RU2019103999A - Детекторный модуль, детектор, устройство формирования изображений и способ производства детекторного модуля - Google Patents
Детекторный модуль, детектор, устройство формирования изображений и способ производства детекторного модуля Download PDFInfo
- Publication number
- RU2019103999A RU2019103999A RU2019103999A RU2019103999A RU2019103999A RU 2019103999 A RU2019103999 A RU 2019103999A RU 2019103999 A RU2019103999 A RU 2019103999A RU 2019103999 A RU2019103999 A RU 2019103999A RU 2019103999 A RU2019103999 A RU 2019103999A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- integrated circuit
- interposer
- direct conversion
- detector module
- conversion crystal
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims 15
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims 13
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 2
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 claims 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 claims 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 claims 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14636—Interconnect structures
-
- A—HUMAN NECESSITIES
- A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
- A61B—DIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
- A61B6/00—Apparatus or devices for radiation diagnosis; Apparatus or devices for radiation diagnosis combined with radiation therapy equipment
- A61B6/02—Arrangements for diagnosis sequentially in different planes; Stereoscopic radiation diagnosis
- A61B6/03—Computed tomography [CT]
- A61B6/032—Transmission computed tomography [CT]
- A61B6/035—Mechanical aspects of CT
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/24—Measuring radiation intensity with semiconductor detectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14618—Containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14634—Assemblies, i.e. Hybrid structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
- H01L27/14658—X-ray, gamma-ray or corpuscular radiation imagers
- H01L27/14659—Direct radiation imagers structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
- H01L27/14658—X-ray, gamma-ray or corpuscular radiation imagers
- H01L27/14661—X-ray, gamma-ray or corpuscular radiation imagers of the hybrid type
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/1469—Assemblies, i.e. hybrid integration
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Medical Informatics (AREA)
- Pulmonology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Biomedical Technology (AREA)
- Heart & Thoracic Surgery (AREA)
- Surgery (AREA)
- Animal Behavior & Ethology (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Public Health (AREA)
- Veterinary Medicine (AREA)
- Radiology & Medical Imaging (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
- Biophysics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Claims (30)
1. Детекторный модуль, содержащий:
- кристалл (10) прямого преобразования для преобразования падающих фотонов в электрические сигналы, причем упомянутый кристалл прямого преобразования имеет катодную металлизацию (100), осажденную на первой поверхности, и анодную металлизацию (101), осажденную на второй поверхности,
- интегральную схему (12), находящуюся в электрической связи с упомянутым кристаллом прямого преобразования, причем упомянутая интегральная схема имеет меньшую ширину, чем упомянутый кристалл прямого преобразования, и тем самым формируется выемка (120) в направлении ширины на боковой поверхности интегральной схемы,
- интерпозер (11, 11a), размещенный между упомянутым кристаллом прямого преобразования и упомянутой интегральной схемой для обеспечения электрической связи между ними, причем упомянутый интерпозер выполнен как отдельный элемент, который приклеен, припаян или приварен к анодной металлизации (101) упомянутого кристалла прямого преобразования, обращенной к упомянутой интегральной схеме, и
- многожильный гибкий кабель (13, 13a, 13b, 13c, 13d), обеспечивающий множество выходных путей, причем упомянутый многожильный гибкий кабель имеет первую часть (131, 131a, 131b, 131c, 131d), соединенную одной поверхностью с упомянутым кристаллом прямого преобразования и противоположной поверхностью с упомянутой интегральной схемой (12), и вторую часть (132), которая согнута относительно первой части и размещена в упомянутой выемке.
2. Детекторный модуль по п. 1,
в котором упомянутая интегральная схема (12) приклеена, припаяна или приварена к поверхности (110) упомянутого интерпозера (11), обращенной к упомянутой интегральной схеме.
3. Детекторный модуль по п. 1,
в котором упомянутый интерпозер (11) содержит впадину (111), и первая часть (131, 131a, 131b, 131c, 131d) упомянутого многожильного гибкого кабеля (13) по меньшей мере частично размещена в упомянутой впадине.
4. Детекторный модуль по п. 1,
в котором упомянутый интерпозер (11, 11a) выполнен как твердый элемент.
5. Детекторный модуль по п. 1,
в котором первая часть (131, 131a, 131c, 131d) упомянутого многожильного гибкого кабеля (13a, 13c, 13d) вставлена между упомянутым интерпозером и упомянутой интегральной схемой для обеспечения электрической связи между ними.
6. Детекторный модуль по п. 5,
в котором первая часть (131, 131a, 131c, 131d) упомянутого многожильного гибкого кабеля (13a, 13c, 13d) вставлена между упомянутым интерпозером и упомянутой интегральной схемой по всей ширине упомянутой интегральной схемы.
