RU188920U1 - Устройство для сбора солнечного излучения и генерации носителей заряда для прозрачных солнечных батарей - Google Patents
Устройство для сбора солнечного излучения и генерации носителей заряда для прозрачных солнечных батарей Download PDFInfo
- Publication number
- RU188920U1 RU188920U1 RU2018138552U RU2018138552U RU188920U1 RU 188920 U1 RU188920 U1 RU 188920U1 RU 2018138552 U RU2018138552 U RU 2018138552U RU 2018138552 U RU2018138552 U RU 2018138552U RU 188920 U1 RU188920 U1 RU 188920U1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- graphene
- quantum dots
- transparent
- derivatives
- photonic crystal
- Prior art date
Links
- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims abstract description 21
- 239000004038 photonic crystal Substances 0.000 claims abstract description 26
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical class [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 25
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 claims abstract description 25
- 239000002073 nanorod Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 claims abstract description 5
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims abstract description 4
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 claims abstract description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 23
- 230000001588 bifunctional effect Effects 0.000 claims description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 6
- 239000012634 fragment Substances 0.000 claims description 5
- YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N (2,5-dioxopyrrolidin-1-yl) 4-pyren-1-ylbutanoate Chemical compound C=1C=C(C2=C34)C=CC3=CC=CC4=CC=C2C=1CCCC(=O)ON1C(=O)CCC1=O YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 claims description 4
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 claims description 4
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 3
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 claims description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 2
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 claims description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- UEZVMMHDMIWARA-UHFFFAOYSA-M phosphonate Chemical compound [O-]P(=O)=O UEZVMMHDMIWARA-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 abstract description 17
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 6
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- UUEWCQRISZBELL-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropane-1-thiol Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCS UUEWCQRISZBELL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 1
- MCEWYIDBDVPMES-UHFFFAOYSA-N [60]pcbm Chemical compound C123C(C4=C5C6=C7C8=C9C%10=C%11C%12=C%13C%14=C%15C%16=C%17C%18=C(C=%19C=%20C%18=C%18C%16=C%13C%13=C%11C9=C9C7=C(C=%20C9=C%13%18)C(C7=%19)=C96)C6=C%11C%17=C%15C%13=C%15C%14=C%12C%12=C%10C%10=C85)=C9C7=C6C2=C%11C%13=C2C%15=C%12C%10=C4C23C1(CCCC(=O)OC)C1=CC=CC=C1 MCEWYIDBDVPMES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- 239000000370 acceptor Substances 0.000 description 1
- 229920000109 alkoxy-substituted poly(p-phenylene vinylene) Polymers 0.000 description 1
- 150000001413 amino acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000000796 flavoring agent Substances 0.000 description 1
- 235000019634 flavors Nutrition 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 230000004807 localization Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 229920001021 polysulfide Polymers 0.000 description 1
- 239000005077 polysulfide Substances 0.000 description 1
- 150000008117 polysulfides Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 150000003573 thiols Chemical class 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/15—Structures with periodic or quasi periodic potential variation, e.g. multiple quantum wells, superlattices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Hybrid Cells (AREA)
Abstract
Полезная модель относится к области фотовольтаики. Устройство для сбора солнечного излучения и генерации носителей заряда для прозрачных солнечных батарей содержит прозрачную пластину, включающую двухмерный фотонный кристалл, при этом двухмерный фотонный кристалл представляет собой периодическую структуру, состоящую из массива параллельных наностержней, расположенных в узлах двухмерной решетки, на поверхности которого расположен тонкий слой прозрачного материала с электропроводящими свойствами, при этом в пространстве между наностержнями расположен гибридный материал, состоящий из листов производных графена и квантовых точек, заключенный в электролит. Технический результат заключается в создании устройства для использования в составе прозрачных солнечных батарей, обеспечивающего увеличение эффективности сбора солнечного света в ближнем ИК-диапазоне длин волн и увеличение эффективности генерации свободных носителей зарядов за счет усиления поглощения гибридного фотоактивного слоя «графен-КТ», а также эффективного сбора носителей зарядов, образовавшихся в КТ вследствие поглощения солнечного света. 8 з.п. ф-лы, 2 ил.
