RU209840U1 - Устройство для сбора солнечного излучения - Google Patents
Устройство для сбора солнечного излучения Download PDFInfo
- Publication number
- RU209840U1 RU209840U1 RU2021130624U RU2021130624U RU209840U1 RU 209840 U1 RU209840 U1 RU 209840U1 RU 2021130624 U RU2021130624 U RU 2021130624U RU 2021130624 U RU2021130624 U RU 2021130624U RU 209840 U1 RU209840 U1 RU 209840U1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- photonic crystal
- cathode
- graphene
- nanorods
- layer
- Prior art date
Links
- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims description 15
- 239000004038 photonic crystal Substances 0.000 claims abstract description 33
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 29
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical class [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 28
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 claims abstract description 22
- 239000002073 nanorod Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 claims abstract description 9
- 230000005274 electronic transitions Effects 0.000 claims abstract description 5
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 claims abstract description 3
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims abstract description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 18
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N (2,5-dioxopyrrolidin-1-yl) 4-pyren-1-ylbutanoate Chemical compound C=1C=C(C2=C34)C=CC3=CC=CC4=CC=C2C=1CCCC(=O)ON1C(=O)CCC1=O YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 claims description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 4
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 claims description 4
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 3
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical group [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 2
- FOIXSVOLVBLSDH-UHFFFAOYSA-N Silver ion Chemical group [Ag+] FOIXSVOLVBLSDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000010405 anode material Substances 0.000 claims description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000460 chlorine Chemical group 0.000 claims description 2
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 2
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 claims description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- CWQXQMHSOZUFJS-UHFFFAOYSA-N molybdenum disulfide Chemical compound S=[Mo]=S CWQXQMHSOZUFJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 claims description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 claims description 2
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 claims description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 abstract description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 abstract description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 2
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 8
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 4
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003574 free electron Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- XCAUINMIESBTBL-UHFFFAOYSA-N lead(ii) sulfide Chemical compound [Pb]=S XCAUINMIESBTBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 229920001021 polysulfide Polymers 0.000 description 1
- 239000005077 polysulfide Substances 0.000 description 1
- 150000008117 polysulfides Polymers 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/15—Structures with periodic or quasi periodic potential variation, e.g. multiple quantum wells, superlattices
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Hybrid Cells (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
Полезная модель относится к области фотовольтаики и управления свойствами материалов. Устройство позволяет повысить эффективность солнечных батарей и снизить их нагрев, что актуально для создания высокоэффективных солнечных батарей, используемых в регионах с жаркими климатическими условиями.Суть полезной модели заключается в том, что предложено устройство для сбора солнечного излучения, содержащее пластину, включающую двухмерный фотонный кристалл, представляющий собой периодическую структуру, состоящую из массива параллельных наностержней, расположенных в узлах двухмерной решетки, поверхность которой со стороны фотонного кристалла покрыта слоем материала с электропроводящими свойствами, который используется в качестве анода, поверх которого нанесен слой материала, обладающего свойством селективного транспорта дырок, в пространстве между наностержнями расположен гибридный материал, представляющий собой сшитые плотноупакованные пленки квантовых точек на поверхности листов производных графена, а свободное пространство между наностержнями, гибридным материалом и дырочным транспортным слоем заполнено электролитом, выполнено так, что в качестве катода применена оптически прозрачная пластина, на поверхности которой со стороны, обращенной в сторону фотонного кристалла, расположена пленка токопроводящего материала, способного отражать электромагнитное излучение, а высота наностержней и соответственно расстояние от поверхности фотонного кристалла до катода выбрано таким образом, чтобы собственная электромагнитная мода резонаторной ячейки, образованной фотонным кристаллом и катодом, совпадала с электронными переходами квантовых точек.Технический результат предлагаемой полезной модели заключается в создании устройства для сбора солнечного излучения, обеспечивающего снижение энергетических потерь при генерации и транспорте носителей зарядов под действием солнечного света, тем самым повышая их эффективность и снижая нагрев, за счет применения гибридного фотоактивного слоя «графен-КТ» и модификации оптических свойств и энергетических уровней КТ, достигаемой благодаря структуре устройства, подобной резонатору. 9 з.п. ф-лы, 1 ил.
