RU203475U1 - Керамический блок фиксации нагреваемой подложки в вакуумной камере с жёсткими зажимами фиксирующих керамических пластин - Google Patents
Керамический блок фиксации нагреваемой подложки в вакуумной камере с жёсткими зажимами фиксирующих керамических пластин Download PDFInfo
- Publication number
- RU203475U1 RU203475U1 RU2020133918U RU2020133918U RU203475U1 RU 203475 U1 RU203475 U1 RU 203475U1 RU 2020133918 U RU2020133918 U RU 2020133918U RU 2020133918 U RU2020133918 U RU 2020133918U RU 203475 U1 RU203475 U1 RU 203475U1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- substrate
- fixing
- ceramic plates
- plate
- ceramic
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 105
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 86
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims abstract description 13
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 14
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 abstract description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 11
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- 238000009434 installation Methods 0.000 abstract description 7
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 abstract description 6
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 abstract description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 4
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 abstract description 4
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 abstract description 4
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 abstract description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical class [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H01L21/203—
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/34—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies not provided for in groups H01L21/0405, H01L21/0445, H01L21/06, H01L21/16 and H01L21/18 with or without impurities, e.g. doping materials
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
Полезная модель относится к технологическому оборудованию для вакуумной молекулярно-лучевой эпитаксии полупроводниковых структур и может быть использована в качестве блока фиксации подложки, нагреваемой с помощью изготовленного из тугоплавкого металла или сплава пластинчатого или ленточного резистивного нагревателя в вакуумных установках, предпочтительно, с фиксацией подложки с нижним расположением ее рабочей поверхности и формированием потоков паров полупроводникового материала, например, германия в направлении снизу вверх от сублимационных источников указанных паров или потоков паров полупроводникового материала, например германия или/и кремния, в направлении снизу вверх от тигельных молекулярных источников на основе электроннолучевых испарителей.Технический результат от использования предлагаемой полезной модели - повышение технологичности изготовления, ресурса и ремонтопригодности блока фиксации подложки, нагреваемой с помощью изготовленного из тугоплавкого металла или сплава резистивного нагревателя для вакуумной молекулярно-лучевой эпитаксии в широком диапазоне форм (прямоугольной, круглой и др.) и размеров используемой подложки за счет упрощения конструкции несущей части держателя, выполненной в виде двух несущих керамических пластин с размещенным между ними выполненным в виде электропроводящей полосы (пластины или ленты) резистивным нагревателем и оснащенной с наружной стороны конструктивно простыми фиксирующими керамическими пластинами и их жаростойкими жесткими зажимами, обеспечивающими эксплуатационную фиксацию подложки с ее расположением вдоль указанной несущей керамической пластины с помощью этих фиксирующих керамических пластин, расположенных также вдоль указанной несущей керамической пластины с двух противоположных сторон подложки, за счет прижима нависающих фиксирующих скосов торцов фиксирующих керамических пластин к выступающим краям противоположных торцов подложки.Для достижения указанного технического результата в блоке фиксации нагреваемой подложки, содержащем установленные в вакуумной камере держатель подложки, выполненный с возможностью фиксации подложки, сориентированной поверхностью роста к молекулярному источнику, и резистивный нагреватель, расположенный со стороны нерабочей поверхности подложки, держатель подложки выполнен в виде жестко соединенных между собой и расположенных параллельно друг к другу двух несущих керамических пластин с размещенным между ними плоским резистивным нагревателем и снабжен жаростойкими жесткими зажимами, обеспечивающими неподвижную фиксацию дополнительных керамических пластин вдоль одной из указанных несущих керамических пластин с наружной стороны с возможностью эксплуатационной фиксации подложки с ее расположением вдоль этой же несущей керамической пластины с наружной стороны с помощью указанных фиксирующих керамических пластин, расположенных с двух противоположных сторон подложки, за счет прижима нависающих скосов торцов этих фиксирующих керамических пластин к выступающим краям противоположных торцов подложки.
Description
Полезная модель относится к технологическому оборудованию для вакуумной молекулярно-лучевой эпитаксии полупроводниковых структур и может быть использована в качестве блока фиксации подложки, нагреваемой с помощью изготовленного из тугоплавкого металла или сплава пластинчатого или ленточного резистивного нагревателя в вакуумных установках, предпочтительно, с фиксацией подложки с нижним расположением ее рабочей поверхности и формированием потоков паров полупроводникового материала, например, германия в направлении снизу вверх от сублимационных источников указанных паров или потоков паров полупроводникового материала, например германия или/и кремния, в направлении снизу вверх от тигельных молекулярных источников на основе электроннолучевых испарителей.
