RU94040863A - Способ и чувствительный элемент для измерения электрических напряжений и/или напряженностей электрического поля - Google Patents
Способ и чувствительный элемент для измерения электрических напряжений и/или напряженностей электрического поляInfo
- Publication number
- RU94040863A RU94040863A RU94040863/09A RU94040863A RU94040863A RU 94040863 A RU94040863 A RU 94040863A RU 94040863/09 A RU94040863/09 A RU 94040863/09A RU 94040863 A RU94040863 A RU 94040863A RU 94040863 A RU94040863 A RU 94040863A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- crystal
- light
- light wave
- electrodes
- electric field
- Prior art date
Links
- 230000005684 electric field Effects 0.000 title claims 4
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N Lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 claims 1
Claims (9)
1. Способ для измерения электрических напряжений и/или напряженностей электрического поля при применении появляющегося в кристалле электрооптического эффекта, согласно которому поляризованную световую волну пропускают через кристалл и изменяют или могут изменить по ходу света напряженность поля в кристалле и тем самым показатель преломления кристалла посредством проходящих параллельно к ходу света, присоединенных или присоединяемых к напряжению электродов, а создаваемое в результате изменения показателя преломления изменение световой волны используют в качестве меры для подаваемого на электроды напряжения, отличающееся тем, что электроды (5, 6 или 7, 8) устанавливают таким образом, что при поданном на электроды (5, 6 или 7, 8) напряжении (9, 10, 11) в кристалле (1) по ходу света (21) поперек к направлению распространения (направление Y или X к оси кристалла) световой волны (17) появляется градиент напряженности электрического поля (Ez) в направлении Z к оси кристалла (1), и тем самым градиент показатель преломления (n), в результате чего отклоняют световую волну (17) в кристалле (1) в зависимости от напряжения и это отклонение (зона отклонения 26) измеряют.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что на имеющем форму пластинки кристалле (1), поверхности которого (2, 3) проходят в направлении X-Y, а толщина которого (4) проходит в Z-направлении, на каждой поверхности (2, 3) напротив друг друга устанавливают соответственно по одной паре проходящих в Y- или X-направлении и в X- или Y-направлении на расстоянии (13) друг от друга электродов (5, 6 или 7, 8), а световая волна (17) проникает на торцевой стороне (16) кристалла (1) в точке (18), находящейся в зоне (12) расстояния (13) в Y- или X-направлении.
3. Способ по п. 1 или 2, отличающийся тем, что применяют поляризованную в направлении Z оси кристалла (1) световую волну (17).
4. Способ по одному из пп.1 - 3, отличающийся тем, что световую волну (17) вводят через световод (23).
5. Способ по одному из пп. 1 - 4, отличающийся тем, что отвод отклоненной световой волны (17') осуществляют на противоположной вводу торцевой стороне (20) через световод (24), светопроводящий керн (25) которого меньше зоны отклонения (26) отводимой световой волны (17), так что отклонение вызывает изменение силы света отводимой световой волны (17').
6. Способ по одному из пп. 1 - 5, отличающийся тем, что измерения напряженности поля в электрическое поле (27) помещают на некотором расстоянии друг от друга две потенциальные поверхности (28, 29), а кристалл (1) располагают между ними и подключают к ним.
7. Способ по п. 6, отличающийся тем, что в качестве потенциальных поверхностей применяют сферические насадки или полусферические насадки (28, 29).
8. Чувствительный элемент для осуществления способа по одному из пп. 1 - 7, отличающийся тем, что он состоит из имеющего форму пластинки кристалла (1), поверхности которого (2, 3) расположены в направлении его осей X и Y, а его толщина (4) в направлении оси Z, что на поверхностях (2, 3) напротив друг друга расположены соответственно по одной паре полосообразных электродов (5, 6 или 7, 8) на расстоянии (13) друг от друга в Y- или X-направлении, а соответственно диаметрально расположенные друг другу электроды (5, 8 или 6, 7) соединены друг с другом, а торцевые поверхности (16, 20) кристалла (1) в Y- или X-направлении служат местом ввода или отвода.
9. Чувствительный элемент по п. 8, отличающийся тем, что кристалл (1) состоит из ниобата лития.