Description
Полезная модель относится к области фотовольтаики и управления свойствами материалов. Устройство позволяет повысить эффективность солнечных батарей и снизить их нагрев, что актуально для создания высокоэффективных солнечных батарей, используемых в регионах с жаркими климатическими условиями.
Известна конструкция устройства для сбора солнечного излучения и генерации носителей заряда, которая описана в патенте [1]. Конструкция известного устройства представляет собой прозрачную пластину, включающую двухмерный фотонный кристалл, состоящий из массива параллельных наностержней, поверхность которых покрыта тонким слоем токопроводящего материала, а пространство между стержнями заполнено гибридным материалом, состоящим из производных графена и квантовых точек, заключенных в электролит. К недостаткам известного изобретения стоит отнести то, что объединение производных графена и квантовых точек в электролите не может обеспечить достаточно качественного транспорта носителей заряда и тем самым оставляет возможность их рекомбинации, что снижает эффективность солнечных батарей на их основе и приводит к нагреву солнечных батарей, так как энергия рассеивается в тепло.
Ближайший аналог предлагаемой полезной модели, выбранный в качестве прототипа, раскрывается в патенте [2]. Известное устройство содержит пластину, включающую двухмерных фотонный кристалл, состоящий из массива наностержней, на поверхность которого нанесен слой материала с электропроводящими свойствами, который используется в качестве анода. Поверх анода нанесен слой материала, обладающего свойством селективного транспорта дыр. В качестве катода применена пленка металла с периодически расположенными отверстиями, образующими фотонный кристалл. Пространство между катодом и анодом заполнено гибридным материалом, состоящим из сшитых плотноупакованных квантовых точек на поверхности листов производных графена, и электролитом. К недостаткам известного устройства стоит отнести то, что излучение, энергия которого недостаточна для генерации пар носителей заряда, остается внутри фотоактивной области и переводится в тепло, которое разогревает солнечную батарею, снижая ее эффективность и уменьшая срок службы. Также стоит отметить, что конструкция известного устройства позволяет модифицировать поглощение лишь путем запирания солнечного излучения внутри устройства, с помощью фотонных кристаллов, однако не предусмотрена возможность дополнительной модификации спектров поглощения фотоактивного материала.
Технический результат предлагаемой полезной модели заключается в создании устройства для сбора солнечного излучения, обеспечивающего снижение энергетических потерь при генерации и транспорте носителей зарядов под действием солнечного света, тем самым повышая их эффективность и снижая нагрев, за счет применения гибридного фотоактивного слоя «графен-КТ» и модификации оптических свойств и энергетических уровней КТ, достигаемой благодаря структуре устройства, подобной резонатору.
Технический результат достигается тем, что устройство для сбора солнечного излучения, содержащее пластину, включающую двухмерный фотонный кристалл, представляющий собой периодическую структуру, состоящую из массива параллельных наностержней, расположенных в узлах двухмерной решетки, поверхность которой со стороны фотонного кристалла покрыта слоем материала с электропроводящими свойствами, который используется в качестве анода, поверх которого нанесен слой материала, обладающего свойством селективного транспорта дырок, в пространстве между наностержнями расположен гибридный материал, представляющий собой сшитые плотноупакованные пленки квантовых точек на поверхности листов производных графена, а свободное пространство между наностержнями, гибридным материалом и дырочным транспортным слоем заполнено электролитом, выполнено так, что в качестве катода применена оптически прозрачная пластина, на поверхности которой со стороны, обращенной в сторону фотонного кристалла, расположена пленка токопроводящего материала, способного отражать электромагнитное излучение, а высота наностержней и соответственно расстояние от поверхности фотонного кристалла до катода выбрано таким образом, чтобы собственная электромагнитная мода резонаторной ячейки, образованной фотонным кристаллом и катодом, совпадала с электронными переходами квантовых точек.