Вакуумная молекулярно-лучевая эпитаксия объединяет наиболее распространенные сублимационную молекулярно-лучевую эпитаксию и молекулярно-лучевую эпитаксию, основанную на лучевом испарении полупроводникового материала, приводящем к образованию потока паров этого материала для его вакуумного осаждения на подложку (см. раздел «Уровень техники» описания изобретения к патенту РФ №2511279, H01L21/203, С23С 14/26, 2014).
Типичная установка для вакуумной молекулярно-лучевой эпитаксии с формированием потоков паров полупроводникового материала от тигельных молекулярных источников в направлении снизу вверх содержит вакуумную камеру с установленными в ней нижним испарительным блоком, верхним держателем подложки с нагревателем, образующими верхний блок фиксации нагреваемой подложки, и заслонками между ними для задания режима получения заданной архитектуры полупроводниковой структуры (см., например, полезную модель «Установка для выращивания кремний-германиевых гетероструктур» по патенту РФ №92988, H01L21/363, В82В 3/00, 2010).
В связи с распространенной фиксацией подложки в таких установках в верхнем положении с нижним расположением ее рабочей поверхности (поверхности роста) навстречу потоку паров полупроводникового материала, формируемого в направлении снизу вверх, например, от поверхности расплава германия, надежная фиксация равномерно прогреваемой подложки является актуальной задачей.
Для решения указанной задачи известны конструктивные решения держателя нагреваемой подложки, см., например, выбранный в качестве прототипа блок фиксации нагреваемой подложки, содержащий установленные в вакуумной камере держатель подложки, выполненный с возможностью фиксации подложки, сориентированной поверхностью роста к молекулярному источнику, и резистивный нагреватель, расположенный со стороны нерабочей поверхности подложки (см. фиг. 4-7 в описании изобретения по патенту US №4599069, С23С 14/50, С30В 23/06, С30В 23/08, H01L 21/203, 1986).
В указанном прототипе обеспечивается надежная фиксация равномерно прогреваемой подложки за счет фиксирующего верхнего дискового поджима подложки, имеющей круглую форму и размещаемой ее поверхностью роста навстречу направленному (в частном случае) снизу вверх потоку паров полупроводникового материала от тигельного молекулярного источника на внутреннем фланце цилиндрической выемки несущей пластины держателя и выполнения резистивного нагревателя в виде в виде графитовой пластины, размещенной над верхней нерабочей поверхностью подложки.
Однако блок фиксации нагреваемой подложки - прототип низко технологичен в изготовлении и имеет пониженные ресурс и ремонтопригодность в связи с усложненной формой несущей части держателя. Указанные недостатки дополняются необходимостью изготовления отдельных держателей при использовании подложек различной формы (прямоугольной, круглой и др.).
Технический результат от использования предлагаемой полезной модели - повышение технологичности изготовления, ресурса и ремонтопригодности блока фиксации подложки, нагреваемой с помощью изготовленного из тугоплавкого металла или сплава резистивного нагревателя для вакуумной молекулярно-лучевой эпитаксии в широком диапазоне форм (прямоугольной, круглой и др.) и размеров используемой подложки за счет упрощения конструкции несущей части держателя, выполненной в виде двух несущих керамических пластин с размещенным между ними выполненным в виде электропроводящей полосы (пластины или ленты) резистивным нагревателем и оснащенной с наружной стороны конструктивно простыми фиксирующими керамическими пластинами и их жаростойкими жесткими зажимами, обеспечивающими эксплуатационную фиксацию подложки с ее расположением вдоль указанной несущей керамической пластины с помощью этих фиксирующих керамических пластин, расположенных также вдоль указанной несущей керамической пластины с двух противоположных сторон подложки, за счет прижима нависающих фиксирующих скосов торцов фиксирующих керамических пластин к выступающим краям противоположных торцов подложки.
Для достижения указанного технического результата в блоке фиксации нагреваемой подложки, содержащем установленные в вакуумной камере держатель подложки, выполненный с возможностью фиксации подложки, сориентированной поверхностью роста к молекулярному источнику, и резистивный нагреватель, расположенный со стороны нерабочей поверхности подложки, держатель подложки выполнен в виде жестко соединенных между собой и расположенных параллельно друг к другу двух несущих керамических пластин с размещенным между ними плоским резистивным нагревателем и снабжен жаростойкими жесткими зажимами, обеспечивающими неподвижную фиксацию дополнительных керамических пластин вдоль одной из указанных несущих керамических пластин с наружной стороны с возможностью эксплуатационной фиксации подложки с ее расположением вдоль этой же несущей керамической пластины с наружной стороны с помощью указанных фиксирующих керамических пластин, расположенных с двух противоположных сторон подложки, за счет прижима нависающих скосов торцов этих фиксирующих керамических пластин к выступающим краям противоположных торцов подложки.