Description
Полезная модель относится к области фотовольтаики, в частности к созданию прозрачных солнечных батарей третьего поколения. Данное устройство предназначено для эффективного сбора солнечного излучения в видимой и ближней инфракрасной (ИК) областях спектра солнечного излучения. Применение предлагаемого устройства в составе прозрачных солнечных батарей третьего поколения приведет к увеличению эффективности солнечных батарей за счет улучшения процесса генерации носителей заряда в фотоактивном слое.
Известно устройство солнечной батареи, описанной в патенте [1], включающее слой квантовых точек (КТ), состоящий из ансамблей КТ разного размера (цвета флуоресценции), электрон-транспортного слоя (ЭТС), расположенного между ними слоя бифункциональных лигандов, служащих для облегчения транспорта электронов от КТ и полимерного слоя, облегчающего транспорт дырок (дырок-транспортного слоя, ДТС). В описанной конструкции, слой КТ служит для поглощения квантов солнечного излучения, а ЭТС и ДТС служат для экстракции пар носителей заряда, образовавшихся при возбуждении КТ. К недостаткам описанной солнечной батареи относится, то, что в качестве материала ЭТС и ДТС применяются органические аминокислоты, что снижает стабильность солнечных батарей, невысокая эффективность экстракции носителей заряда из КТ, а также то, что применение только КТ как материала для сбора солнечного излучения не обеспечивает высокой эффективности сбора солнечного света, особенно в инфракрасной области оптического спектра.
Известно решение по сбору носителей заряда от КТ описанное в документе [2]. В качестве ДТС применены слои оксида графена, в качестве ЭТС, при этом, используется оксид цинка или фторид лития, а фотоактивный слой состоит из органических материалов, являющихся донорами и акцепторами электронов, таких как РЗНТ, РСВМ или MEH-PPV. К недостаткам описанного изобретения относится применение полимеров, которые недостаточно эффективно собирают солнечное излучение, особенно в ИК-диапазоне, а также обладают не очень высокой стабильностью при воздействии факторов внешней среды и солнечного излучения.
В патенте [3] описана солнечная батарея, которая содержит фотонный кристалл, представляющий собой периодически повторяющуюся решетку, на поверхность которого нанесен тонкий слой КТ. Также в структуре известной солнечной батареи применены слои для снижения коэффициентов отражения падающего солнечного света. При этом, увеличение эффективности поглощения солнечного излучения в известном изобретении в большей степени связано с увеличением доступного солнечного потока, за счет снижения отражения солнечного света, путем применения антибликовых покрытий и фотонных кристаллов, структура которых пропускает свет внутрь солнечной батареи. Таким образом данное известное решение также не позволяет значительно увеличить эффективность поглощения солнечного излучения.
Схожее техническое решение описано в документе [4], где в структуре солнечной батареи слой квантовых точек находится между двумя брегговскими зеркалами, образованными одномерными фотонными кристаллами. К недостаткам известной солнечной батареи стоит отнести то, что увеличение эффективности поглощения солнечного света связано только с тем, что предложенная структура позволяет локализовать свет в фотоактивной области, однако не обеспечивает усиления поглощения солнечного излучения в ИК-области спектра.
Наиболее близкое к предлагаемому устройство для сбора солнечного света, структура которого описана в заявке [5], было выбрано в качестве прототипа. Известное устройство содержит как минимум двухмерный фотонный кристалл, обеспечивающий отражение, пропускание и поглощение солнечного света в заданном спектральном диапазоне, фотонный волновод, для распространения солнечного света к фотоактивному участку, и фотоактивный участок, содержащий структуры с p-n переходом, для генерации носителей заряда под действием падающего света. В одном из частных случаев, в состав фотоактивного участка включены полупроводниковые структуры состава CdTe, In1-xGaxN, и CdSe. К недостаткам описанного элемента относится низкая эффективность сбора солнечного излучения в ближней ИК-области. Кроме этого, усиление эффекта поглощения солнечного света за счет «запирания» солнечного света с помощью структуры фотонного кристалла является не весьма эффективным.