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DEP4205509.1 | 1992-02-24 | ||
DE4205509A DE4205509A1 (de) | 1992-02-24 | 1992-02-24 | Verfahren und sensor zum messen von elektrischen spannungen und/oder elektrischen feldstaerken |
DEP42.05509.1 | 1992-02-24 | ||
US08/294,029 US5559442A (en) | 1992-02-24 | 1994-08-24 | Process and sensor for measuring electric voltages and/or electric field intensities |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU94040863A true RU94040863A (ru) | 1998-02-27 |
RU2121147C1 RU2121147C1 (ru) | 1998-10-27 |
Family
ID=25912110
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU94040863/09A RU2121147C1 (ru) | 1992-02-24 | 1993-02-20 | Способ и чувствительный элемент для измерения электрических напряжений и/или напряженностей электрического поля |
Country Status (12)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5559442A (ru) |
EP (1) | EP0628169B1 (ru) |
JP (1) | JP3253621B2 (ru) |
CN (1) | CN1052304C (ru) |
AT (1) | ATE152837T1 (ru) |
CA (1) | CA2130825C (ru) |
DE (3) | DE4205509A1 (ru) |
ES (1) | ES2103466T3 (ru) |
HU (1) | HU218051B (ru) |
RU (1) | RU2121147C1 (ru) |
WO (1) | WO1993017346A1 (ru) |
ZA (1) | ZA931069B (ru) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4416298A1 (de) * | 1994-05-09 | 1995-11-16 | Abb Research Ltd | Verfahren und Vorrichtung zur optischen Ermittlung einer physikalischen Größe |
DE69528866T2 (de) * | 1994-08-12 | 2003-03-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Optischer Sensor |
DE19634251A1 (de) * | 1996-08-26 | 1998-03-05 | Abb Patent Gmbh | Spannungswandler |
FR2764390B1 (fr) * | 1997-06-06 | 1999-07-16 | Gec Alsthom T D Balteau | Capteur electro-optique a diviseur de tension massif |
US6252388B1 (en) * | 1998-12-04 | 2001-06-26 | Nxtphase Corporation | Method and apparatus for measuring voltage using electric field sensors |
US6749735B1 (en) | 2000-03-16 | 2004-06-15 | David Le Febre | Electromobility focusing controlled channel electrophoresis system |
CN101408558B (zh) * | 2008-09-10 | 2011-07-06 | 湾世伟 | 微型光学直流交流电场传感器 |
KR20110041114A (ko) * | 2009-10-15 | 2011-04-21 | 삼성전자주식회사 | 다양한 광픽업이 연결가능한 광 재생장치 및 그의 광픽업 제어방법 |
CN103226162B (zh) * | 2013-03-26 | 2015-04-15 | 北京航空航天大学 | 一种基于双光路补偿的光波导电压传感器 |
BR112016027835B1 (pt) * | 2014-06-06 | 2022-01-25 | Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial Systems Corporation | Aparelho de medição de distribuição de potencial de superfície tridimensional |
CN104613879B (zh) * | 2015-01-19 | 2018-03-20 | 无锡名谷科技有限公司 | 一种硅片厚度测量装置及测量方法 |
RU194557U1 (ru) * | 2019-09-10 | 2019-12-16 | Публичное акционерное общество "Пермская научно-производственная приборостроительная компания" | Оптический чувствительный элемент для измерения электрической разности потенциалов |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2341073B2 (de) * | 1973-08-10 | 1980-01-10 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Meßeinrichtung für die Spannung in einer gekapselten Hochspannungsschaltanlage |
JPS58109859A (ja) * | 1981-12-24 | 1983-06-30 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光による電圧・電界測定器 |
JPS59147274A (ja) * | 1983-02-10 | 1984-08-23 | Hitachi Ltd | 光方式電界測定装置 |
US4755036A (en) * | 1985-02-07 | 1988-07-05 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Apparatus for deflecting light beam |
JPH0695113B2 (ja) * | 1987-06-10 | 1994-11-24 | 浜松ホトニクス株式会社 | 電圧検出装置 |
JP2537364B2 (ja) * | 1987-06-10 | 1996-09-25 | 浜松ホトニクス株式会社 | 電圧検出装置 |
JPH01320473A (ja) * | 1988-06-22 | 1989-12-26 | Anritsu Corp | 電気光学効果素子及びそれを用いた電気信号波形測定装置 |
DE3924369A1 (de) * | 1989-07-22 | 1991-01-31 | Asea Brown Boveri | Verfahren zur messung eines elektrischen feldes oder einer elektrischen spannung und einrichtung zur durchfuehrung des verfahrens |
JPH03154875A (ja) * | 1989-11-13 | 1991-07-02 | Dainippon Printing Co Ltd | 電気光学結晶を用いた電位センサ及び電位測定方法 |