На эффективность солнечных батарей значительно влияют потери энергии фотонов, происходящие при преобразовании их энергии в энергию свободных электронов и электрический ток. Эти энергетические потери не могут быть ниже энергии возбужденного состояния донора за вычетом суммы энергии основного состояния донора и произведения заряда электрона на напряжение холостого хода солнечной батареи. Для минимизации энергетических потерь предложено снизить минимальную энергию возбужденного состояния донора, которая достаточна для образования свободного электрона. Это достигается тем, что конструкция устройства для сбора солнечного излучения выполнена наподобие резонаторной ячейки, образованной прозрачным катодом, состоящим из прозрачной пластины и тонкого слоя токопроводящего материала, и пластиной, содержащей фотонный кристалл, с нанесенным на ее поверхность анодом. При этом расстояние между отражающим фотонным кристаллом и катодом выбрано таким образом, чтобы собственная электромагнитная мода резонаторной ячейки совпадала с электронным переходом квантовых точек (КТ). Это вызывает расщепление возбужденного состояния КТ на две поляритонные ветви с большей и меньшей энергией, чем у исходного возбужденного состояния КТ. Настраивая расщепление энергетических уровней в КТ, а также учитывая разность энергий края зоны проводимости КТ и нижнего энергетического уровня производных графена, можно добиться того, что практически вся энергия будет идти на генерацию пар носителей заряда без рассеивания избытков энергии в тепло, тем самым снижая энергию, необходимую на разделение носителей заряда, и позволяет повысить напряжение холостого хода и эффективность солнечных батарей в целом.
Возможен первый частный случай, когда в качестве материала пластины для изготовления двухмерного фотонного кристалла применено стекло, полистирол, поликарбонат, полиэталентерефталат, полиимид, оксид кремния.
Возможен второй частный случай, когда в качестве материала анода применен оксид индия-олова, оксид алюминия-цинка, оксид олова, графен или его производные.
Возможен третий частный случай, в котором в качестве материала, обладающего свойствами селективного транспорта дырок, применен сульфид молибдена, оксид никеля, оксид ванадия, оксид графена или оксид графена, модифицированный фтором, хлором или наночастицами серебра.
Возможен четвертый частный случай, когда в качестве листов производных графена используют однослойные или многослойные листы производных графена или их комбинацию.
Возможен пятый частный случай, в котором в качестве производных графена применен оксид графена, восстановленный оксид графена, хлорированный оксид графена или их комбинация.
Возможен шестой частный случай, когда в состав гибридного материала входят квантовые точки состава PbS, PbSe, CuInS2, CuInSe2, PbS/PbSe или комбинации этих квантовых точек.
Возможен седьмой частный случай, в котором в качестве материала прозрачной пластины катода применена пластина из стекла, полистирола или оксида кремния толщиной от 30 до 500 мкм.
Возможен восьмой частный случай, когда пленка токопроводящего материала катода имеет толщину от 2 до 100 нм.
Возможен девятый частный случай, в котором расстояние от поверхности фотонного кристалла до катода составляет от 25 нм до 2 мкм.
На фиг. 1 изображена принципиальная схема, представляющая конкретный пример, предлагаемого устройства для сбора солнечного излучения. На фиг. 1 цифрами обозначены следующие элементы: пластина, содержащая фотонный кристалл - 1; анод - 2; дырочный транспортный слой - 3; наностержни, образующие фотонный кристалл - 4; электролит - 5; пленка токопроводящего материала - 6; прозрачная пластина катода - 7; лист производных графена - 8; квантовая точка - 9.
