változtatható. Afényhullámnak (17) a törésmutató változása által előidézett változásátaz elektródákra (5, 6, 7, 8) adott feszültség mértékeként alkalmazzák.Az elektródákat (5, 6, 7, 8) úgy helyezik el, hogy az elektródákra (5,6, 7, 8) feszültséget adva a kristályban (1) a fényút (21) mentén, afényhullám (17) terjedési irányára (a kristály (1) y vagy xtengelyének irányára) merőlegesen, a kristály (1) z tengelye irányábana villamos térerősségnek (Ez) gradiense keletkezik és ezáltal atörésmutatónak (n) gradiense keletkezik, aminek következtében afényhullám (17) a kristályban (1) a feszültségtől függően kitér, ésezt a kitérést[kitérési tartományt (26)] mérik. Az érzékelőt lapkaalakú kristály (1) képezi, amelynek a felületei (2, 3) a kristály xtengelye és y tengelye által meghatározott síkkal párhuzamosak, ésvastagsága (4) a kristály (1) z tengelyének irányába esik. Afelületeken (2, 3) egymással szemben, egymástól bizonyos távközzel(13) egy-egy pár csík alakú elektróda (5, 6, illetőleg 7, 8) van yvagy x irányban elhelyezve, és az egymással átlósan szemben lévőelektródák (5, 8, illetőleg 6, 7) egymással össze vannak kötve. Akristály (1) y, illetőleg x irányú homlokfelületei (16, 20)becsatolási, helyként (18), illetőleg kicsatolási helyként (19)szolgálnak. ŕ
Description
mos térerősségnek (Ez) gradiense keletkezik és ezáltal a törésmutatónak (n) gradiense keletkezik, aminek következtében a fényhullám (17) a kristályban (1) a feszültségtől függően kitér, és ezt a kitérést [kitérési tartományt (26)] mérik.
Az érzékelőt lapka alakú kristály (1) képezi, amelynek a felületei (2, 3) a kristály x tengelye és y tengelye által meghatározott síkkal párhuzamosak, és vastagsága (4) a kristály (1) z tengelyének irányába esik. A felületeken (2, 3) egymással szemben, egymástól bizonyos távközzel (13) egy-egy pár csík alakú elektróda (5, 6, illetőleg 7, 8) van y vagy x irányban elhelyezve, és az egymással átlósan szemben lévő elektródák (5, 8, illetőleg 6, 7) egymással össze vannak kötve. A kristály (1) y, illetőleg x irányú homlokfelületei (16, 20) becsatolási, helyként (18), illetőleg kicsatolási helyként (19) szolgálnak.
A találmány tárgya eljárás és érzékelő villamos feszültség és/vagy villamos térerősség mérésére. Az eljárás során kristályban fellépő elektrooptikai hatást (Kerr-jelenséget) alkalmazunk. A kristályon egy fényút mentén polarizált fényhullámot vezetünk át. A fényút mentén a kristályban a térerősség és ezáltal a kristály törésmutatója a fényúttal párhuzamos, egy feszültségre csatlakoztatott vagy csatlakoztatható elektródákkal változtatható. A fényhullámnak a törésmutató változása által előidézett változását az elektródákra adott feszültség mértékeként alkalmazzuk. Az érzékelő az eljárás megvalósítására szolgál.
Az ilyen jellegű ismert eljárások és az ezekben alkalmazott érzékelők különböző kristályok lineáris elektrooptikai hatása felhasználásának elvén alapszanak.
Ismeretesek már olyan mérési eljárások és érzékelők, amik azon az elven alapszanak, hogy bizonyos, a fényhullámokat átengedő kristályok törésmutatója a kristályban létesített villamos térerősségtől függően változtatható. Ez az úgynevezett elektrooptikai hatás például lítium-niobát vagy kálium-hidrofoszfát kristályoknál jelentkezik. Két, egy kristálylap felületén egymással párhuzamosan és egymástól bizonyos távolságban elhelyezett elektródát például feszültségmérés végett a mérendő feszültségre kapcsolnak, és a törésmutatónak az ezáltal bekövetkezett változását a ráadott feszültség mértékeként használják.
