RU2016125810A - Жидкокристаллическое устройство и способ его изготовления - Google Patents

Жидкокристаллическое устройство и способ его изготовления Download PDF

Info

Publication number
RU2016125810A
RU2016125810A RU2016125810A RU2016125810A RU2016125810A RU 2016125810 A RU2016125810 A RU 2016125810A RU 2016125810 A RU2016125810 A RU 2016125810A RU 2016125810 A RU2016125810 A RU 2016125810A RU 2016125810 A RU2016125810 A RU 2016125810A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
layer
orientation
substrate
array
film transistors
Prior art date
Application number
RU2016125810A
Other languages
English (en)
Inventor
Юн ЧЖАО
Синь ЧЖАН
Шуй-Чи ЛЯНЬ
Original Assignee
Шэньчжэнь Чайна Стар Оптоэлектроникс Текнолоджи Ко., Лтд.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Шэньчжэнь Чайна Стар Оптоэлектроникс Текнолоджи Ко., Лтд. filed Critical Шэньчжэнь Чайна Стар Оптоэлектроникс Текнолоджи Ко., Лтд.
Publication of RU2016125810A publication Critical patent/RU2016125810A/ru

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
    • G02F1/133753—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers with different alignment orientations or pretilt angles on a same surface, e.g. for grey scale or improved viewing angle
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
    • G02F1/13378—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers by treatment of the surface, e.g. embossing, rubbing or light irradiation
    • G02F1/133788—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers by treatment of the surface, e.g. embossing, rubbing or light irradiation by light irradiation, e.g. linearly polarised light photo-polymerisation
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
    • G02F1/133512—Light shielding layers, e.g. black matrix
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
    • G02F1/133514—Colour filters
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1339—Gaskets; Spacers; Sealing of cells
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136209—Light shielding layers, e.g. black matrix, incorporated in the active matrix substrate, e.g. structurally associated with the switching element
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
    • G02F1/133707—Structures for producing distorted electric fields, e.g. bumps, protrusions, recesses, slits in pixel electrodes
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/40—Arrangements for improving the aperture ratio

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Claims (28)

