RU2114487C1 - Способ магнетронного распыления - Google Patents

Способ магнетронного распыления Download PDF

Info

Publication number
RU2114487C1
RU2114487C1 RU96110930A RU96110930A RU2114487C1 RU 2114487 C1 RU2114487 C1 RU 2114487C1 RU 96110930 A RU96110930 A RU 96110930A RU 96110930 A RU96110930 A RU 96110930A RU 2114487 C1 RU2114487 C1 RU 2114487C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
discharge gap
discharge
voltage
spraying
capacitor
Prior art date
Application number
RU96110930A
Other languages
English (en)
Other versions
RU96110930A (ru
Inventor
А.Х. Абдуев
А.М. Магомедов
Original Assignee
Институт физики Дагестанского научного центра РАН
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Институт физики Дагестанского научного центра РАН filed Critical Институт физики Дагестанского научного центра РАН
Priority to RU96110930A priority Critical patent/RU2114487C1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2114487C1 publication Critical patent/RU2114487C1/ru
Publication of RU96110930A publication Critical patent/RU96110930A/ru

Links

Images

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

Использование: изобретение относится к области тонкопленочной технологии и предназначено для использования в микроэлектронике и интегральной оптике. Сущность: предлагаемый способ магнетронного распыления заключается в том, что к разрядному промежутку магнетрона прикладывают постоянное напряжение, но в отличие от известных способов используют рабочий газ, содержащий электроотрицательную компоненту, например кислород, а параллельно разрядному промежутку подключают электрическую емкость, обеспечивающую резонанс с колебаниями плазмы в разрядном промежутке. При этом ток и напряжение в разрядной цепи осциллируют с частотой порядка 10 кГц, что предотвращает разрушение мишеней, а также создает воспроизводимые условия распыления. Предлагаемый способ осуществляется самым простыми средствами, например с использованием однополупериодного выпрямителя. 2 ил.

Description

Изобретение относится к области тонкопленочной технологии и предназначено для использования в микроэлектронике и интегральной оптике.
Известны способы магнетронного распыления, заключающиеся в том, что питание магнетрона осуществляют источником постоянного напряжения, т.е. на разрядный промежуток подают постоянное напряжение, обеспечивающее разряд с постоянным значением силы тока [1].
Прототипом предлагаемого способа является способ магнетронного распыления, заключающийся в том, что для предотвращения перехода тлеющего разряда в дуговой параллельно разрядному промежутку включен конденсатор [2].
Недостатком способа-прототипа является относительно низкая скорость распыления керамических мишеней из-за недостаточно надежного - при больших скоростях распыления - предотвращения возникновения мощных дуг, приводящих к локальным перегревам и как следствие разрушению (растрескиванию) мишеней.
Задачей, на решение которой направлено заявляемое изобретение, является расширение арсенала технических средств магнетронного распыления путем достижения следующего технического результата: исключения локальных перегревов мишени неконтролируемыми дугами. В отсутствие локальных перегревов не происходит и разрушения мишеней, что позволяет увеличить скорость их распыления.
Указанная задача решается тем, что распыление производят в среде электроотрицательного газа или смеси газов, содержащей электроотрицательную компоненту, а параллельно разрядному промежутку включают электрический конденсатор, который вместе с разрядным промежутком создает систему параметрической генерации. Колебания, усиливаемые и поддерживаемыми этой системой, инициируются колебаниями плазмы в разрядном промежутке [1) Irene Peres and L. C. Pitchford. Current pulses in dc glow dischares in electronegative das mixtures. J. Appl. Phys., 78 (2), 1995, pp. 774-782; 2) Z.Lj.Petrovic and A. V. Phelps. Oscillation of low-current electrical discharges between parallel-plane electrodes. Pysical Review E, v. 47, N 4, 1993, pp. 2806-2838]. При этом в цепи разряда протекает пульсирующий ток, в то время как приложенное к указанной системе напряжение - постоянное, т.е. предлагаемому способу присущи преимущества высокочастотного магнетронного распыления, которое обычно требует для своего осуществления гораздо более сложного и дорогого оборудования.
Примером конкретного исполнения может служить (фиг. 1) следующий режим магнетронного распыления низкоомной керамики на основе оксида цинка, легированного алюминием, в смеси газов аргона (80%) и кислорода (20%): давление в камере 1 - 4•10-4 Торр, расстояние от мишени 2 до анода 3 - 0,1 м, площадь мишени - 0,035 м2, напряжение блока питания 4 - пульсирующее (50 Гц, однополупериодное выпрямление) 550 В, емкость конденсатора 5, включенного параллельно разрядному промежутку - 1,0 мкФ. Частота осцилляции напряжения тока разряда составляет при этом около 10 кГц. Соответствующая осциллограмма приведена на фиг. 2.