Принцип работы предлагаемого устройства раскрывается на нижеследующем примере. Было изготовлено три устройства для сбора солнечного излучения. Структура устройства А соответствует прототипу, однако катод выполнен из серебра (толщина 30 нм, диаметр отверстий 300 нм, период 170 нм); устройство Б по своей структуре соответствует предлагаемому устройству, а расстояние между фотонным кристаллом и пленкой электропроводящего материала катода соответствует расстоянию между фотонным кристаллом и катодом в устройстве А (условие резонанса не выполняется); устройство В по своей структуре соответствует предлагаемому устройству, в котором расстояние между фотонным кристаллом и пленкой токопроводящего материала катода выбрано таким, чтобы собственная электромагнитная мода резонаторной ячейки, образованной фотонным кристаллом и пленкой токопроводящего материала катода, соответствовала электронному переходу КТ. В качестве катода в устройствах Б и В применена прозрачная пластина из оксида кремния толщиной 125 мкм с нанесенным на ее поверхность слоем серебра толщиной 20 нм. Остальная конструкция устройств одинакова: материал подложки и фотонного кристалла - оксида кремния, фотонный кристалл - массив параллельных наностержней, расположенных перпендикулярно плоскости подложки в углах гексагональной решетки (периодом - 590 нм, диаметр наностержня - 215 нм, высота наностержня для устройств А и Б - 500 нм и 125 нм для устройства В). Анод, выполненный из оксида индия-олова, был получен методом магнетронного напыления в вакууме, до толщины результирующего слоя порядка 40 нм на подложку со стороны фотонного кристалла. Дырочный транспортный слой выполнен из оксида графена, нанесенного до толщины слоя около 2 нм. Гибридный фотоактивный материал представляет собой монослойные листы восстановленного оксида графена, с иммобилизованными на его поверхности квантовыми точками состава PbS диаметром 5±0,5 нм. Поверхность квантовых точек пассивирована PbI2 для плотной упаковки и хорошего транспорта электронов от квантовых точек на листы восстановленного оксида графена. В качестве электролита для нанесения листов производных графена и квантовых точек использовался полисульфидный электролит. Измерение напряжения проводилось с помощью стандартного источника-измерителя Keithley 2400 (США), в качестве источника счета использовался симулятор солнечного света Zolix SSI50 (Китай). Для измерения температуры использовалась высокоточная термопара Omega DP9602 (США). Измерения напряжения холостого хода проводились при интенсивности освещенности соответствующей, равной 100 мВт/см2, при температуре окружающей среды 22°С. Среднее значение напряжения холостого хода на устройстве А составило 0,824±0,013 В, на устройстве Б - 0,789±0,011 В, на устройстве В - 0,447±0,015 В. Стоит отметить, что толщина фотоактивного слоя устройств В в 4 раза ниже, чем у устройств А и В, и при схожей эффективности напряжение холостого хода должно было бы упасть пропорционально в 4 раза, однако полученное напряжение холостого хода всего в 1,84 раза меньше, чем у устройства А, и в 1,76 меньше, чем у образца Б. Измерение температуры проводилось спустя 20 минут после начала освещения устройств с помощью светодиода (длина волны излучения 1200 нм), дополнительное термостатирование не проводилось, но все устройства находились в одинаковых условиях. В результате температура устройства А поднялась на 1,4°С (1), устройства Б на 1,1°С (0,99), а устройства В всего на 0,2°С (0,38) (в скобках указано поглощение устройств на длине волны 1200 нм, нормированное по интенсивности поглощения устройства А). Приведенные результаты свидетельствуют о том, что устройство предложенной структуры выделяет меньше тепла как на единицу объема, с учетом поглощающей способности, а также обеспечивают большее напряжение холостого хода, при одинаковой интенсивности солнечного излучения, что свидетельствует о повышении эффективности.
Таким образом, конструкция предложенного устройства для сбора солнечного излучения позволяет повысить напряжение холостого хода солнечных батарей на их основе и снизить тепловые энергетические потери за счет повышения эффективности генерации носителей зарядов путем создания устройства с резонатор подобной структурой электродов и модификации энергетических уровней компонентов фотоактивного слоя.
Источники информации
1. Соколов П.М. и др. Устройство для сбора солнечного излучения и генерации носителей заряда для прозрачных солнечных батарей. Патент РФ RU 188920 U1.