В случае фиксации нагреваемой подложки, имеющей прямоугольную форму, держатель подложки может быть снабжен двумя парами жаростойких жестких зажимов, обеспечивающих каждой парой указанных зажимов неподвижное расположение одной из двух фиксирующих керамических пластин, размещенных с двух противоположных сторон подложки вдоль несущей керамической пластины со стороны подложки с возможностью эксплуатационной фиксации подложки с ее расположением вдоль указанной несущей керамической пластины с наружной стороны с помощью указанных фиксирующих керамических пластин за счет прижима нависающих скосов двух торцов этих фиксирующих керамических пластин к выступающим краям двух противоположных торцов подложки, скосом одного торца каждой пластины к краю соответствующего противоположного торца подложки.
В случае фиксации нагреваемой подложки, имеющей круглую форму, держатель подложки может быть снабжен двумя парами жаростойких жестких зажимов, обеспечивающих каждым указанным зажимом неподвижное расположение одной из четырех фиксирующих керамических пластин, размещенных попарно с двух противоположных сторон подложки вдоль несущей керамической пластины со стороны подложки с возможностью эксплуатационной фиксации подложки с ее расположением вдоль этой же несущей керамической пластины с наружной стороны с помощью указанных фиксирующих керамических пластин за счет прижима нависающих скосов четырех торцов этих фиксирующих керамических пластин к выступающим краям двух противоположных пар участков торца подложки, скосом одного торца каждой пластины к краю соответствующего противоположного торца подложки.
В частном случае исполнения предлагаемого блока плоский резистивный нагреватель может быть изготовлен в виде прямоугольной пластины или зигзагообразной утолщенной ленты из тантала, а жаростойкие жесткие зажимы могут быть выполнены в виде электропроводящих резьбовых соединений, проходящих каждое через отверстия в паре несущих керамических пластин и одной из фиксирующей керамических пластин, причем, по меньшей мере два указанные резьбовые соединения могут быть присоединены к плоскому резистивному нагревателю для электроподвода к нему через них.
Для регулирования прижима подложки к наружной поверхности несущей керамической пластины нависающими скосами торцов фиксирующих керамических пластин в результате их продольных смещений отверстие в каждой фиксирующей керамической пластине может быть выполнено удлиненным.
На фиг. 1 показан вид сбоку предлагаемого собранного блока фиксации нагреваемой прямоугольной подложки в вакуумной камере в частном исполнении жестких зажимов в виде резьбовых соединений для неподвижной фиксации фиксирующих керамических пластин; на фиг. 2 - вид А на фиг. 1; на фиг. 3 - вид сверху электропроводящей зигзагообразной ленты, представляющей собой резистивный нагреватель перед сборкой предлагаемого блока, и на фиг. 4 -расположение фиксирующих керамических пластин (вид снизу) в случае фиксации нагреваемой круглой подложки.
Предлагаемый блок фиксации нагреваемой подложки, показанный на фиг. 1 и 2 в собранном виде в примере его исполнения с используемой прямоугольной кремниевой подложкой 1 толщиной 2.0 мм (подложка на всех фигурах показана пунктирной линией) содержит резистивный нагреватель (см. фиг. 3), который выполнен в виде зигзагообразной ленты 2 из тантала толщиной 0.5 мм (указанная толщина может составлять величину от 0.1 до 2.0 мм), размещенной между расположенными вдоль друг друга двумя несущими керамическими пластинами 3 толщиной 1.5 мм (указанная толщина может варьироваться от 0.1 до 5.0 мм в зависимости от задачи повышения эффективности теплообмена между лентой 2 и подложкой 1), изготовленными из поликора и образующими держатель подложки 1, снабженный двумя жаростойкими жесткими зажимами, выполненными в виде резьбовых соединений 4, проходящих каждое через отверстия в паре несущих керамических пластин 3 и одной из двух изготовленных из поликора фиксирующих керамических пластин 5 толщиной 2.5 мм и обеспечивающих неподвижное расположение (фиксацию) каждой фиксирующей керамической пластины 5 вдоль одной из указанных несущих керамических пластин 3 с наружной стороны с возможностью эксплуатационной фиксации подложки 1 с ее расположением вдоль этой же несущей керамической пластины 3 с наружной стороны с помощью двух фиксирующих керамических пластин 5, расположенных по одной с двух противоположных сторон подложки 1, за счет прижима нависающих скосов 6 двух торцов фиксирующих керамических пластин 5 к выступающим краям противоположных двух торцов подложки 1, скосом 6 одного торца каждой пластины 5 к краю соответствующего противоположного торца подложки 1.