1. Жидкокристаллическое устройство, включающее:
подложку массива тонкопленочных транзисторов, включающую первый электродный слой и первый ориентирующий слой, покрывающий первый электродный слой, и черную матрицу и фотоспейсер, расположенный на ней;
подложка цветовой пленки ЦФ включает второй электродный слой и второй ориентирующий слой, покрывающий второй электродный слой;
слой жидкого кристалла, расположенный между первым ориентирующим слоем подложки массива тонкопленочных транзисторов и вторым ориентирующим слоем подложки ЦФ;
причем и первый ориентирующий слой и второй ориентирующий слой подразделяются по меньшей мере на одну субобласть, и каждая из субобластей подразделяется на множество ориентирующих областей, и заранее определенное направление ориентации ориентирующей области первого ориентирующего слоя перпендикулярно по отношению к таковому второго ориентирующего слоя; и
каждая из ориентирующих областей первого ориентирующего слоя и второго ориентирующего слоя облучается поляризованными лучами с различными направлениями, направления поляризации поляризованных лучей, облучающих каждую из ориентирующих областей, адаптированы к направлениям ориентации таким образом, что ориентирующие пленки, имеющие заранее определенные направления ориентации, соответствующие каждой из ориентирующих областей, образуются на первом ориентирующем слое и втором ориентирующем слое.
2. Жидкокристаллическое устройство по п. 1, отличающееся тем, что подложка массива тонкопленочных транзисторов, кроме того, включает стеклянную подложку, шину затворов, изолирующий слой, слой полупроводника, и шину данных и пассивирующий слой, причем слой ЦФ располагается между изолирующим слоем и пассивирующим слоем.
3. Жидкокристаллическое устройство по п. 2, отличающееся тем, что черная матрица расположена над пассивирующим слоем подложки массива тонкопленочных транзисторов, или над стеклянной подложкой подложки массива тонкопленочных транзисторов и под шиной затворов, или над стеклянной подложкой подложки массива тонкопленочных транзисторов и по двум боковым сторонах шины затворов, или между слоем ЦФ и шиной данных подложки массива тонкопленочных транзисторов.
4. Жидкокристаллическое устройство по п. 3, отличающееся тем, что фотоспейсер расположен над черной матрицей, или над пассивирующим слоем подложки массива тонкопленочных транзисторов.
5. Жидкокристаллическое устройство по п. 4, отличающееся тем, что каждая субобласть подразделяется на четыре ориентирующих области двумя разделяющими взаимно перпендикулярными линиями, и по меньшей мере две из четырех ориентирующих областей имеют различающиеся направления ориентации.
6. Жидкокристаллическое устройство по п. 1, отличающееся тем, что первый электродный слой является слоем электрода пикселя, и второй электродный слой является слоем общего электрода.
7. Жидкокристаллическое устройство, включающее:
подложку массива тонкопленочных транзисторов, включающую первый электродный слой и первый ориентирующий слой, покрывающий первый электродный слой, черную матрицу и фотоспейсер, расположенный на ней;
подложка цветовой пленки ЦФ включает второй электродный слой и второй ориентирующий слой, покрывающий второй электродный слой;
слой жидкого кристалла, расположенный между первым ориентирующим слоем подложки массива тонкопленочных транзисторов и вторым ориентирующим слоем подложки ЦФ;
причем и первый ориентирующий слой, и второй ориентирующий слой подразделяются на по меньшей мере одну субобласть, и каждая из субобластей подразделяется на множество ориентирующих областей, заранее определенное направление ориентации ориентирующей области первого ориентирующего слоя перпендикулярно по отношению к таковому второго ориентирующего слоя,
и каждая из субобластей подразделяется на четыре ориентирующих области двумя разделяющими взаимно перпендикулярными линиями, и по меньшей мере две из четырех ориентирующих областей имеют различающиеся направления ориентации;
и каждая из ориентирующих областей первого ориентирующего слоя и второго ориентирующего слоя облучается поляризованными лучами с различными направлениями, направления поляризации поляризованных лучей, облучающих каждую из ориентирующих областей, адаптированы к направлениям ориентации таким образом, что ориентирующие пленки, имеющие заранее определенное направление ориентации, соответствующее каждой из ориентирующих областей, образуются на первом ориентирующем слое и втором ориентирующем слое.
8. Способ производства жидкокристаллических устройств, включающий следующие этапы:
обеспечивают подложку массива тонкопленочных транзисторов и подложку ЦФ, покрывают чувствительным к поляризованным лучам материалом первый электродный слой подложки массива тонкопленочных транзисторов для формирования первого ориентирующего слоя, и покрывают чувствительным к поляризованным лучам материалом второй электродный слой подложки ЦФ для формирования второго ориентирующего слоя;
подразделяют и первый ориентирующий слой, и второй ориентирующий слой на по меньшей мере одну субобласть, каждая из субобластей включает множество ориентирующих областей, а заранее определенное направление ориентации ориентирующей области первого ориентирующего слоя перпендикулярно по отношению к заранее определенному направлению ориентации соответствующей ориентирующей области второго ориентирующего слоя; и
облучают каждую из ориентирующих областей первого ориентирующего слоя и второго ориентирующего слоя поляризованными лучами различных направлений, и направление поляризации поляризованных лучей, облучающих каждую из ориентирующих областей, адаптировано к направлению ориентации так, чтобы формировать ориентирующие пленки с заранее определенным направлением ориентации, соответствующим каждой из ориентирующих областей;
обеспечивают электропитанием первый электродный слой подложки массива тонкопленочных транзисторов и второй электродный слой подложки ЦФ таким образом, чтобы завершить ориентацию молекул жидкого кристалла;
располагают черную матрицу на подложке массива тонкопленочных транзисторов; и
располагают фотоспейсер на подложке массива тонкопленочных транзисторов.
9. Способ производства по п. 8, отличающийся тем, что черную матрицу располагают над пассивирующим слоем подложки массива тонкопленочных транзисторов, или над стеклянной подложкой подложки массива тонкопленочных транзисторов и под шиной затворов, или над стеклянной подложкой подложки массива тонкопленочных транзисторов и располагают по двум боковым сторонам шины затворов, или располагают между слоем ЦФ и шиной данных подложки массива тонкопленочных транзисторов.
10. Способ производства по п. 9, отличающийся тем, что фотоспейсер располагают над черной матрицей, или над пассивирующим слоем подложки массива тонкопленочных транзисторов.
11. Способ производства по п. 8, отличающийся тем, что способ кроме того включает этап формирования до этапа формирования первого ориентирующего слоя посредством нанесения на подложку массива тонкопленочных транзисторов материала, чувствительного к поляризации лучей, и этап формирования включает формирование слоя ЦФ между изолирующим слоем и пассивирующим слоем подложки массива тонкопленочных транзисторов.
RU2016125810A 2013-12-31 2014-01-08 Жидкокристаллическое устройство и способ его изготовления RU2016125810A (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310747803.9 2013-12-31
CN201310747803.9A CN103728780A (zh) 2013-12-31 2013-12-31 一种液晶显示装置及其制造方法
PCT/CN2014/070307 WO2015100759A1 (zh) 2013-12-31 2014-01-08 一种液晶显示装置及其制造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2016125810A true RU2016125810A (ru) 2018-01-10