A törésmutató meghatározására ismeretesek az interferometrikus és a polarometrikus elrendezések. Az interferometrikus eljárás során egy fényhullám fázisát modulálják, és a modulált fázisú fényhullámot egy referenciahullámmal interferáltatják. Ennek következtében a kicsatolt fényhullám intenzitása megváltozik. A polarometrikus elrendezésben a polarizált fényhullám polarizációja a törésmutatótól függően változik, és az intenzitás változását polarizátorral határozzák meg.
Mindkét ismert elrendezés viszonylag jelentős technikai ráfordítást igényel. Emellett az alkalmazandó anyagok megvalósítási problémákat okoznak. Az anyagoknak nagy elektrooptikai hatást kell mutatniuk. Ezenkívül ezeknél az anyagoknál a tiszta elektrooptikai hatás mellett mindig fellép mind piezoelektromos, mind elasztooptikai hatás, amik együttesen ugyanúgy jelennek meg, mint a tiszta elektrooptikai hatás. Az anyag tehetetlensége következtében a kisfrekvenciás tartományban egyrészt az elektrooptikai hatás, másrészt a piezoelektromos és elasztooptikai hatás szuperponálódik egymásra. Az átmeneti tartományt továbbá rezonanciajelenségek jellemzik, amik a kristályrezgésekből erednek.
Ebből következőleg a széles sávú mérőrendszerhez a tiszta elektrooptikai hatást kell használni, vagyis a megfelelő piezoelektromos és elasztooptikai hatásoknak elhanyagolhatóknak kell lenniük.
A polarometrikus elrendezésnél ezt a követelményt egyidejűleg két együtthatóra kell teljesíteni, míg az interferometrikus elrendezésnél elegendő egy együttható. Ennek következtében sokkal többféle anyag áll rendelkezésre a széles sávú interferometrikus mérőrendszer felépítéséhez, mint a széles sávú polarimetrikus mérőrendszer felépítéséhez. Ezzel szemben áll viszont az interferométer jelentős technológiai ráfordítása. Itt továbbá integrált optikai építőelemeket kell alkalmazni, amikre meghatározott módusú, valamint meghatározott polarizációs állapotú optikai teljesítményt kell ráadni. Ennek a technológiának a gyakorlati alkalmazásakor tehát kényszerítőén szükség van egy polarizációtartó fényvezető (erősen kettőstörő szál) alkalmazására.
Találmányunk célja olyan eljárás és ennek az eljárásnak a megvalósítására olyan érzékelő kialakítása, amivel, illetőleg amikkel elvileg megőrizhető az interferometrikus eljárás előnye, mégpedig az, hogy csak egyetlen elektrooptikai együtthatót kell értékelni. Ezenkívül gondoskodni kell arról, hogy a technikai ráfordítás csekély legyen azáltal, hogy nem kell sem integrált optikai technológiát, sem speciális fényvezetőket alkalmazni.
Ezt a feladatot a találmány értelmében úgy oldjuk meg, hogy az eljárás során az elektródákat úgy helyezzük el, hogy az elektródákra feszültséget adva a kristályban a fényút mentén, a fényhullám terjedési irányára (a kristály y vagy x tengelyének irányára) merőlegesen a kristály z tengelyével párhuzamos villamos térerősségnek x vagy y irányú gradiense keletkezik és ezáltal a törésmutatónak a z tengelyre és a terjedési irányra merőleges gradiense keletkezik. Ennek következtében a fényhullám a kristályban a feszültségtől függően kitér. és ezt a kitérést mérjük.
A feladatot a találmány értelmében az érzékelő tekintetében úgy oldjuk meg, hogy az érzékelőt lapka alakú kristály képezi, aminek a felületei a kristály x tengelye és y tengelye által meghatározott síkkal párhuzamosak, és vastagsága a kristály z tengelyének irányába esik. A felületeken egymással szemben, egymástól bizonyos távközzel egy-egy pár csík alakú elektróda van y vagy x irányban elhelyezve. Az egymással átlósan szemben lévő elektródák egymással össze vannak kötve, és a
HU 218 051 Β kristály y, illetőleg x irányú homlokfelületei becsatolási, illetőleg kicsatolási helyként szolgálnak.
