RU2017120840A - Система электрического генератора - Google Patents

Система электрического генератора Download PDF

Info

Publication number
RU2017120840A
RU2017120840A RU2017120840A RU2017120840A RU2017120840A RU 2017120840 A RU2017120840 A RU 2017120840A RU 2017120840 A RU2017120840 A RU 2017120840A RU 2017120840 A RU2017120840 A RU 2017120840A RU 2017120840 A RU2017120840 A RU 2017120840A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
zinc oxide
metal
paragraphs
radionuclide
electrodes
Prior art date
Application number
RU2017120840A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2704321C2 (ru
RU2017120840A3 (ru
Inventor
Стивен УАЙТХЕД
Original Assignee
Кинетик Энерджи Острейлиа Пти Лтд
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from AU2014904588A external-priority patent/AU2014904588A0/en
Application filed by Кинетик Энерджи Острейлиа Пти Лтд filed Critical Кинетик Энерджи Острейлиа Пти Лтд
Publication of RU2017120840A publication Critical patent/RU2017120840A/ru
Publication of RU2017120840A3 publication Critical patent/RU2017120840A3/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2704321C2 publication Critical patent/RU2704321C2/ru

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G21NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21HOBTAINING ENERGY FROM RADIOACTIVE SOURCES; APPLICATIONS OF RADIATION FROM RADIOACTIVE SOURCES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; UTILISING COSMIC RADIATION
    • G21H1/00Arrangements for obtaining electrical energy from radioactive sources, e.g. from radioactive isotopes, nuclear or atomic batteries
    • G21H1/06Cells wherein radiation is applied to the junction of different semiconductor materials
    • GPHYSICS
    • G21NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21HOBTAINING ENERGY FROM RADIOACTIVE SOURCES; APPLICATIONS OF RADIATION FROM RADIOACTIVE SOURCES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; UTILISING COSMIC RADIATION
    • G21H1/00Arrangements for obtaining electrical energy from radioactive sources, e.g. from radioactive isotopes, nuclear or atomic batteries
    • GPHYSICS
    • G21NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21HOBTAINING ENERGY FROM RADIOACTIVE SOURCES; APPLICATIONS OF RADIATION FROM RADIOACTIVE SOURCES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; UTILISING COSMIC RADIATION
    • G21H1/00Arrangements for obtaining electrical energy from radioactive sources, e.g. from radioactive isotopes, nuclear or atomic batteries
    • G21H1/02Cells charged directly by beta radiation
    • GPHYSICS
    • G21NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21HOBTAINING ENERGY FROM RADIOACTIVE SOURCES; APPLICATIONS OF RADIATION FROM RADIOACTIVE SOURCES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; UTILISING COSMIC RADIATION
    • G21H1/00Arrangements for obtaining electrical energy from radioactive sources, e.g. from radioactive isotopes, nuclear or atomic batteries
    • G21H1/04Cells using secondary emission induced by alpha radiation, beta radiation, or gamma radiation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Battery Electrode And Active Subsutance (AREA)
  • Hybrid Cells (AREA)
  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Secondary Cells (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)
  • Thermistors And Varistors (AREA)

Claims (25)

