RU2018104580A - Устройства и способы обнаружения ухудшения состояния полупроводниковых устройств вследствие воздействия на них радиации - Google Patents
Устройства и способы обнаружения ухудшения состояния полупроводниковых устройств вследствие воздействия на них радиации Download PDFInfo
- Publication number
- RU2018104580A RU2018104580A RU2018104580A RU2018104580A RU2018104580A RU 2018104580 A RU2018104580 A RU 2018104580A RU 2018104580 A RU2018104580 A RU 2018104580A RU 2018104580 A RU2018104580 A RU 2018104580A RU 2018104580 A RU2018104580 A RU 2018104580A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- radiation
- deterioration
- preceding paragraphs
- semiconductor device
- threshold
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/24—Measuring radiation intensity with semiconductor detectors
- G01T1/244—Auxiliary details, e.g. casings, cooling, damping or insulation against damage by, e.g. heat, pressure or the like
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
- G01R31/2601—Apparatus or methods therefor
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
- G01R31/2642—Testing semiconductor operation lifetime or reliability, e.g. by accelerated life tests
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/316—Testing of analog circuits
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/02—Dosimeters
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/24—Measuring radiation intensity with semiconductor detectors
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Claims (38)
1.Способ, включающий:
определение тока полупроводникового устройства в аналоговой схеме;
определение количества радиации, воздействующее на полупроводниковое устройство, на основе тока;
сравнение количества радиации с пороговым значением дозы радиации; и
индикацию ухудшения состояния полупроводникового устройства на основе сравнения.
2. Способ по п. 1, дополнительно включающий направление предупреждения на рабочую станцию оператора, указывающего на ухудшение состояния.
3. Способ по любому из предшествующих пунктов, дополнительно включающий направление на основе сравнения предупреждения о возможном ухудшении состояния на рабочую станцию оператора.
4. Способ по любому из предшествующих пунктов, отличающийся тем, что определение количества радиации включает использование соответствующей полупроводниковому устройству кривой ухудшения состояния вследствие воздействия радиации.
5. Способ по любому из предшествующих пунктов, отличающийся тем, что кривая ухудшения состояния вследствие воздействия радиации определяет пороговое значение дозы радиации.
6. Способ по любому из предшествующих пунктов, отличающийся тем, что пороговое значение дозы радиации соответствует количеству радиации, при котором происходит ухудшение состояния аналоговой схемы.
7. Устройство, содержащее:
полупроводниковое устройство с известным ухудшением состояния вследствие воздействия радиации; и
устройство управления процессом для:
мониторинга тока питания полупроводникового устройства;
корреляции тока питания с общим количеством радиационного воздействия;
сравнения количества радиационного воздействия с пороговым значением дозы радиации, определенным на основе известного ухудшения состояния; и
направления предупреждения на рабочую станцию оператора на основе сравнения.
8. Устройство по п. 7, дополнительно содержащее аналоговую схему, содержащую полупроводниковое устройство, имеющее порог ухудшения состояния, равный пороговому значению дозы радиации полупроводникового устройства.
9. Устройство по любому из предшествующих пунктов, отличающееся тем, что известное ухудшение состояния полупроводникового устройства соответствует кривой ухудшения состояния, причем пороговое значение дозы радиации определяется по кривой ухудшения состояния.
10. Устройство по любому из предшествующих пунктов, отличающееся тем, что известное ухудшение состояния коррелирует с уменьшением тока питания полупроводникового устройства при увеличении общего количества радиационного воздействия.
11. Устройство по любому из предшествующих пунктов, отличающееся тем, что устройство управления процессом выполнено с возможностью обнаружения ухудшения состояния полупроводникового устройства на основе сравнения.
12. Устройство по любому из предшествующих пунктов, отличающееся тем, что устройство управления процессом дополнительно выполнено с возможностью определения того, что количество радиационного воздействия приближается к пороговому значению дозы радиации, и направления предупреждения на рабочую станцию оператора.
13. Устройство по любому из предшествующих пунктов, отличающееся тем, что полупроводниковое устройство встроено в устройство управления процессом.
14. Устройство по любому из предшествующих пунктов, отличающееся тем, что устройство управления процессом выполнено с возможностью дистанционного мониторинга тока полупроводникового устройства.
15. Устройство по любому из предшествующих пунктов, отличающееся тем, что полупроводниковое устройство представляет собой радиационно-устойчивый маломощный двухканальный операционный усилитель.
16. Устройство по любому из предшествующих пунктов, дополнительно содержащее дополнительное полупроводниковое устройство с известным ухудшением состояния в результате воздействия радиации.
17. Устройство, содержащее:
аналоговую схему, имеющую первую интегральную схему;
контрольную схему, имеющую вторую интегральную схему, идентичную первой, и обеспечивающую сигнал обратной связи, указывающий на ухудшение состояния контрольной схемы и аналоговой схемы вследствие воздействия радиации; и
устройство управления процессом для мониторинга сигнала обратной связи от контрольной схемы.