A találmány különös előnye, hogy a fényhullámot csak a kristályon kell átvinni, tehát csak abba, illetve abból kell be- és kicsatolni. A kicsatolandó, illetőleg kicsatolt fényhullám kitérése egyszerű eszközökkel megállapítható és értékelhető.
Az eljárás során előnyös módon a kristály z tengelyének irányában polarizált fényhullámot alkalmazunk.
A fényhullámot előnyös módon fényvezetőn át csatoljuk be.
A kitérített fényhullámot előnyös módon a becsatolási hellyel szemben lévő homlokoldalon olyan fényvezetőn át csatoljuk ki, aminek a fényvezető magja kisebb, mint az átcsatolandó fényhullám kitérítési tartománya, úgyhogy a kitérítés előidézi a kicsatolt fényhullám fényintenzitásának megváltozását.
A térerősség mérése végett a villamos erőtérbe előnyös módon egymástól bizonyos távolságban két potenciálfelületet viszünk be, és a kristályt ezek között helyezzük el és ezekre csatlakoztatjuk.
Potenciálfelületekként előnyös módon gömbszondákat vagy félgömbszondákat alkalmazunk.
A kristály előnyös módon lítium-niobát kristály. Találmányunkat annak példaképpeni kiviteli alakjai kapcsán ismertetjük részletesebben ábráink segítségével, amelyek közül az
1. ábra a találmány szerint alkalmazott, feszültségre kapcsolt kristály perspektivikus képe, a
2. ábra az 1. ábra szerinti kristály felülnézete, a
3. ábra az 1. ábra szerinti kristály homlokoldalának nézete, a
4. ábra az n törésmutató x irányú menete, az
5. ábra az Ez térerősség x irányú menete, a
6. ábra egy kitérített fényhullám lehetséges menete, a
7. ábra egy érzékelő elrendezése egy villamos erőtérben lévő két félgömbcsésze között.
Az 1. ábrán látható az 1 kristály, például egy lítiumniobát kristály. Az 1 kristály két felülete - a felső 2 felület és az alsó 3 felület - az 1 kristály x tengelye és y tengelye által meghatározott síkkal párhuzamos, 4 vastagsága pedig az 1 kristály z tengelyének irányába esik, ahogyan ezt a koordináta-rendszerben ábrázoltuk. A következőkben az x irány, y irány és z irány koordinátaadatok mindig a kristálytengelyekre vonatkoznak. A két, 2 és 3 felület egy-egy pár, hossztengelyükkel y irányban kiterjedő, csík alakú 5, 6, illetőleg 7, 8 elektródával van ellátva. Az 5 és 6 elektródából álló elektródapár szemben és fedésben van a 7 és 8 elektródából álló elektródapárral. A két elektródapár, vagyis az 5, 6, illetőleg 7, 8 elektródák a 9 feszültségforrásra vannak csatlakoztatva úgy, hogy az átlósan egymással szemben lévő 5, 8 és 6, 7 elektródák közösen össze vannak kötve a 9 feszültségforrás egy-egy 10, illetőleg 11 kapcsával. Ily módon egyrészt az 5 és 7 elektróda között, másrészt a 6 és 8 elektróda között z irányú Ez villamos erőtér jön létre. Ezek az Ez villamos erőterek azonban a 9 feszültségforrásra való rákapcsolásnak megfelelően egymással ellentétes irányúak. A lineáris elektrooptikai hatás következtében ezért például az 1 kristály n törésmutatója az egyik esetben növekszik, a másik esetben csökken.