US5029273A (en) * | 1990-02-02 | 1991-07-02 | The University Of British Columbia | Integrated optics Pockels cell voltage sensor |
US5113131A (en) * | 1990-02-16 | 1992-05-12 | Southern California Edison Company | Voltage measuring device having electro-optic sensor and compensator |
-
1992
- 1992-02-24 DE DE4205509A patent/DE4205509A1/de not_active Withdrawn
-
1993
- 1993-02-16 ZA ZA931069A patent/ZA931069B/xx unknown
- 1993-02-20 DE DE9302488U patent/DE9302488U1/de not_active Expired - Lifetime
- 1993-02-20 AT AT93903825T patent/ATE152837T1/de not_active IP Right Cessation
- 1993-02-20 DE DE59306405T patent/DE59306405D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1993-02-20 JP JP51445393A patent/JP3253621B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1993-02-20 CA CA002130825A patent/CA2130825C/en not_active Expired - Fee Related
- 1993-02-20 RU RU94040863/09A patent/RU2121147C1/ru not_active IP Right Cessation
- 1993-02-20 WO PCT/DE1993/000162 patent/WO1993017346A1/de active IP Right Grant
- 1993-02-20 ES ES93903825T patent/ES2103466T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1993-02-20 HU HU9402435A patent/HU218051B/hu not_active IP Right Cessation
- 1993-02-20 EP EP93903825A patent/EP0628169B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1993-02-23 CN CN93101957A patent/CN1052304C/zh not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-08-24 US US08/294,029 patent/US5559442A/en not_active Expired - Fee Related
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4618819A (en) | Measurement of electrical signals with subpicosecond resolution | |
RU94040863A (ru) | Способ и чувствительный элемент для измерения электрических напряжений и/или напряженностей электрического поля | |
EP0160209B1 (en) | Measurement of electrical signals with subpicosecond resolution | |
KR920704147A (ko) | 일체형 광학 포켈즈 셀 전압 센서 | |
Hidaka | Progress in Japan of space charge field measurement in gaseous dielectrics using a Pockels sensor | |
Nagatsuma et al. | Subpicosecond sampling using a noncontact electro‐optic probe | |
US4102579A (en) | Optical apparatus | |
US4891580A (en) | Electro-optic measurements of voltage waveforms on electrical conductors | |
Arnold et al. | Efficient generation of surface acoustic waves by thermoelasticity | |
RU2121147C1 (ru) | Способ и чувствительный элемент для измерения электрических напряжений и/или напряженностей электрического поля | |
Hidaka et al. | Simultaneous measurement of two orthogonal components of electric field using a Pockels device | |
Porte et al. | An LiNbO/sub 3/integrated coherence modulator | |
CA2279068A1 (en) | Dual purpose input electrode structure for miocs (multi-function integrated optics chips) | |
CN105182094B (zh) | 集成光学二维电场传感器及测量系统 | |
Zhang et al. | LiNbO 3 Crystal Intense Electric Field Sensor Coupled with Twisted Polarization Maintaining Fiber | |
Wooten et al. | Test structures for characterization of electrooptic waveguide modulators in lithium niobate | |
Yamashita et al. | Distributed capacitance of a thin-film electrooptic light modulator | |
Takahashi | Development of Micro sensors for Measuring Electric Fields by Using Pockels Crystal | |
JPH03167490A (ja) | 実装プリント板試験装置 | |
Hofmann et al. | Simulations of the potential distribution and the resulting measurement signal in longitudinal external electro-optic probe tips | |
Betts et al. | Experimental evaluation of drift and nonlinearities in lithium niobate interferometric modulators | |
Laybourn | Observation of modes in a glass ribbon waveguide | |
Nelson et al. | Fiber optic electric field sensor configurations for high bandwidth lightning research measurement applications | |
Barthod et al. | Design and optimization of an optical high electric field sensor | |
JPH02172250A (ja) | 半導体集積回路 |