2. Соколов П.М. и др. Устройство для сбора солнечного излучения в широком диапазоне длин волн для солнечных батарей. Патент РФ RU 194493 U1.
Claims (10)
1. Устройство для сбора солнечного излучения, содержащее пластину, включающую двухмерный фотонный кристалл, представляющий собой периодическую структуру, состоящую из массива параллельных наностержней, расположенных в узлах двухмерной решетки, поверхность которой со стороны фотонного кристалла покрыта слоем материала с электропроводящими свойствами, который используется в качестве анода, поверх которого нанесен слой материала, обладающего свойством селективного транспорта дырок, в пространстве между наностержнями расположен гибридный материал, представляющий собой сшитые плотноупакованные пленки квантовых точек на поверхности листов производных графена, а свободное пространство между наностержнями, гибридным материалом и дырочным транспортным слоем заполнено электролитом, отличающееся тем, что в качестве катода применена оптически прозрачная пластина, на поверхности которой со стороны, обращенной в сторону фотонного кристалла, расположена пленка токопроводящего материала, способного отражать электромагнитное излучение, а высота наностержней и соответственно расстояние от поверхности фотонного кристалла до катода выбрано таким образом, чтобы собственная электромагнитная мода резонаторной ячейки, образованной фотонным кристаллом и катодом, совпадала с электронными переходами квантовых точек.
2. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что в качестве материала пластины для изготовления двухмерного фотонного кристалла применено стекло, полистирол, поликарбонат, полиэталентерефталат, полиимид, оксид кремния.
3. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что в качестве материала анода применен оксид индия-олова, оксид алюминия-цинка, оксид олова, графен или его производные.
4. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что в качестве материала, обладающего свойствами селективного транспорта дырок, применен сульфид молибдена, оксид никеля, оксид ванадия, оксид графена или оксид графена, модифицированный фтором, хлором или наночастицами серебра.
5. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что в качестве листов производных графена используют однослойные или многослойные листы производных графена или их комбинацию.
6. Устройство по пп. 1, 5, отличающееся тем, что в качестве производных графена применен оксид графена, восстановленный оксид графена, хлорированный оксид графена или их комбинация.
7. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что в состав гибридного материала входят квантовые точки состава PbS, PbSe, CuInS2, CuInSe2, PbS/PbSe или комбинации этих квантовых точек.
8. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что в качестве материала прозрачной пластины катода применена пластина из стекла, полистирола или оксида кремния толщиной от 30 до 500 мкм.
9. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что пленка токопроводящего материала катода имеет толщину от 2 до 100 нм.
10. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что расстояние от поверхности фотонного кристалла до катода составляет от 25 нм до 2 мкм.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2021130624U RU209840U1 (ru) | 2021-10-21 | 2021-10-21 | Устройство для сбора солнечного излучения |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2021130624U RU209840U1 (ru) | 2021-10-21 | 2021-10-21 | Устройство для сбора солнечного излучения |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU209840U1 true RU209840U1 (ru) | 2022-03-23 |
Family
ID=80820442
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2021130624U RU209840U1 (ru) | 2021-10-21 | 2021-10-21 | Устройство для сбора солнечного излучения |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU209840U1 (ru) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2532690C1 (ru) * | 2013-04-19 | 2014-11-10 | федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики" | Способ создания фотовольтаических ячеек на основе гибридного нанокомпозитного материала |