Ennek megfelelően a 12 kristályrészben - ami általában valamivel nagyobb, mint a 2 felületen, illetőleg a 3 felületen lévő, egymással párhuzamos 5, 6 és 7, 8 elektródák közötti 13 távköz - a 4. ábra szerint az x irányban folytonosan változó térerősség alakul ki, aminek meghatározott 14 térerősség-gradiense van. Ennek megfelelően az n törésmutató is változik az x irányban, és megfelelő 15 gradienst kapunk, ahogyan ez a 4. ábrán látható.
Az y irányra merőleges egyik 16 homlokfelület egy z irányban polarizált 17 fényhullám becsatolására szolgál. A 18 becsatolási helyet a tárgyalt kiviteli alaknál a homlokfelület közepén választottuk meg. Ennek megfelelő a 19 kicsatolási hely a másik 20 homlokfelületen lehet. A kívánt mérési eredménytől függően azonban a 18 becsatolási helyet és a 19 kicsatolási helyet az 1 kristály más helyein is ki lehet választani, illetőleg alakítani.
A leírt elrendezéssel a következőképpen lehet feszültséget, illetőleg térerősséget mérni.
A z irányban polarizált 17 fényhullámnak az 1 kristály pozitív y irányában történő terjedésekor az n törésmutatónak van egy r33 elektrooptikai együtthatója (ami a lítium-niobát egyetlen, jó közelítésben frekvenciafüggetlen együtthatója):
n=ne-Xn3r33Ez (1) ahol ne=2,200 az extraordinárius törésmutató, és
Ez - a külső villamos erőtér a kristály z irányában.
Ha a térerősség Ez összetevője az x koordináta mentén változik, akkor a törésmutató is a hely függvénye. Az y irányban besugárzott 17 fényhullám fényterjedését ekkor az eikonál-egyenlettel lehet leírni:
|grad Φ (x) |2=n (x)2 (2) ahol Φ a 17 fényhullám eikonálja. A 17 fényhullámhoz tartozó sugarak így a d/ds [n(x) · dr/ds] =grad n(x) (3) sugáregyenletet követik, ahol s - az ívhossz a sugarak mentén, r - a helyvektor. A 17 fényhullám egy lehetséges kitérését a 6. ábrán szaggatott vonallal, illetőleg pontvonallal ábrázoltuk.
A (3) egyenlet megoldásából a fénysugár helyfüggvényére következik, hogy közelítőleg x=l/a[ch(ay)-l] (4) a=M2r33 dEz (x)/dx (5)
Kis φ kitérési szögeket a számítás figyelembevételével a 17’ fénysugárnak az 1 kristályból való kilépésekor az átsugárzott 21 fényúttal, illetőleg annak L hoszszúságával a következőképpen lehet becsülni:
φ~ n2r33 dEz (x)/dx L
A (6) egyenlet alapján nyilvánvalóvá válik, hogy a fényhullám elektrooptikai kitérítése szempontjából az Ez térerősség gradiense a mérvadó. A térerősség ilyen gradienssel rendelkező menete a leírt négyelektródás elrendezéssel megvalósítható.
A 17 fényhullám alkalmas becsatolása és kicsatolása révén a térerősség időbeli menetének megfelelően a 22 értékelőegységen például intenzitásmodulált optikai
HU 218 051 Β jelet lehet kapni, ami megfelel az 5, 6, illetőleg 7, 8 elektródákra adott feszültségnek, illetőleg a megfelelő térerősségnek.
A 17 fényhullám becsatolása történhet a 6. ábra szerint a 16 homlokfelületre csatolt alkalmas 23 fényvezetővel és kicsatolása a 20 homlokfelületre csatolt alkalmas 24 fényvezetővel. A kicsatolási oldalon lévő 24 fényvezető 25 magjának átmérője előnyös módon kisebb, mint a lehetséges 26 kitérítési tartomány. így a 24 fényvezetőnek a 23 fényvezetőhöz képest központos, az ábra szerinti elrendezésével a kitérítést a 24 fényvezetőbe besugárzott fényteljesítmény intenzitásváltozása alapján észlelni lehet.