1. Система электрического генератора, включающая в себя:
радионуклидный материал,
тонкий слой полупроводникового материала n-типа;
металлические электроды, по меньшей мере один из которых находится в прямом контакте с упомянутым полупроводниковым материалом и образует переход металл-полупроводник между ними, в котором радиоактивные излучения, полученные от упомянутого радионуклидного материала, преобразуются в электрическую энергию на упомянутом переходе металл-полупроводник, и
электрические контакты, подсоединенные к упомянутым электродам, которые облегчают течение упомянутой электрической энергии, когда подсоединены к нагрузке.
2. Система по п. 1, в которой упомянутый полупроводниковый материал n-типа является оксидом цинка.
3. Система электрического генератора, включающая в себя:
радионуклидный материал;
тонкий слой оксида цинка;
металлические электроды, по меньшей мере один из которых находится в прямом контакте с упомянутым оксидом цинка и образует переход металл-полупроводник между ними, в котором радиоактивные излучения, полученные от упомянутого радионуклидного материала, преобразуются в электрическую энергию на упомянутом переходе металл-полупроводник, и
электрические контакты, подсоединенные к упомянутым электродам, которые облегчают течение упомянутой электрической энергии, когда подсоединены к нагрузке.
4. Система по п. 3, в которой упомянутый слой оксида цинка формируется на материале подложки.
5. Система по п. 4, в которой упомянутый материал подложки выбирается из стекла, сапфира или кварца.
6. Система по п. 4 или 5, в которой слой легированного материала оксида металла расположен между слоем оксида цинка и подложкой.
7. Система по п. 6, в которой один из упомянутых металлических электродов располагается в прямом контакте с упомянутым легированным материалом оксида металла.
8. Система по любому из пп. 2-7, в которой упомянутый тонкий слой оксида цинка образуется с помощью процесса ВЧ магнетронного распыления.
9. Система по любому из пп. 2-8, в которой упомянутые металлические электроды сформированы из золота, серебра или алюминия.
10. Система по любому из пп. 2-9, в которой упомянутые металлические электроды нанесены на упомянутый оксид цинка с помощью процесса распыления или электрохимического осаждения из паровой фазы.
11. Система по любому из пп. 2-10, в которой упомянутый радионуклидный материал заключен в герметизирующий материал.
12. Система по п. 11, в которой упомянутый герметизирующий материал выбран из алюминия, металлического сплава, пластмассы или майлара.
13. Система по любому из пп. 2-12, в которой упомянутый радионуклидный материал выбирается из Sr-90, Pm-147, Ni-63 или Н-3.
14. Система по любому из пп. 2-13, в которой тонкий слой оксида цинка имеет толщину 150-1500 нм.
15. Система по п. 14, в которой толщина слоя оксида цинка рана или менее 1250 нм.
16. Устройство электропитания, включающее в себя корпус, содержащий систему электрического генератора в соответствии с любым из предыдущих пунктов.
17. Устройство по п. 16, в котором имеется множество слоев оксида цинка, каждый слой имеет соответствующие металлические электроды и электрические контакты, причем смежные слои разделены изоляционным материалом подложки.
RU2017120840A 2014-11-14 2015-11-13 Система электрического генератора RU2704321C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
AU2014904588A AU2014904588A0 (en) 2014-11-14 Electrical generator system
AU2014904588 2014-11-14
PCT/AU2015/050712 WO2016074044A1 (en) 2014-11-14 2015-11-13 Electrical generator system

Publications (3)

Publication Number Publication Date
RU2017120840A true RU2017120840A (ru) 2018-12-18
RU2017120840A3 RU2017120840A3 (ru) 2019-06-04
RU2704321C2 RU2704321C2 (ru) 2019-10-28

Family

ID=55953471

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2017120840A RU2704321C2 (ru) 2014-11-14 2015-11-13 Система электрического генератора

Country Status (19)

Country Link
US (1) US10784010B2 (ru)
EP (1) EP3218906B1 (ru)
JP (1) JP6647312B2 (ru)
KR (1) KR102544103B1 (ru)
CN (1) CN107210078B (ru)
AU (1) AU2015346007B2 (ru)
BR (1) BR112017010158B1 (ru)
CA (1) CA3005098A1 (ru)
DK (1) DK3218906T3 (ru)
ES (1) ES2752731T3 (ru)
HR (1) HRP20191930T1 (ru)
HU (1) HUE047151T2 (ru)
MY (1) MY189288A (ru)
NZ (1) NZ732851A (ru)
PL (1) PL3218906T3 (ru)
PT (1) PT3218906T (ru)
RU (1) RU2704321C2 (ru)
SG (1) SG11201703731XA (ru)
WO (1) WO2016074044A1 (ru)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2632588C1 (ru) * 2016-08-04 2017-10-06 Федеральное государственное унитарное предприятие "Горно-химический комбинат" (ФГУП "ГХК") Бета-вольтаическая батарея
RU2731368C1 (ru) * 2019-09-30 2020-09-02 Алан Кулкаев Радиоизотопный фотоэлектрический генератор
US20220139588A1 (en) * 2020-11-04 2022-05-05 Westinghouse Electric Company Llc Nuclear battery
US20220199272A1 (en) * 2020-12-17 2022-06-23 Westinghouse Electric Company Llc Methods of manufacture for nuclear batteries
WO2023108220A1 (en) * 2021-12-16 2023-06-22 Infinite Power Company Limited Electrical generator system