7. Детекторный модуль по п. 1,
в котором первая часть и упомянутый интерпозер интегрированы, формируя гибкий интерпозер (131b, 131d).
8. Детекторный модуль по п. 1,
дополнительно содержащий теплоотвод (17), размещенный на поверхности (121) упомянутой интегральной схемы (12), обращенной от упомянутого интерпозера (11, 11a).
9. Детекторный модуль по п. 5 или 7,
в котором первая часть (131, 131a, 131b, 131c, 131d) упомянутого многожильного гибкого кабеля (13a, 13b, 13c, 13d) приклеена, припаяна или приварена к поверхности (110) упомянутого интерпозера (11, 11a), обращенной к упомянутой интегральной схеме.
10. Детекторный модуль по п. 1,
в котором первая часть (131b, 131d) упомянутого многожильного гибкого кабеля (13a, 13b, 13c, 13d) или упомянутый интерпозер (11) содержит перераспределительные соединения (16, 16b) для соединения контактов (14) пикселей кристалла упомянутого кристалла (10) прямого преобразования с контактами пикселей интегральной схемы (15) упомянутой интегральной схемы.
11. Детектор (50), содержащий множество детекторных модулей (1, 1') по п. 1, расположенных смежно по отношению друг к другу, чтобы сформировать плоский массив детекторных модулей.
12. Устройство формирования изображений, содержащее детектор (50) по п. 11.
13. Способ производства детекторного модуля по п. 1, причем упомянутый способ содержит этапы, на которых:
- создают интерпозер (11, 11a) как отдельный элемент,
- приводят упомянутый интерпозер в контакт посредством приклеивания, припаивания или приваривания (11, 11a) к анодной металлизации (101) кристалла (10) прямого преобразования, который выполнен с возможностью преобразования падающих фотонов в электрические сигналы, причем упомянутый кристалл прямого преобразования имеет катодную металлизацию (100), осажденную на первой поверхности, и анодную металлизацию (101), осажденную на второй поверхности,
- размещают интегральную схему (12) на поверхностной стороне (110) интерпозера, обращенной от упомянутого кристалла прямого преобразования, причем интерпозер обеспечивает электрическую связь между упомянутой интегральной схемой и упомянутым кристаллом прямого преобразования, при этом упомянутая интегральная схема имеет меньшую ширину, чем упомянутый кристалл прямого преобразования, тем самым формируя выемку (120) в направлении ширины на боковой поверхности интегральной схемы,
- размещают многожильный гибкий кабель (13, 13a, 13b, 13c, 13d) в упомянутой выемке, причем упомянутый многожильный гибкий кабель обеспечивает множество выходных путей, причем первая часть (131, 131a, 131b, 131c, 131d) упомянутого многожильного гибкого кабеля соединена одной поверхностью с упомянутым кристаллом прямого преобразования и противоположной поверхностью с упомянутой интегральной схемой (12), и вторая часть (132) согнута относительно первой части и размещена в упомянутой выемке.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP16179411 | 2016-07-14 | ||
| EP16179411.0 | 2016-07-14 | ||
| PCT/EP2017/067852 WO2018011399A1 (en) | 2016-07-14 | 2017-07-14 | Detector module, detector, imaging apparatus and method of manufacturing a detector module |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2019103999A true RU2019103999A (ru) | 2020-08-14 |
Family
ID=56740808
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2019103999A RU2019103999A (ru) | 2016-07-14 | 2017-07-14 | Детекторный модуль, детектор, устройство формирования изображений и способ производства детекторного модуля |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10868074B2 (ru) |
| EP (1) | EP3485514B1 (ru) |
| JP (1) | JP6842528B2 (ru) |
| CN (1) | CN109478556B (ru) |
| BR (1) | BR112019000429A2 (ru) |
| RU (1) | RU2019103999A (ru) |
| WO (1) | WO2018011399A1 (ru) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2021228386A1 (en) * | 2020-05-13 | 2021-11-18 | Dectris Ag | Radiation detector and method of manufacture thereof |
| CN111640131B (zh) * | 2020-05-29 | 2021-05-18 | 广东利元亨智能装备股份有限公司 | 电芯涂胶检测方法、装置和电子设备 |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002158341A (ja) | 2000-11-17 | 2002-05-31 | Canon Inc | 撮像装置 |
| US7564125B2 (en) * | 2002-12-06 | 2009-07-21 | General Electric Company | Electronic array and methods for fabricating same |
