RU2017117565A - Количественное детектирование вторичных электронов - Google Patents
Количественное детектирование вторичных электронов Download PDFInfo
- Publication number
- RU2017117565A RU2017117565A RU2017117565A RU2017117565A RU2017117565A RU 2017117565 A RU2017117565 A RU 2017117565A RU 2017117565 A RU2017117565 A RU 2017117565A RU 2017117565 A RU2017117565 A RU 2017117565A RU 2017117565 A RU2017117565 A RU 2017117565A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- solid
- state detectors
- secondary electrons
- matrix
- detectors
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/244—Detectors; Associated components or circuits therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/28—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/285—Emission microscopes, e.g. field-emission microscopes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/244—Detection characterized by the detecting means
- H01J2237/2441—Semiconductor detectors, e.g. diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/244—Detection characterized by the detecting means
- H01J2237/2446—Position sensitive detectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/244—Detection characterized by the detecting means
- H01J2237/2448—Secondary particle detectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/244—Detection characterized by the detecting means
- H01J2237/24495—Signal processing, e.g. mixing of two or more signals
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Microscoopes, Condenser (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Claims (54)
1. Устройство количественного детектирования вторичных электронов, содержащее:
схему для агрегирования подсчитанного значения количества вторичных электронов;
схему для хранения подсчитанного значения количества вторичных электронов;
схему, содержащую преобразователь «время - цифровой код»;
электрическое устройство или магнитное устройство, выполненное с возможностью притягивания вторичных электронов в дисперсной картине посредством матрицы твердотельных детекторов;
при этом матрица твердотельных детекторов содержит:
сетку, состоящую из: по меньшей мере 4 столбцов твердотельных детекторов; по меньшей мере 4 рядов твердотельных детекторов и ячеек твердотельных детекторов,
причем твердотельные детекторы выполнены с возможностью детектирования и подсчета количества вторичных электронов за время выдержки.
2. Устройство количественного детектирования вторичных электронов по п. 1, отличающееся тем, что электрическое устройство или магнитное устройство содержит клетку Фарадея или магнитную линзу.
3. Устройство количественного детектирования вторичных электронов по п. 1, отличающееся тем, что матрица твердотельных детекторов дополнительно выполнена с возможностью детектирования и подсчета количества вторичных электронов, причем электронный пучок содержит: нормальный излучатель, маломощный излучатель, подходящий для неустойчивых образцов, и излучатель высокой мощности.
4. Устройство количественного детектирования вторичных электронов по п. 1, отличающееся тем, что твердотельные детекторы представляют собой детекторы одиночных электронов, содержащие:
соединение с внутренней схемой счетчика;
p-n-переход.
5. Устройство количественного детектирования вторичных электронов по п. 1, отличающееся тем, что сетка твердотельных детекторов представляет собой сетку, состоящую по меньшей мере из 1000 столбцов твердотельных детекторов и по меньшей мере из 1000 рядов твердотельных детекторов.
6. Устройство количественного детектирования вторичных электронов по п. 4, отличающееся тем, что p-n-переход имеет время отклика 2 микросекунды или менее;
причем матрица состоит из 81 ряда твердотельных детекторов и 81 столбца твердотельных детекторов;
и при этом матрица сконфигурирована для электронного пучка, излучающего приблизительно 10 миллионов электронов в секунду.
7. Устройство количественного детектирования вторичных электронов по п. 1, отличающееся тем, что твердотельные детекторы одиночных электронов состоят из:
детектора на кремниевых диодах, детектора на комплементарных структурах металл-оксид-полупроводник (КМОП) или детектора на устройствах с зарядовой связью (УЗС).
8. Устройство количественного детектирования вторичных электронов по п. 1, отличающееся тем, что твердотельный детектор работает с положительным потенциалом в режиме обратного смещения.
9. Устройство количественного детектирования вторичных электронов по п. 1, отличающееся тем, что сетка представляет собой форму, выбранную из группы, включающей квадрат, прямоугольник, ромб, круг и овал.
10. Устройство количественного детектирования вторичных электронов по п. 1, отличающееся тем, что дополнительно содержит комплект для замены существующего вторичного детектора электронов, причем комплект содержит программное обеспечение, выполненное с возможностью обработки данных, выводимых из матрицы твердотельных детекторов.
11. Способ количественного детектирования вторичных электронов посредством матрицы твердотельных детекторов, включающий этапы:
сканирования пучка заряженных частиц над мишенью;
притягивания ряда вторичных электронов посредством клетки Фарадея;
распределения ряда вторичных электронов по матрице твердотельных детекторов;
детектирования количества вторичных электронов посредством матрицы твердотельных детекторов с получением изменения тока и изменения напряжения;
агрегирования данных, содержащих либо изменение тока или изменение напряжения, либо как изменение тока, так и изменение напряжения, по матрице твердотельных детекторов;
подсчета количества вторичных электронов посредством схемы преобразователя «время - цифровой код» в режиме счетчика;
назначения подсчитанного значения пикселю; и
приведения в исходное состояние матрицы твердотельных детекторов.