Villamos erőtér méréséhez a 7. ábra szerint a 27 erőtérbe be lehet vinni két, 28 és 29 potenciálfelületből álló elrendezést. A potenciálfelületeknek legalább az egyik oldala villamosán vezető anyagból készül. A tárgyalt kiviteli alakban a 28 és 29 potenciálfelület félgömbcsészeként van kialakítva. A 28 és 29 potenciálfelület között van a leírt módon kialakított 1 kristály. Az 5, 6, illetve 7, 8 elektródák a 9 feszültségforrás helyett a 28, 29 potenciálfelületekkel vannak összekötve. Ha van villamos 27 erőtér, akkor a 28, 29 potenciálfelületek között villamos feszültség indukálódik, ami az ott fennálló térerősség mértéke, és amit mérni lehet. Ebben a mérési elrendezésben és ennél a mérési módszernél ezért az érzékelő nem külső feszültségre vagy feszültségforrásra van csatlakoztatva, úgyhogy az emiatt egyébként jelentkező erőtértorzulások nem léphetnek fel.
A kicsatolt vagy kicsatolandó 17’ fényhullám kitérését előnyös módon fotodiódával vagy diódasorral, vagy egyéb fotoelemmel érzékeljük, adott esetben egy 30 fényrekeszen át, ami a 6. ábrán látható.
A találmány szerinti eljárást és az eljárás során alkalmazott, találmány szerinti érzékelőt alkalmazni lehet egyenáramhoz vagy kis- és nagyfrekvenciájú feszültséghez, vagy megfelelő állandó vagy változó erőterekhez is.
Amint ez az 1. ábra kapcsán adott leírásból következik, a találmány szerinti eljárás és az eljárás megvalósítására szolgáló érzékelő akkor is teljesen működőképes, ha az x és y kristály tengely az 1. ábra szerinti ábrázoláshoz képest 90°-kal el van forgatva.
Claims (9)
- SZABADALMI IGÉNYPONTOK1. Eljárás villamos feszültség és/vagy villamos térerősség mérésére, aminek során egymásra merőleges x, y és z tengelyekkel jellemezhető kristályban fellépő elektrooptikai hatást alkalmazunk úgy, hogy a kristályon egy fényút mentén polarizált fényhullámot vezetünk át, a fényút mentén a térerősség és ezáltal a kristály törésmutatója a fényúttal párhuzamos, egy feszültségre csatlakoztatott vagy csatlakoztatható elektródákkal változtatható; a fényhullámnak a törésmutató változása által előidézett változását az elektródákra adott feszültség mértékeként alkalmazzuk, azzal jellemezve, hogy az elektródákat (5, 6, illetőleg 7, 8) úgy helyezzük el, hogy az elektródákra (5, 6, illetőleg 7, 8) feszültséget adva a kristályban (1) a fényút (21) mentén, a fényhullám (17) terjedési irányára [a kristály (1) y vagy x tengelyének irányára] merőlegesen, a kristály (1) z tengelyével párhuzamos villamos térerősségnek (Ez) a z tengelyre és a terjedési irányra merőleges gradiense keletezik és ezáltal a törésmutatónak (n) gradiense keletkezik, aminek következtében a fényhullám (17) a kristályban (1) a feszültségtől függően kitér, és ezt a kitérést vagy ennek a kitérésnak a kitérési tartományát (26) mérjük.
- 2. Az 1. igénypont szerinti eljárás, azzal jellemezve, hogy egy lapka alakú kristályon (1), aminek a felületei (2, 3) a kristály x tengelye és y tengelye által meghatározott síkkal párhuzamosak, és vastagsága (4) a kristály z tengelyének irányába esik, mindkét felületen (2, 3) y, illetőleg x irányban egymással szemben, egymástól bizonyos távközzel (13) egy-egy pár elektródát (5, 6, illetőleg 7, 8) helyezünk el, és a fényhullámot (17) a kristály (1) egyik homlokoldalán (16) a távköznél (13) lévő kristályrész közelében lévő becsatolási helyen (18) y irányban, illetőleg x irányban sugározzuk be.
