RU2017125504A - Модуль лазерного датчика - Google Patents

Модуль лазерного датчика Download PDF

Info

Publication number
RU2017125504A
RU2017125504A RU2017125504A RU2017125504A RU2017125504A RU 2017125504 A RU2017125504 A RU 2017125504A RU 2017125504 A RU2017125504 A RU 2017125504A RU 2017125504 A RU2017125504 A RU 2017125504A RU 2017125504 A RU2017125504 A RU 2017125504A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
laser
radiation
vertical resonator
sensor module
pulse
Prior art date
Application number
RU2017125504A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2017125504A3 (ru
RU2696335C2 (ru
Inventor
Хольгер Йоахим МЁЭНХ
ДЕР ЛИ Александер Марк ВАН
Стефан ГРОНЕНБОРН
Original Assignee
Конинклейке Филипс Н.В.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Конинклейке Филипс Н.В. filed Critical Конинклейке Филипс Н.В.
Publication of RU2017125504A publication Critical patent/RU2017125504A/ru
Publication of RU2017125504A3 publication Critical patent/RU2017125504A3/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2696335C2 publication Critical patent/RU2696335C2/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
    • H01S5/06209—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes in single-section lasers
    • H01S5/06216—Pulse modulation or generation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
    • H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
    • H01S5/18361—Structure of the reflectors, e.g. hybrid mirrors
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01S—RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
    • G01S17/00—Systems using the reflection or reradiation of electromagnetic waves other than radio waves, e.g. lidar systems
    • G01S17/02—Systems using the reflection of electromagnetic waves other than radio waves
    • G01S17/06—Systems determining position data of a target
    • G01S17/08—Systems determining position data of a target for measuring distance only
    • G01S17/10—Systems determining position data of a target for measuring distance only using transmission of interrupted, pulse-modulated waves
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01S—RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
    • G01S7/00—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00
    • G01S7/48—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00 of systems according to group G01S17/00
    • G01S7/483—Details of pulse systems
    • G01S7/486—Receivers
    • G01S7/4865—Time delay measurement, e.g. time-of-flight measurement, time of arrival measurement or determining the exact position of a peak
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/024—Arrangements for thermal management
    • H01S5/02469—Passive cooling, e.g. where heat is removed by the housing as a whole or by a heat pipe without any active cooling element like a TEC
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
    • H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
    • H01S5/18305—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] with emission through the substrate, i.e. bottom emission
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
    • H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
    • H01S5/0428—Electrical excitation ; Circuits therefor for applying pulses to the laser
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/14—External cavity lasers
    • H01S5/141—External cavity lasers using a wavelength selective device, e.g. a grating or etalon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
    • H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
    • H01S5/18386—Details of the emission surface for influencing the near- or far-field, e.g. a grating on the surface
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/42—Arrays of surface emitting lasers
    • H01S5/423—Arrays of surface emitting lasers having a vertical cavity

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Radar, Positioning & Navigation (AREA)
  • Remote Sensing (AREA)
  • Optical Radar Systems And Details Thereof (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Measurement Of Optical Distance (AREA)

Claims (21)