Техническим результатом предлагаемой полезной модели является создание устройства для использования в составе прозрачных солнечных батарей, обеспечивающее увеличение эффективности сбора солнечного света в ближнем ИК-диапазоне длин волн и увеличение эффективности генерации свободных носителей зарядов за счет усиления поглощения гибридного фотоактивного слоя «графен-КТ», а также эффективного сбора носителей зарядов, образовавшихся в КТ вследствие поглощения солнечного света.
Технический результат достигается тем, что устройство для сбора солнечного излучения и генерации носителей заряда для прозрачных солнечных батарей, содержащее прозрачную пластину, включающую двухмерный фотонный кристалл, выполнено так, что двухмерный фотонный кристалл представляет собой периодическую структуру, состоящую из массива параллельных наностержней, расположенных в узлах двухмерной решетки, на поверхности которого расположен тонкий слой прозрачного материала с электропроводящими свойствами, при этом в пространстве между наностержнями расположен гибридный материал, состоящий из листов производных графена и квантовых точек, заключенный в электролит.
Применение фотонного кристалла позволяет повысить плотность фотонных состояний в диапазоне длин волн, совпадающем с областью поглощения солнечного света КТ. Локализация электромагнитных волн в определенных пространственных областях фотонного кристалла приводит к увеличению эффективности поглощения падающего солнечного света гибридным материалом. Предлагаемый для создания устройства фотонный кристалл представляет собой массив наностержней, ориентированных перпендикулярно подложке и расположенных в узлах периодической решетки. При этом параметры фотонного кристалла, такие как материал для его изготовления, период решетки, в узлах которой расположены наностержни, диаметр и высота этих наностержней, определяются исходя из требований, предъявляемых к распределению электромагнитного поля внутри устройства, которое зависит от размера, структуры и состава КТ, а также интересующего диапазона длин волн солнечного света. Полученное распределение электромагнитного поля в структуре устройства должно обеспечить максимальную эффективность поглощения квантовыми точками солнечного света в заданном диапазоне длин волн. Применение подобной структуры фотонного кристалла позволяет настроить спектр поглощения КТ так, чтобы они лучше поглощали излучение в ближней ИК-области солнечного спектра, что обеспечит улучшенную эффективность генерации свободных носителей заряда. Нанесение на поверхность фотонного кристалла тонкого слоя из материала с электропроводящими свойствами позволит, во-первых, использовать этот слой в качестве электрода, для снятия носителей зарядов, а во-вторых, дополнительно увеличить вероятность поглощения квантов солнечного света, за счет увеличения эффективности отражения излучения, приводящего к увеличению оптического пути квантов света в пространстве между наностержнями, т.е. в фотоактивной области гибридного материала. При этом, слой должен обладать низким поглощением квантов света, то есть быть достаточно тонким, что достигается при толщине слоя порядка 50 нм. Использование в качестве поглотителей солнечного излучения не просто КТ, а гибридных материалов на основе КТ и производных графена, объединенных бифункциональными или полифункциональными молекулами обеспечивает эффективный сбор носителей заряда от КТ, что также приводит к увеличению эффективности генерации свободных носителей заряда и сбора солнечного излучения.
Существует частный случай, когда материалом прозрачной пластины для изготовления двухмерного фотонного кристалла является стекло или оксид кремния.
Возможен частный случай, когда в качестве слоя материала с электропроводящими свойствами применяют оксид индия-олова.
Также возможен частный случай, где в качестве листов производных графена применены однослойные или многослойные листы производных графена.
В еще одном частном случае, в качестве производных графена применен оксид графена, восстановленный оксид графена, хлорированный оксид графена или их комбинация.