- 3. Az 1. vagy 2. igénypont szerinti eljárás, azzal jellemezve, hogy a fényhullám (17) a kristály (1) z tengelyének irányában lineárisan polarizált.
- 4. Az 1-3. igénypontok bármelyike szerinti eljárás, azzal jellemezve, hogy a fényhullámot (17) fényvezetőn (23) át csatoljuk be a kristályba (1).
- 5. Az 1-4. igénypontok bármelyike szerinti eljárás, azzal jellemezve, hogy a kitérített fényhullámot (17’) a becsatolási hellyel (18) szemben lévő homlokoldalon (20) olyan fényvezetőn (24) át csatoljuk ki, amelynek a fényvezető magja (25) kisebb, mint a kicsatolandó fényhullám (17) kitérítési tartománya (26), úgyhogy a kitérítés előidézi a kicsatolt fényhullám (17’) fényintenzitásának megváltozását.
- 6. Az 1-5. igénypontok bármelyike szerinti eljárás, azzal jellemezve, hogy térerősség mérése végett a villamos erőtérbe (27) egymástól bizonyos távolságban két potenciálfelületet (28, 29) viszünk be, és a kristályt (1) ezek között helyezzük el és ezekre csatlakoztatjuk.
- 7. A 6. igénypont szerinti eljárás, azzal jellemezve, hogy potenciálfelületekként (28, 29) gömbszondákat vagy félgömbszondákat alkalmazunk.
- 8. Érzékelő az 1-7. igénypontok bármelyike szerinti eljárás megvalósítására, azzal jellemezve, hogy az érzékelőt lapka alakú kristály (1) képezi, amelynek a felületei (2, 3) a kristály x tengelye és y tengelye által meghatározott síkkal párhuzamosak, és vastagsága (4) a kristály (1) z tengelyének irányába esik; a felületeken (2, 3) egymással szemben, egymástól bizonyos távközzel (13) egy-egy pár csík alakú elektróda (5, 6, illetőleg 7, 8) van y vagy x irányban elhelyezve, és az egymással átlósan szemben lévő elektródák (5, 8, illetőleg 6, 7) egymással össze vannak kötve, és a kristály (1) y, illetőleg x irányú homlokfelületei (16, 20) becsatolási helyként (18), illetőleg kicsatolási helyként szolgálnak.
- 9. A 8. igénypont szerinti érzékelő, azzal jellemezve, hogy a kristály (1) lítium-niobát kristály.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE4205509A DE4205509A1 (de) | 1992-02-24 | 1992-02-24 | Verfahren und sensor zum messen von elektrischen spannungen und/oder elektrischen feldstaerken |
| US08/294,029 US5559442A (en) | 1992-02-24 | 1994-08-24 | Process and sensor for measuring electric voltages and/or electric field intensities |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| HU9402435D0 HU9402435D0 (en) | 1994-10-28 |
| HUT68112A HUT68112A (en) | 1995-05-29 |
| HU218051B true HU218051B (hu) | 2000-05-28 |
Family
ID=25912110
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| HU9402435A HU218051B (hu) | 1992-02-24 | 1993-02-20 | Eljárás és érzékelő villamos feszültség és/vagy villamos térerősség mérésére |
Country Status (12)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5559442A (hu) |
| EP (1) | EP0628169B1 (hu) |
| JP (1) | JP3253621B2 (hu) |
| CN (1) | CN1052304C (hu) |
| AT (1) | ATE152837T1 (hu) |
| CA (1) | CA2130825C (hu) |
| DE (3) | DE4205509A1 (hu) |
| ES (1) | ES2103466T3 (hu) |
| HU (1) | HU218051B (hu) |
| RU (1) | RU2121147C1 (hu) |
| WO (1) | WO1993017346A1 (hu) |
| ZA (1) | ZA931069B (hu) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4416298A1 (de) * | 1994-05-09 | 1995-11-16 | Abb Research Ltd | Verfahren und Vorrichtung zur optischen Ermittlung einer physikalischen Größe |