Family

ID=50452922

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2016125810A RU2016125810A (ru) 2013-12-31 2014-01-08 Жидкокристаллическое устройство и способ его изготовления

Country Status (6)

Country Link
JP (1) JP6386082B2 (ru)
KR (1) KR101847325B1 (ru)
CN (1) CN103728780A (ru)
GB (1) GB2535676B (ru)
RU (1) RU2016125810A (ru)
WO (1) WO2015100759A1 (ru)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103728781A (zh) * 2013-12-31 2014-04-16 深圳市华星光电技术有限公司 一种液晶显示器及其制造方法
CN104007590A (zh) * 2014-06-17 2014-08-27 深圳市华星光电技术有限公司 Tft阵列基板结构
CN104503169B (zh) * 2014-11-21 2018-03-06 深圳市华星光电技术有限公司 垂直配向型液晶显示器
CN104678666A (zh) * 2015-03-19 2015-06-03 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制备方法
KR102401621B1 (ko) * 2015-07-23 2022-05-25 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
CN105911735A (zh) * 2016-06-15 2016-08-31 苏州众显电子科技有限公司 一种液晶显示装置的制造方法
CN113031349B (zh) * 2021-03-22 2021-12-31 惠科股份有限公司 光配向装置及光配向方法
CN115113442B (zh) * 2022-04-26 2024-04-26 成都京东方显示科技有限公司 一种显示面板和显示装置