Существует частный случай, когда применены квантовые точки состава PbS, PbSe, CuInS2, CuInSe2, PbS/PbSe или комбинации этих квантовых точек.
Также возможен частный случай, когда производные графена объединены с квантовыми точками бифункциональными или полифункциональными органическими молекулами.
Возможен частный случай, когда производные графена объединены с квантовыми точками бифункциональными органическими молекулами, имеющими тиольную группу и алкоксисилановый фрагмент.
Последний частный случай характеризуется тем, что производные графен объединены с квантовыми точками полифункциональными органическими молекулами, имеющими тиольную, карбоксильную, фосфонатную или аминогруппу для присоединения к поверхности квантовых точек, алкоксисилановый фрагмент, карбоксильную, эпоксидную, карбонильную, или аминогруппу для присоединения производных графена, и ароматический или сопряженный фрагмент.
На фиг. 1 представлена принципиальная схема, иллюстрирующая конкретный пример устройства для сбора солнечного излучения и генерации носителей заряда для прозрачных солнечных батарей. На фиг. 1 цифрами обозначены следующие элементы: прозрачная пластина - 1; наностержень - 2; слой прозрачного материала - 3; электролит - 4; лист производных графена - 5; квантовая точка - 6.
Подтверждение работоспособности предложенного устройства раскрывается нижеследующим примером. Были изготовлены два вида устройств, отличающиеся параметрами фотонного кристалла - образец А - с оптимальными геометрическими параметрами фотонного кристалла (ФК) для усиления поглощения КТ, и образец Б - с неоптимальными параметрами ФК. Образец А - ФК изготовленный из оксида кремния. Параметры ФК: шаг решетки - 590 нм, диаметр наностержня - 215 нм, высота наностержня - 1,3 мкм; расчет параметров ФК проводился методом конечных разностей во временной области (FDTD). Приведенная структура ФК обеспечивает усиление сбора солнечной энергии в диапазоне длин волн от 1,0-1,4 мкм, что соответствует спектру поглощения использованных КТ. Поверхность ФК покрыта оксидом индия-олова толщиной 50±10 нм, а его свободное пространство между наностержнями заполнено полисульфидным электролитом с монослойными листами восстановленного оксида графена (ВОГ), на поверхности которого иммобилизованы КТ состава PbS и диаметром 5±0,5 нм, при этом в качестве линкера для иммобилизации КТ на поверхности ВОГ применен 3-меркаптопропил-триметоксисилан. Образец Б отличается от образца А тем, что параметры ФК выбраны следующими: шаг решетки - 280 нм, диаметр наностержня - 100 нм, высота наностержня - 600 нм; расчет параметров ФК проводился методом конечных разностей во временной области (FDTD). Данная структура ФК обеспечивает усиление сбора солнечной энергии в диапазоне длин волн от 530-600 нм, который не перекрывается со спектром поглощения использованных КТ. Зависимость поглощения обоих образцов устройства от длины волны, полученная на спектрофотометре (модель Agilent Cary 60), представлена на фиг. 2, цифрами обозначены: спектр поглощения образца А - 7; спектр поглощения образца Б - 8. Из сравнения спектров видно, что предложенная структура обеспечивает усиление поглощения в ближнем ИК-диапазоне оптического спектра.
Таким образом, предложенная конструкция устройства для сбора солнечного излучения и генерации носителей заряда для прозрачных солнечных батарей позволяет улучшить эффективность сбора солнечного излучения в ближней ИК-области и увеличить эффективность генерации свободных носителей зарядов, а их применение в составе солнечных батарей позволяет улучшить такие их параметры, как коэффициент полезного действия, ток короткого замыкания, фотостабильность и устойчивость к факторам внешней среды.