| DE69528866T2 (de) * | 1994-08-12 | 2003-03-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Optischer Sensor |
| DE19634251A1 (de) * | 1996-08-26 | 1998-03-05 | Abb Patent Gmbh | Spannungswandler |
| FR2764390B1 (fr) * | 1997-06-06 | 1999-07-16 | Gec Alsthom T D Balteau | Capteur electro-optique a diviseur de tension massif |
| US6252388B1 (en) * | 1998-12-04 | 2001-06-26 | Nxtphase Corporation | Method and apparatus for measuring voltage using electric field sensors |
| US6749735B1 (en) | 2000-03-16 | 2004-06-15 | David Le Febre | Electromobility focusing controlled channel electrophoresis system |
| CN101408558B (zh) * | 2008-09-10 | 2011-07-06 | 湾世伟 | 微型光学直流交流电场传感器 |
| KR20110041114A (ko) * | 2009-10-15 | 2011-04-21 | 삼성전자주식회사 | 다양한 광픽업이 연결가능한 광 재생장치 및 그의 광픽업 제어방법 |
| CN103226162B (zh) * | 2013-03-26 | 2015-04-15 | 北京航空航天大学 | 一种基于双光路补偿的光波导电压传感器 |
| BR112016027835B1 (pt) * | 2014-06-06 | 2022-01-25 | Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial Systems Corporation | Aparelho de medição de distribuição de potencial de superfície tridimensional |
| CN104613879B (zh) * | 2015-01-19 | 2018-03-20 | 无锡名谷科技有限公司 | 一种硅片厚度测量装置及测量方法 |
| RU194557U1 (ru) * | 2019-09-10 | 2019-12-16 | Публичное акционерное общество "Пермская научно-производственная приборостроительная компания" | Оптический чувствительный элемент для измерения электрической разности потенциалов |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2341073B2 (de) * | 1973-08-10 | 1980-01-10 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Meßeinrichtung für die Spannung in einer gekapselten Hochspannungsschaltanlage |
| JPS58109859A (ja) * | 1981-12-24 | 1983-06-30 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光による電圧・電界測定器 |
| JPS59147274A (ja) * | 1983-02-10 | 1984-08-23 | Hitachi Ltd | 光方式電界測定装置 |
| US4755036A (en) * | 1985-02-07 | 1988-07-05 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Apparatus for deflecting light beam |
| JPH0695113B2 (ja) * | 1987-06-10 | 1994-11-24 | 浜松ホトニクス株式会社 | 電圧検出装置 |
| JP2537364B2 (ja) * | 1987-06-10 | 1996-09-25 | 浜松ホトニクス株式会社 | 電圧検出装置 |
| JPH01320473A (ja) * | 1988-06-22 | 1989-12-26 | Anritsu Corp | 電気光学効果素子及びそれを用いた電気信号波形測定装置 |
| DE3924369A1 (de) * | 1989-07-22 | 1991-01-31 | Asea Brown Boveri | Verfahren zur messung eines elektrischen feldes oder einer elektrischen spannung und einrichtung zur durchfuehrung des verfahrens |
| JPH03154875A (ja) * | 1989-11-13 | 1991-07-02 | Dainippon Printing Co Ltd | 電気光学結晶を用いた電位センサ及び電位測定方法 |
| US5029273A (en) * | 1990-02-02 | 1991-07-02 | The University Of British Columbia | Integrated optics Pockels cell voltage sensor |
| US5113131A (en) * | 1990-02-16 | 1992-05-12 | Southern California Edison Company | Voltage measuring device having electro-optic sensor and compensator |
-
1992
- 1992-02-24 DE DE4205509A patent/DE4205509A1/de not_active Withdrawn
-
1993
- 1993-02-16 ZA ZA931069A patent/ZA931069B/xx unknown
- 1993-02-20 DE DE9302488U patent/DE9302488U1/de not_active Expired - Lifetime
- 1993-02-20 AT AT93903825T patent/ATE152837T1/de not_active IP Right Cessation
- 1993-02-20 DE DE59306405T patent/DE59306405D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1993-02-20 JP JP51445393A patent/JP3253621B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1993-02-20 CA CA002130825A patent/CA2130825C/en not_active Expired - Fee Related