12. Способ по п. 11, отличающийся тем, что этап детектирования количества вторичных электронов посредством матрицы твердотельных детекторов выполняют перед этапом подсчета количества вторичных электронов посредством схемы преобразователя «время - цифровой код».
13. Способ по п. 11, отличающийся тем, что дополнительно включает следующие этапы, на которых матрицу твердотельных детекторов приводят в исходное состояние, и при этом способ повторяют, и к данным применяют статистику Пуассона.
14. Способ по п. 11, отличающийся тем, что твердотельный детектор из ряда твердотельных детекторов выбирают из группы: детектора на фотодиодах, детектора на комплементарных структурах металл-оксид-полупроводник (КМОП) и детектора на устройствах с зарядовой связью (УЗС).
15. Способ по п. 12, отличающийся тем, что дополнительно включает работу твердотельного детектора с положительным потенциалом в режиме обратного смещения.
16. Способ по п. 12, отличающийся тем, что детектор интегрирован с линзой, комплектом линз или клеткой Фарадея.
17. Способ по п. 14, отличающийся тем, что дополнительно включает установку времени выдержки твердотельного детектора, и при этом регулирование количества твердотельных детекторов устанавливают на вероятность менее 10 процентов вероятности для более чем одного из числа вторичных электронов, поступающих на твердотельные детекторы в течение времени выдержки.
18. Способ уменьшения шума, связанного с детектированием заряженных частиц или ионизирующего излучения, посредством матрицы твердотельных детекторов; причем ионизирующее излучение или заряженные частицы распределяют по матрице твердотельных детекторов, включающий этапы:
детектирования ионизирующего излучения или заряженных частиц посредством твердотельных детекторов, причем импульс генерируют и хранят на твердотельных детекторах;
подсчета ионизирующего излучения или заряженных частиц схемой преобразователя «время - цифровой код» в режиме счетчика с формированием потока цифровых данных;
применения пуассоновского процесса к потоку цифровых данных;
агрегирования результатов пуассоновского процесса;
назначения подсчитанного значения пикселю.
19. Способ по п. 18, отличающийся тем, что твердотельные детекторы дополнительно представляют собой твердотельные детекторы одиночных электронов или детекторы ионизирующего излучения одиночных фотонов, и при этом схема преобразователя «время - цифровой код» представляет собой матрицу преобразователей «время - цифровой код».
20. Способ по п. 18, отличающийся тем, что дополнительно включает этап мультиплексирования и демультиплексирования потока цифровых данных.
21. Устройство количественного детектирования для детектирования фотонов и/или частиц, содержащее:
схему для агрегирования подсчитанного значения количества фотонов и/или частиц;
схему для хранения подсчитанного значения количества фотонов и/или частиц;
схему, содержащую преобразователь «время - цифровой код»;
устройство, выполненное с возможностью рассеивания фотонов и/или частиц из одного участка на объекте по матрице твердотельных детекторов;
при этом матрица твердотельных детекторов содержит:
сетку, состоящую из: по меньшей мере 4 столбцов твердотельных детекторов и по меньшей мере 4 рядов твердотельных детекторов, кроме того, сетка дополнительно содержит по меньшей мере ряд твердотельных детекторов, и дополнительно количество твердотельных детекторов больше, чем скорость фотонов или частиц, попадающих на матрицу, разделенная на частоту переключения твердотельных детекторов.
22. Устройство количественного детектирования по п. 21, отличающееся тем, что матрица содержит оптимальное количество твердотельных детекторов, причем при конкретной используемой частоте переключения существует по меньшей мере 90% вероятность того, что одиночный фотон или частица будут ударяться о детектор при независимом событии.
23. Устройство количественного детектирования по п. 21, дополнительно содержащее излучатель фотонов или частиц, выполненный с возможностью итерационного освещения образца в сетке, подобно картине, причем матрица используется для детектирования частиц и/или фотонов, испускаемых и/или отражаемых образцом.