Источники информации
1. Bogdan Serban et al. Quantum dot solar cell. Патент США US 8227686 B2.
2. Manish Chhowalla et al. Device comprising graphene oxide film. Заявка WO 2011141717 Al.
3. Heo Yun-sung et al. Solar cell and manufacturing method of the same. Патент Республики Корея KR 101079213 Bl.
4. Takashi Kita et al. Quantum dot solar cell. Заявка JP 2011029464 A.
5. Jeffrey C. Grossman et al. Photonic crystal solar cell. Заявка WO 2010039631 Al.
Claims (9)
1. Устройство для сбора солнечного излучения и генерации носителей заряда для прозрачных солнечных батарей, содержащее прозрачную пластину, включающую двухмерный фотонный кристалл, отличающееся тем, что двухмерный фотонный кристалл представляет собой периодическую структуру, состоящую из массива параллельных наностержней, расположенных в узлах двухмерной решетки, на поверхности которого расположен тонкий слой прозрачного материала с электропроводящими свойствами, при этом в пространстве между наностержнями расположен гибридный материал, состоящий из листов производных графена и квантовых точек, заключенный в электролит.
2. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что материалом прозрачной пластины для изготовления двухмерного фотонного кристалла является стекло или оксид кремния.
3. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что в качестве слоя материала с электропроводящими свойствами применяют оксид индия-олова.
4. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что в качестве листов производных графена применены однослойные или многослойные листы производных графена.
5. Устройство по пп. 1, 4, отличающееся тем, что в качестве производных графена применен оксид графена, восстановленный оксид графена, хлорированный оксид графена или их комбинация.
6. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что применены квантовые точки состава PbS, PbSe, CuInS2, CuInSe2, PbS/PbSe или комбинации этих квантовых точек.
7. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что производные графена объединены с квантовыми точками бифункциональными или полифункциональными органическими молекулами.
8. Устройство по пп. 1, 7, отличающееся тем, что производные графена объединены с квантовыми точками бифункциональными органическими молекулами, имеющими тиольную группу и алкоксисилановый фрагмент.
9. Устройство по пп. 1, 7, отличающееся тем, что производные графена объединены с квантовыми точками полифункциональными органическими молекулами, имеющими тиольную, карбоксильную, фосфонатную или аминогруппу для присоединения к поверхности квантовых точек, алкоксисилановый фрагмент, карбоксильную, эпоксидную, карбонильную, или аминогруппу для присоединения производных графена, и ароматический или сопряженный фрагмент.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2018138552U RU188920U1 (ru) | 2018-11-01 | 2018-11-01 | Устройство для сбора солнечного излучения и генерации носителей заряда для прозрачных солнечных батарей |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2018138552U RU188920U1 (ru) | 2018-11-01 | 2018-11-01 | Устройство для сбора солнечного излучения и генерации носителей заряда для прозрачных солнечных батарей |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU188920U1 true RU188920U1 (ru) | 2019-04-29 |
Family
ID=66430794
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2018138552U RU188920U1 (ru) | 2018-11-01 | 2018-11-01 | Устройство для сбора солнечного излучения и генерации носителей заряда для прозрачных солнечных батарей |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU188920U1 (ru) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU194493U1 (ru) * | 2019-10-18 | 2019-12-12 | федеральное государственное автономное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" (НИЯУ МИФИ) | Устройство для сбора солнечного излучения в широком диапазоне длин волн для солнечных батарей |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2243616C1 (ru) * | 2003-06-30 | 2004-12-27 | Открытое акционерное общество "Сатурн" | Солнечная батарея |
| EA010503B1 (ru) * | 2004-09-27 | 2008-10-30 | Государственное Научное Учреждение "Институт Физики Им. Б.И.Степанова Национальной Академии Наук Беларуси" | Высокоэффективный узконаправленный преобразователь света |
