RU94040863A - Способ и чувствительный элемент для измерения электрических напряжений и/или напряженностей электрического поля - Google Patents

Способ и чувствительный элемент для измерения электрических напряжений и/или напряженностей электрического поля

Info

Publication number
RU94040863A
RU94040863A RU94040863/09A RU94040863A RU94040863A RU 94040863 A RU94040863 A RU 94040863A RU 94040863/09 A RU94040863/09 A RU 94040863/09A RU 94040863 A RU94040863 A RU 94040863A RU 94040863 A RU94040863 A RU 94040863A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
crystal
light
light wave
electrodes
electric field
Prior art date
Application number
RU94040863/09A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2121147C1 (ru
Inventor
Пайер Дирк
Хирш Хольгер
Original Assignee
МВБ Хай Волтадж Системз ГмбХ
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from DE4205509A external-priority patent/DE4205509A1/de
Application filed by МВБ Хай Волтадж Системз ГмбХ filed Critical МВБ Хай Волтадж Системз ГмбХ
Publication of RU94040863A publication Critical patent/RU94040863A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2121147C1 publication Critical patent/RU2121147C1/ru

Links

Claims (9)

1. Способ для измерения электрических напряжений и/или напряженностей электрического поля при применении появляющегося в кристалле электрооптического эффекта, согласно которому поляризованную световую волну пропускают через кристалл и изменяют или могут изменить по ходу света напряженность поля в кристалле и тем самым показатель преломления кристалла посредством проходящих параллельно к ходу света, присоединенных или присоединяемых к напряжению электродов, а создаваемое в результате изменения показателя преломления изменение световой волны используют в качестве меры для подаваемого на электроды напряжения, отличающееся тем, что электроды (5, 6 или 7, 8) устанавливают таким образом, что при поданном на электроды (5, 6 или 7, 8) напряжении (9, 10, 11) в кристалле (1) по ходу света (21) поперек к направлению распространения (направление Y или X к оси кристалла) световой волны (17) появляется градиент напряженности электрического поля (Ez) в направлении Z к оси кристалла (1), и тем самым градиент показатель преломления (n), в результате чего отклоняют световую волну (17) в кристалле (1) в зависимости от напряжения и это отклонение (зона отклонения 26) измеряют.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что на имеющем форму пластинки кристалле (1), поверхности которого (2, 3) проходят в направлении X-Y, а толщина которого (4) проходит в Z-направлении, на каждой поверхности (2, 3) напротив друг друга устанавливают соответственно по одной паре проходящих в Y- или X-направлении и в X- или Y-направлении на расстоянии (13) друг от друга электродов (5, 6 или 7, 8), а световая волна (17) проникает на торцевой стороне (16) кристалла (1) в точке (18), находящейся в зоне (12) расстояния (13) в Y- или X-направлении.
3. Способ по п. 1 или 2, отличающийся тем, что применяют поляризованную в направлении Z оси кристалла (1) световую волну (17).
4. Способ по одному из пп.1 - 3, отличающийся тем, что световую волну (17) вводят через световод (23).
5. Способ по одному из пп. 1 - 4, отличающийся тем, что отвод отклоненной световой волны (17') осуществляют на противоположной вводу торцевой стороне (20) через световод (24), светопроводящий керн (25) которого меньше зоны отклонения (26) отводимой световой волны (17), так что отклонение вызывает изменение силы света отводимой световой волны (17').
6. Способ по одному из пп. 1 - 5, отличающийся тем, что измерения напряженности поля в электрическое поле (27) помещают на некотором расстоянии друг от друга две потенциальные поверхности (28, 29), а кристалл (1) располагают между ними и подключают к ним.
7. Способ по п. 6, отличающийся тем, что в качестве потенциальных поверхностей применяют сферические насадки или полусферические насадки (28, 29).
8. Чувствительный элемент для осуществления способа по одному из пп. 1 - 7, отличающийся тем, что он состоит из имеющего форму пластинки кристалла (1), поверхности которого (2, 3) расположены в направлении его осей X и Y, а его толщина (4) в направлении оси Z, что на поверхностях (2, 3) напротив друг друга расположены соответственно по одной паре полосообразных электродов (5, 6 или 7, 8) на расстоянии (13) друг от друга в Y- или X-направлении, а соответственно диаметрально расположенные друг другу электроды (5, 8 или 6, 7) соединены друг с другом, а торцевые поверхности (16, 20) кристалла (1) в Y- или X-направлении служат местом ввода или отвода.
9. Чувствительный элемент по п. 8, отличающийся тем, что кристалл (1) состоит из ниобата лития.
RU94040863/09A 1992-02-24 1993-02-20 Способ и чувствительный элемент для измерения электрических напряжений и/или напряженностей электрического поля RU2121147C1 (ru)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DEP4205509.1 1992-02-24
DE4205509A DE4205509A1 (de) 1992-02-24 1992-02-24 Verfahren und sensor zum messen von elektrischen spannungen und/oder elektrischen feldstaerken
DEP42.05509.1 1992-02-24
US08/294,029 US5559442A (en) 1992-02-24 1994-08-24 Process and sensor for measuring electric voltages and/or electric field intensities