18. Устройство по п. 17, дополнительно содержащее рабочую станцию оператора для приема сигнала тревоги от устройства управления процессом, если сигнал обратной связи указывает на ухудшение состояния контрольной схемы и аналоговой схемы.
19. Устройство по любому из предшествующих пунктов, отличающееся тем, что изменение сигнала обратной связи за пределами порогового значения указывает на ухудшение состояния вследствие воздействия радиации.
20. Устройство, содержащее:
средство для обнаружения воздействия радиации; и
средство для определения ухудшения состояния полупроводникового устройства вследствие воздействия радиации.
21. Устройство по п. 20, отличающееся тем, что средство для определения ухудшения состояния дополнительно содержит средство для мониторинга параметра, связанного со средством для обнаружения воздействия радиации.
22. Устройство по любому из предшествующих пунктов, отличающееся тем, что средство для определения ухудшения состояния дополнительно содержит средство для сравнения параметра с известным ухудшением состояния для определения достижения порогового ухудшения состояния.
23. Устройство по любому из предшествующих пунктов, отличающееся тем, что средство для определения ухудшения состояния дополнительно содержит средство для направления сигнала тревоги на рабочую станцию оператора при достижении порога ухудшения состояния.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US14/816,298 | 2015-08-03 | ||
| US14/816,298 US20170038425A1 (en) | 2015-08-03 | 2015-08-03 | Apparatus and methods to detect semiconductor device degradation due to radiation exposure |
| PCT/US2016/045225 WO2017023960A1 (en) | 2015-08-03 | 2016-08-03 | Apparatus and methods to detect semiconductor device degradation due to radiation exposure |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2018104580A true RU2018104580A (ru) | 2019-09-05 |
| RU2018104580A3 RU2018104580A3 (ru) | 2019-12-20 |
| RU2722365C2 RU2722365C2 (ru) | 2020-05-29 |
Family
ID=56851683
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2018104580A RU2722365C2 (ru) | 2015-08-03 | 2016-08-03 | Устройства и способы обнаружения ухудшения состояния полупроводниковых устройств вследствие воздействия на них радиации |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20170038425A1 (ru) |
| EP (1) | EP3332271A1 (ru) |
| CN (2) | CN106443398A (ru) |
| CA (1) | CA2994200A1 (ru) |
| RU (1) | RU2722365C2 (ru) |
| WO (1) | WO2017023960A1 (ru) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20170038425A1 (en) * | 2015-08-03 | 2017-02-09 | Fisher Controls International Llc | Apparatus and methods to detect semiconductor device degradation due to radiation exposure |
| CA3041916A1 (en) | 2016-10-31 | 2018-05-03 | Atomic Energy Of Canada Limited/Energie Atomique Du Canada Limitee | System and method for indirectly monitoring one or more environmental conditions |
| CN108535759B (zh) * | 2018-03-16 | 2020-07-24 | 广东核电合营有限公司 | 百万千瓦级核电站的远程辐射防护监控方法、装置及系统 |
| CN112334783B (zh) * | 2018-06-21 | 2024-03-22 | 三菱电机株式会社 | 半导体元件的可靠性评价装置和半导体元件的可靠性评价方法 |
| CN109557442B (zh) * | 2018-11-23 | 2021-12-14 | 哈尔滨工业大学 | 一种线性电路辐射缺陷提取方法 |
| CN109947695A (zh) * | 2019-04-24 | 2019-06-28 | 北京锐达芯集成电路设计有限责任公司 | 一种用于保护元器件的抗辐射控制器芯片、控制器及方法 |
| US11728004B1 (en) | 2021-01-28 | 2023-08-15 | Board Of Trustees Of The University Of Alabama | Systems and methods for improving radiation tolerance of three-dimensional flash memory |
| CN113156487A (zh) * | 2021-04-27 | 2021-07-23 | 中国核动力研究设计院 | 一种程控调节脉冲测量电路甄别阈值的方法 |
| CN114068694B (zh) * | 2021-11-11 | 2024-03-08 | 湘潭大学 | 锗硅异质结双极晶体管抗电荷收集的测试方法及系统 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2975286A (en) * | 1957-12-26 | 1961-03-14 | Rca Corp | Radiation detection |
| JPS61155887A (ja) * | 1984-12-28 | 1986-07-15 | Toshiba Corp | 放射線測定装置 |
| US5381103A (en) * | 1992-10-13 | 1995-01-10 | Cree Research, Inc. | System and method for accelerated degradation testing of semiconductor devices |
| DE10345240A1 (de) * | 2003-09-29 | 2005-05-04 | Infineon Technologies Ag | Integrierte Schaltung mit Strahlungssensoranordnung |
| JP3858933B1 (ja) * | 2005-08-31 | 2006-12-20 | 株式会社日立製作所 | 放射線検出回路およびそれを用いた核医学診断装置 |