| WO2010039631A1 (en) * | 2008-09-30 | 2010-04-08 | The Regents Of The University Of California | Photonic crystal solar cell |
| RU2444084C1 (ru) * | 2010-10-25 | 2012-02-27 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Сибирская государственная геодезическая академия" (ГОУ ВПО "СГГА") | Способ образования на подложке упорядоченного массива наноразмерных сфероидов |
| US20160126381A1 (en) * | 2013-05-22 | 2016-05-05 | Shih-Yuan Wang | Microstructure enhanced absorption photosensitive devices |
| US20180106933A1 (en) * | 2016-10-13 | 2018-04-19 | University Of Central Florida Research Foundation, Inc. | Optical detector device with patterned graphene layer and related methods |
-
2018
- 2018-11-01 RU RU2018138552U patent/RU188920U1/ru active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2243616C1 (ru) * | 2003-06-30 | 2004-12-27 | Открытое акционерное общество "Сатурн" | Солнечная батарея |
| EA010503B1 (ru) * | 2004-09-27 | 2008-10-30 | Государственное Научное Учреждение "Институт Физики Им. Б.И.Степанова Национальной Академии Наук Беларуси" | Высокоэффективный узконаправленный преобразователь света |
| WO2010039631A1 (en) * | 2008-09-30 | 2010-04-08 | The Regents Of The University Of California | Photonic crystal solar cell |
| RU2444084C1 (ru) * | 2010-10-25 | 2012-02-27 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Сибирская государственная геодезическая академия" (ГОУ ВПО "СГГА") | Способ образования на подложке упорядоченного массива наноразмерных сфероидов |
| US20160126381A1 (en) * | 2013-05-22 | 2016-05-05 | Shih-Yuan Wang | Microstructure enhanced absorption photosensitive devices |
| US20180106933A1 (en) * | 2016-10-13 | 2018-04-19 | University Of Central Florida Research Foundation, Inc. | Optical detector device with patterned graphene layer and related methods |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU194493U1 (ru) * | 2019-10-18 | 2019-12-12 | федеральное государственное автономное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" (НИЯУ МИФИ) | Устройство для сбора солнечного излучения в широком диапазоне длин волн для солнечных батарей |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5720827A (en) | Design for the fabrication of high efficiency solar cells | |
| AU2008290641B2 (en) | Solar cell construction | |
| Kramer et al. | Solar cells using quantum funnels | |
| EP2153474B1 (en) | Photovoltaic device with enhanced light harvesting | |
| US9406819B2 (en) | Photovoltaic component with a high conversion efficiency | |
| KR101575733B1 (ko) | 근적외선 파장변환 구조체 및 이를 이용한 태양전지 | |
| US20130092221A1 (en) | Intermediate band solar cell having solution-processed colloidal quantum dots and metal nanoparticles | |
| EP2626910B1 (en) | Photovoltaic cell | |
| Cosentino et al. | Size dependent light absorption modulation and enhanced carrier transport in germanium quantum dots devices | |
| Lévy‐Clément et al. | Optimization of the design of extremely thin absorber solar cells based on electrodeposited ZnO nanowires | |
| WO2018100205A1 (fr) | Composant optoéléctronique à absorption améliorée | |
| RU188920U1 (ru) | Устройство для сбора солнечного излучения и генерации носителей заряда для прозрачных солнечных батарей | |
| Ghosh et al. | All‐Oxide Transparent Photodetector Array for Ultrafast Response through Self‐Powered Excitonic Photovoltage Operation | |
| JP5521030B2 (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
| JP6255417B2 (ja) | 光電変換装置 | |
| Wang | Recent progress in colloidal quantum dot photovoltaics | |
| RU194493U1 (ru) | Устройство для сбора солнечного излучения в широком диапазоне длин волн для солнечных батарей | |
| GB2451108A (en) | Photovoltaic Device | |
| RU209840U1 (ru) | Устройство для сбора солнечного излучения | |
| US20180212084A1 (en) | Porous silicon nanowire photovoltaic cell | |
| CN104303318B (zh) | 具有带阻滤光器的光伏器件及其操作方法 | |
| US10510915B2 (en) | Porous silicon nanowire photovoltaic cell | |
| Khan et al. | 2D Material Photonics and Optoelectronics | |
| US20120167938A1 (en) | Solar cell, solar cell system, and method for making the same | |
| Kuma et al. | Enhanced Absorption in Organic Solar Cells by employing Plasmonic Nanostructures |