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU94040863A true RU94040863A (ru) 1998-02-27
RU2121147C1 RU2121147C1 (ru) 1998-10-27

Family

ID=25912110

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU94040863/09A RU2121147C1 (ru) 1992-02-24 1993-02-20 Способ и чувствительный элемент для измерения электрических напряжений и/или напряженностей электрического поля

Country Status (12)

Country Link
US (1) US5559442A (ru)
EP (1) EP0628169B1 (ru)
JP (1) JP3253621B2 (ru)
CN (1) CN1052304C (ru)
AT (1) ATE152837T1 (ru)
CA (1) CA2130825C (ru)
DE (3) DE4205509A1 (ru)
ES (1) ES2103466T3 (ru)
HU (1) HU218051B (ru)
RU (1) RU2121147C1 (ru)
WO (1) WO1993017346A1 (ru)
ZA (1) ZA931069B (ru)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4416298A1 (de) * 1994-05-09 1995-11-16 Abb Research Ltd Verfahren und Vorrichtung zur optischen Ermittlung einer physikalischen Größe
DE69528866T2 (de) * 1994-08-12 2003-03-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd Optischer Sensor
DE19634251A1 (de) * 1996-08-26 1998-03-05 Abb Patent Gmbh Spannungswandler
FR2764390B1 (fr) * 1997-06-06 1999-07-16 Gec Alsthom T D Balteau Capteur electro-optique a diviseur de tension massif
US6252388B1 (en) * 1998-12-04 2001-06-26 Nxtphase Corporation Method and apparatus for measuring voltage using electric field sensors
US6749735B1 (en) 2000-03-16 2004-06-15 David Le Febre Electromobility focusing controlled channel electrophoresis system
CN101408558B (zh) * 2008-09-10 2011-07-06 湾世伟 微型光学直流交流电场传感器
KR20110041114A (ko) * 2009-10-15 2011-04-21 삼성전자주식회사 다양한 광픽업이 연결가능한 광 재생장치 및 그의 광픽업 제어방법
CN103226162B (zh) * 2013-03-26 2015-04-15 北京航空航天大学 一种基于双光路补偿的光波导电压传感器
BR112016027835B1 (pt) * 2014-06-06 2022-01-25 Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial Systems Corporation Aparelho de medição de distribuição de potencial de superfície tridimensional
CN104613879B (zh) * 2015-01-19 2018-03-20 无锡名谷科技有限公司 一种硅片厚度测量装置及测量方法
RU194557U1 (ru) * 2019-09-10 2019-12-16 Публичное акционерное общество "Пермская научно-производственная приборостроительная компания" Оптический чувствительный элемент для измерения электрической разности потенциалов