Claims (1)

  1. Способ магнетронного распыления, заключающийся в том, что на разрядный промежуток подают напряжение от источника постоянного напряжения, а параллельно ему включают конденсатор, отличающийся тем, что разряд осуществляют в присутствии электроотрицательного газа, а конденсатор включают такой электрической емкости, которая обеспечивает резонанс с колебаниями плазмы в разрядном промежутке.
RU96110930A 1996-05-30 1996-05-30 Способ магнетронного распыления RU2114487C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU96110930A RU2114487C1 (ru) 1996-05-30 1996-05-30 Способ магнетронного распыления

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU96110930A RU2114487C1 (ru) 1996-05-30 1996-05-30 Способ магнетронного распыления

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2114487C1 true RU2114487C1 (ru) 1998-06-27
RU96110930A RU96110930A (ru) 1998-08-27

Family

ID=20181295

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU96110930A RU2114487C1 (ru) 1996-05-30 1996-05-30 Способ магнетронного распыления

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2114487C1 (ru)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2612113C1 (ru) * 2015-11-24 2017-03-02 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уфимский государственный авиационный технический университет" Способ ионно-плазменного нанесения износостойкого и коррозионностойкого покрытия на изделия из алюминиевых сплавов
RU2826554C2 (ru) * 2023-12-13 2024-09-12 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Государственный университет просвещения" Устройство для магнетронного нанесения слоев и способ его использования

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
1. Готра З.Ю. Технология микроэлектронных устройств. Справочник. - М.: Ра дио и связь, 1991, с. 528. 2. Гусев Г. Тлеющий разряд в технологии ЭВП. Об зоры по электронной технике. Сер. 7. Вып. 1 (693). - М.: ЦНИИ Электроника, 1980. *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2612113C1 (ru) * 2015-11-24 2017-03-02 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уфимский государственный авиационный технический университет" Способ ионно-плазменного нанесения износостойкого и коррозионностойкого покрытия на изделия из алюминиевых сплавов
RU2826554C2 (ru) * 2023-12-13 2024-09-12 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Государственный университет просвещения" Устройство для магнетронного нанесения слоев и способ его использования

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5233273A (en) Discharge lamp starting circuit
EP1096837A3 (en) Plasma treatment apparatus and plasma generation method using the apparatus
KR970074970A (ko) 글로우방전 플라즈마 처리방법 및 그 장치
KR960026129A (ko) 플라즈마 처리 방법 및 플라즈마 처리 장치
RU2114487C1 (ru) Способ магнетронного распыления
CN1130316A (zh) 电源装置
JPH08227795A (ja) 高圧放電ランプの始動および駆動方法並びに始動および駆動回路装置
US4142090A (en) Method of and device for plasma MIG welding
JP3092192B2 (ja) フロンガス処理装置
ATE271950T1 (de) Verbessertes schweissgerät und schweissverfahren
JP3125459B2 (ja) 放電灯点灯装置
JPS56134789A (en) Lateral exciting type laser oscillator
JPH01242158A (ja) 電気集塵装置
PL444326A1 (pl) Układ do rozruchu palnika plazmowego i sposób rozruchu palnika plazmowego
JPH0211975B2 (ru)
JPH0676945A (ja) 6相交流出力装置、及び6相交流6電極アーク放電装置
KR860001592B1 (ko) 아아크 용접시의 접촉 절연 파괴 방법
JP3294744B2 (ja) オゾン発生装置
JP3571126B2 (ja) 放電灯点灯装置
SU1397504A1 (ru) Устройство дл электролитно-плазменного нагрева проволоки
RU2200984C2 (ru) Способ управления высокочастотным плазменным дисплеем
JP2859924B2 (ja) 金属蒸気レーザ装置
JPH03138083A (ja) Tig溶接のアークスタート方法
SU1607956A1 (ru) Устройство дл импульсного питани N-секционного электрофильтра
SU614133A1 (ru) Испаритель электропровод щих материалов