1. Модуль лазерного датчика для времяпролетных измерений, содержащий, по меньшей мере, один лазер (100) поверхностного излучения с вертикальным резонатором и, по меньшей мере, одну задающую схему (120), при этом задающая схема (120) выполнена с возможностью подачи электроэнергии в лазер (100) поверхностного излучения с вертикальным резонатором таким образом, чтобы лазер (100) поверхностного излучения с вертикальным резонатором излучал лазерные импульсы (345) с длительностью (356) импульса меньше, чем 100 нс и коэффициентом заполнения меньше, чем 5% по сравнению с излучением непрерывного лазера, причем задающая схема (120) выполнена с возможностью подачи дополнительной энергии в лазер (100) поверхностного излучения с вертикальным резонатором за, по меньшей мере, 100 нс до, по меньшей мере, части лазерных импульсов (345) так, чтобы часть лазерных импульсов (345) излучалась в заданном оптическом режиме, причем задающая схема (120) выполнена с возможностью подачи предварительного тока (335) в лазер (100) поверхностного излучения с вертикальным резонатором, при котором никакого лазерного света не излучается до части лазерных импульсов (345), причем предварительный ток (335) настроен так, что по лазерной апертуре лазера (100) поверхностного излучения с вертикальным резонатором создается сглаженный температурный профиль таким образом, что на лазерной апертуре формируется тепловая линза (140).
2. Модуль лазерного датчика по п. 1, в котором лазер (100) поверхностного излучения с вертикальным резонатором выполнен с возможностью работы на установившейся моде во время времяпролетных измерений.
3. Модуль лазерного датчика по п. 1, в котором лазер (100) поверхностного излучения с вертикальным резонатором выполнен с возможностью работы на основной моде во время времяпролетных измерений.
4. Модуль лазерного датчика по п. 1, 2 или 3, в котором разность температур между центром лазерной апертуры и краем лазерной апертуры в начале излучения части лазерных импульсов (345) составляет, по меньшей мере, 2 K, предпочтительно, по меньшей мере, 5 K и предпочтительнее всего, по меньшей мере, 10 K.
5. Модуль лазерного датчика по любому из предыдущих пунктов, в котором предварительный ток (335) содержит постоянный ток смещения, подаваемый между двумя лазерными импульсами (345).
6. Модуль лазерного датчика по любому из пп. 1-4, в котором предварительный ток (335) содержит, по меньшей мере, один предварительный импульс тока между двумя последовательными лазерными импульсами (345).
7. Модуль лазерного датчика по п. 6, в котором задающая схема (120) выполнена с возможностью обеспечения промежутка (354) времени, по меньшей мере, 10 нс между предварительным импульсом (335) тока и лазерным импульсом (345), излучаемым после предварительного импульса тока, при котором в лазер (100) поверхностного излучения с вертикальным резонатором подается максимальный ток меньше, чем 50% от порогового тока лазерной генерации лазера (100) поверхностного излучения с вертикальным резонатором.
8. Модуль лазерного датчика по п. 6, в котором предварительный импульс тока содержит максимальную амплитуду тока, которая выше, чем пороговый ток лазерной генерации лазера (100) поверхностного излучения с вертикальным резонатором.
9. Модуль лазерного датчика по любому из пп. 4-8, в котором лазер поверхностного излучения с вертикальным резонатором (100) содержит, по меньшей мере, одну конструкцию для регулирования теплообмена, при этом конструкция для регулирования теплообмена выполнена с возможностью создания сглаженного температурного профиля по лазерной апертуре лазера (100) поверхностного излучения с вертикальным резонатором между двумя последовательными лазерными импульсами 345), причем конструкция для регулирования теплообмена выполнена с возможностью ускорения теплоотвода на краю лазерной апертуры по сравнению с центром лазерной апертуры.
10. Модуль лазерного датчика по любому из предыдущих пунктов, в котором лазер (100) поверхностного излучения с вертикальным резонатором является лазером поверхностного излучения с вертикальным внешним резонатором, содержащим оптический элемент обратной связи.