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2341073B2 (de) * 1973-08-10 1980-01-10 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Meßeinrichtung für die Spannung in einer gekapselten Hochspannungsschaltanlage
JPS58109859A (ja) * 1981-12-24 1983-06-30 Sumitomo Electric Ind Ltd 光による電圧・電界測定器
JPS59147274A (ja) * 1983-02-10 1984-08-23 Hitachi Ltd 光方式電界測定装置
US4755036A (en) * 1985-02-07 1988-07-05 Brother Kogyo Kabushiki Kaisha Apparatus for deflecting light beam
JPH0695113B2 (ja) * 1987-06-10 1994-11-24 浜松ホトニクス株式会社 電圧検出装置
JP2537364B2 (ja) * 1987-06-10 1996-09-25 浜松ホトニクス株式会社 電圧検出装置
JPH01320473A (ja) * 1988-06-22 1989-12-26 Anritsu Corp 電気光学効果素子及びそれを用いた電気信号波形測定装置
DE3924369A1 (de) * 1989-07-22 1991-01-31 Asea Brown Boveri Verfahren zur messung eines elektrischen feldes oder einer elektrischen spannung und einrichtung zur durchfuehrung des verfahrens
JPH03154875A (ja) * 1989-11-13 1991-07-02 Dainippon Printing Co Ltd 電気光学結晶を用いた電位センサ及び電位測定方法
US5029273A (en) * 1990-02-02 1991-07-02 The University Of British Columbia Integrated optics Pockels cell voltage sensor
US5113131A (en) * 1990-02-16 1992-05-12 Southern California Edison Company Voltage measuring device having electro-optic sensor and compensator

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4618819A (en) Measurement of electrical signals with subpicosecond resolution
RU94040863A (ru) Способ и чувствительный элемент для измерения электрических напряжений и/или напряженностей электрического поля
EP0160209B1 (en) Measurement of electrical signals with subpicosecond resolution
KR920704147A (ko) 일체형 광학 포켈즈 셀 전압 센서
Hidaka Progress in Japan of space charge field measurement in gaseous dielectrics using a Pockels sensor
Nagatsuma et al. Subpicosecond sampling using a noncontact electro‐optic probe
US4102579A (en) Optical apparatus
US4891580A (en) Electro-optic measurements of voltage waveforms on electrical conductors
Arnold et al. Efficient generation of surface acoustic waves by thermoelasticity
RU2121147C1 (ru) Способ и чувствительный элемент для измерения электрических напряжений и/или напряженностей электрического поля
Hidaka et al. Simultaneous measurement of two orthogonal components of electric field using a Pockels device
Porte et al. An LiNbO/sub 3/integrated coherence modulator
CA2279068A1 (en) Dual purpose input electrode structure for miocs (multi-function integrated optics chips)
CN105182094B (zh) 集成光学二维电场传感器及测量系统
Zhang et al. LiNbO 3 Crystal Intense Electric Field Sensor Coupled with Twisted Polarization Maintaining Fiber
Wooten et al. Test structures for characterization of electrooptic waveguide modulators in lithium niobate
Yamashita et al. Distributed capacitance of a thin-film electrooptic light modulator
Takahashi Development of Micro sensors for Measuring Electric Fields by Using Pockels Crystal
JPH03167490A (ja) 実装プリント板試験装置
Hofmann et al. Simulations of the potential distribution and the resulting measurement signal in longitudinal external electro-optic probe tips
Betts et al. Experimental evaluation of drift and nonlinearities in lithium niobate interferometric modulators
Laybourn Observation of modes in a glass ribbon waveguide
Nelson et al. Fiber optic electric field sensor configurations for high bandwidth lightning research measurement applications
Barthod et al. Design and optimization of an optical high electric field sensor
JPH02172250A (ja) 半導体集積回路