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW384412B (en) * 1995-11-17 2000-03-11 Semiconductor Energy Lab Display device
KR100193653B1 (ko) * 1995-11-20 1999-06-15 김영환 축적 캐패시터를 구비한 스태거 tft-lcd 및 그의 제조방법
KR100191787B1 (ko) * 1996-09-20 1999-06-15 구자홍 광시야각을 가지는 액정셀의 제조방법
JP3471692B2 (ja) * 2000-01-21 2003-12-02 Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 カラー液晶表示パネル
KR100623989B1 (ko) * 2000-05-23 2006-09-13 삼성전자주식회사 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그의 수리 방법
JP3744521B2 (ja) * 2003-02-07 2006-02-15 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
KR101036723B1 (ko) * 2003-12-30 2011-05-24 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
JP4212529B2 (ja) 2004-08-09 2009-01-21 壽一 久保 光ファイバ配線方法及びその装置
JP2008203780A (ja) * 2007-02-22 2008-09-04 Infovision Optoelectronics Holdings Ltd 液晶パネルおよび液晶表示装置
JP5079796B2 (ja) * 2007-04-20 2012-11-21 シャープ株式会社 液晶表示装置の製造方法及び液晶表示装置
KR100980023B1 (ko) * 2008-05-19 2010-09-03 삼성전자주식회사 액정 표시 장치
CN102356351B (zh) * 2009-03-17 2015-04-29 夏普株式会社 液晶显示装置和其制造方法
WO2011142144A1 (ja) * 2010-05-11 2011-11-17 シャープ株式会社 液晶表示装置
CN202025170U (zh) * 2011-04-22 2011-11-02 京东方科技集团股份有限公司 一种显示屏及显示装置
KR101527074B1 (ko) * 2011-05-20 2015-06-09 가부시키가이샤 아리사와 세이사쿠쇼 광 회절 소자, 광 픽업 및 광 회절 소자의 제조 방법
US9025112B2 (en) 2012-02-02 2015-05-05 Apple Inc. Display with color mixing prevention structures
US8600844B2 (en) 2012-02-02 2013-12-03 W.W. Grainger, Inc. Methods and systems for customizing inventory in an automated dispensing cabinet
JP5689436B2 (ja) * 2012-04-03 2015-03-25 シャープ株式会社 液晶表示装置
KR20130115621A (ko) * 2012-04-12 2013-10-22 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR101937446B1 (ko) * 2012-04-19 2019-01-11 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
CN102819144B (zh) * 2012-07-30 2014-11-12 北京京东方光电科技有限公司 取向膜制备方法、取向实现方法及液晶显示装置
CN103199095B (zh) * 2013-04-01 2016-06-08 京东方科技集团股份有限公司 显示器、薄膜晶体管阵列基板及其制造工艺
CN103226272B (zh) * 2013-04-16 2015-07-22 合肥京东方光电科技有限公司 一种阵列基板及其制备方法、显示装置
CN103353699A (zh) * 2013-06-24 2013-10-16 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、其制备方法及显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2017501455A (ja) 2017-01-12
WO2015100759A1 (zh) 2015-07-09
GB2535676B (en) 2020-09-09
CN103728780A (zh) 2014-04-16
GB201610217D0 (en) 2016-07-27
KR20160102562A (ko) 2016-08-30
KR101847325B1 (ko) 2018-04-10
JP6386082B2 (ja) 2018-09-05
GB2535676A (en) 2016-08-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2016125810A (ru) Жидкокристаллическое устройство и способ его изготовления
RU2016125807A (ru) Жидкокристаллическое устройство и способ его изготовления
RU2016125809A (ru) Способ ориентирования для жидкокристаллической панели и соответствующее жидкокристаллическое устройство
CN104678658B (zh) 显示面板及其制作方法
US9696580B2 (en) Array substrate and fabricating method thereof, and display apparatus
US20140285754A1 (en) Display device and method of manufacturing the same
JP2006313906A5 (ru)
JP2010008874A5 (ru)
US9897877B2 (en) Thin film transistor array substrate and liquid crystal display panel using same
JP2012084866A5 (ja) 液晶表示装置の作製方法
CN104932152B (zh) 液晶显示面板及液晶显示面板的制造方法
US20160343742A1 (en) Thin-film transistor, display device, and method for manufacturing thin-film transistor
US20160379996A1 (en) Display Substrate and Manufacturing Method Thereof, and Display Device
WO2016119335A1 (zh) 显示面板、显示装置及显示面板的制作方法
RU2016125808A (ru) Жидкокристаллическое устройство и способ его изготовления
US9502576B2 (en) Thin film transistor and method for manufacturing the same, array substrate, display device
KR101467710B1 (ko) Ｔｆｔ 어레이 기판, 그 제조방법 및 디스플레이 장치
US20180231816A1 (en) Thin film transistor and manufacturing method thereof, liquid crystal panel
JP2014224840A5 (ru)
JP2013254121A5 (ru)
US9257565B2 (en) Display panel and manufacturing method thereof
US20160187689A1 (en) Thin film transistor array substrate and method of fabricating same
RU2016146515A (ru) Матричная подложка, жидкокристаллическая панель отображения и жидкокристаллическое устройство отображения
US9513513B2 (en) Liquid crystal device and method for manufacturing the same
US9684216B2 (en) Pixel structure and fabrication method thereof