| EA201690366A1 (ru) * | 2013-08-14 | 2016-07-29 | НОРВИДЖЕН ЮНИВЕРСИТИ ОФ САЙЕНС ЭНД ТЕКНОЛОДЖИ (ЭнТиЭнЮ) | НАНОПРОВОЛОЧНЫЕ СОЛНЕЧНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ С РАДИАЛЬНЫМИ p-n-ПЕРЕХОДАМИ |
| WO2017223305A1 (en) * | 2016-06-22 | 2017-12-28 | Massachusetts Institute Of Technology | Highly efficient near-field thermophotovoltaics using surface-polariton emitters and thin-film photovoltaic-cell absorbers |
| RU2700046C1 (ru) * | 2019-02-13 | 2019-09-12 | Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по космической деятельности "РОСКОСМОС" | Фотопреобразователь с HIT структурой и технология его изготовления |
-
2021
- 2021-10-21 RU RU2021130624U patent/RU209840U1/ru active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2532690C1 (ru) * | 2013-04-19 | 2014-11-10 | федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики" | Способ создания фотовольтаических ячеек на основе гибридного нанокомпозитного материала |
| EA201690366A1 (ru) * | 2013-08-14 | 2016-07-29 | НОРВИДЖЕН ЮНИВЕРСИТИ ОФ САЙЕНС ЭНД ТЕКНОЛОДЖИ (ЭнТиЭнЮ) | НАНОПРОВОЛОЧНЫЕ СОЛНЕЧНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ С РАДИАЛЬНЫМИ p-n-ПЕРЕХОДАМИ |
| WO2017223305A1 (en) * | 2016-06-22 | 2017-12-28 | Massachusetts Institute Of Technology | Highly efficient near-field thermophotovoltaics using surface-polariton emitters and thin-film photovoltaic-cell absorbers |
| RU2700046C1 (ru) * | 2019-02-13 | 2019-09-12 | Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по космической деятельности "РОСКОСМОС" | Фотопреобразователь с HIT структурой и технология его изготовления |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| ES2356162T3 (es) | Célula solar en tandem de película delgada. | |
| JP4831649B2 (ja) | 電子機器に用いられる多孔質膜、その多孔質膜の使用方法、電子機器、及びその多孔質膜の製造方法 | |
| US11251723B2 (en) | Systems for driving the generation of products using quantum vacuum fluctuations | |
| KR101575733B1 (ko) | 근적외선 파장변환 구조체 및 이를 이용한 태양전지 | |
| US20130092211A1 (en) | Asymmetric mim type absorbent nanometric structure and method for producing such a structure | |
| Ren et al. | Strategies for high performance perovskite/crystalline silicon four-terminal tandem solar cells | |
| US20230335344A1 (en) | Perovskite solar cell configurations | |
| JP2002111031A (ja) | 固体ヘテロ接合および固体増感（感光性）光起電力セル | |
| Ghomian et al. | Lead sulfide colloidal quantum dot photovoltaic cell for energy harvesting from human body thermal radiation | |
| Shalenov et al. | Performance optimization of back-contact perovskite solar cells with quasi-interdigitated electrodes | |
| Nikale et al. | Photoelectrochemical performance of sprayed n-CdIn2Se4 photoanodes | |
| RU209840U1 (ru) | Устройство для сбора солнечного излучения | |
| US20200279694A1 (en) | Photovoltaic element | |
| US20110155233A1 (en) | Hybrid solar cells | |
| RU194493U1 (ru) | Устройство для сбора солнечного излучения в широком диапазоне длин волн для солнечных батарей | |
| JP6261088B2 (ja) | 光電変換装置、建築物および電子機器 | |
| RU188920U1 (ru) | Устройство для сбора солнечного излучения и генерации носителей заряда для прозрачных солнечных батарей | |
| JPWO2011108116A1 (ja) | 太陽電池 | |
| RU2531768C1 (ru) | Двусторонний солнечный фотопреобразователь (варианты) | |
| Chawla et al. | Design and modelling of G–ZnO nanocomposite electrode for a-Si: H/µc-Si: H micromorph solar cell | |
| KR100581840B1 (ko) | 광감응형 및 ｐ-ｎ접합 복합구조를 갖는 태양전지 및 그제조방법 | |
| KR20130093319A (ko) | 양자점 감응형 태양전지 | |
| Esmaeili et al. | A novel design of high efficiency perovskite solar cell using electron reflector strategy and transport layers optimization | |
| JP2004158511A (ja) | 太陽電池用基板およびその製造方法ならびにそれを用いた太陽電池 | |
| RU2698533C1 (ru) | Металлооксидный солнечный элемент |