RU2114487C1 - Способ магнетронного распыления - Google Patents
Способ магнетронного распыления Download PDFInfo
- Publication number
- RU2114487C1 RU2114487C1 RU96110930A RU96110930A RU2114487C1 RU 2114487 C1 RU2114487 C1 RU 2114487C1 RU 96110930 A RU96110930 A RU 96110930A RU 96110930 A RU96110930 A RU 96110930A RU 2114487 C1 RU2114487 C1 RU 2114487C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- discharge gap
- discharge
- voltage
- spraying
- capacitor
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Использование: изобретение относится к области тонкопленочной технологии и предназначено для использования в микроэлектронике и интегральной оптике. Сущность: предлагаемый способ магнетронного распыления заключается в том, что к разрядному промежутку магнетрона прикладывают постоянное напряжение, но в отличие от известных способов используют рабочий газ, содержащий электроотрицательную компоненту, например кислород, а параллельно разрядному промежутку подключают электрическую емкость, обеспечивающую резонанс с колебаниями плазмы в разрядном промежутке. При этом ток и напряжение в разрядной цепи осциллируют с частотой порядка 10 кГц, что предотвращает разрушение мишеней, а также создает воспроизводимые условия распыления. Предлагаемый способ осуществляется самым простыми средствами, например с использованием однополупериодного выпрямителя. 2 ил.
Description
Изобретение относится к области тонкопленочной технологии и предназначено для использования в микроэлектронике и интегральной оптике.
Известны способы магнетронного распыления, заключающиеся в том, что питание магнетрона осуществляют источником постоянного напряжения, т.е. на разрядный промежуток подают постоянное напряжение, обеспечивающее разряд с постоянным значением силы тока [1].
Прототипом предлагаемого способа является способ магнетронного распыления, заключающийся в том, что для предотвращения перехода тлеющего разряда в дуговой параллельно разрядному промежутку включен конденсатор [2].
Недостатком способа-прототипа является относительно низкая скорость распыления керамических мишеней из-за недостаточно надежного - при больших скоростях распыления - предотвращения возникновения мощных дуг, приводящих к локальным перегревам и как следствие разрушению (растрескиванию) мишеней.
Задачей, на решение которой направлено заявляемое изобретение, является расширение арсенала технических средств магнетронного распыления путем достижения следующего технического результата: исключения локальных перегревов мишени неконтролируемыми дугами. В отсутствие локальных перегревов не происходит и разрушения мишеней, что позволяет увеличить скорость их распыления.
Указанная задача решается тем, что распыление производят в среде электроотрицательного газа или смеси газов, содержащей электроотрицательную компоненту, а параллельно разрядному промежутку включают электрический конденсатор, который вместе с разрядным промежутком создает систему параметрической генерации. Колебания, усиливаемые и поддерживаемыми этой системой, инициируются колебаниями плазмы в разрядном промежутке [1) Irene Peres and L. C. Pitchford. Current pulses in dc glow dischares in electronegative das mixtures. J. Appl. Phys., 78 (2), 1995, pp. 774-782; 2) Z.Lj.Petrovic and A. V. Phelps. Oscillation of low-current electrical discharges between parallel-plane electrodes. Pysical Review E, v. 47, N 4, 1993, pp. 2806-2838]. При этом в цепи разряда протекает пульсирующий ток, в то время как приложенное к указанной системе напряжение - постоянное, т.е. предлагаемому способу присущи преимущества высокочастотного магнетронного распыления, которое обычно требует для своего осуществления гораздо более сложного и дорогого оборудования.
Примером конкретного исполнения может служить (фиг. 1) следующий режим магнетронного распыления низкоомной керамики на основе оксида цинка, легированного алюминием, в смеси газов аргона (80%) и кислорода (20%): давление в камере 1 - 4•10-4 Торр, расстояние от мишени 2 до анода 3 - 0,1 м, площадь мишени - 0,035 м2, напряжение блока питания 4 - пульсирующее (50 Гц, однополупериодное выпрямление) 550 В, емкость конденсатора 5, включенного параллельно разрядному промежутку - 1,0 мкФ. Частота осцилляции напряжения тока разряда составляет при этом около 10 кГц. Соответствующая осциллограмма приведена на фиг. 2.