При этом, по меньшей мере два указанные резьбовые соединения 4 изготовлены электропроводящими и присоединены к электропроводящей зигзагообразной ленте 2 для электроподвода к ней через них.
В случае фиксации нагреваемой подложки 1, имеющей круглую форму (см. фиг. 4), держатель подложки 1, образованный двумя несущими керамическими пластинами 3, снабженный четырьмя жаростойкими жесткими зажимами, выполненными в виде резьбовых соединений 4, проходящих каждое через отверстия в паре несущих керамических пластин 3 и одной из четырех фиксирующих керамических пластин 5, размещенных попарно с двух противоположных сторон подложки 1, с возможностью эксплуатационной фиксации подложки 1 с ее расположением вдоль нижней несущей керамической пластины 3 с наружной стороны с помощью фиксирующих керамических пластин 5 за счет прижима нависающих скосов 6 четырех торцов фиксирующих керамических пластин 5 к выступающим краям двух противоположных пар участков торца подложки 1, скосом 6 одного торца каждой пластины 5 к краю соответствующего противоположного торца подложки 1.
Для регулирования прижима подложки 1 к наружной поверхности несущей керамической пластины 3 нависающими скосами 6 торцов фиксирующих керамических пластин 5 в результате их продольных смещений отверстие в каждой фиксирующей керамической пластине 5 может быть выполнено удлиненным (на фигурах не показано).
Собранный блок в его верхнем расположении и фиксации с помощью зажимов вакуумной камеры (на фигурах не показаны) в установке для вакуумной молекулярно-лучевой эпитаксии обеспечивает надежную вакуумную молекулярно-лучевую эпитаксию, например, германия в результате его осаждения на поверхность роста нагреваемой кремниевой подложки 1, расположенной поверхностью роста вниз навстречу направленному снизу верх потоку паров от германия, расплавленного в нижнем сублимационном узле испарения (на фигурах не показано).
При этом предлагаемый узел может быть использован в установках для вакуумной молекулярно-лучевой эпитаксии с потоком паров полупроводникового материала, направленным сверху вниз или в горизонтальном направлении, с соответствующим изменением расположения узла.
Предлагаемый блок для вакуумной молекулярно-лучевой эпитаксии характеризуется повышенными технологичностью его изготовления, ресурсом и ремонтопригодностью при изготовлении плоского резистивного нагревателя в виде электропроводящей пластины или ленты из тугоплавких металлов или сплавов (тантала, молибдена и вольфрама, а также сплава, например, такого, как Resistohm Р135, предназначенного для изготовления резистивной ленты), для широкой группы форм (прямоугольной, круглой и др.) и размеров (длиной от 10.0 мм до 10.0 см) подложки 1 за счет конструктивной простоты несущей части держателя, выполненной в виде двух несущих керамических пластин 3 с размещенным между ними указанным плоским резистивным нагревателем, а также фиксирующих керамических пластин 5 и их жестких зажимов (в качестве указанных зажимов могут быть использованы, также и не показанные на фигурах жаростойкие боковые стяжные скобообразные зажимы).
Так как поликор (Тпл=2000°С) и, например, вольфрам (Тпл=3422°С) обладают высокой температурой плавления, а они являются материалом несущих керамических пластин 3 держателя и плоского резистивного нагревателя предлагаемого блока, то можно свободно варьировать температуры при выращивании полупроводниковых структур на подложках Si (Тпл=1415°С), Al2O3 (Тпл=2050°С), ситала (Тпл=1030°С), поликоровых (Тпл=2000°С) и др.
Использование предлагаемого керамического блока фиксации нагреваемой подложки в вакуумной камере с жесткими зажимами фиксирующих керамических пластин в установках для молекулярно-лучевой эпитаксии возможно для получения оптоэлектронных приборов, резисторов, транзисторов с высокой подвижностью электронов (НЕМТ), структур с пониженной размерностью (квантовые точки, квантовые ямы и квантовые нити), лазеров и прочих полупроводниковых структур.