- 1993-02-20 RU RU94040863/09A patent/RU2121147C1/ru not_active IP Right Cessation
- 1993-02-20 WO PCT/DE1993/000162 patent/WO1993017346A1/de active IP Right Grant
- 1993-02-20 ES ES93903825T patent/ES2103466T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1993-02-20 HU HU9402435A patent/HU218051B/hu not_active IP Right Cessation
- 1993-02-20 EP EP93903825A patent/EP0628169B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1993-02-23 CN CN93101957A patent/CN1052304C/zh not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-08-24 US US08/294,029 patent/US5559442A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| ZA931069B (en) | 1993-12-13 |
| WO1993017346A1 (de) | 1993-09-02 |
| ES2103466T3 (es) | 1997-09-16 |
| JP3253621B2 (ja) | 2002-02-04 |
| CA2130825C (en) | 2001-04-17 |
| CA2130825A1 (en) | 1993-08-25 |
| CN1052304C (zh) | 2000-05-10 |
| CN1077539A (zh) | 1993-10-20 |
| HUT68112A (en) | 1995-05-29 |
| EP0628169B1 (de) | 1997-05-07 |
| US5559442A (en) | 1996-09-24 |
| EP0628169A1 (de) | 1994-12-14 |
| RU2121147C1 (ru) | 1998-10-27 |
| DE4205509A1 (de) | 1993-08-26 |
| DE59306405D1 (de) | 1997-06-12 |
| DE9302488U1 (hu) | 1993-08-12 |
| JPH07507627A (ja) | 1995-08-24 |
| HU9402435D0 (en) | 1994-10-28 |
| ATE152837T1 (de) | 1997-05-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5781003A (en) | Electric field sensor | |
| EP0390581B1 (en) | Instrument for concurrently optically measuring thermal and electric quantities | |
| HU218051B (hu) | Eljárás és érzékelő villamos feszültség és/vagy villamos térerősség mérésére | |
| US5210407A (en) | Electric field intensity detecting device having a condenser-type antenna and a light modulator | |
| EP0351171B1 (en) | Method and apparatus for optically measuring electric and magnetic quantities | |
| US5029273A (en) | Integrated optics Pockels cell voltage sensor | |
| JPH04172261A (ja) | 電磁界強度測定装置 | |
| JP2619981B2 (ja) | 電磁界強度測定装置 | |
| JPH0121481B2 (hu) | ||
| JP2526143B2 (ja) | 光ファイバ回転検出システム | |
| US11415613B2 (en) | Electric field detection device and electric field detector | |
| US5629793A (en) | Frequency shifter and optical displacement measurement apparatus using the same | |
| RU94040863A (ru) | Способ и чувствительный элемент для измерения электрических напряжений и/или напряженностей электрического поля | |
| Niewczas et al. | Vibration compensation technique for an optical current transducer | |
| JPH09211035A (ja) | 電界測定装置 | |
| JPH0829457A (ja) | 電界センサ装置 | |
| Suzuki et al. | EO probe for simultaneous electric and magnetic near-field measurements using LiNbO/sub 3/with inverted domain | |
| JPH0237545B2 (ja) | Hikarinyorudenkai*jikaisokuteiki | |
| JPH0322595B2 (hu) | ||
| JPH04350574A (ja) | 電気光学効果を用いた電界センサ装置 | |
| JPH09281156A (ja) | 光電界測定装置 | |
| JPH0271160A (ja) | 電気光学サンプラ及びそれを利用した電気信号波形測定装置 | |
| JPH0560818A (ja) | 光方式の電界測定装置 | |
| JPH0835998A (ja) | 計測器用プローブ及び電圧計測方法 | |
| GB2345549A (en) | Magnetic field sensors |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| DFD9 | Temporary protection cancelled due to non-payment of fee | ||
| DNF4 | Restoration of lapsed final protection | ||
| HMM4 | Cancellation of final prot. due to non-payment of fee |