Claims (1)
- Способ магнетронного распыления, заключающийся в том, что на разрядный промежуток подают напряжение от источника постоянного напряжения, а параллельно ему включают конденсатор, отличающийся тем, что разряд осуществляют в присутствии электроотрицательного газа, а конденсатор включают такой электрической емкости, которая обеспечивает резонанс с колебаниями плазмы в разрядном промежутке.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU96110930A RU2114487C1 (ru) | 1996-05-30 | 1996-05-30 | Способ магнетронного распыления |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU96110930A RU2114487C1 (ru) | 1996-05-30 | 1996-05-30 | Способ магнетронного распыления |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2114487C1 true RU2114487C1 (ru) | 1998-06-27 |
RU96110930A RU96110930A (ru) | 1998-08-27 |
Family
ID=20181295
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU96110930A RU2114487C1 (ru) | 1996-05-30 | 1996-05-30 | Способ магнетронного распыления |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2114487C1 (ru) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2612113C1 (ru) * | 2015-11-24 | 2017-03-02 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уфимский государственный авиационный технический университет" | Способ ионно-плазменного нанесения износостойкого и коррозионностойкого покрытия на изделия из алюминиевых сплавов |
RU2826554C2 (ru) * | 2023-12-13 | 2024-09-12 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Государственный университет просвещения" | Устройство для магнетронного нанесения слоев и способ его использования |
-
1996
- 1996-05-30 RU RU96110930A patent/RU2114487C1/ru active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
1. Готра З.Ю. Технология микроэлектронных устройств. Справочник. - М.: Ра дио и связь, 1991, с. 528. 2. Гусев Г. Тлеющий разряд в технологии ЭВП. Об зоры по электронной технике. Сер. 7. Вып. 1 (693). - М.: ЦНИИ Электроника, 1980. * |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2612113C1 (ru) * | 2015-11-24 | 2017-03-02 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уфимский государственный авиационный технический университет" | Способ ионно-плазменного нанесения износостойкого и коррозионностойкого покрытия на изделия из алюминиевых сплавов |
RU2826554C2 (ru) * | 2023-12-13 | 2024-09-12 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Государственный университет просвещения" | Устройство для магнетронного нанесения слоев и способ его использования |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5233273A (en) | Discharge lamp starting circuit | |
EP1096837A3 (en) | Plasma treatment apparatus and plasma generation method using the apparatus | |
KR970074970A (ko) | 글로우방전 플라즈마 처리방법 및 그 장치 | |
KR960026129A (ko) | 플라즈마 처리 방법 및 플라즈마 처리 장치 | |
RU2114487C1 (ru) | Способ магнетронного распыления | |
CN1130316A (zh) | 电源装置 | |
JPH08227795A (ja) | 高圧放電ランプの始動および駆動方法並びに始動および駆動回路装置 | |
US4142090A (en) | Method of and device for plasma MIG welding | |
JP3092192B2 (ja) | フロンガス処理装置 | |
ATE271950T1 (de) | Verbessertes schweissgerät und schweissverfahren | |
JP3125459B2 (ja) | 放電灯点灯装置 | |
JPS56134789A (en) | Lateral exciting type laser oscillator | |
JPH01242158A (ja) | 電気集塵装置 | |
PL444326A1 (pl) | Układ do rozruchu palnika plazmowego i sposób rozruchu palnika plazmowego | |
JPH0211975B2 (ru) | ||
JPH0676945A (ja) | 6相交流出力装置、及び6相交流6電極アーク放電装置 | |
KR860001592B1 (ko) | 아아크 용접시의 접촉 절연 파괴 방법 | |
JP3294744B2 (ja) | オゾン発生装置 | |
JP3571126B2 (ja) | 放電灯点灯装置 | |
SU1397504A1 (ru) | Устройство дл электролитно-плазменного нагрева проволоки | |
RU2200984C2 (ru) | Способ управления высокочастотным плазменным дисплеем | |
JP2859924B2 (ja) | 金属蒸気レーザ装置 | |
JPH03138083A (ja) | Tig溶接のアークスタート方法 | |
SU1607956A1 (ru) | Устройство дл импульсного питани N-секционного электрофильтра | |
SU614133A1 (ru) | Испаритель электропровод щих материалов |