| US20050286682A1 (en) * | 2004-06-29 | 2005-12-29 | General Electric Company | Detector for radiation imaging systems |
| DE102005037902A1 (de) | 2005-08-10 | 2007-02-15 | Siemens Ag | Detektormodul, Detektor und Computertomographiegerät |
| JP4046138B2 (ja) * | 2006-05-24 | 2008-02-13 | 株式会社村田製作所 | ワーク搬送装置及び電子部品搬送装置 |
| US7916836B2 (en) | 2007-09-26 | 2011-03-29 | General Electric Company | Method and apparatus for flexibly binning energy discriminating data |
| JP5281484B2 (ja) * | 2009-05-28 | 2013-09-04 | 浜松ホトニクス株式会社 | 放射線検出ユニット |
| US20100327173A1 (en) * | 2009-06-29 | 2010-12-30 | Charles Gerard Woychik | Integrated Direct Conversion Detector Module |
| JP5358509B2 (ja) * | 2010-04-15 | 2013-12-04 | 浜松ホトニクス株式会社 | 放射線検出器モジュール |
| US20130049151A1 (en) * | 2011-08-31 | 2013-02-28 | General Electric Company | Anode-illuminated radiation detector |
| FI124818B (fi) | 2011-10-06 | 2015-02-13 | Advacam Oy | Hybridipikseli-ilmaisinrakenne ja tämän valmistusmenetelmä |
| CN107529624A (zh) | 2012-05-22 | 2018-01-02 | Analogic公司 | 计算机断层照相检测器、方法及设备 |
| JP5424371B1 (ja) * | 2013-05-08 | 2014-02-26 | 誠 雫石 | 固体撮像素子及び撮像装置 |
| WO2016066850A1 (en) * | 2014-10-31 | 2016-05-06 | Koninklijke Philips N.V. | Sensor device and imaging system for detecting radiation signals |
-
2017
- 2017-07-14 WO PCT/EP2017/067852 patent/WO2018011399A1/en unknown
- 2017-07-14 BR BR112019000429A patent/BR112019000429A2/pt not_active Application Discontinuation
- 2017-07-14 US US16/316,051 patent/US10868074B2/en active Active
- 2017-07-14 EP EP17737300.8A patent/EP3485514B1/en active Active
- 2017-07-14 RU RU2019103999A patent/RU2019103999A/ru not_active Application Discontinuation
- 2017-07-14 JP JP2019500891A patent/JP6842528B2/ja active Active
- 2017-07-14 CN CN201780043549.0A patent/CN109478556B/zh active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP3485514B1 (en) | 2020-09-09 |
| CN109478556B (zh) | 2023-07-14 |
| US20190280036A1 (en) | 2019-09-12 |
| US10868074B2 (en) | 2020-12-15 |
| BR112019000429A2 (pt) | 2019-04-30 |
| EP3485514A1 (en) | 2019-05-22 |
| JP2019523402A (ja) | 2019-08-22 |
| WO2018011399A1 (en) | 2018-01-18 |
| CN109478556A (zh) | 2019-03-15 |
| JP6842528B2 (ja) | 2021-03-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101238587B (zh) | 太阳能电池组件及其生产方法 | |
| US8809671B2 (en) | Optoelectronic device with bypass diode | |
| CN100559220C (zh) | 光传输模组 | |
| CN101388161A (zh) | Led表面安装装置和并入有此装置的led显示器 | |
| CN102891151A (zh) | 背照式图像传感器的低应力腔体封装及其制作方法 | |
| US9923107B2 (en) | Photovoltaic module, photovoltaic apparatus, and method for producing photovoltaic module | |
| WO2008093118A3 (en) | External electrical connection for photovoltaic cell arrays | |
| WO2012108636A3 (en) | Light emitting device having wavelength converting layer | |
| US9667900B2 (en) | Three dimensional system-on-chip image sensor package | |
| CN104965267A (zh) | 光模块 | |
| US20090283143A1 (en) | Point contact solar cell | |
| RU2019103999A (ru) | Детекторный модуль, детектор, устройство формирования изображений и способ производства детекторного модуля | |
| CN103563110A (zh) | 用于制造光电子半导体器件的方法和这样的半导体器件 | |
| US20140130845A1 (en) | Concentrator photovoltaic device and method for manufacturing concentrator photovoltaic device | |
| WO2015041279A1 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2015060909A5 (ru) | ||
| CN103633105A (zh) | 半导体装置和电子设备 | |
| CN209913232U (zh) | 半导体激光泵浦源封装结构 | |
| US20150364446A1 (en) | Semiconductor Chip Assembly and Method for Manufacturing the Same | |
| US20180286752A1 (en) | Manufacturing method for solid-state imaging device and solid-state imaging device | |
| US7374958B2 (en) | Light emitting semiconductor bonding structure and method of manufacturing the same | |
| JPWO2016067386A1 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP6409575B2 (ja) | 積層型半導体装置 | |
| WO2015122299A1 (ja) | 固体撮像装置、電子機器、および固体撮像装置の製造方法 | |
| KR101845635B1 (ko) | 솔라셀을 이용하는 부이 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FA93 | Acknowledgement of application withdrawn (no request for examination) |
Effective date: 20200715 |