11. Модуль лазерного датчика по любому из пп. 1-10, содержащий матрицу лазеров (100) поверхностного излучения с вертикальным резонатором, причем задающая схема (120) выполнена с возможностью подачи предварительного тока (335) в, по меньшей мере, часть лазеров (100) поверхностного излучения с вертикальным резонатором в матрице, и причем предварительный ток (335) настроен соответственно относительному положению лазера (100) поверхностного излучения с вертикальным резонатором в пределах матрицы, в которую предварительный ток (335) подается так, что разные предварительные токи (335) подаются в, по меньшей мере, первый и второй лазеры (100) поверхностного излучения с вертикальным резонатором (100) в матрице.
12. Модуль лазерного датчика по любому из пп. 6-10, содержащий матрицу лазеров (100) поверхностного излучения с вертикальным резонатором, причем задающая схема (120) выполнена с возможностью подачи предварительного импульса тока в, по меньшей мере, часть лазеров поверхностного излучения с вертикальным резонатором (100) в матрице, и причем предварительный импульс тока настроен так, чтобы лазеры (100) поверхностного излучения с вертикальным резонатором, которые управляются задающей схемой (120) для одновременного излучения лазерного импульса (345), начинали генерацию лазерного излучения в течение предварительно заданного периода времени, причем предварительно заданный период времени зависит от тепловых перекрестных помех между соседними лазерами (100) поверхностного излучения с вертикальным резонатором (100), которые управляются для излучения лазерного импульса (345) одновременно.
13. Дальномерное устройство, содержащее, по меньшей мере, один модуль лазерного датчика по любому из пп. 1-12, по меньшей мере, один фотоприемник (150), выполненный с возможностью приема отраженного лазерного света, по меньшей мере, одного лазерного импульса (345), при этом дальномерное устройство дополнительно содержит блок (160) оценки, причем блок (160) оценки выполнен с возможностью идентификации отраженного лазерного света соответствующего лазерного импульса (345), и блок (160) оценки дополнительно выполнен с возможностью определения времени прохождения между моментом времени приема отраженного лазерного света и моментом времени излучения соответствующего лазерного импульса (345).
14. Способ управления модулем лазерного датчика для времяпролетных измерений, содержащим, по меньшей мере, один лазер (100) поверхностного излучения с вертикальным резонатором, при этом способ содержит следующие этапы:
- подают электрическую энергию в лазер (100) поверхностного излучения с вертикальным резонатором таким образом, чтобы лазер (100) поверхностного излучения с вертикальным резонатором излучал лазерные импульсы (345) с длительностью (356) импульса меньше, чем 100 нс и частотой следования меньше, чем 5% по сравнению с излучением непрерывного лазера;
- подают дополнительную энергию посредством предварительного тока (335) в лазер (100) поверхностного излучения с вертикальным резонатором за, по меньшей мере, 100 нс до, по меньшей мере, части лазерных импульсов (345), в течение которых лазерный свет не излучается до части лазерных импульсов, таким образом, чтобы, по меньшей мере, часть лазерных импульсов (345) излучалась в заданном оптическом режиме.
- настраивают предварительный ток (335) таким образом, чтобы по лазерной апертуре лазера (100) поверхностного излучения с вертикальным резонатором создавался такой сглаженный температурный профиль, что на лазерной апертуре формируется тепловая линза (140).
15. Способ по п.14, причем способ содержит следующие дополнительные этапы:
- определяют первую тепловую энергию, выделяемую в лазере (100) поверхностного излучения с вертикальным резонатором во время излучения лазерного импульса (345);
- определяют дополнительную энергию, подлежащую подаче;
- определяют форму импульса предварительного тока (335) на основании определенной дополнительной энергии.
RU2017125504A 2014-12-19 2015-12-11 Модуль лазерного датчика RU2696335C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP14199083 2014-12-19
EP14199083.8 2014-12-19
PCT/EP2015/079396 WO2016096647A1 (en) 2014-12-19 2015-12-11 Laser sensor module

