RU2023329C1 - Способ изготовления интегральной схемы - Google Patents
Способ изготовления интегральной схемы Download PDFInfo
- Publication number
- RU2023329C1 RU2023329C1 SU4816221A RU2023329C1 RU 2023329 C1 RU2023329 C1 RU 2023329C1 SU 4816221 A SU4816221 A SU 4816221A RU 2023329 C1 RU2023329 C1 RU 2023329C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- crystal
- film
- carried out
- contact pads
- pressure
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
Сущность изобретения: при изготовлении интегральной схемы ориентацию кристалла с выступами основания пресс-формы осуществляют по базовым элементам выводной рамки. Фиксацию кристалла ведут при давлении, не превышающем давление прессования. При заливке кристалла формируют в подложке-носителе конусные отверстия для соединения с крепежными концами выводной рамки. Очистку заготовки ведут плазмохимической обработкой, а после напыления пленочных проводников наносят защитное покрытие. В этом случае обеспечивается повышение выхода годных изделий. 4 з.п.ф-лы, 4 ил.
Description
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении БИС, СБИС, СВЧ-приборов и других аналогичных изделий.
Цель изобретения - повышение выхода годных.
На фиг. 1-4 изображена технологическая схема осуществления способа изготовления интегральной микросхемы.
На полимерную пленку 1 с нанесенным на одну из ее сторон клеевым слоем толщиной 2-5 мкм приклеивали в ориентированном положении кристалл 2 контактными площадками 3 к пленке, а также выводную рамку 4, в которой предварительно были выполнены базовые элементы 5 (отверстия). Выводную рамку 4 приклеивают так, чтобы центры базовых отверстий на рамке были установлены с точностью не хуже ±0,015 мм относительно реперных знаков кристалла 2. В качестве реперных знаков были использованы контактные площадки 3 кристалла 2. Перед приклеиванием рамки 4 внутренним концам (крепежным участкам) 6 выводов рамки придавали L-образную форму. Затем технологическую пленку с собранными на ней кристаллом 2 и рамкой 4 устанавливают базовыми отверстиями 5 рамки в пресс-форму 15 на ее базовые штифты 7. При установке средней 8 и верхней 9 литьевых матриц пресс-формы 15 осуществляют поджатие кристалла 2 с его обратной стороны к выступам 10 основания пресс-формы с помощью эластичного прижима 11, а также прижим горизонтальных участков 12 крепежных L-образных участков выводной рамки с помощью конусных металлических выступов 13 верхней матрицы 9. Выступы 10 основания пресс-формы выполнены в виде замкнутого выступа прямоугольной формы или иной формы соответствующей топологии размещения контактных площадок 3, при этом наружную боковую поверхность выступа 10 выполняют наклонной к плоскости основания пресс-формы. Внутри контура, ограниченного внутренней боковой поверхностью выступа 10, при наложении полиимидной пленки с кристаллом 2 образуется свободный объем 14, который служит в качестве изолированного воздухосборника. Воздухосборник обеспечивает при литьевом прессовании уход воздуха, имеющегося под технологической пленкой и, соответственно, качественное формирование полимерной защиты (буртика 16) по периметру кристалла 2. Ширина торцевой поверхности выступа 10 выбирается таким образом, чтобы обеспечить при прижиме кристалла 2 удельное давление, гарантирующее качественную заливку реактопласта и одновременно не превышающее механическую прочность кристалла 2.
После сборки пресс-формы 15 осуществляют литьевое прессование микросхемы пластмассой 17. После отверждения полимерного материала изделие извлекают из пресс-формы и удаляют технологическую пленку 1. Затем производят очистку лицевой поверхности (рабочей поверхности) заготовки от остатков клея в воздушной плазме. Термообработку для полимеризации осуществляют в защитной атмосфере (в азоте) в термошкафу при температуре 180оС в течение 4-5 ч.
Затем удаляют с контактных площадок кристалла 2 окисную пленку Аl2O3 и осуществляют вакуумное напыление пленочных проводников через свободную магнитную маску, выполненную из никелированного ковара. Толщина пленочных проводников выбиралась равной 5 мкм, а в качестве материала используется алюминий с подслоем ванадия. При напылении маску, имеющую базовые отверстия, аналогичные базовым отверстиям на выводной рамке, устанавливают на соответствующие штифты и прижимают к лицевой поверхности заготовки (модуля) магнитом, который располагают под обратной стороной модуля. Вакуумное напыление пленочных проводников 18 с помощью резистивных или электронных испарителей выполняли при наличии зазора между маской и кристаллом, равным 35-40 мкм, а на установках с магнетронными испарителями с зазором порядка 10 мкм. Сразу же после извлечения модуля из вакуумной напылительной установки осуществляют защиту кристалла, его контактов и пленочных проводников нанесением в инертной осушенной среде тонкого защитного слоя 19. Далее выполняется окончательная герметизация модуля путем литьевой опрессовки пресс-материалом 20 для всех типов микросхем.
Цикл изготовления микросхем заканчивается операциями обрубки и формовки выводов, контроля электрических параметров, лазерной маркировкой изделий, после их классификации, и упаковкой.
В результате повышения точности ориентации контактных площадок кристаллов относительно выступов увеличен выход годных микросхем, ликвидация наплыва пленок реактопласта на поверхность выводов при литьевом прессовании позволила существенно повысить надежность микросхем. Создание защитного слоя сразу же после вакуумного напыления проводников позволило увеличить выход годных на операции герметизации.