Claims (5)
1. Блок фиксации нагреваемой подложки, содержащий установленные в вакуумной камере держатель подложки, выполненный с возможностью фиксации подложки, сориентированной поверхностью роста к молекулярному источнику, и резистивный нагреватель, расположенный со стороны нерабочей поверхности подложки, отличающийся тем, что держатель подложки выполнен в виде жестко соединенных между собой и расположенных вдоль друг друга двух несущих керамических пластин с размещенным между ними плоским резистивным нагревателем и снабжен жаростойкими жесткими зажимами, обеспечивающими неподвижное расположение фиксирующих керамических пластин вдоль одной из указанных несущих керамических пластин с наружной стороны с возможностью эксплуатационной фиксации подложки с ее размещением вдоль этой же несущей керамической пластины с наружной стороны с помощью указанных фиксирующих керамических пластин, расположенных с двух противоположных сторон подложки, за счет прижима нависающих скосов торцов этих фиксирующих керамических пластин к выступающим краям противоположных торцов подложки.
2. Блок по п. 1, отличающийся тем, что в случае фиксации нагреваемой подложки, имеющей прямоугольную форму, держатель подложки снабжен двумя парами жаростойких жестких зажимов, обеспечивающих каждой парой указанных зажимов неподвижное расположение одной из двух фиксирующих керамических пластин, размещенных с двух противоположных сторон подложки вдоль несущей керамической пластины со стороны подложки с возможностью эксплуатационной фиксации подложки с ее расположением вдоль указанной несущей керамической пластины с наружной стороны с помощью указанных фиксирующих керамических пластин за счет прижима нависающих скосов двух торцов этих фиксирующих керамических пластин к выступающим краям двух противоположных торцов подложки, скосом одного торца каждой пластины к краю соответствующего противоположного торца подложки.
3. Блок по п. 1, отличающийся тем, что в случае фиксации нагреваемой подложки, имеющей круглую форму, держатель подложки снабжен двумя парами жаростойких жестких зажимов, обеспечивающих каждым указанным зажимом неподвижное расположение одной из четырех фиксирующих керамических пластин, размещенных попарно с двух противоположных сторон подложки вдоль несущей керамической пластины со стороны подложки с возможностью эксплуатационной фиксации подложки с ее расположением вдоль этой же несущей керамической пластины с наружной стороны с помощью указанных фиксирующих керамических пластин за счет прижима нависающих скосов четырех торцов этих фиксирующих керамических пластин к выступающим краям двух противоположных пар участков торца подложки, скосом одного торца каждой пластины к краю соответствующего противоположного торца подложки.
4. Блок по п. 1, отличающийся тем, что плоский резистивный нагреватель изготовлен в виде прямоугольной пластины или зигзагообразной утолщенной ленты из тантала, а жаростойкие жесткие зажимы выполнены в виде электропроводящих резьбовых соединений, проходящих каждое через отверстия в паре несущих керамических пластин и одной из фиксирующей керамических пластин, причем по меньшей мере два указанные резьбовые соединения присоединены к плоскому резистивному нагревателю для электроподвода к нему через них.