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2847585A (en) * 1952-10-31 1958-08-12 Rca Corp Radiation responsive voltage sources
JPS5247349B2 (ru) * 1971-09-17 1977-12-01
JPH02114193A (ja) * 1988-10-24 1990-04-26 Showa Denko Kk 薄膜放射線検出体の製造方法
US5721462A (en) * 1993-11-08 1998-02-24 Iowa State University Research Foundation, Inc. Nuclear battery
US5642014A (en) * 1995-09-27 1997-06-24 Lucent Technologies Inc. Self-powered device
US6118204A (en) * 1999-02-01 2000-09-12 Brown; Paul M. Layered metal foil semiconductor power device
JP2002196099A (ja) * 2000-12-25 2002-07-10 Yutaka Arima α線照射型太陽電池
US6479919B1 (en) * 2001-04-09 2002-11-12 Terrence L. Aselage Beta cell device using icosahedral boride compounds
JP4020677B2 (ja) * 2002-03-26 2007-12-12 株式会社東芝 放射線・電流変換装置および放射線・電流変換方法
US6774531B1 (en) * 2003-01-31 2004-08-10 Betabatt, Inc. Apparatus and method for generating electrical current from the nuclear decay process of a radioactive material
US7002179B2 (en) * 2003-03-14 2006-02-21 Rohm Co., Ltd. ZnO system semiconductor device
CA2760444C (en) * 2009-03-12 2016-10-11 The Curators Of The University Of Missouri High energy-density radioisotope micro power sources
CN101527175B (zh) * 2009-04-10 2011-10-12 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 一种pin型核电池及其制备方法
US8487392B2 (en) * 2009-08-06 2013-07-16 Widetronix, Inc. High power density betavoltaic battery
WO2011063228A2 (en) * 2009-11-19 2011-05-26 Cornell University Betavoltaic apparatus and method
US9183960B2 (en) * 2010-05-28 2015-11-10 Medtronic, Inc. Betavoltaic power converter die stacking
WO2012001689A1 (en) * 2010-06-29 2012-01-05 Yeda Research And Development Co. Ltd. Photovoltaic cell and method of its manufacture
RU2461915C1 (ru) * 2011-04-28 2012-09-20 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Томский государственный университет (ТГУ) Ядерная батарейка
CN105050679B (zh) * 2013-01-31 2017-09-29 密苏里大学管委会 辐解电化学发生器
CN103730181A (zh) * 2013-10-26 2014-04-16 溧阳市浙大产学研服务中心有限公司 碳化硅肖特基结型核电池的制造方法
US10096393B2 (en) * 2014-03-31 2018-10-09 Medtronic, Inc. Nuclear radiation particle power converter

Also Published As

Publication number Publication date
CN107210078A (zh) 2017-09-26
AU2015346007B2 (en) 2020-04-16
RU2704321C2 (ru) 2019-10-28
KR102544103B1 (ko) 2023-06-16
ES2752731T3 (es) 2020-04-06
CA3005098A1 (en) 2016-05-19
BR112017010158A2 (pt) 2018-02-14
RU2017120840A3 (ru) 2019-06-04
JP6647312B2 (ja) 2020-02-14
BR112017010158B1 (pt) 2022-11-08
PL3218906T3 (pl) 2020-03-31
DK3218906T3 (da) 2019-10-21
JP2017535796A (ja) 2017-11-30
EP3218906A4 (en) 2018-07-11
CN107210078B (zh) 2019-07-05
EP3218906B1 (en) 2019-07-10
SG11201703731XA (en) 2017-06-29
US10784010B2 (en) 2020-09-22
KR20170120558A (ko) 2017-10-31
PT3218906T (pt) 2019-10-31
US20170309359A1 (en) 2017-10-26
AU2015346007A1 (en) 2017-07-06
HUE047151T2 (hu) 2020-04-28
EP3218906A1 (en) 2017-09-20
WO2016074044A1 (en) 2016-05-19
HRP20191930T1 (hr) 2020-04-03
NZ732851A (en) 2021-12-24
MY189288A (en) 2022-01-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2017120840A (ru) Система электрического генератора
JP2015084416A5 (ru)
JP2012160742A5 (ru)
ES2570133T3 (es) Pastas en forma de película espesa que contienen óxidos de plomo y teluro y su uso en la fabricación de dispositivos semiconductores
JP2017028252A5 (ja) トランジスタ
JP2012151460A5 (ja) 半導体装置
JP2013042150A5 (ru)
JP2012119667A5 (ja) 半導体装置の作製方法
JP2011124561A5 (ja) 半導体装置
JP2011044702A5 (ja) 半導体装置
WO2016064134A3 (en) Light emitting device and method of fabricating the same
JP2017168396A5 (ru)
JP2011044696A5 (ja) 半導体装置の作製方法
JP2011119720A5 (ja) 酸化物半導体素子の作製方法
JP2013149953A5 (ru)
WO2014189681A3 (en) Stable high mobility motft and fabrication at low temperature
US20170317195A1 (en) Method for fabricating metallic oxide thin film transistor
JP2012033900A5 (ja) 半導体装置
JP2011198756A5 (ja) 蓄電装置
JP2014096559A5 (ru)
JP2011124562A5 (ja) 非線形素子、及び表示装置
MY176040A (en) Mechanically deformed metal particles
CN105765709B (zh) 阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置
Cho et al. Corrosion behavior and metallization of Cu-based electrodes using MoNi alloy and multilayer structure for back-channel-etched oxide thin-film transistor circuit integration
JP5366134B2 (ja) 銀含有金属オーミック接触電極