| US7544927B1 (en) * | 2006-08-28 | 2009-06-09 | Thermo Fisher Scientific Inc. | Methods and apparatus for performance verification and stabilization of radiation detection devices |
| US7935936B2 (en) * | 2008-01-30 | 2011-05-03 | Cardiac Pacemakers, Inc. | Method and apparatus for radiation effects detection |
| US8536885B2 (en) * | 2008-09-11 | 2013-09-17 | Indian Institute Of Technology, Bombay | Method and device for determining ionizing radiation |
| US8489431B2 (en) * | 2009-03-20 | 2013-07-16 | General Electric Company | System and method of remote reporting of radiation dose usage in image acquisition |
| US9275747B2 (en) * | 2012-06-14 | 2016-03-01 | Texas Instruments Incorporated | Integrated circuit with automatic total ionizing dose (TID) exposure deactivation |
| FR3002631B1 (fr) * | 2013-02-22 | 2018-11-02 | Ulis | Detecteur bolometrique a polarisation adaptative en temperature |
| US20170038425A1 (en) * | 2015-08-03 | 2017-02-09 | Fisher Controls International Llc | Apparatus and methods to detect semiconductor device degradation due to radiation exposure |
-
2015
- 2015-08-03 US US14/816,298 patent/US20170038425A1/en not_active Abandoned
-
2016
- 2016-08-03 RU RU2018104580A patent/RU2722365C2/ru active
- 2016-08-03 EP EP16758315.2A patent/EP3332271A1/en active Pending
- 2016-08-03 CN CN201610628533.3A patent/CN106443398A/zh active Pending
- 2016-08-03 CN CN201620831614.9U patent/CN206531924U/zh active Active
- 2016-08-03 CA CA2994200A patent/CA2994200A1/en active Pending
- 2016-08-03 WO PCT/US2016/045225 patent/WO2017023960A1/en active Application Filing
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP3332271A1 (en) | 2018-06-13 |
| RU2722365C2 (ru) | 2020-05-29 |
| CA2994200A1 (en) | 2017-02-09 |
| RU2018104580A3 (ru) | 2019-12-20 |
| US20170038425A1 (en) | 2017-02-09 |
| WO2017023960A1 (en) | 2017-02-09 |
| CN106443398A (zh) | 2017-02-22 |
| CN206531924U (zh) | 2017-09-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2018104580A (ru) | Устройства и способы обнаружения ухудшения состояния полупроводниковых устройств вследствие воздействия на них радиации | |
| EP4238594A3 (en) | Wound sensor and diagnostics system for wound therapy applications | |
| JP2017158185A5 (ru) | ||
| MX2019015355A (es) | Circuito de monitor de prueba de interruptor de circuito de falla a tierra. | |
| JP2019528127A5 (ru) | ||
| WO2014120439A3 (en) | Soft start circuits and techniques | |
| MX2017004561A (es) | Sistema de control de plagas y metodo para operar el mismo. | |
| WO2014063159A3 (en) | Foreign object detection in wireless energy transfer systems | |
| CY1117422T1 (el) | Ανιχνευτης υπερυθρης παρουσιας για την ανιχνευση μιας παρουσιας ενος αντικειμενου σε μια περιοχη επιτηρησης | |
| AR088949A1 (es) | Aparato, sistemas y metodos de deteccion de tallos | |
| MX2015012708A (es) | Aparatos, metodos y sistemas para medir y detectar descarga electrica. | |
| JP2016502385A5 (ru) | ||
| WO2014085615A3 (en) | Combining monitoring sensor measurements and system signals to determine device context | |
| RU2015120611A (ru) | Отслеживание состояния компонента во вращающемся устройстве контроля давления системы бурения с использованием встроенных датчиков | |
| RU2017127052A (ru) | Устройство определения уровня масла и способ управления им, устройство обнаружения потока масла и способ управления им, способ управления возвратом масла с использованием уровня масла и потока масла | |
| JP2017026559A5 (ru) | ||
| MX353124B (es) | Programa funcional de software de auto-prueba de interruptor de circuito de falla a tierra para monitoreo autónomo y operaciones de negación de potencia de seguridad contra fallas. | |
| MX343248B (es) | Comparacion del nivel de voltaje del interruptor de circuito de falla a tierra y muestreo indirecto. | |
| RU2014106119A (ru) | Способ распознавания кражи прицепа и электронный блок управления для выполнения способа | |
| WO2018069922A3 (en) | Systems and methods for acoustic emission monitoring of semiconductor devices | |
| EP2594961A3 (en) | Surface contamination monitoring system and method | |
| JP2016538016A5 (ru) | ||
| JP2018500996A5 (ru) | ||
| MY197939A (en) | Distribution network monitoring system and distribution network monitoring device | |
| JP6206735B2 (ja) | 故障検出装置及び検出方法 |