5. Блок по п. 4, отличающийся тем, что для регулирования прижима подложки к наружной поверхности несущей керамической пластины нависающими скосами торцов фиксирующих керамических пластин в результате их продольных смещений отверстие в каждой фиксирующей керамической пластине выполнено удлиненным.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2020133918U RU203475U1 (ru) | 2020-10-14 | 2020-10-14 | Керамический блок фиксации нагреваемой подложки в вакуумной камере с жёсткими зажимами фиксирующих керамических пластин |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2020133918U RU203475U1 (ru) | 2020-10-14 | 2020-10-14 | Керамический блок фиксации нагреваемой подложки в вакуумной камере с жёсткими зажимами фиксирующих керамических пластин |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU203475U1 true RU203475U1 (ru) | 2021-04-06 |
Family
ID=75356313
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2020133918U RU203475U1 (ru) | 2020-10-14 | 2020-10-14 | Керамический блок фиксации нагреваемой подложки в вакуумной камере с жёсткими зажимами фиксирующих керамических пластин |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU203475U1 (ru) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4599069A (en) * | 1984-02-27 | 1986-07-08 | Anelva Corporation | Substrate holder for molecular beam epitaxy apparatus |
| US5679165A (en) * | 1992-11-30 | 1997-10-21 | Semiconductor Process Laboratory Co., Ltd. | Apparatus for manufacturing semiconductor device |
| RU92988U1 (ru) * | 2009-10-26 | 2010-04-10 | Учреждение Российской академии наук ИНСТИТУТ ФИЗИКИ МИКРОСТРУКТУР РАН (ИФМ РАН) | Установка для выращивания кремний-германиевых гетероструктур |
| RU191199U1 (ru) * | 2019-04-26 | 2019-07-29 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского" | Блок фиксации нагреваемой подложки в вакуумной камере с плоско-пружинными зажимами фиксирующих керамических пластин |
| RU191198U1 (ru) * | 2019-04-26 | 2019-07-29 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского" | Блок фиксации нагреваемой подложки в вакуумной камере с жёсткими зажимами фиксирующих керамических пластин |
-
2020
- 2020-10-14 RU RU2020133918U patent/RU203475U1/ru active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4599069A (en) * | 1984-02-27 | 1986-07-08 | Anelva Corporation | Substrate holder for molecular beam epitaxy apparatus |
| US5679165A (en) * | 1992-11-30 | 1997-10-21 | Semiconductor Process Laboratory Co., Ltd. | Apparatus for manufacturing semiconductor device |
| RU92988U1 (ru) * | 2009-10-26 | 2010-04-10 | Учреждение Российской академии наук ИНСТИТУТ ФИЗИКИ МИКРОСТРУКТУР РАН (ИФМ РАН) | Установка для выращивания кремний-германиевых гетероструктур |
| RU191199U1 (ru) * | 2019-04-26 | 2019-07-29 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского" | Блок фиксации нагреваемой подложки в вакуумной камере с плоско-пружинными зажимами фиксирующих керамических пластин |
| RU191198U1 (ru) * | 2019-04-26 | 2019-07-29 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского" | Блок фиксации нагреваемой подложки в вакуумной камере с жёсткими зажимами фиксирующих керамических пластин |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3692076B2 (ja) | ＳｉＣ単結晶およびその成長方法 | |
| US20120061687A1 (en) | Silicon carbide substrate and semiconductor device | |
| US20120184113A1 (en) | Method and device for manufacturing silicon carbide substrate | |
| RU191199U1 (ru) | Блок фиксации нагреваемой подложки в вакуумной камере с плоско-пружинными зажимами фиксирующих керамических пластин | |
| RU191198U1 (ru) | Блок фиксации нагреваемой подложки в вакуумной камере с жёсткими зажимами фиксирующих керамических пластин | |
| RU203475U1 (ru) | Керамический блок фиксации нагреваемой подложки в вакуумной камере с жёсткими зажимами фиксирующих керамических пластин | |
| US9799735B2 (en) | Method of manufacturing silicon carbide single crystal and silicon carbide single crystal substrate | |
| CN111146139A (zh) | 用于制造晶片的装置和方法 | |
| RU205313U1 (ru) | Керамический блок фиксации нагреваемой подложки в вакуумной камере с плоскопружинными зажимами фиксирующих керамических пластин | |
| RU205314U1 (ru) | Керамический блок фиксации нагреваемой подложки для вакуумной молекулярно-лучевой эпитаксии | |
| US20120015499A1 (en) | Method for manufacturing semiconductor substrate | |
| US7329595B2 (en) | Deposition of carbon-containing layers using vitreous carbon source | |
| KR20070088988A (ko) | 탄화규소 단결정 성장장치 | |
| JP5143139B2 (ja) | 単結晶成長装置 | |
| US20110262681A1 (en) | Silicon carbide substrate and method for manufacturing silicon carbide substrate | |
| US20120073502A1 (en) | Heater with liquid heating element | |
| JP5080043B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、半導体装置の製造用治具、および半導体装置の製造装置 | |
| US20110300354A1 (en) | Combined substrate and method for manufacturing same | |
| KR101265067B1 (ko) | 측면 방출형 선형증발원, 그 제작 방법 및 선형증발기 | |
| RU2723477C1 (ru) | Узел фиксации нагреваемой подложки в вакуумной камере (варианты) | |
| KR100347725B1 (ko) | 저항가열식 박막증착장치 | |
| US20110262680A1 (en) | Silicon carbide substrate and method for manufacturing silicon carbide substrate | |
| CN108695216A (zh) | 晶片载体及方法 | |
| US20110287603A1 (en) | Method for manufacturing silicon carbide substrate | |
| US20120003823A1 (en) | Method for manufacturing semiconductor substrate |