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201462067163P | 2014-10-22 | 2014-10-22 | |
US62/067,163 | 2014-10-22 | ||
US14/918,560 US9966224B2 (en) | 2014-10-22 | 2015-10-20 | Quantitative secondary electron detection |
US14/918,560 | 2015-10-20 | ||
PCT/US2015/056787 WO2016077047A1 (en) | 2014-10-22 | 2015-10-21 | A quantitative secondary electron detection |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2017117565A true RU2017117565A (ru) | 2018-11-22 |
RU2017117565A3 RU2017117565A3 (ru) | 2019-05-29 |
Family
ID=55954847
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2017117565A RU2017117565A (ru) | 2014-10-22 | 2015-10-21 | Количественное детектирование вторичных электронов |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9966224B2 (ru) |
EP (1) | EP3210232A4 (ru) |
JP (1) | JP2017537426A (ru) |
KR (1) | KR20170095831A (ru) |
CN (1) | CN107112182A (ru) |
RU (1) | RU2017117565A (ru) |
WO (1) | WO2016077047A1 (ru) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9966224B2 (en) * | 2014-10-22 | 2018-05-08 | Sciencetomorrow Llc | Quantitative secondary electron detection |
US10401374B2 (en) * | 2014-11-30 | 2019-09-03 | Tichauer Technical Laboratories, Llc | Device and method of detecting and generating combined modulated particle wave-fronts |
GB201609995D0 (en) * | 2016-06-08 | 2016-07-20 | Aquasium Technology Ltd | Shaped welding head |
US10650621B1 (en) | 2016-09-13 | 2020-05-12 | Iocurrents, Inc. | Interfacing with a vehicular controller area network |
CN112243531A (zh) | 2018-06-08 | 2021-01-19 | Asml荷兰有限公司 | 用于显微术的半导体带电粒子检测器 |
CN110346054B (zh) * | 2019-06-14 | 2020-09-15 | 东南大学 | 一种采用微调电阻结构抑制门控尖峰噪声的单光子差分探测电路 |
GB2606935B (en) * | 2019-11-07 | 2023-04-26 | Vg Systems Ltd | Charged particle detection for spectroscopic techniques |
US11094499B1 (en) * | 2020-10-04 | 2021-08-17 | Borries Pte. Ltd. | Apparatus of charged-particle beam such as electron microscope comprising sliding specimen table within objective lens |
SE545450C2 (en) * | 2021-03-24 | 2023-09-12 | Scienta Omicron Ab | Charged particle spectrometer and method for calibration |
US11699607B2 (en) * | 2021-06-09 | 2023-07-11 | Kla Corporation | Segmented multi-channel, backside illuminated, solid state detector with a through-hole for detecting secondary and backscattered electrons |
CN115394622A (zh) * | 2022-09-30 | 2022-11-25 | 纳克微束(北京)有限公司 | 电子探测器及电子探测系统 |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0754686B2 (ja) * | 1987-06-29 | 1995-06-07 | 好正 二瓶 | エネルギ−・角度分布同時計測装置 |
JPH02126550A (ja) * | 1988-11-04 | 1990-05-15 | Nissin Electric Co Ltd | 表面解析装置 |
JPH08180827A (ja) * | 1994-12-22 | 1996-07-12 | Hitachi Ltd | 電子顕微鏡 |
US6747271B2 (en) * | 2001-12-19 | 2004-06-08 | Ionwerks | Multi-anode detector with increased dynamic range for time-of-flight mass spectrometers with counting data acquisition |
US6847042B2 (en) * | 2003-06-19 | 2005-01-25 | Ge Medical Systems Global Technology Co., Llc | Centroid apparatus and method for sub-pixel X-ray image resolution |
JP4268463B2 (ja) * | 2003-06-25 | 2009-05-27 | 浜松ホトニクス株式会社 | 時間分解測定装置および位置検出型電子増倍管 |
US7332726B2 (en) * | 2004-06-19 | 2008-02-19 | Integrated Sensors, Llc | Plasma panel based ionizing radiation detector |
US7262411B2 (en) * | 2004-12-08 | 2007-08-28 | The Regents Of The University Of California | Direct collection transmission electron microscopy |
JP2005292157A (ja) * | 2005-06-03 | 2005-10-20 | Hitachi High-Technologies Corp | ウェハ欠陥検査方法及びウェハ欠陥検査装置 |
US8093567B2 (en) * | 2006-07-21 | 2012-01-10 | Fibics Incorporated | Method and system for counting secondary particles |
US7864588B2 (en) * | 2007-09-17 | 2011-01-04 | Spansion Israel Ltd. | Minimizing read disturb in an array flash cell |
KR101435517B1 (ko) * | 2008-05-28 | 2014-08-29 | 삼성전자주식회사 | 광검출 분자를 이용한 이미지 센서 및 그 구동방법 |
US8237120B1 (en) * | 2008-09-24 | 2012-08-07 | Kla-Tencor Corporation | Transverse focusing action in hyperbolic field detectors |
US7851764B2 (en) * | 2009-03-20 | 2010-12-14 | Direct Electron, Lp | Method of high-energy particle imaging by computing a difference between sampled pixel voltages |