Publications (3)

Publication Number Publication Date
RU2017125504A true RU2017125504A (ru) 2019-01-21
RU2017125504A3 RU2017125504A3 (ru) 2019-05-22
RU2696335C2 RU2696335C2 (ru) 2019-08-01

Family

ID=52144466

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2017125504A RU2696335C2 (ru) 2014-12-19 2015-12-11 Модуль лазерного датчика

Country Status (7)

Country Link
US (1) US10680411B2 (ru)
EP (1) EP3235078B1 (ru)
JP (1) JP6849593B2 (ru)
CN (1) CN107005023B (ru)
BR (1) BR112017012605A2 (ru)
RU (1) RU2696335C2 (ru)
WO (1) WO2016096647A1 (ru)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3493339B1 (en) 2017-12-04 2022-11-09 ams AG Semiconductor device and method for time-of-flight and proximity measurements
DK3517998T3 (da) * 2018-01-24 2024-02-19 Leica Geosystems Ag Luftbåren lidar pulsfrekvensmodulation
EP3540879A1 (en) * 2018-03-15 2019-09-18 Koninklijke Philips N.V. Vertical cavity surface emitting laser device with integrated tunnel junction
WO2019227975A1 (zh) 2018-05-30 2019-12-05 Oppo广东移动通信有限公司 激光投射器的控制系统、终端和激光投射器的控制方法
CN108963750B (zh) * 2018-07-18 2023-08-29 度亘激光技术（苏州）有限公司 一种vcsel和apd集成芯片及其制备方法
WO2021158176A1 (en) * 2020-02-07 2021-08-12 Ams Sensors Asia Pte. Ltd. Sensing method and sensor system
US11594852B2 (en) 2020-05-08 2023-02-28 Microsoft Technology Licensing, Llc Pulse shaping to reduce pulse history effects in pulsed lasers
US11474214B1 (en) 2021-03-26 2022-10-18 Aeye, Inc. Hyper temporal lidar with controllable pulse bursts to resolve angle to target
US20220308219A1 (en) 2021-03-26 2022-09-29 Aeye, Inc. Hyper Temporal Lidar with Controllable Detection Intervals Based on Environmental Conditions
US11500093B2 (en) 2021-03-26 2022-11-15 Aeye, Inc. Hyper temporal lidar using multiple matched filters to determine target obliquity
US11630188B1 (en) * 2021-03-26 2023-04-18 Aeye, Inc. Hyper temporal lidar with dynamic laser control using safety models
US11448734B1 (en) 2021-03-26 2022-09-20 Aeye, Inc. Hyper temporal LIDAR with dynamic laser control using laser energy and mirror motion models
US11635495B1 (en) 2021-03-26 2023-04-25 Aeye, Inc. Hyper temporal lidar with controllable tilt amplitude for a variable amplitude scan mirror
US11604264B2 (en) 2021-03-26 2023-03-14 Aeye, Inc. Switchable multi-lens Lidar receiver
JP2023116281A (ja) * 2022-02-09 2023-08-22 株式会社小糸製作所 投光器、及び測定装置
DE102022103899A1 (de) 2022-02-18 2023-08-24 Schwind Eye-Tech-Solutions Gmbh Behandlungsvorrichtung für eine Augenbehandlung, Verfahren, Computerprogramm und computerlesbares Medium

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6243407B1 (en) * 1997-03-21 2001-06-05 Novalux, Inc. High power laser devices
US6751245B1 (en) * 1999-06-02 2004-06-15 Optical Communication Products, Inc. Single mode vertical cavity surface emitting laser
JP2001315381A (ja) 2000-05-11 2001-11-13 Fuji Photo Film Co Ltd 感光感熱記録材料への画像記録方法、及び画像記録装置
DE10038235A1 (de) * 2000-08-04 2002-02-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oberflächenemittierender Laser mit seitlicher Strominjektion
US6636539B2 (en) 2001-05-25 2003-10-21 Novalux, Inc. Method and apparatus for controlling thermal variations in an optical device
US6834065B2 (en) 2002-05-21 2004-12-21 Carrier Access Corporation Methods and apparatuses for direct digital drive of a laser in a passive optical network
EP1517415A1 (de) 2003-09-18 2005-03-23 Leica Geosystems AG Geodätisches Gerät mit einer Laserquelle
JP4432459B2 (ja) 2003-10-30 2010-03-17 日亜化学工業株式会社 半導体レーザダイオードの駆動方法及び発光装置
JP2008535263A (ja) 2005-03-30 2008-08-28 ノバラックス，インコーポレイティド 周波数安定化した垂直拡大キャビティ面発光レーザ
JP2007311616A (ja) 2006-05-19 2007-11-29 Seiko Epson Corp 面発光レーザおよびその製造方法
KR101378308B1 (ko) 2006-10-03 2014-03-27 코닌클리케 필립스 엔.브이. 레이저를 제어하는 제어기 및 방법
ATE510228T1 (de) * 2008-11-20 2011-06-15 Sick Ag Optoelektronischer sensor
JP5257053B2 (ja) 2008-12-24 2013-08-07 株式会社豊田中央研究所 光走査装置及びレーザレーダ装置
US8995485B2 (en) * 2009-02-17 2015-03-31 Trilumina Corp. High brightness pulsed VCSEL sources
JP2011216843A (ja) 2010-03-16 2011-10-27 Ricoh Co Ltd 半導体レーザ駆動装置、及びこれを含む画像形成装置
JP5651983B2 (ja) * 2010-03-31 2015-01-14 ソニー株式会社 補正回路、駆動回路、発光装置、および電流パルス波形の補正方法
JP2012209501A (ja) 2011-03-30 2012-10-25 Sony Corp 補正回路、駆動回路、発光装置、および電流パルス波形の補正方法
US20150288145A1 (en) * 2012-01-25 2015-10-08 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Vertical-cavity surface-emitting lasers with non-periodic gratings
JP5949411B2 (ja) * 2012-10-04 2016-07-06 ソニー株式会社 補正回路、駆動回路、発光装置、および電流パルス波形の補正方法
US9413137B2 (en) 2013-03-15 2016-08-09 Nlight, Inc. Pulsed line beam device processing systems using laser diodes
US9069080B2 (en) * 2013-05-24 2015-06-30 Advanced Scientific Concepts, Inc. Automotive auxiliary ladar sensor