Claims (4)
1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНОЙ СХЕМЫ, включающий приклеивание кристалла интегральной схемы со стороны контактных площадок и выводной рамки к технологической пленке, размещение технологической пленки с кристаллом на выступах основания пресс-формы, ориентацию кристалла до совпадения контактных площадок с выступами, фиксацию кристалла давлением, формирование подложки-носителя с защитным буртиком на лицевой поверхности кристалла в зоне контактных площадок заливкой кристалла нагретым реактопластом и выдержкой доотверждения, удаление технологической пленки, очистку лицевой поверхности заготовки, термообработку для полимеризации, электрическое соединение контактных площадок с выводной рамкой вакуумным напылением пленочных проводников на поверхности буртика и часть стенки корпуса и герметизацию лицевой и обратной стороны кристалла, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных, ориентацию контактных площадок кристалла с выступами основания пресс-формы осуществляют по базовым элементам выводной рамки, фиксацию кристалла осуществляют при величине давления, не превышающей давление литьевого прессования, при заливке формируют в подложке-носителе с обратной стороны кристалла конусные отверстия до соединения с L-образными крепежными концами выводной рамки, к которым одновременно прикладывают давление величиной, не превышающей величину максимальной упругой деформации выводной рамки, очистку лицевой поверхности заготовки осуществляют плазмохимической обработкой, термообработку для полимеризации осуществляют в нейтральной среде, а после напыления пленочных проводников наносят защитное покрытие на лицевую поверхность кристалла, поверхность пленочных проводников и стенок корпуса.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что перед напылением пленочных проводников оценивают толщину окисной пленки на поверхности контактных площадок и осуществляют напыление, если средняя толщина пленки не превышает 10
3. Способ по пп.1 и 2, отличающийся тем, что заливку осуществляют при динамическом давлении реактопласта 3,5 - 7 МПа, нагрев проводят до 140 - 180oС, а выдержку осуществляют в течение 2 - 8 мин.
3. Способ по пп.1 и 2, отличающийся тем, что заливку осуществляют при динамическом давлении реактопласта 3,5 - 7 МПа, нагрев проводят до 140 - 180oС, а выдержку осуществляют в течение 2 - 8 мин.
4. Способ по пп.1 - 3, отличающийся тем, что термообработку для полимеризации осуществляют при 160 - 180oС в течение 4 - 6 час.
5. Способ по пп.1 - 4, отличающийся тем, что в качестве защитного покрытия используют органическую пленку.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU4816221 RU2023329C1 (ru) | 1990-03-23 | 1990-03-23 | Способ изготовления интегральной схемы |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU4816221 RU2023329C1 (ru) | 1990-03-23 | 1990-03-23 | Способ изготовления интегральной схемы |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2023329C1 true RU2023329C1 (ru) | 1994-11-15 |
Family
ID=21509355
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU4816221 RU2023329C1 (ru) | 1990-03-23 | 1990-03-23 | Способ изготовления интегральной схемы |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2023329C1 (ru) |
-
1990
- 1990-03-23 RU SU4816221 patent/RU2023329C1/ru active
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
Авторское свидетельство СССР N 1237060, кл. H 01L 25/00, 1984. * |
Патент Японии N 57-55310, кл. H 05K 1/18, 1982. * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR920008249B1 (ko) | 반도체장치의 제조방법 | |
US6432253B1 (en) | Cover with adhesive preform and method for applying same | |
US6417028B2 (en) | Method and apparatus for removing contaminants on electronic devices | |
US6428650B1 (en) | Cover for an optical device and method for making same | |
US5250843A (en) | Multichip integrated circuit modules | |
US4843036A (en) | Method for encapsulating electronic devices | |
US3716907A (en) | Method of fabrication of semiconductor device package | |
US6770968B2 (en) | Method for bonding heat sinks to overmolds and device formed thereby | |
JP3744927B2 (ja) | カプセル化電子部品、特に集積回路の製造方法 | |
WO1989004552A1 (en) | Method and means of fabricating a semiconductor device package | |
US3570115A (en) | Method for mounting electronic chips | |
JPH06502744A (ja) | マルチチップ集積回路パッケージ及びモジュール | |
RU2193260C1 (ru) | Способ изготовления многокомпонентного трехмерного электронного модуля | |
RU2023329C1 (ru) | Способ изготовления интегральной схемы | |
EP0851489A2 (en) | Improvements in or relating to integrated circuit devices | |
JPH02209739A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH07212013A (ja) | ボール・グリッド・アレイ及びボール・グリッド・アレイ用のプリント回路基板の製造方法 | |
EP0637196A1 (en) | Process for manufacturing integrated microcircuits | |
JP2004071950A (ja) | 半導体パッケージおよびその製造方法 | |
US20020079048A1 (en) | Method for bonding heat sinks to overmold material | |
JPH02297945A (ja) | 半導体素子パッケージの製造方法 | |
KR100439188B1 (ko) | 반도체 패키지 몰딩장치 | |
USH1153H (en) | Non-metallized chip carrier | |
JPH0260154A (ja) | リードフレームおよびそれを用いた電子装置の作製方法 | |
JPH02302050A (ja) | Icチップ搭載基板 |