US9767258B2 (en) * | 2010-09-27 | 2017-09-19 | Purdue Research Foundation | System and method of extending the linear dynamic range of event counting |
EP2487703A1 (en) * | 2011-02-14 | 2012-08-15 | Fei Company | Detector for use in charged-particle microscopy |
NL2009053C2 (en) * | 2012-06-22 | 2013-12-24 | Univ Delft Tech | Apparatus and method for inspecting a surface of a sample. |
US9197805B2 (en) * | 2013-02-11 | 2015-11-24 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Digital multiplexing readout for sparse signals on imaging arrays |
US9417286B2 (en) * | 2013-03-15 | 2016-08-16 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Sensor enhancement through algorithmic acquisition using synchronization with a scan generator |
KR102009173B1 (ko) * | 2013-04-12 | 2019-08-09 | 삼성전자 주식회사 | 기판의 결함 검출 방법 |
US9966224B2 (en) * | 2014-10-22 | 2018-05-08 | Sciencetomorrow Llc | Quantitative secondary electron detection |
-
2015
- 2015-10-20 US US14/918,560 patent/US9966224B2/en active Active
- 2015-10-21 CN CN201580047907.6A patent/CN107112182A/zh active Pending
- 2015-10-21 EP EP15859974.6A patent/EP3210232A4/en not_active Withdrawn
- 2015-10-21 KR KR1020177013815A patent/KR20170095831A/ko unknown
- 2015-10-21 RU RU2017117565A patent/RU2017117565A/ru not_active Application Discontinuation
- 2015-10-21 JP JP2017512395A patent/JP2017537426A/ja active Pending
- 2015-10-21 US US15/521,278 patent/US10256071B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2015-10-21 WO PCT/US2015/056787 patent/WO2016077047A1/en active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9966224B2 (en) | 2018-05-08 |
US10256071B2 (en) | 2019-04-09 |
WO2016077047A1 (en) | 2016-05-19 |
JP2017537426A (ja) | 2017-12-14 |
KR20170095831A (ko) | 2017-08-23 |
US20170309445A1 (en) | 2017-10-26 |
EP3210232A1 (en) | 2017-08-30 |
RU2017117565A3 (ru) | 2019-05-29 |
CN107112182A (zh) | 2017-08-29 |
EP3210232A4 (en) | 2019-01-09 |
US20160148780A1 (en) | 2016-05-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2017117565A (ru) | Количественное детектирование вторичных электронов | |
JP7209744B2 (ja) | 顕微鏡検査のための半導体荷電粒子検出器 | |
TWI541985B (zh) | 具有單光子崩潰二極體、光子計數器及鬼影減量之低功率成像系統 | |
US20180328783A1 (en) | Optical pulse detection device, optical pulse detection method, radiation counter device, and biological testing device | |
US11159738B2 (en) | Imaging devices with single-photon avalanche diodes having sub-exposures for high dynamic range | |
CN104459756B (zh) | X射线辐射的检测 | |
CN107615095A (zh) | 用于x射线萤光的检测器 | |
US11289524B2 (en) | Microlenses for semiconductor device with single-photon avalanche diode pixels | |
US20160181459A1 (en) | Method for increasing the dynamic range of a silicon photomultiplier | |
US20230154959A1 (en) | Microlens structures for semiconductor device with single-photon avalanche diode pixels | |
US20200150287A1 (en) | Methods of making and using an x-ray detector | |
TWI815208B (zh) | 成像方法 | |
US20220116555A1 (en) | Reducing optical crosstalk effects in silicon-based photomultipliers | |
Charbon et al. | SPAD sensors come of age | |
Durini et al. | Silicon based single-photon avalanche diode (SPAD) technology for low-light and high-speed applications | |
TWI817088B (zh) | 血糖水平檢測的裝置及其方法 | |
TWI805067B (zh) | 成像裝置 | |
TWI826502B (zh) | 輻射檢測裝置以及輻射檢測方法 | |
US11946884B2 (en) | Biological imaging method using X-ray fluorescence | |
Panina | Design and characterisation of SPAD based CMOS analog pixels for photon-counting applications | |
Mandai et al. | Energy estimation technique utilizing timing information for TOF-PET application | |
US11646335B2 (en) | Semiconductor devices with single-photon avalanche diodes and rectangular microlenses | |
US20220264047A1 (en) | Low-power image sensor system with single-photon avalanche diode photodetectors | |
TW202238174A (zh) | 圖像感測器及成像系統 | |
Rychter | Vol. 42-Measurement based characterisation and modeling of micropixel avalanche photodiodes |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FA94 | Acknowledgement of application withdrawn (non-payment of fees) |
Effective date: 20200729 |