Also Published As

Publication number Publication date
CN107005023A (zh) 2017-08-01
RU2017125504A3 (ru) 2019-05-22
BR112017012605A2 (pt) 2018-01-16
EP3235078A1 (en) 2017-10-25
EP3235078B1 (en) 2022-02-02
JP6849593B2 (ja) 2021-03-24
CN107005023B (zh) 2020-03-24
US10680411B2 (en) 2020-06-09
US20190097393A1 (en) 2019-03-28
JP2018505548A (ja) 2018-02-22
WO2016096647A1 (en) 2016-06-23
RU2696335C2 (ru) 2019-08-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2017125504A (ru) Модуль лазерного датчика
JP2018505548A5 (ru)
US10132926B2 (en) Range finder, mobile object and range-finding method
JP2018514763A5 (ru)
US20120162749A1 (en) Optical pulse transmitter
US10483714B2 (en) Q-switched laser with stabilized output energy
US9246303B1 (en) Method and apparatus for temporally concentrating pump power to support generation of high peak-power pulse bursts or other time-varying laser output waveforms
CN110165539B (zh) 多台阶泵浦实现子脉冲组间隔可调输出方法及激光器
RU2015141109A (ru) Устройство контроля сварного шва и способ контроля с контролем различных зон ванны расплавленного металла
RU2011154432A (ru) Лазерное оптическое ошеломляющее устройство в форме дубинки и подсвечивающее устройство
EP3526543B1 (en) Power tool
WO2013088139A1 (en) Method and apparatus for use in passive q-switching
EP2725667A3 (en) Multiple wavelength laser apparatus and control method thereof
KR20160024787A (ko) 레이저 측량장치
CN110932075A (zh) 一种双波长脉冲对激光输出方法及激光器
JP2017139704A (ja) 発光部の駆動装置
JP2019537720A (ja) 電子回路、および、そのような電子回路を備える飛行時間センサ
JP2016014577A (ja) 距離測定装置、移動体及び距離測定方法
JP2017123429A5 (ru)
JPWO2020100572A5 (ru)
JP6651718B2 (ja) Ｑスイッチレーザ装置
WO2019149523A9 (de) Verfahren zum aussenden von laserlicht
TW202114308A (zh) 被動ｑ開關雷射裝置、控制方法及雷射加工裝置
JOSEPH et al. High brightness pulsed vcsel sources
JPWO2021095292A5 (ja) レーザ破砕装置用波形制御装置、レーザ破砕システムおよびレーザ破砕方法

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20201212